JPS5883384A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS5883384A JPS5883384A JP56179697A JP17969781A JPS5883384A JP S5883384 A JPS5883384 A JP S5883384A JP 56179697 A JP56179697 A JP 56179697A JP 17969781 A JP17969781 A JP 17969781A JP S5883384 A JPS5883384 A JP S5883384A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic bubble
- transfer
- memory element
- magnetic
- bubble memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0816—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using a rotating or alternating coplanar magnetic field
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ素子に係わるものであシ、特
に高密度磁気バブルメモリ素子に好適な磁気バブル転送
路の改良に関するものである０従来より磁気バブルメモ
リ素子に採用されている磁気バブル転送用基本転送素子
は、数Ｍｂに高密度化された磁気バプルメそり素子にお
いて単に比例縮小して用いただけでは基本転送素子の表
面積が小さくなシすぎ、すなわち容量が小さいため、充
分な磁気バブル駆動力を得ることができず、したがって
磁気バブルが基本転送素子上を充分に転送できないとい
う欠点があった。
に高密度磁気バブルメモリ素子に好適な磁気バブル転送
路の改良に関するものである０従来より磁気バブルメモ
リ素子に採用されている磁気バブル転送用基本転送素子
は、数Ｍｂに高密度化された磁気バプルメそり素子にお
いて単に比例縮小して用いただけでは基本転送素子の表
面積が小さくなシすぎ、すなわち容量が小さいため、充
分な磁気バブル駆動力を得ることができず、したがって
磁気バブルが基本転送素子上を充分に転送できないとい
う欠点があった。
したがって本発明は、上記従来の欠点に鑑みてなされた
ものでＴｏシ、その目的とするところは、磁気バブルメ
モリ素子を高密度化しても安定に動作できる磁気バブル
メモリ素子の磁気バブル転送路を提供することにある。
ものでＴｏシ、その目的とするところは、磁気バブルメ
モリ素子を高密度化しても安定に動作できる磁気バブル
メモリ素子の磁気バブル転送路を提供することにある。
以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
まず、本発明の詳細な説明する前に本発明の理解を容品
にするため、磁気バブル転送路について説明する。
にするため、磁気バブル転送路について説明する。
すなわち、第１図は磁気パズル転送路として、例えば脅
イナループの直線転送路部の一例を示す要部概略平面図
である。同図において、１は第２図に拡大平面図で示す
ように高さｈｌ を有する非対称シエブｐンパターン
からなる基本転送素子であシ、この基本転送素子１の多
数個が磁気バブル転送方向Ｐ（ｙ軸方向）に所定間隔幅
で形成配置されている。そして、この場合、マイナルー
プ２の相互配列間周期（Ｘ軸方向の繰シ返し周期）Ｊｘ
は、該磁気バブルメモリ素子で使用する磁気パズル径の
約５〜８倍程度の大きさ、に選定され、さらにマイナル
−１２間で相互に隣接する直線転送路対向間の基本転送
素子１相互間間隔ｄは、ｄ≧０．３λＸ程度の大きさで
構成されていた。
イナループの直線転送路部の一例を示す要部概略平面図
である。同図において、１は第２図に拡大平面図で示す
ように高さｈｌ を有する非対称シエブｐンパターン
からなる基本転送素子であシ、この基本転送素子１の多
数個が磁気バブル転送方向Ｐ（ｙ軸方向）に所定間隔幅
で形成配置されている。そして、この場合、マイナルー
プ２の相互配列間周期（Ｘ軸方向の繰シ返し周期）Ｊｘ
は、該磁気バブルメモリ素子で使用する磁気パズル径の
約５〜８倍程度の大きさ、に選定され、さらにマイナル
−１２間で相互に隣接する直線転送路対向間の基本転送
素子１相互間間隔ｄは、ｄ≧０．３λＸ程度の大きさで
構成されていた。
そこで、本発明者らは、種々の実験、検討を繰り返し行
なった結果、第３図に示すように基本転送素子１′のパ
ターンの高さｈ雪を太きく （ｈｍ＞ｈｓ）してパター
ン表面積を拡大させると、直線転送路対向間の基本転送
素子１相互間間隔ｄが小さくなり、ｄ／λＸ、が小さぐ
なることによって、バイアス磁界マージンΔｌＨｔが大
きくなることを見い出した。そして、とのｄ／λＸ を
各種変化させて磁気バブル転送特性を実験的に求めた結
果、第４図に示すようなデータが得られた。すなわち、
同図において、ｄ／λＸが従来の０．３以上の場合、バ
イアス磁界マージンΔＩ（ｓは約２０００と小さい。こ
れは、従来のｄ／λＸでは、基本転送素子のパターン高
さを充分大きくできないためである。
なった結果、第３図に示すように基本転送素子１′のパ
ターンの高さｈ雪を太きく （ｈｍ＞ｈｓ）してパター
ン表面積を拡大させると、直線転送路対向間の基本転送
素子１相互間間隔ｄが小さくなり、ｄ／λＸ、が小さぐ
なることによって、バイアス磁界マージンΔｌＨｔが大
きくなることを見い出した。そして、とのｄ／λＸ を
各種変化させて磁気バブル転送特性を実験的に求めた結
果、第４図に示すようなデータが得られた。すなわち、
同図において、ｄ／λＸが従来の０．３以上の場合、バ
イアス磁界マージンΔＩ（ｓは約２０００と小さい。こ
れは、従来のｄ／λＸでは、基本転送素子のパターン高
さを充分大きくできないためである。
これに対してｄ／λＸが０．２以下とすると、パターン
高さを充分大きくでき、基本転送素子の表面積を大きく
できるため、バイアス磁界マージンΔＨ１が約２倍程度
に向上することが明らかとなった。
高さを充分大きくでき、基本転送素子の表面積を大きく
できるため、バイアス磁界マージンΔＨ１が約２倍程度
に向上することが明らかとなった。
したがって本発明は、磁気バブル転送路をとのｄ／λＸ
が０．３未満となるように形成するものである。以下実
施例を用いて詳細に説明する。
が０．３未満となるように形成するものである。以下実
施例を用いて詳細に説明する。
第５図は本発明による磁気バブルメモリ素子の一例を示
す第１図に和尚する磁気パズル基本転送路の要部概略平
面図であり、第１図と同記号は同一要素となるのでその
説明は省略する。同図において、１゛は第３図に拡大平
面図で示すように高さｈ２を有しパターン表面積を広く
形成した非対称シエブ四ンパターンからなる基本転送素
子であシ、この基本転送素子１′を磁気バブル転送方向
Ｐ（ｙ軸方向）Ｋ所定間隔幅で多数個形成配置させてマ
イナループ２の直線転送路部が形成されている。
す第１図に和尚する磁気パズル基本転送路の要部概略平
面図であり、第１図と同記号は同一要素となるのでその
説明は省略する。同図において、１゛は第３図に拡大平
面図で示すように高さｈ２を有しパターン表面積を広く
形成した非対称シエブ四ンパターンからなる基本転送素
子であシ、この基本転送素子１′を磁気バブル転送方向
Ｐ（ｙ軸方向）Ｋ所定間隔幅で多数個形成配置させてマ
イナループ２の直線転送路部が形成されている。
この場合、同一ライナループ２内で相互に隣接する直線
転送路対向間の基本転送素子１′相互間間隔ｄはｄ ＝
−０，２λＸの関係を有して形成されている。すなわ
ち、マイカループ２内に対向配置される直線転送路部の
各基本転送素子１″の背高部の配列線、磁気バブル転送
方向（ｙ軸方向）で交互に交差するような配列で形成配
置される。なお、この場合、マイナループ２の配列相互
間周期（Ｘ軸方向の繰り返し周期）λＸは、使用する磁
気バブル径Ｗの５〜８倍程度の大きさに選定されること
は勿論である。
転送路対向間の基本転送素子１′相互間間隔ｄはｄ ＝
−０，２λＸの関係を有して形成されている。すなわ
ち、マイカループ２内に対向配置される直線転送路部の
各基本転送素子１″の背高部の配列線、磁気バブル転送
方向（ｙ軸方向）で交互に交差するような配列で形成配
置される。なお、この場合、マイナループ２の配列相互
間周期（Ｘ軸方向の繰り返し周期）λＸは、使用する磁
気バブル径Ｗの５〜８倍程度の大きさに選定されること
は勿論である。
このような構成において、同一マイナループ２の直線転
送路部で隣接する基本転送素子１′相互間間＠ｄをｄ
＝ −０，２λＸ と負となるように配列形成したこと
によって、基本転送素子１′の表面積を最大限に大きく
とるととができるので、磁気バブルメモリ素子の高密度
化に対して約４００ｅ １！度のバイアス磁界マージン
が得られ、磁気バブルを安定性良く転送させることがで
きる。
送路部で隣接する基本転送素子１′相互間間＠ｄをｄ
＝ −０，２λＸ と負となるように配列形成したこと
によって、基本転送素子１′の表面積を最大限に大きく
とるととができるので、磁気バブルメモリ素子の高密度
化に対して約４００ｅ １！度のバイアス磁界マージン
が得られ、磁気バブルを安定性良く転送させることがで
きる。
なお、上述したｄ／λＸの範囲は、発明者らの実験によ
ると、−〇、２≦ｄ／λｘ ＜ ０．３ の範囲内に設
定することによシ、バイアス磁界マージンの向上が得ら
れ、この範囲を逸脱すると、バイアス磁界マージンが大
幅に低下し、良好な効果が得られない。そして、この素
子１′の間隔ｄｔ−ｄ≦０．２λＸＯ関係を満たす範囲
に設定することによって、極めて良好な効果が得られた
。
ると、−〇、２≦ｄ／λｘ ＜ ０．３ の範囲内に設
定することによシ、バイアス磁界マージンの向上が得ら
れ、この範囲を逸脱すると、バイアス磁界マージンが大
幅に低下し、良好な効果が得られない。そして、この素
子１′の間隔ｄｔ−ｄ≦０．２λＸＯ関係を満たす範囲
に設定することによって、極めて良好な効果が得られた
。
なお、上記実施例において、基本転送素子１′は、第６
図（ａ）Ｋ示すような非対称シェプＱンバＩＩ−ｙを用
いた場合について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、同図缶）に示すようにパターン背高部
が台形状を有しかつ腹部にパターン突出部１ａを有する
ハーフディスクパターン。
図（ａ）Ｋ示すような非対称シェプＱンバＩＩ−ｙを用
いた場合について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、同図缶）に示すようにパターン背高部
が台形状を有しかつ腹部にパターン突出部１ａを有する
ハーフディスクパターン。
同図（ｅ）に示すようにパターン背高部が台形状を有す
る対称ハーフディスクパターン、同図（ｄ）に示すよう
に背高部を有しかつ腹部に平坦部を有する変形非対称シ
エブ四ンパターンまたはこれらのパターン形状を種々組
合せて形成される種々の変形形状のパターンを用いても
前述と全く同様の効果が得られることは勿論である。
る対称ハーフディスクパターン、同図（ｄ）に示すよう
に背高部を有しかつ腹部に平坦部を有する変形非対称シ
エブ四ンパターンまたはこれらのパターン形状を種々組
合せて形成される種々の変形形状のパターンを用いても
前述と全く同様の効果が得られることは勿論である。
以上説明したように本発明による磁気バブルメモリ素子
によれば、高密度化に対して基本転送素子の表面積を大
きくとれるので、バイアス磁界マージンが向上し、安定
した磁気バブルの転送が可能となるなどの極めて優れた
効果が得られる。
によれば、高密度化に対して基本転送素子の表面積を大
きくとれるので、バイアス磁界マージンが向上し、安定
した磁気バブルの転送が可能となるなどの極めて優れた
効果が得られる。
第１図は従来の磁気バブル転送路の一例を示す要部概略
平面図、第２図は従来の基本転送素子の一例を示す拡大
平面図、第３図は本発明による磁気バブルメモリ素子に
係わる基本転送素子の一例を示す拡大平面図、第４図は
ｄ／λＸに対するバイアス磁界マージｙｄＨＢの関係を
示す特性図、Ｗ、５図は本発明による磁気バブルメモリ
素子に係わる磁気バブル転送路の一例を示す要部概略平
面図、第６図は本発明による磁気バブルメモリ素子に係
わる磁気バブル転送路に適用できる各種基本転送素子の
他の実施例を示す拡大平面図である。 １．１′・・・・基本転送素子、１ａ・・・・パターン
突出部、２・−−９マイナループ。 代理人 弁理士 薄 １）利 シヶ。 第１図 第２図 第４図 短 第５図
平面図、第２図は従来の基本転送素子の一例を示す拡大
平面図、第３図は本発明による磁気バブルメモリ素子に
係わる基本転送素子の一例を示す拡大平面図、第４図は
ｄ／λＸに対するバイアス磁界マージｙｄＨＢの関係を
示す特性図、Ｗ、５図は本発明による磁気バブルメモリ
素子に係わる磁気バブル転送路の一例を示す要部概略平
面図、第６図は本発明による磁気バブルメモリ素子に係
わる磁気バブル転送路に適用できる各種基本転送素子の
他の実施例を示す拡大平面図である。 １．１′・・・・基本転送素子、１ａ・・・・パターン
突出部、２・−−９マイナループ。 代理人 弁理士 薄 １）利 シヶ。 第１図 第２図 第４図 短 第５図
Claims (1)
- １、基本転送素子を磁気バブル転送方向および該転送方
向と交差する方向に繰シ返し配列して形成した磁気バブ
ル転送路を真備してなる磁気バブルメモリ素子において
、前記磁気バブル転送路間周期をλとし、相互に隣接す
る転送路素子間間隔をｄとするとき、ｄ／λが０．３未
満となるように形成することを特徴とした磁気バブルメ
モリ素子０２、前記ｄ／λを０．２以下としたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気バブルメモリ
素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56179697A JPS5883384A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 磁気バブルメモリ素子 |
| US06/439,808 US4473891A (en) | 1981-11-11 | 1982-11-08 | Magnetic bubble memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56179697A JPS5883384A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5883384A true JPS5883384A (ja) | 1983-05-19 |
| JPS6338800B2 JPS6338800B2 (ja) | 1988-08-02 |
Family
ID=16070287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56179697A Granted JPS5883384A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4473891A (ja) |
| JP (1) | JPS5883384A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51115740A (en) * | 1975-01-17 | 1976-10-12 | Western Electric Co | Device for propagating magnetic bubble |
-
1981
- 1981-11-11 JP JP56179697A patent/JPS5883384A/ja active Granted
-
1982
- 1982-11-08 US US06/439,808 patent/US4473891A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51115740A (en) * | 1975-01-17 | 1976-10-12 | Western Electric Co | Device for propagating magnetic bubble |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4473891A (en) | 1984-09-25 |
| JPS6338800B2 (ja) | 1988-08-02 |
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