JP3867124B2 - 撮像素子及び該撮像素子を備える撮影装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高速現象の連続撮影に適する撮像素子及びこの撮像素子を備える撮影装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
通常のビデオカメラでは、撮像素子から画像信号を読み出すとき、数万〜数10万の画素で生じた電気信号を1列の画素ごとに走査し、1本の電気信号読み出し線から逐次読み出す。このため読み出しに時間がかかり、撮影速度の高速化が困難である。
【0003】
一方、通常の高速ビデオカメラでは、撮像素子に多数の読み出し線を設け、一度に複数の画素列を走査して読み出すことにより、撮影速度の高速化を達成している。
【0004】
撮影速度をさらに高速化するには、全画素並列処理とすればよい。すなわち、各画素全ての近傍に数個〜数10個の電気信号蓄積要素を設け、全画素一斉にフォトダイオードで生じた電気信号を、電気信号蓄積要素に順次移送すれば撮影速度を一層高速化ができる。
【0005】
例えば、米国特許5,355,165号には、図19に示すように、各画素1毎に縦長のフォトダイオ−ド3が1個と、水平転送CCD5とメモリー用垂直並列CCD7とからなる5列6行の電気信号蓄積要素を備えるCCD型メモリーと、水平読み出しCCD9とを備える撮像素子が記載されている。この撮像素子は、連続30枚の画像を数10万枚/秒の撮影速度で撮影可能である。
【0006】
しかし、上記図16の撮像素子では、連続撮影枚数を増やすためには、各画素1が多数の電気信号蓄積要素を持つ必要があり、電気信号蓄積要素の数を増やすと画素サイズが大きくなる。撮像素子のチップ面積には限界があるため、画素サイズが大きくなると画素数が減り、空間分解能が低下する。この問題を解決するには、各画素からなる撮像面とは直角方向の下方に延びる多数の電気信号蓄積要素を設けることが考えられる。しかし、このような空間3次元の立体的な構造を有する撮像素子を単体、すなわち1枚のチップで製作することは現在の技術では不可能である。
【0007】
これに対して、フォトダイオードのアレイを形成した1枚の平板状のチップと、それぞれ多数の電気信号蓄積要素を形成した多数枚の平面状のチップを貼り合わせ、フォトダイオードで発生した電荷を縦方向(チップの厚み方向)に移送するようにした撮像素子が提案されている。
【0008】
また、特開平3−50973号公報には、図20に示すように、各チップ11の1つの端面に、フォトダイオード13の列を作り、各フォトダイオード13に対して1本づつデジタルの記録要素15を設け、これらのチップ11を貼り合わせた撮像素子が記載されている。この撮像素子における1枚のチップ11は数100時点分連続して輝度情報を蓄積できるリニアセンサーとなる。従って、このリニアセンサーであるチップ11を多数枚貼り合わせた撮像素子は、連続数100枚の画像が超高速で撮影できる撮像素子となる。光線17は、チップ面と直交する方向から、貼り合わせられたチップ11の端面のフォトダイオード13に対して入射する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記フォトダイオードのアレイを形成した1枚の平板状のチップと、電気信号蓄積要素を形成した多数枚の平面状のチップを貼り合わせた撮像素子におて、低ノイズでチップとチップの間を縦方向に電荷を輸送することは現在の技術では困難である。
【0010】
上記図20に示す撮像素子については、チップ面と直交する方向からチップ11の端面から入射する光線17に応答する低ノイズ、高精度のフォトダイオードを作製することは困難である。また、図20の撮像素子では、十分な面積の受光面ないしは十分な数の画素を設けるには非常に多くの枚数のチップが必要である。
【0011】
そこで、本発明は、十分な連続撮影枚数を実現可能であって、低ノイズ、高精度の高速撮影可能な撮像素子を提供することを課題としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、第1の発明は、第1の端部近傍に1列又は複数列を構成するように配置され、入射線を電気信号に変換する複数の変換部と、各変換部から上記第1の端部とは反対の第2の端部側へ延び、上記変換部で発生した上記電気信号を蓄積して上記第2の端部側へ順次移送する複数の電気信号蓄積部とを少なくとも有する複数のチップを備え、これら複数のチップを重ね合わせてなり、各チップの変換部の列が露出して階段状の入射面を形成するように、各チップの上記第1の端部を隣接するチップの第1の端部に対してずらしてなり、上記各チップは、上記第2の端部近傍に入出力部を備え、かつ
各チップの入出力部が階段状に露出するように、各チップの上記第2の端部を、隣接するチップの第2の端部に対してずらしてなる撮像素子を提供するものである。
また、第2の発明は、第1の端部近傍に1列又は複数列を構成するように配置され、入射線を電気信号に変換する複数の変換部と、各変換部から上記第1の端部とは反対の第2の端部側へ延び、上記変換部で発生した上記電気信号を蓄積して上記第2の端部側へ順次移送する複数の電気信号蓄積部とを少なくとも有する複数のチップを備え、これら複数のチップを重ね合わせてなり、各チップの変換部の列が露出して階段状の入射面を形成するように、各チップの上記第1の端部を隣接するチップの第1の端部に対してずらしてなり、かつ平面状の入射面と、各チップの上記変換部の列が形成する上記入射面と密接する階段状の出射面とを有するファイバーガラスを備える撮像素子を提供するものである。
【0013】
本発明の撮像素子では、上記変換部が1列を構成する場合には、階段状に露出している変換部の列に対してチップ面と直交する方向から入射線を入射させることができる。
【0014】
また、変換部が2列を構成する場合には、チップの枚数が同じ場合には、変換部が1列の場合と比較して総画素数が2倍となる。逆に、同じ総画素数に対しては、変換部が1列を構成する場合と比較して必要なチップの枚数が2分の1となる。
【0015】
さらに、変換部が3列以上の場合には、チップの枚数が同じ場合には、変換部が1列を構成する場合と比較して画素数が3倍以上となる。逆に、同じ総画素数に対しては、変換部が1列を構成する場合と比較して必要なチップの枚数が3分の1以下となる。
【0016】
本発明の撮像素子は、現状の技術で容易に製作可能であり、高い画質を持ち、かつチップの枚数を増やすことにより、数100枚以上の画像を高速で連続撮影可能である。
【0017】
上記入射線は、可視光線であってもよく、赤外線、紫外線、X線、電子線、イオン線、中性子線又は超音波であってもよい。すなわち変換部は、可視光線像以外の赤外線像、X線像、電子線像、イオン線像、中性子線像、超音波像等を電気信号に変換するものであってもよい。
【0018】
上記各チップは、上記第2の端部近傍に入出力部を備え、かつ、各チップの入出力部が階段状に露出するように、各チップの上記第2の端部を、隣接するチップの第2の端部に対してずらしているので、入出力部と外部機器とを簡易かつ低ノイズで接続することができる。
【0019】
平面状の入射面と、各チップの上記変換部の列が形成する入射面と密接する階段状の出射面とを有するファイバーガラスを設けた場合、ファイバーガラスの入射面に結像した平面画像を段階状に露出している変換部に対して直角に入射させることができる。なお、ファイバーガラスの出射面と階段状に露出した変換部とは、例えば、光学のりまたは光学オイルにより接合することができる。
【0020】
また、上記露出した各チップの変換部の列は、上記入射線の入射方向に対して傾斜していてもよい。
【0021】
第3の発明は、上記撮像素子を備える撮影装置を提供するものである。
【0024】
【発明の実施の形態】
次に、図面に示す本発明の実施形態について詳細に説明する。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態の撮像素子21を備える撮像装置を示しており、レンズ23、撮像素子21の制御装置25、メモリ27及びモニタ29を備えている。
【0025】
図2から図4に示すように、撮像素子21は、平板状のチップ31を多数枚重ね合わせてなり、後述するようにこの撮像素子21を2個互いに付き合わせて1個の撮像素子としている。なお、これらの図面では、チップ31の積層枚数、CCDの要素数等は概略的に示している。
【0026】
各チップ31の一辺(第1の端部31a)に沿って、変換部であるフォトダイオード33が1列に並設されている。各フォトダイオード33には、電気信号蓄積部である直線状の垂直CCD転送路35が接続されている。各垂直CCD転送路35は、複数のCCD要素35aを備えている。これらフォトダイオード33及び垂直CCD転送路35は並列処理部60を構成している。
【0027】
各チップ31の上記フォトダイオード33の列が設けられた第1の端部31aとは反対側の端部(第2の端部31b)の近傍には、1本の水平CCD転送路37、読み出しゲート39、読み出しターミナル41、ドレン線43及びドレンターミナル45が設けられている。本実施形態では、読み出しターミナル41及びドレーンターミナル45はチップ31aの側方の端面に設けられている。また、各チップ31の側方の端面には、垂直CCD転送路35への駆動電圧供給等のための他のターミナル47が設けられている。これらの水平CCD転送路37、読み出しゲート39、読み出しターミナル41、ドレン線43、ドレンターミナル45及び他のターミナル47は、入出力部61を構成している。
【0028】
これらのチップ31は、図2及び図4に示すように、各チップ31のフォトダイオード33の列が露出して階段状の受光面を形成するように貼り合わせてある。具体的には、各チップ31の第1の端部31aを、図2において上方で隣接するチップ31の第1の端部31aに対して図2において左側にずらして配置させ、それによって各チップ31のフォトダイオード33の列を階段状に露出させている。
【0029】
上記階段状の受光面には光線17の入射面49aが平面で、出射面49bが階段状のファイバーガラス49が取り付けられている。ファイバーガラス49の出射面49bと受光面は光学のり、光学オイル等の手段により接続され、互いに密接している。
【0030】
各チップ31は、フォトダイオード33の部分を除いて図示しない遮光層により被覆されている。本実施形態では、画素ピッチは40ミクロン、CCDピッチは水平方向に40ミクロンで、垂直方向に10ミクロンである。1枚のチップ31におけるフォトダイオード33の数は256個である。チップ31の枚数は128枚である。この撮像素子21を図5に示すように2個突き合わせて1個の撮像素子としている。従って、画素数は256×256(=65536)個である。また受光面サイズは10.24ミリメートル×10.24ミリメートルとなる。連続撮影枚数は256の4倍で1024枚である。
【0031】
各チップ31の厚みは200ミクロンであり、チップ31を接合して出来上がった撮像素子の最小ターミナル間隔は、200ミクロンとなる。
【0032】
チップ31には、図3に示すように左側の端部に読み出しゲート39、読み出しターミナル41、ドレン線43、ドレンターミナル45が設けられているものと、右側の端部にこれら読み出しゲート39等の要素が設けられているもの2種類があり、これら2種類のチップ31を交互に重ね合わせている。従って、読み出しターミナル41のピッチは400ミクロンである。この程度のターミナルピッチがあれば、パッケージ(図示せず)とのボンディングが容易である。各読み出しターミナル41に接続された読み出し線(図示せず)は、各チップ31の画像信号が混じらないように1本1本別々に引き出している。他のターミナル47については、各チップ31上の同一位置にあるものは接続し、まとめて1本にして素子外に引き出している。これは例えば垂直CCD転送路35に供給する駆動電圧パターンは、全てのチップ31について同じだからである。
【0033】
撮影中は、ファイバーガラス49の入射面49aで結像した画像がフォトダイオード33に入射する。フォトダイオード33で発生した電子は、垂直CCD転送路35上を移送される。
【0034】
電子は、垂直CCD転送路35の下端まで移送されると、水平CCD転送路37に移送され、さらにもう1段下に設けられたドレン51に輸送されて、ドレン線43を経由して、ドレンターミナル45から素子外に排出される。
【0035】
各垂直CCD転送路35上には、図3では19個のCCD要素35aがあり、その下に水平CCD転送路37があるので、常時20枚分の最新の画像信号が上書き保存される。
【0036】
撮影対象とする現象が生起すると、垂直転送を停止し、水平CCD5上に蓄積されている画像信号を、水平方向に輸送して、読み出し回路から1つづつ素子外に読み出す。
【0037】
以下、通常のCCD型撮像素子と同様に、垂直転送を1回行う毎に水平転送を行い、垂直転送路上の全ての画像信号を読み出す。
【0038】
(第2実施形態)
図6及び図7は、本発明の第2実施形態を示している。
この第2実施形態では、チップ31は積層型CCD素子であり、垂直CCD転送路35の端部の上面に4列のフォトダイオード33を設け、インプットゲート55を通じて下部のCCD面に入力している。従って、第1実施形態と同一の総画素数とするために必要なチップ31の枚数は128枚の4分の1、すなわち32枚である。また、読み出し線は左右から各16本で合計32本である。画素ピッチは40ミクロンでCCDピッチは画素方向に見て垂直、水平とも10ミクロンである。連続撮影枚数は1024枚である。第2実施形態のその他の構成及び作用は上記第1実施形態と同様である。
【0039】
図8及び図9は、第2実施形態の変形例を示している。
この変形例では、画素配列の軸線と垂直CCD転送路35の軸線は平行ではなく、斜めに交差している。そのため、光電変換面とCCD上への入力ゲートの位置関係は全ての画素について同一である。このため、正方画素配置を保ちながら、疑似信号の生成などを最少限に低減することができる。図8ではインプットゲート55は、フォトダイオード33の平面視での図心付近に設けられている。一方、図9ではフォトダイオード33の一側部近傍にインプットゲート55を設けている。
【0040】
(第3実施形態)
図10及び図11は、本発明の第3実施形態を示している。
この第3実施形態では、チップ31はインターライン型であり、垂直CCD転送路35の端部に、一対のフォトダイオード33を6列設け、各フォトダイオード33の対はインプットゲート55を介して垂直CCD転送路35に接続されている。
【0041】
この第3実施形態では、第1実施形態と同一の総画素数とするために必要なチップ31の枚数は6分の1となる。画素ピッチは35ミクロンでCCDピッチは画素方向に見て垂直、水平とも5ミクロンである。第3実施形態のその他の構成及び作用は上記第1実施形態と同様である。
【0042】
(第4実施形態)
図12及び図13は、本発明の第4実施形態を示している。
この第4実施形態では、チップ31はインターライン型であり、垂直CCD転送路35の上部に、フォトダイオード33を10列設け、図13において縦方向の列を構成する10個のフォトダイオード33は、それぞれインプットゲート55を介して1本の垂直CCD転送路35に接続されている。図13において、上記10列のフォトダイオード33の下方側には、上記フォトダイオード33に接続された垂直CCD転送路35の間にもそれぞれ3本づつ垂直CCD転送路35が設けられている。
【0043】
また、図13において下方側にドレン、右側に読み出し用のCCD転送路(図示せず)が設けられている。
【0044】
本実施形態では、チップ31の枚数は100枚である。また、画素ピッチは20ミクロンである。さらに、フォトダイオード33は縦20ミクロン、横15ミクロンである。垂直CCD転送路35のピッチは5ミクロンである。
【0045】
撮影時には、200万分の1秒間、図13において縦方向に並んだ10個のフォトダイオード33で光電変換しつつ、インプットゲート55を200万分の1秒間開き、各フォトダイオード33から対応する垂直CCD転送路35へ電荷を移送する。また、この光電変換と同時に、各垂直CCD転送路35では、20MHz(2000万分の1秒で1ステップ進む。)で10ステップ電荷を移送する。この10ステップの移送には200万分の1秒要する。従って、100万分の1秒毎にゲーティングした連続画像が蓄積され、撮影速度は100万枚/秒である。第4実施形態のその他の構成及び作用は上記第1実施形態と同様である。
【0046】
(第5実施形態)
図14及び図15は、本発明の第5実施形態を示している。
この第5実施形態では、読み出しターミナル41、ドレンターミナル45及び他のターミナル47はチップ31の端面ではなく、チップ31のフォトダイオード33が設けられた面と同一のチップ面の第2の端部31b近傍に設けられている。また、チップ31の第1の端部31aから第2の端部31bまでの長さは光線17の入射側(図14において上層側)のものほど長く設定している。そして、チップ31の長さを異ならせることにより、各チップ31の第2の端部31bは、上層側の隣接するチップ31の第2の端部31bに対して図2において右側にずれており、各チップ31の読み出しターミナル41、ドレンターミナル45及び他のターミナル47を含む入出力部61が階段状に露出している。
【0047】
このように入出力部61が階段状に露出していれば、上記読み出しターミナル41、ドレンターミナル45及び他のターミナル47へ電気信号出力用の電線や駆動電圧供給用の電線の接続が容易になる。
【0048】
チップ31の端面は通常ウェハの切断部分であるため、結晶配列が乱れている場合がある。そのため、チップ31の端面に、上記読み出しターミナル41、ドレンターミナル45、他のターミナル47等を設けていると、特に、アナログ信号が入出力される場合にこれらのターミナルでノイズが発生しやすい。これに対して第5実施形態では、読み出しターミナル41、ドレンターミナル45及び他のターミナル47はチップ31の端面ではなく一方のチップ面に設けられているため、これらのターミナルで発生するノイズを低減することができる。第5実施形態のその他の構成及び作用は上記第1実施形態と同様である。
【0049】
なお、図16及び図17に示すように、読み出しターミナル41、ドレンターミナル45及び他のターミナル47を含む入出力部61を、上記フォトダイオード33を設けた面とは反対側のチップ面における第2の端部31b近傍に設け、下層側のチップ31ほど長さを短く設定することにより、各チップ31の第2の端部31bを下層側に隣接するチップ31の第2の端部31bに対して図2において右側にずらしてもよい。この場合も、入出力部61が階段状に露出するため、読み出しターミナル41、ドレンターミナル45及び他のターミナル47への各種の線の接続が容易になると共に、これらのターミナルで発生するノイズを低減することができる。
【0050】
本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、変換部はフォトダイオード以外の赤外線、紫外線、X線、電子線、イオン線、中性子線、超音波等の入射線を電気信号に変換するものであってもよい。この場合、赤外線像、紫外線像、X線像、電子線像、イオン線像、中性子線像、超音波像等を超高速で連続撮影することができる。
【0051】
ファイバーガラスの結像面にマイクロレンズアレイを接着してもよい。
【0052】
ファイバーガラスの結像面にも短時間応答X線蛍光面等、光以外の像を光線像に変換する膜を接着しても良い。
【0053】
並列処理部は上記実施形態のようにフォトダイオードと電気信号蓄積用のCCDに限定されない。例えば、フォトダイオード等の変換部と電気信号蓄積部の間にAD変換器を設け、電気信号蓄積部をデジタル式としてもよい。また、並列処理部は、デジタル信号やアナログ信号の演算処理機能を備えていてもよい。
【0054】
フォトダイオード等の変換手段上にオンチップマイクロレンズを取り付けてもよい。この場合、各オンチップマイクロレンズの焦点距離を調節することにより、変換手段が階段状に配置されていることの影響を補正してもよい。
【0055】
上記ファイバーガラスを設けない場合には、図18に示すように、撮像素子21を取り付けるパッケージ65の取付面65aを光線17の入射方向に対して傾斜させ、それによって、階段状に露出したフォトダイオード33の列からなる受光面を光線17の入射方向に対して傾斜させてもよい。この場合、フォトダイオード33の各列の側方から見た図心Gを結ぶ線Lが光線17の入射方向に対して直角となるように配置することが好ましい。この場合、受光面を光線17の入射方向に対して直交させた場合と比較して、レンズ21(図1参照)等の光学系から各フォトダイオード33までの距離が均一になるため、フォトダイオード33が階段状に配置されていることによる影響を補正することができる。
【0056】
なお、上記パッケージ65を撮影装置本体に対して傾斜して取り付けることにより、フォトダイオード33の列を光線17の入射方向に対して傾斜させてもよい。
【0057】
撮像素子を冷却してもよい。この場合、ノイズを低減することができると共に、蓄積された電気信号を保持可能な時間が延びる。
【0058】
本発明の撮像素子を備える撮影装置は、高速撮影に限定されず、電気信号蓄積手段に多数の静止画像を記録させるようにしてもよい。
【0059】
本発明における撮像素子の複数枚のチップを重ね合わせた構造は、並列処理を行う各種の回路素子に適用できる。すなわち、第1の端部近傍からこの第1の端部とは反対側の第2の端部に向けて設けられた並列処理部と、上記第2の端部近傍に設けられた入出力部とをそれぞれ有する複数のチップを重ね合わせて回路素子を構成する。そして、各チップの並列処理部の一部が階段状に露出するように、各チップの上記第1の端部を隣接するチップの第1の端部に対してずらし、かつ、各チップの入出力部が階段状に露出するように、各チップの上記第2の端部を隣接するチップの第2の端部に対してずらす。かかる回路素子であれば、各チップの入出力部が階段状に露出しているため、外部回路と回路素子とを低ノイズで接続することができる。
この種の回路素子としては、例えば、人間の眼の網膜から脳に至るまでの機能を模したセンサが考えられる。網膜に結像した像を脳が認識するまでには複数段階の処理が介在している。そして、これらの処理のうち初歩的ないしは簡易な処理にはセンサ自体で行うことが好ましい。本発明のチップを重ね合わせた構造であれば、並列処理部でこれらの処理を実行することができる。
【0060】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明の撮像素子は、光等を電気信号に変換する1列または複数列の変換部を備える平板状のチップを、各チップの変換部の列が階段状に露出するようにずらして重ねている。よって、チップの枚数を増やすことにより十分な連続撮影枚数を実現可能であって、低ノイズ、高精度の高速撮影可能が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施形態の撮像素子を備える撮影装置を示す概略図である。
【図2】 第1実施形態の撮像素子の半側部を示す概略部分側面図である。
【図3】 第1実施形態の撮像素子が備える1枚のチップを示す平面図である。
【図4】 第1実施形態の撮像素子を示す部分斜視図である。
【図5】 第1実施形態の撮像素子を示す概略部分側面図である。
【図6】 第2実施形態の撮像素子を示す概略側面図である。
【図7】 第2実施形態の撮像素子が備える1枚のチップを示す部分平面図である。
【図8】 第2実施形態の変形例を示す部分平面図である。
【図9】 第2実施形態の変形例を示す部分平面図である。
【図10】 第3実施形態の撮像素子を示す概略側面図である。
【図11】 第3実施形態の撮像素子を示す概略平面図である。
【図12】 第4実施形態の撮像素子を示す概略側面図である。
【図13】 第4実施形態の撮像素子を示す部分平面図である。
【図14】 第5実施形態の撮像素子を示す概略側面図である。
【図15】 第5実施形態の撮像素子の1枚のチップを示す部分平面図である。
【図16】 第5実施形態の変形例の撮像素子を示す概略側面図である。
【図17】 第5実施形態の変形例の撮像素子が備える1枚のチップを示す部分平面図である。
【図18】 光線の入射方向に対して傾斜させた撮像素子を示す部分側面図である。
【図19】 従来の撮像素子の一例を示す部分平面図である。
【図20】 従来の撮像素子の他の例を示す概略側面図である。
【符号の説明】
31 チップ
31a 第1の端部
31b 第2の端部
33 フォトダイオード(変換部)
35 垂直CCD転送路(電気信号蓄積部)
37 水平CCD転送路(電気信号蓄積部)
41 読み出しターミナル
43 ドレン線
45 ドレンターミナル
49 ファイバーガラス
55 インプットゲート
60 並列処理部
61 入出力部
Claims (6)
- 第1の端部近傍に1列又は複数列を構成するように配置され、入射線を電気信号に変換する複数の変換部と、各変換部から上記第1の端部とは反対の第2の端部側へ延び、上記変換部で発生した上記電気信号を蓄積して上記第2の端部側へ順次移送する複数の電気信号蓄積部とを少なくとも有する複数のチップを備え、
これら複数のチップを重ね合わせてなり、
各チップの変換部の列が露出して階段状の入射面を形成するように、各チップの上記第1の端部を隣接するチップの第1の端部に対してずらしてなり、
上記各チップは、上記第2の端部近傍に入出力部を備え、かつ
各チップの入出力部が階段状に露出するように、各チップの上記第2の端部を、隣接するチップの第2の端部に対してずらしてなる撮像素子。 - 第1の端部近傍に1列又は複数列を構成するように配置され、入射線を電気信号に変換する複数の変換部と、各変換部から上記第1の端部とは反対の第2の端部側へ延び、上記変換部で発生した上記電気信号を蓄積して上記第2の端部側へ順次移送する複数の電気信号蓄積部とを少なくとも有する複数のチップを備え、
これら複数のチップを重ね合わせてなり、
各チップの変換部の列が露出して階段状の入射面を形成するように、各チップの上記第1の端部を隣接するチップの第1の端部に対してずらしてなり、かつ
平面状の入射面と、各チップの上記変換部の列が形成する上記入射面と密接する階段状の出射面とを有するファイバーガラスを備える撮像素子。 - 上記入射線は、可視光線である請求項1又は請求項2に記載の撮像素子。
- 上記入射線は、赤外線、紫外線、X線、電子線、イオン線、中性子線又は超音波である請求項1又は請求項2に記載の撮像素子。
- 上記階段状に露出した各チップの変換部の列が形成する上記入射面は、上記入射線の入射方向に対して傾斜していることを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
- 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の撮像素子を備える撮影装置。
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