JPS5879280A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は１片側基板に１非線［１４１Ｆ性を鳴する素子
を内蔵した液晶表示装置の構造に関する。

従来、非線型特性を有する素子を用いた液晶表示装置Ｋ
は、ＴＰＴＫよるトランジスタ、金属間に絶縁膜を挾ん
だＭＩＭ素子、シリコン基板上にトランジスタあるいは
、ダイオードを形成した動勢があるが、いずれも工程が
長く、積層する層の数が多い。その為に歩留抄が低下す
る。あるいはコストが高くなって実用忙ならない、又工
程の短かい物については、特性が充分小ない、駆動電圧
が高いといった欠点を有していた。第、１図は、シリコ
ン基板を用いてＭＯＢ型のトランジスタを画素内に形成
した場合のトランジスタ付近の勅面図である。この場合
におＨる工程をフォトエ穆を中心に考案して入ると、以
下の様になる。

（１）ストッパ１１のパターニング （２）　　＃下層の８１ｏ！絶縁膜１２のパターニング
（５）　　ポリシリコン層１．゛３のパターニング（４
）　　ポリシリコン層１３とａ層１５の間のＢｉｏｔ絶
１１４のバターニング （５）　　９１層１５のバターニング （６）　　アｋｉ層１５と上側アルミ層１６０間の８１
０！絶１１６のバターニング （ハ　上側アルミ層１６のバターニングという７エ専が
あわ、積層される層の数は、６層であった。この様にフ
ォトリソグラフィを用いる工程が多い場合、フォトリン
グラフィにより入るパターン不良等の欠陥祉、非常に大
となる。すなわち、１回のフォト工程による歩留動をＡ
（０≦Ａ≦１）としフォトの回数をｎとすると金工穆で
の歩留りは、Ａｎ　　となる、先の例においては、７エ
寝もある為、歩留りは、非常に小となり鼻い、第２図り
、金属間に絶縁膜を挾んだＭＩ鷲（メタルーインシ凰レ
ーターメタＡ）と呼ばれる素子の断面図を示している。

この場合のフオトエ移は以下の様になる。

（１）　　下側金ｊ１２１（例えばタンタル）のバター
ニング。

（２）゛　上側金１ｌ１２３のバターニング（３）　　
透明電極２４のバターニングという３つのフォト工程で
ある。フォトＴｓは、少ないが、この素子を用いた場合
、駆動電圧は、２５０ラインの場合で２０’Ｖ程宝とす
ｒ−）てしまうという欠点があった。′５を素子の微妙
な特性を押さえ込む必要があね、製造上においても充分
な管理が要求されるものであった。

本発明は１以上の様な欠点を除去したもので、工程も短
かく、低電圧で駆動出来、歩留秒も良く構造も簡単な為
パネルを作る際のラビングＫ　７＋しても惨いものであ
る。第５図社１本発明の概念を示した図である。第４図
は、第５図の信号線に加わる電圧波形の一例で（ａ）は
、信号線３１に加える波形、（ｂ）は信号１１３５に加
先る波形である０画素３３＆Ｃ印加される信号は、区間
４１１においては信号ｌ１Ｉ３１から注入され、区間４
１２においては、信号１ｉＩ３５からダイオード３４を
通して注入される。（Ｃ）は画素における信号の簀化と
、液晶層に印加される電圧を示している。この様な駆動
を行なう事により、低電圧でも液晶４に加わる電圧の太
きいパネルを横絞する事ができる。尚、この因は電圧平
均化法のＶ−５Ｖで描いであるがＶ−ｅＶでも良い、第
５因は、本発明による基板の断面図である。構造は、ボ
ｌ）シリコン、ネサ膜の２層か又は、ポリシリコン、丁
ｈミニ吟ム、ネサ膜２いう３層の本ので、積層される層
の数が少ない為、非常に歩留りも貴く、ラビングに炉し
ても比較的安定である。この様に本発明による素子を用
いた液晶表示パネルは、歩留に良く、ラビングに対ｌて
も強く、駆動も低電圧で出来る・

【図面の簡単な説明】

第１図は、シリコン基板を用いてＭＯ８！ＩＩのトラン
ジスタを画素内に形成した場合のトランジスタ付近の断
面図でおる。 第２図は、金属間に絶縁膜を挾んだＭ工Ｍと呼ばれる素
子の断面図を示す。 第３因は、本発明によ為素子の概念図である。 第４図は、第３図の信号［ｉ！及び画素に加わる信号波
形である。 第５図は１本発明による基板の断面図であ不。 １１・・・−・・ストッパー １２・・・・・・最下層ｓｉｏ！絶縁膜１３・・・・・
・ポリシリコン層 １４・・・・・・ポリシリコン層とアルミニウム層の間
の絶縁膜 １５・・・・・−アルミニウム １６・・・・・・８１０．絶縁膜 １７・・・・・・アルミニウム ２１・・・・・・下儒金＃１１タンタル）２２・・・・
・・絶縁膜（五酸化タンタル）ぐ３・・・・・・　上側
金属１１極にクロム金、クロム金）２４・・・・・・ネ
サ膜 ２５・・・・・・ガラス基板 ５１・・・・・・信号線 ３２・・・・・・ダイオード ３３・・・・・・透明電極 ５４・・・・・・ダイオード ５５・・・・・・信号線 ４１・・・・・・選択信号（ＯＮ時） ４２・・・・・・選択信号（０７７時）４３・・・・・
・液晶に印加される電圧（０１時）４４・・・・・・液
晶に印加される電圧（０７７時）４５・・・・・・信号
線３５に信号が印加された時の信号１ｓ３１の信号 ４６・・・・・・選択信号（０１時） ４７・・・・・・選択信号（０７７時）４８・・・・・
・液晶に印加される電圧（０１時）４９・・・・・・液
晶に印加される電圧ＣＯＦ′Ｐ時）４１０・・・・・・
信号１ｉ！３１１Ｃ信号が印加された時の信号線３５士
の信号 ４１１・・・・・・信号が正の区間 ４１２・・・・・・信号が負の区間 ５１・・・・・・ポリシリコン ５２・・・・・・ネサ膜 ５３・・・・・・アルミニウム 以　　上 第１、図 第２図 偽、４図 １ 第５図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）　　液晶を挾持する上下のガラス基板のうｔ−１
   ゜片側の基板上にダイオード特性を有する素子を各画素
   毎に少なくとも２個ずつは形成し、各ダイオードは、各
   々独立の信号線に連結され、一方のダイオード社、信号
   曽から画素電極の方向を順方向に、他方のダイオード社
   、画素電極から信号線の方向を順方向にした構造を有し
   て成り、対向基板は透明電極ｔ１ストライプ状に形成さ
   れている事を特徴とする液晶表示装置。
2. （２）　　片側基板上に形成されるダイオードは、ポリ
   シリコンのＰＭ接合によシ成る事を特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の液晶表示装置。