JPS588200B2 - 時分割通話路方式 - Google Patents

時分割通話路方式

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JPS588200B2
JPS588200B2 JP1066578A JP1066578A JPS588200B2 JP S588200 B2 JPS588200 B2 JP S588200B2 JP 1066578 A JP1066578 A JP 1066578A JP 1066578 A JP1066578 A JP 1066578A JP S588200 B2 JPS588200 B2 JP S588200B2
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highways
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高橋達郎
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04QSELECTING
    • H04Q11/00Selecting arrangements for multiplex systems
    • H04Q11/04Selecting arrangements for multiplex systems for time-division multiplexing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)
  • Sub-Exchange Stations And Push- Button Telephones (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は時分交換方式において必要となる時間スイッチ
を経済的に構成し、且つ前記時間スイッチの2段構成を
主体とした時分割通話路方式に関するものである。
従来、大容量時分割通話路は時間スイッチ(以下Tスイ
ッチと略称する)と空間スイッチ(以下Sスイッチと略
称する)との多段組合せ、例えばT−S−T , S−
T−S , T−S−S−S−S −T等、によって実
現していたため、部品数が多くまた通話路制御のための
制御プログラムや制御回路が複雑になり、経済性を損な
うとともに、論理ゲートで構成するSスイッチを使用し
ているため汎用LSI(大規模集積回路)との親和性が
少ない欠点を有していた。
更にTスイッチ自体も1タイムスロット当り、入ハイウ
エイに関する書込及び出ハイウエイに関する読み出しの
2動作を必要としたため、Tスイッチ内の記憶装置のア
クセスタイミング数はハイウエイ多重数の2倍必要とし
、大容量化の際の障害となっていた。
本発明は電子計算機における主記憶装置等で多用され、
高度の汎用性を有するLSI記憶素子と親和性の高い時
分割通話路方式を提供するもので、時分割通話路をTス
イッチのみで構成し、該Tスイッチ内部で使用している
記憶装置を複数のブロックに分割し、シーケンシャルア
クセス側は前記複数ブロックを並列してアクセスして記
憶装置のアクセスタイミングを削減したことを特徴とし
、その目的は記憶装置のサイクルタイムに関する要求条
件の緩和、記憶素子周辺回路の削減及び通話路制御の簡
略化にある。
以下実施例について詳細に説明する。
第1図は本発明の基本部分を示す第1の実施例の説明図
であって、M1−nは記憶装置ブロック、Di及びD0
及びAdd及びWE及びBSはMの入出力端子であって
各々データ入力及びデータ出力及びアドレス入力及びラ
イト・イネーブル及びブロック・セレクト端子、HWL
■は入ハイウエイ、HWJO1−nは出ハイウエイ、O
R1−nはORゲート、R/Wは読出/書込制御信号、
HMは保持メモリ、CTRはカウンタ、SQはカウンタ
CTR出力の上位ビットであってシーケンシャルアドレ
ス、RNは保持メモリHM出力であってランダムアドレ
ス、L1〜Ln及びLiはラッチ回路、Rpは読出パル
ス、WEpは書込パルス、CLKCは通話路の共通クロ
ツク信号、INHは禁止ゲート、ANDはANDゲート
、SELは選択回路J)EC r及びDECBはデコー
ダ、ATIMはアクセスタイミング信号である。
第2図はn=4の場合の第1図の動作説明波形図であっ
て、第1図と同一記号は同所の波形を表わし、Tは入ハ
イウエイHWLIの1タイムスロットの幅、A,B,C
,D,Eは入ハイウエイHWLIの各タイムスロットの
内容、U,V,Wは出ハイウエイHWJO1−4の各タ
イムスロットの内容、M1−4の波形内のAdd ;α
(A),Add,β(B)はアドレスがα,β番地でそ
の記憶内容がA,Bであることを表わし以下同様の記述
は上記と同様であり、波形RN内のM1−αなる記述は
記憶装置ブロックM1のα番地を表わし以下同様の記述
は上記と同様であり、波形SQ内のp,p+1・・・は
記憶装置ブロックM1〜4すべてに共通なアドレスを表
わす。
又、CTRはカウンタCTRの下位2ビットの計数値、
CTR(SQ)はカウンタCTRの下位2ビットを除く
計数値でシーケンシャルアドレスSQを表わす。
次に第1図及び第2図に従って動作を説明する。
入ハイウエイHWLIはK多重されており、第2図はn
=4の場合の動作波形例であって入ハイウエイHWLI
の4タイムスロット(図中A,B,C,Dで示した各タ
イムスロット)を中心に示している。
カウンタCTRの出力のnに相当する下位ビット即ちl
Og2nビット(第2図の例ではn=4であるので2ビ
ット)をデコーダDECrでデコードした結果の1つの
出力をR/W信号(図2の例では下位2ビットの計数値
が4の場合)とし、デコーダDECr出力が“1″即ち
Rの位置に対応するタイムスロットの情報(第2図の例
では情報”D”)を無視し、該タイムスロットを読出し
タイミング、(一般的な表現を用いるならばシーケンシ
ャルアクセスタイミング)に割当てる。
入ハイウエイHWLI上の各情報は書込タイミングW(
波形R/WのW側)時にWBpの位置において記憶装置
に書込まれ、そのアドレスはセレクタSELによって保
持メモリHM側が選択されるのでランダムアドレス(R
N)となり、RNの上位ビットはデコーダDECHによ
ってデコードされ、デコーダDECB出力には4個の出
力端子の内1個のみに信号が現われ、該信号は各記憶装
置のブロックセレクト(BS)に対応しており、各OR
回路の一方の端子に接続されているR/W信号は”0”
となっており、従ってn個の記憶装置ブロックの内の唯
一のBS端子のみが指定され、該記憶装置ブロックの指
定されたアドレスのみにデータが書込まれる。
この様子は第2図において矢印で例示しており、入ハイ
ウエイHWLI上の情報”A”は記憶装置ブロックM1
のα番地に書込まれ、α番地の内容は゛A″となり、”
B”は記憶装置ブロックM4のβ番地に書込まれ、β番
地の内容は″B”となり、以下同様である。
共通クロツク信号CLKcに同期した入ハイウエイHW
LI上の情報列には既に述べた如く4回タイムスロット
に1回の割で無視するタイムスロット(第2図ではカウ
ンタCTRの下位2ビットの計数値が4の位値)が発生
し、この無視するタイムスロット(第2図の例では情報
D)に関しては書込動作が不要であり、このタイミング
位置をデコーダDECrによってデコードし、読出しタ
イミングに割当てているのでこの時間位置即ちカウンタ
CTRの下位2ビットの計数値“4”をデコーダDEC
rでデコードしてその出力のR/W信号に”1″を発生
せしめ、R/W信号が゛1″になるとセレククSELに
よって記憶装置ブロックM1−4に共通なSQ側のアド
レス(第2図の例ではp)が選択され、各OR回路の一
方の入力が″1″となり、テコーダDECBの出力によ
らず各記憶装置ブロックのBSは゛1″となり、全メモ
リの出力が有効となって、該メモリ出力(M1〜4のア
ドレスpの内容)はラッチ回路L1〜4に入力され、読
出しパルスRpによって保持される。
アクセスタイミング信号ATIMは、書込みパルスWE
p及び読出しパルスRpの時間幅を規定するタイミング
信号であり、信号R/Wで制御されたANDゲートAN
D及び禁止ゲートINHで開閉されて前記書込みパルス
WEp及び読出しパルスRpとなる。
なおアクセスタイミング信号ATIMは記憶装置のタイ
ミング条件に応じて書込みパルス用及び読出しパルス用
に分離することもできる。
以上の動作により、1回の読出しパルスRpで複数の記
憶装置ブロックを並列して読み出すことができ、かつK
/4多重の出ハイウエイHWJO1〜4の4本への分離
動作を合せて実施でき、更に最も大きな特徴として記憶
装置の1フレーム長当りのアクセスタイミングを通常の
2K回からK回に削減できる。
以上の説明において述べた如く、入ハイウエイHWLI
上の情報をn回に1回の割で無視しているが、これは後
述の如く、欠点とはならない。
第3図は無視するタイムスロットに関する説明を補なう
為の説明図であってn=4の場合の例でありTSMは第
1図と同一の構成を有す装置(ただしn=4)であり、
MPXは多重回路、CONTは多重回路MPXの制御線
であって装置TSM内のカウンタCTR出力の下位2ビ
ットが供給され、■1〜4は多重回路MPXの入力端子
であって制御線CONTの内容と選択される入力端子番
号は1対1で対応しており、LINE1〜3は多重度が
K/n(ここではK/4)の低次群ハイウエイである。
多重回路MPXの入力端子■4には低次群ハイウエイが
接続されていないので、多重回路MPXの出力即ち入ハ
イウエイHWLI上の情報配列は制御線CONTの内容
が゛1″のときは入力端子■1が選択されて低次群ハイ
ウエイLINE1の情報が入ハイウエイHWLI上に現
われ、制御線CONTの内容が゛2″のときは入力端子
■2が選択されて低次群ハイウエイLINE2の情報が
入ハイウエイHWLI上に現われ、制御線CONTの内
容が゛3″のときは低次群ハイウエイLINE3の情報
が入ハイウエイHWLIに現われるが、制御線CONT
の内容が゛4″のときは入力端子■4が選択されるので
入ハイウエイHWLI上の情報は何ら意味を持たず、こ
の情報(HWLI上のタイムスロット)を無視しても有
効な情報の欠落は生じない。
制御線CONTの内容は装置TSM内のカウンタCTR
の下位2ビットであり、装置TSM内のデコーダDEC
rの入力情報と同一であり、デコーダDECrにおける
デコード出力(第2図の例では”4”)とMPXで低次
群ハイウエイを収容しない入力端子番号(第3図の例で
は’I4”)を対応させておけば無視可能な入ハイウエ
イHWLI上のタイムスロットと無視(即ち読出しタイ
ミング更に一般的にいえばSQアクセスタイミングに割
当てる)するタイムスロットとの対応付を行なえる。
無視するタイムスロット数は1フレーム当りK/nとな
り、無視するタイムスロット数を減少するには記憶装置
のブロック数nを大きくとればよい。
更に保守、試験等の用途で予備アクセスタイミングを必
要とする場合は、無視するタイムスロット数を増加すれ
ばよいことになる。
これは後述の実施例の2段構成の時分割通話路方式にも
適用することができるものである。
前述の第1の実施例の説明では読出し側をシーケンシャ
ルアクセスとしたが、書込側をシーケンシャルアクセス
としても同様の特徴を得ることができることは自明であ
る。
第4図に第2の実施例として書込側をシーケンシャルア
クセス、読出側をランダムアクセスとした場合の構成を
示す。
第4図においてHWJI1〜nは入ハイウエイ、HWL
Oは出ハイウエイ、Rp′は読出しパルスであって第2
図のWEpの如きn回に1回の割で休止を含む書込パル
ス、WEp’は書込パルスであって第2図のRpの如き
n回に1回発生する書込パルス、Loはメモリ出力を保
持するためのラッチ回路であり、他の記号は第1図で用
いた記号と同様である。
第5図は第3の実施例の説明図であって、第1の実施例
及び第2の実施例を組合せて2段構成の時分割通話路を
構成したものであり、Sp1〜nは1次スイッチであっ
て各々第1図と同様であり、SS1〜nは2次スイッチ
であって各々第4図と同様であり、Sp1〜n及びSS
1〜nは各々4記憶装置ブロックで構成され、ジャンク
タ側ハイウエイをシーケンシャルアクセスしている場合
であり、1次スイッチと2次スイッチ間のジャンクタハ
イウエイ本数と1次及び2次スイッチの記憶装置ブロッ
ク数とが等しいので、新たな回路を付加することなしに
1次及び2次スイッチ間のジャンクタを構成することが
できる。
前記実施例は、ジャンクタ側をシーケンシャルアクセス
とした場合の例であるが、出入ハイウエイ側をシーケン
シャルアクセスとした場合でも、伝送端局装置等との接
続において回路構成を簡略化できる効果が得られる。
一般に記憶装置の容量は、集積回路技術の進歩等によっ
て最適値が変化し、記憶装置の容量とジャンクタ容量(
多重数)等との整合がとれない場合がある。
第4の実施例は、記憶装置の容量とジャンクタ容量等と
の整合を可能とする実施例であり、一例としてジャンク
タ側ハイウエイをシーケンシャルアクセスとし、記憶装
置のブロック数がジャンクタハイウエイ本数の1/Nと
した場合、1次スイッチの出側に1本のハイウエイをN
本のハイウエイに展開するデコーダ回路を設け、2次ス
イッチの入側にN本のハイウエイを1本のハイウエイに
多重化するマルチプレクサ回路を設けたものである。
この実施例によれば、ジャンクタ容量以上の記憶容量を
有する記憶装置を有効に利用することが可能となる。
上記実施例ではジャンクタ側をシーケンシャルアクセス
とした場合についてのものであるが、出入ハイウエイ側
をシーケンシャルアクセスとした場合でも伝送端局装置
等との接続において同様な効果が得られる。
第5の実施例は、記憶装置の容量とシーケンシャルアク
セス側ハイウエイ、例えばジャンクタ側の容量等との整
合を可能とする他の実施例であって、第6図に概略を示
すように、1次スイッチのラッチ回路をN群設け、読出
しパルスRpをデコーダDECによりN系統に分割し、
2次スイッチの書込側にはマルチプレクサMPXを設け
たものである。
この場合ジャンクタ側ハイウエイの動作位相がN相に分
散するが、統一位相とすることが必要ならば、1次スイ
ッチの出側において統一タイミングで動作するラッチ回
路(即ちラッチ回路をダブルバツファ構成とする)を設
ければよいことになる。
この実施例によれば、記憶装置の読出しに用いるラッチ
回路に記憶装置の容量等との整合機能を付与することが
でき、回路規模の削減が可能となる。
又入出力ハイウエイ側をシーケンシキルアクセスとして
も同様の効果が得られる。
第6の実施例は、第5の実施例と逆の場合の実施例であ
り、記憶装置ブロック数がシーケンシャルアクセス側例
えばジャンクタ側ハイウエイ本数より犬なる場合につい
てのものである。
即ち1次スイッチの出側にマルチプレクサを設け、2次
スイッチの入側にデコーダを設けるものである。
この実施例によれば、記憶装置の容量よりシーケンシャ
ルアクセス側例えばジャンクタ容量の方が大きい時分割
通話路を容易に構成することができる。
時分割通話路のハイウエイは、伝送図路を簡略化するた
めに直列伝送方式が採用される場合が多く、又時分割通
話路における記憶装置は、その動作速度を軽減するため
、通話チャネル毎に並列変換することが多い。
そのため従来はハイウエイと記憶装置との接続点におい
て、直列並列変換及び並列直列変換装置が設けられてい
た。
第7の実施例は、このような直列並列変換及び並列直列
変換機能を簡単に実現することができる実施例であり、
第1の実施例について詳細に説明したように、シーケン
シャルアクセス側のラッチ回路の動作周期は、ランダム
アクセス側の1/nとなり、動作速度に余裕ができるの
で、公知の並列入力・直列出力機能又は直列入力・並列
出力機能を有するシフトレジスタを前記ラッチ回路の代
りに用いるものである。
このようにシフトレジスタにより、ラッチ機能と共に、
並列一直列変換又は直列→並列変換の機能を発揮するこ
とができ、ジャンクタ部分(ジャンクタ側がシーケンシ
ャルアクセスの場合)又は伝送路側(伝送路側がシーケ
ンシャルアクセスの場合)で、直列並列又は並列直列変
換を必要とするとき、なんらの部品数を増加することな
く該機能を実現することができることになる。
この実施例は、第1及び第2の実施例における時間スイ
ッチ1段構成を含む種々の時分割通話路方式に適用する
ことができるものである。
即ちシーケンシャルアクセス側にシフトレジスタを設け
て、直列→並列又は並列→直列変換を行なわせるもので
ある。
更に本発明は、時間スイッチと空間スイッチとの組合せ
による時分割通話路、例えば前述の実施例のジャンクタ
部分に空間スイッチを含む構成に対しても適用すること
ができる。
次にシーケンシャルアクセスにおいて無効としたタイム
スロットの効果について説明する。
一般にT−Sr−T(rは段数)形通話路においては、
内部ブロック率を減少させるため、ジャンクタ部分のリ
ンク能率を制限する必要がある。
本発明によれば、ランダムアクセス側にはK/nの無視
するタイムスロットが存在するので、その使用能率は(
n−1)/n倍となり、時分割通話路の外側即ち伝送路
側をシーケンシャルアクセスとすることにより、リンク
能率を(n−1)/n倍に減少することが可能となる。
更に記憶装置のブロック数nにα個の冗長度を持たせ又
は削減して、記憶装置ブロックをn±r個とすることに
より、記憶装置の動作速度を上昇することなくリンク能
率を訓整することが可能となり、この時のリンク能率は
(n−1±α)/nとなる。
以上の説明において、1次スイッチの保持メモりHMと
2次スイッチの保持メモリHMとを共通化することが可
能であり、又デコーダDECへの情報線は保持メモリH
Mから直接接続した例を示しているが、セレクタSEL
を経由した後デコーダDECへ接続することも可能であ
り、保持メモリHMの構成法にかかわらず本発明を適用
することができるものである。
以上説明したように、本発明は、時分割通話路を経済的
に構成することができるものであり、通話情報を一時的
に記憶させる記憶装置を有効に利用することができるも
のであり、第1の発明によれば、シーケンシャルアクセ
ス側の多重又は分離回路を不要とすることができ、経済
的な構成とすることができる。
又シーケンシャルアクセス側は複数ブロックを並列して
アクセスし、記憶装置のアクセスタイミングを2Kから
Kに削減することができるので、記憶装置のサイクルタ
イムに関する要求条件を緩和し、記憶素子周辺回路の削
減を可能とする利点がある。
第2の発明によれば、第1の発明の効果に加えて、シフ
トレジスタによりラッチ機能と直列並列又は並列直列変
換機能を併せて実現することができる利点がある。
又第3の発明によれば、第1の発明の効果に加えて、T
2段スイッチ構成において、新な構成を付加することな
く、1次スイッチと2次スイッチとの間のジャンクタを
構成することができる利点がある。
又第4の発明によれば、第3の発明の効果に加えて、シ
ーケンシャルアクセス側ハイウエイ例えばジャンクタ容
量以上の記憶容量を有する記憶装置を有効に利用するこ
とができる利点がある。
又第5の発明によれば、第3の発明の効果に加えて、ラ
ンチ回路により記憶容量等との整合機能を与えることが
できる利点がある。
又第6の発明によれば、第3の発明の効果に加えて、記
憶装置の容量よりジャンクタ容量等の方が大きい時分割
通話路を容易に構成することができる利点がある。
又第7の発明によれば、第3の発明の効果に加えて、直
列並列又は並列直列変換機能を部品数を増加することな
く実現することができる利点がある。
又本発明においては、予備アクセスタイミングを得るこ
とが可能であるから、保守、試験等に利用することがで
きる利点があり、これは時間スイッチの段数等による制
約を受けることはない。
又記憶装置のブロック数を増減することにより、記憶装
置の動作速度を上昇させることなく、リンク能率を調整
することが可能となる利点もある。
又本発明は、ジャンクタ部分に空間スイッチを含む構成
に対しても適用することができるものであり、各種時分
割通話路方式の時間スイッチの特性を改善することがで
きるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の基本部分を示す実施例の説明図、第2
図は第1図の動作説明図、第3図は本発明の実施例の無
視するタイムスロットの説明用の要部説明図、第4図、
第5図及び第6図は本発明のそれぞれ異なる実施例の説
明図である。 M1〜n・・・・・・記憶装置ブ爾ツク、Di・・・・
・・データ入力端子、Do・・・・・・データ出力端子
、Add・・・・・・アドレス入力端子、WE・・・・
・・ライト・イネーブル端子、BS・・・・・・ブロッ
ク・セレクト端子、HWLI・・・・・・入ハイウエイ
、HWJO1〜n・・・・・・出ハイウエイ、OR1〜
n・・・・・・ORゲート、R/W・・・・・・読出し
/書込制御信号、SQ・・・・・・シーケンシャルアド
レス、RN・・・・・・ランダムアドレス、L1〜n・
・・・・・ラッチ回路、Rp・・・・・・読出しパルス
、WEp・・・・・・書込みパルス、AND・・・・・
・ANDゲート、INH・・・・・・禁止ゲート、SE
L・・・・・・選択回路、DECB,r・・・・・・デ
コーダ、CTR・・・・・・カウンタ、MPX・・・・
・・多重回路、CONT・・・・・・制御線、HM・・
・・・・保持メモリ、LINE1〜3・・・・・・低次
群ハイウエイ、CLKc・・・・・・共通クロツク信号
、ATIM・・・・・・アクセスタイミング信号。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 交換動作時に通話情報を一時的に蓄積する記憶装置
    を複数のブロックに分割し、該記憶装置に対するランダ
    ムアクセス側の1アクセスタイミングで前記複数ブロッ
    クの内の所定の1ブロックに対してアクセスし、シーケ
    ンシャルアクセス側の1アクセスタイミングで前記複数
    ブロックに対して並列してアクセスして、前記通話情報
    の書込、読出しを行ない、ランダムアクセス側ハイウエ
    イの多重数をK、記憶装置のブロック数をnとし、ラン
    ダムアクセス側ハイウエイの多重数Kの内K/nを無効
    タイムスロットとし、該無効タイムスロフトに対応する
    ランダムアクセスタイミングをシーケンシャルアクセス
    タイミングに転用したことを特徴とする時分割通話路方
    式。 2 交換動作時に通話情報を一時的に蓄積する記憶装置
    を複数のブロックに分割し、該記憶装置に対するランダ
    ムアクセス側の1アクセスタイミングで前記複数ブロッ
    クの内の所定の1ブロックに対してアクセスし、シーケ
    ンシャルアクセス側の1アクセスタイミングで前記複数
    ブロックに対して並ダルてアクセスして、前記通話情報
    の書込、読出しを行ない、ランダムアクセス側ハイウエ
    イの多重数をK、記憶装置のブロック数をnとし、ラン
    ダムアクセス側ハイウエイの多重数Kの内K/nを無効
    タイムスロットとし、該無効タイムスロットに対応する
    ランダムアクセスタイミングをシーケンシャルアクセス
    タイミングに転用し、前記シーケンシャルアクセス側は
    、直列入力・並列出力又は並列入力・直列出力の機能を
    有するシフトレジスタを備えたことを特徴とする時分割
    通話路方式。 3 前記ブロック数nの記憶装置は、該ブロック数nに
    対して任意数のr個の記憶装置ブロックの追加又は削減
    がなされていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    又は第2項記載の時分割通話路方式。 4 前記無効タイムスロットの一部を予備アクセスタイ
    ミングとしたことを特徴とする特許請求の範囲第1項又
    は第2項記載の時分割通話路方式。 5 時間スイッチ2段で構成された時分割通話路におい
    て、交換動作時に通話情報を一時的に蓄積する記憶装置
    を複数ブロックに分割し、伝送路側ハイウエイとジャン
    クタ側ハイウエイとの何れか一方のアクセスをランダム
    アクセスとして1アクセスタイミングで前記複数ブロッ
    クの内の所定の1ブロックに対してアクセスし、他方の
    アクセスをシーケンシャルアクセスとして1アクセスタ
    イミングで前記複数ブロックを並列してアクセスし、前
    記複数ブロックへの分割数をシーケンシャルアクセス側
    ハイウエイの本数と対応させ、ランダムアクセス側ハイ
    ウエイの多重数をK、記憶装置のブロック数をnとし、
    該記憶装置のアクセスタイミングをKとして、ランダム
    アクセス側ハイウエイの多重数Kの内K/nを無効タイ
    ムスロットとし、該無効タイムスロットに対応するラン
    ダムアクセスタイミングをシーケンシャルアクセスタイ
    ミングに転用したことを特徴とする時分割通話路方式。 6 時間スイッチ2段で構成された時分割通話路におい
    て、交換動作時に通話情報を一時的に蓄積する記憶装置
    を複数ブロックに分割し、伝送路側ハイウエイとジャン
    クタ側ハイウエイとの何れか一方のアクセスをランダム
    アクセスとして1アクセスタイミングで前記複数ブロッ
    クの内の所定の1ブロックに対してアクセスし、他方の
    アクセスをシーケンシャルアクセスとして1アクセスタ
    イミングで前記複数ブロックを並列してアクセスし、前
    記記憶装置の複数ブロックへの分割数をシーケンシャル
    アクセス側ハイウエイの本数の整数N分の1とし、ラン
    ダムアクセス側ハイウエイの多重数をK、記憶装置のブ
    ロック数をn、該記憶装置のアクセスタイミングを前記
    多重数と同様にKとして、ランダムアクセス側ハイウエ
    イの多重数Kの内K/nを無効タイムスロットとし、該
    無効タイムスロットに対応するランダムアクセスタイミ
    ングをシーケンシャルアクセスタイミングに転用し、シ
    ーケンシャルアクセスによる読出側を前記整数N本のハ
    イウエイにデコーダで展開し、シーケンシャルアクセス
    による書込側は前記整数N本のハイウエイを1本のハイ
    ウエイにマルチプレクサ回路で多重化することを特徴と
    する時分割通話路方式。 7 時間スイッチ2段で構成された時分割通話路におい
    て、交換動作時に通話情報を一時的に蓄積する記憶装置
    を複数ブロックに分割し、伝送路側ハイウエイとジャン
    クタ側ハイウエイとの何れか一方のアクセスをランダム
    アクセスとして1アクセスタイミングで前記複数ブロッ
    クの内の所定の1ブロックに対してアクセスし、他方の
    アクセスをシーケンシャルアクセスとして1アクセスタ
    イミングで前記複数ブロックを並列してアクセスし、前
    記記憶装置の複数ブロックへの分割数をシーケンシャル
    アクセス側ハイウエイの本数の整数N分の1とし、ラン
    ダムアクセス側ハイウエイの多重数をK、記憶装置のブ
    ロック数をn、該記憶装置のアクセスタイミングを前記
    多重数と同様にKとして、ランダムアクラス側ハイウエ
    イの多重数Kの内/nを無効タイムスロットとし、該無
    効タイムスロットに対応するランダムアクセスタイミン
    グをシーケンシャルアクセスタイミングに転用し、シー
    ケンシャルアクセスによる読出側は前記整数N群のラッ
    チ回路を有し、前記読出側の読出パルスを前記整数Nの
    系統に分割して前記整数N群のラッチ回路に対応させ、
    且つシーケンシャルアクセスによる書込側は前記整数N
    本のハイウエイを1本にマルチプレクサ回路で多重化す
    ることを特徴とする時分割通話路方式。 8 時間スイッチ2段で構成された時分割通話路におい
    て、交換動作時に通話情報を一時的に蓄積する記憶装置
    を複数ブロックに分割し、伝送路側ハイウエイとジャン
    クタ側ハイウエイとの何れか一方のアクセスをランダム
    アクセスとして1アクセスタイミングで前記複数ブロッ
    クの内の所定の1ブロックに対してアクセスし、他方の
    アクセスをシーケンシャルアクセスとして1アクセスタ
    イミングで前記複数ブロックを並列してアクセスし、前
    記記憶装置の複数ブロックへの分割数をシーケンシャル
    アクセス側ハイウエイの本数の整数N′倍とし、ランダ
    ムアクセス側ハイウエイの多重数をK1記憶装置のブロ
    ック数をn1該記憶装置のアクセスタイミングを前記多
    重数と同様にKとして、ランダムアクセス側ハイウエイ
    の多重数Kの内K/nを無効タイムスロットとし、該無
    効タイムスロットに対応するランダムアクセスタイミン
    グをシーケンシャルアクセスタイミングに転用し、シー
    ケンシャルアクセスによる読出側の前記整数N′個の記
    憶装置出力を1本のハイウエイにマルチプレクサ回路で
    多重化し、シーケンシャルアクセスによる書込側は1本
    のハイウエイを前記整数マ本にデコーダで展開すること
    を特徴とする時分割通話路方式。 9 時間スイッチ2段で構成された時分割通話路におい
    て、交換動作時に通話情報を一時的に蓄積する記憶装置
    を複数ブロックに分割し、伝送路側ハイウエイとジャン
    クタ側ハイウエイとの何れか一方のアクセスをランダム
    アクセスとして1アクセスタイミングで前記複数ブロッ
    クの内の所定の1ブロックに対してアクセスし、他方の
    アクセスをシーケンシャルアクセスとして1アクセスタ
    イミングで前記複数ブロックを並列してアクセスし、前
    記複数ブロックへの分割数をシーケンシャルアクセス側
    ハイウエイの本数と対応させ、ランダムアクセス側ハイ
    ウエイの多重数をK、記憶装置のブロツク数をn、該記
    憶装置のアクセスタイミングを前記多重数と同様にKと
    して、ランダムアクセス側ハイウエイの多重数Kの内、
    K/nを無効タイムスロットとし、該無効タイムスロッ
    トに対応するランダムアクセスタイミングをシーケンシ
    ャルアクセスタイミングに転用し、前記シーケンシャル
    アクセス側は、直列入力・並列出力又は並列入力・直列
    出力の機能を有するシフトレジスタを備えたことを特徴
    とする時分割通話路方式。 10 前記ジャンクタ部分は空間スイッチ段を含むこと
    を特徴とする特許請求の範囲第5項、第6項、第7項、
    第8項又は第9項記載の時分割通話路方式。 11 前記ブロック数nの記憶装置は、該ブロック数n
    に対して任意数r個の記憶装置ブロックの追加又は削減
    がなされていることを特徴とする特許請求の範囲第5項
    、第6項、第7項、第8項又は第9項記載の時分割通話
    路方式。 12 前記無効タイムスロットの一部を予備アクセスタ
    イミングとしたことを特徴とする特許請求の範囲第5項
    、第6項、第7項、第8項又は第9項記載の時分割通話
    路方式。
JP1066578A 1978-02-01 1978-02-01 時分割通話路方式 Expired JPS588200B2 (ja)

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JPS6039599A (ja) * 1983-08-12 1985-03-01 株式会社原子力代行 截積クラツド除去装置

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