JPS58113985A - 液晶表示駆動信号 - Google Patents
液晶表示駆動信号Info
- Publication number
- JPS58113985A JPS58113985A JP21082381A JP21082381A JPS58113985A JP S58113985 A JPS58113985 A JP S58113985A JP 21082381 A JP21082381 A JP 21082381A JP 21082381 A JP21082381 A JP 21082381A JP S58113985 A JPS58113985 A JP S58113985A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- signal
- signal line
- pixel
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶表示装置の駆動信号ＫｒｆＩする。
従来、液晶の抵抗値ＲＬｅと容縫値ＣＬｅの積、すなわ
ち液晶の時定数１が表示に関係する液晶パネルの例とし
ては、ＴＰＴ（薄脇トランジスタ）やシリコン基板上に
ＭＯＳ）ランジスタを形成した物、又はＭＩＭの様な非
線型特性を有する素子を内蔵した物、があった、ＴＰＴ
やＭＯＳ）ランジスタの場合には、トランジスタと同一
基板上にスト−リッジキャパシタと称するコンデンサを
形成し、等価回路的には、液晶の容量と該コンデンサを
並列に入れる事により液晶の両端に印加される電圧の保
持を行なうものであった。ＭＩＭの場合には、基板上に
液晶と並列な容量を形成はしない ”が、デユーテ
ィ−を高くとる為に液晶の容量を利用している。
ち液晶の時定数１が表示に関係する液晶パネルの例とし
ては、ＴＰＴ（薄脇トランジスタ）やシリコン基板上に
ＭＯＳ）ランジスタを形成した物、又はＭＩＭの様な非
線型特性を有する素子を内蔵した物、があった、ＴＰＴ
やＭＯＳ）ランジスタの場合には、トランジスタと同一
基板上にスト−リッジキャパシタと称するコンデンサを
形成し、等価回路的には、液晶の容量と該コンデンサを
並列に入れる事により液晶の両端に印加される電圧の保
持を行なうものであった。ＭＩＭの場合には、基板上に
液晶と並列な容量を形成はしない ”が、デユーテ
ィ−を高くとる為に液晶の容量を利用している。
ＭＯＳ）ランジスタをシリコン基板に形成した際のトラ
ンジスタ付近の断面図を第１図に示す。
ンジスタ付近の断面図を第１図に示す。
このＭＯＳ型の場合においては、スト−リッジキャパシ
タ１８を画素一杯に作る事が出来る為液晶が電荷を保持
する時間は充分とれるが、シリコン基板が不透明である
為明るくコントラストの良いパネルを作る事は困難であ
った。又ＴＦＴを画素内に形成する型の液晶パネルにお
いては、透明基板を用いてパネルを構成する事が出来る
が、画素内部にストリッジキャパシタを作らなければな
らずその為パネルが暗くなり易いという欠点を有してい
た。又以上のＭＯＳトランジスタやＴＰＴを作成する工
程は、非常に長＜ＭＯＳの場合を例に２って工程を考察
すると以下の様になる。
タ１８を画素一杯に作る事が出来る為液晶が電荷を保持
する時間は充分とれるが、シリコン基板が不透明である
為明るくコントラストの良いパネルを作る事は困難であ
った。又ＴＦＴを画素内に形成する型の液晶パネルにお
いては、透明基板を用いてパネルを構成する事が出来る
が、画素内部にストリッジキャパシタを作らなければな
らずその為パネルが暗くなり易いという欠点を有してい
た。又以上のＭＯＳトランジスタやＴＰＴを作成する工
程は、非常に長＜ＭＯＳの場合を例に２って工程を考察
すると以下の様になる。
（１）ストッパ１１のバターニング
（１） 最下層のＳ目り絶縁膜１２のバターニング（
ＩＩ） ポリシリコン層１３のバターニング４ψ ポ
リシリコン層１５と１１層１５０間のＳｔＯ，絶縁膜１
４のバターニング （ト）アルミ層１５のバターニング ０ アルミ層１５と上側アルば層１６の間のＳｔＯ，絶
縁膜１６のバターニング １Ｇ 上側アルミ層１６のバターニングという７エ程
があり、積層される層の数は、６層であった。この様に
フォトリングラフィを用いる工程が多い場合、フォトリ
ソグラフィにより導入されるパターン不良等の欠陥は、
非常に大となる。すなわち、１回のフォト工程による歩
留りをＡ （ａ（＊（１）としフォト工程の回数を、＆
すると全工程での歩留りは、Ａｌ１となる。先の例にお
いては、７エ程もある為、歩留りは、非常に小となり易
い。
ＩＩ） ポリシリコン層１３のバターニング４ψ ポ
リシリコン層１５と１１層１５０間のＳｔＯ，絶縁膜１
４のバターニング （ト）アルミ層１５のバターニング ０ アルミ層１５と上側アルば層１６の間のＳｔＯ，絶
縁膜１６のバターニング １Ｇ 上側アルミ層１６のバターニングという７エ程
があり、積層される層の数は、６層であった。この様に
フォトリングラフィを用いる工程が多い場合、フォトリ
ソグラフィにより導入されるパターン不良等の欠陥は、
非常に大となる。すなわち、１回のフォト工程による歩
留りをＡ （ａ（＊（１）としフォト工程の回数を、＆
すると全工程での歩留りは、Ａｌ１となる。先の例にお
いては、７エ程もある為、歩留りは、非常に小となり易
い。
第２図は、従来のＭＩＭ素子を用いた液晶表示パネルの
駆動波形の一例を示している。タイばング信号２１とデ
ータ信号２２を合成すると信号２３が得られ、液晶層に
実際にかかる電圧波形は、２４０様になる。この場合印
加した電圧のうち液晶Ｋかかる電圧の比率は小さく数十
チ程度である。
駆動波形の一例を示している。タイばング信号２１とデ
ータ信号２２を合成すると信号２３が得られ、液晶層に
実際にかかる電圧波形は、２４０様になる。この場合印
加した電圧のうち液晶Ｋかかる電圧の比率は小さく数十
チ程度である。
その為ＭＩＭ液晶表示パネルに印加する電圧は高くなっ
てしまうという欠点を有していた。
てしまうという欠点を有していた。
本発明は、以上の様な欠点を除去したもので、工程も短
かく、低電圧で駆動出来、歩留りも良く構造も簡単な為
パネルを作る際のラビング九対しても比較的強いもので
、信号も低電圧で、かつ内部にスト−リッジキャパシタ
を作る必要が無い為明るく、コントラストの優れた液晶
表示装置を作る事が出来るものである。
かく、低電圧で駆動出来、歩留りも良く構造も簡単な為
パネルを作る際のラビング九対しても比較的強いもので
、信号も低電圧で、かつ内部にスト−リッジキャパシタ
を作る必要が無い為明るく、コントラストの優れた液晶
表示装置を作る事が出来るものである。
第５図は、本発明の等価回路図である。信号線５１から
ダイオード３２を通して画素５５に正極性の信号が読み
込中れる。負極性の場合においては、信号４Ｉ３５から
ダイオード５４を通して画素５５に信号が読み込まれる
。５６は、対向電極基板である。第４図は、第５図の回
路ＫＸＭＩＭで用いた、電圧平均化法による波形を印加
した例であう、信号４１．４２は、信号線５１と対向基
板５６との間に印加される電圧で、データにより４１０
磯に常に正極性になる場合と、４５の様に負極性になる
場合と、その中間の場合がある。４１の波形に対しては
、液晶層Ｋかかる電圧は４２の罐になり実効値も大きい
が、４３の波形に対しては、液晶層にかかる電圧は、４
４となり４１の場合に比べて小さくなってしまう、液晶
にかかる電圧波形４２．４４が時間と共に小さくなって
いくのは、液晶の自己放電の為で、その時定数は、液晶
の穫類によって異なるが数） リ秒権度が一般的である
。＠４図忙おいては、同じオン波形を表わしたのである
が、液晶層かかる実効電圧は、データにより大きく異な
ってしまう可能性がある。第５図は、この様な欠点をと
り除いた例で、選択期間５２を半分に分割してデータ信
号５５を正極性、負極性と反転したもので液晶の時定数
τ（＝ ＣＬｍＸ ＲＬｅ）よりも短かい鳩期で反転さ
せると液晶に印加される′電圧４５は、データ信号レベ
ル５６より高くなる為、実効値が大辣くとれ、駆動電圧
レベルを小さくする事が出来ると共に１同じオン信号な
らばデータによらず実効値が一定で、液晶パネルとして
は優れたものである事がわかる。
ダイオード３２を通して画素５５に正極性の信号が読み
込中れる。負極性の場合においては、信号４Ｉ３５から
ダイオード５４を通して画素５５に信号が読み込まれる
。５６は、対向電極基板である。第４図は、第５図の回
路ＫＸＭＩＭで用いた、電圧平均化法による波形を印加
した例であう、信号４１．４２は、信号線５１と対向基
板５６との間に印加される電圧で、データにより４１０
磯に常に正極性になる場合と、４５の様に負極性になる
場合と、その中間の場合がある。４１の波形に対しては
、液晶層Ｋかかる電圧は４２の罐になり実効値も大きい
が、４３の波形に対しては、液晶層にかかる電圧は、４
４となり４１の場合に比べて小さくなってしまう、液晶
にかかる電圧波形４２．４４が時間と共に小さくなって
いくのは、液晶の自己放電の為で、その時定数は、液晶
の穫類によって異なるが数） リ秒権度が一般的である
。＠４図忙おいては、同じオン波形を表わしたのである
が、液晶層かかる実効電圧は、データにより大きく異な
ってしまう可能性がある。第５図は、この様な欠点をと
り除いた例で、選択期間５２を半分に分割してデータ信
号５５を正極性、負極性と反転したもので液晶の時定数
τ（＝ ＣＬｍＸ ＲＬｅ）よりも短かい鳩期で反転さ
せると液晶に印加される′電圧４５は、データ信号レベ
ル５６より高くなる為、実効値が大辣くとれ、駆動電圧
レベルを小さくする事が出来ると共に１同じオン信号な
らばデータによらず実効値が一定で、液晶パネルとして
は優れたものである事がわかる。
第１図は、シリコン基板を用いてＭＯ８型トランジスタ
を画素内に形成した場合のトランジスタ付近の断面図で
ある。 第２図は、ＭＩＭ素子を用いた液晶パネルに電圧平均化
法による信号波形を印加した場合に１液晶層に印加され
る、信号波形を示す。 第３図は、本発明による画素付近の等価回路図である。 第４図は、第５図に示された回路に、電圧平均化法によ
る信号を印加した例で、オン波形の時を示している。 第５図は、第５図に示された回路に、液晶の有する時定
数Ｔ、（＝ ＣＬｅ Ｘ ＲＬｅ ）以内でデータ信号
の極性が反転する本発明による信号を印加した例である
。 １１・・・・・・ストッパー １２・・・・−・最下層Ｓ１０．絶縁膜１５・・・・・
・ポリシリコン層 １４・・・・・・ポリシリコン層とアルミニウム層との
間の８１０鵞絶縁膜 １５・・・・・・アルミニウム １６・・・・・・Ｂ Ｉ Ｏ，絶縁膜 １７・・・・・・アルミニウム １８・・・・・・ポリシリコンによるコンデンサの電極
２１・・・・・・選択信号 ２２・・・・・・データ信号 ２５・・・・・・選択信号とデータ信号の差信号２４・
・・・・・液晶層忙かかる信号 ３１・・・・ノー信号線 ５２・・・・・・ダイオード ５６・・・・・・透明電極 ５４・・・・・・ダイオード ５５・・・・・・信号線 ３６・・・・・・対向基板の電極 ４１・・・・・・信号線５１と対向基板醒８５６七の間
に印加されるＯＮ信号 ４２・・・・・・イ＝号４１が印加された時液晶に加わ
る波形 ４５・・・・・・信号線３１と対向基板電極５６との間
に印加されるＯＮ信号 ４４・・・・・・信号４５が印加された時液晶に加わる
波形 ５１・・・・・・選択信号 ５２・・・・・・選択期間 ５５・・・・・・データ信号 ５４・・・・・・選択信号とデータ信号の差の信号５５
・・・・・・液晶にかかる信号 ５６・・・・・・データ信号レベル。 以上 第１図 ｊノ 第３図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５６年特許願第２１０８２５号 ２、発明の名称 液晶表示駆動信号 ３、補正をずろ者 （２５６）株式会社 諏 訪 精 工 舎６ 補正の対
象 明細書 ７、補正の内容 別紙の通り 手続補正（自発） １、特許請求の範囲を別紙の如く補正する。 ２ 明細書 ２貞５行目 「液晶の抵抗値ＲＬｃと容量値ＣＬＣの積、」とあるを ［液晶の抵抗（［ＲＬ Ｏと容量値（’３ＬＯの積、」
に補正する。 五 明細書 ６負７行目〜同８行目 ［液晶の時定数ｒ （＝ ＯＬ ｃ Ｘ ＲＬ ｃ ）
よりも短かい」とあるを、 ［液晶の時定数τ（＝ ＯＬＯＸ ＲＬＯ）よりも短か
い」に補正する。 ４、 明細書 ６貞１２杓目 「実効値が一定で、液晶」 とあるを、「実効値が一定
で、オフ信号の場合でも同様に実効値はオフ同志一定と
なり、液晶」 に補止する。 以 上 ＃＄ｌｌＡ Ｊ） μ 、、諮゛１１λ 特許
請求の範囲 液晶を挾持する上下のガラス基板のうち、片側の基板上
にダイオード特性を有する素子を各画素毎に２個以上形
成し、そのうち少なくとも１個のダイオードは、信号線
から画素電極の方向を１狐方向にしており、又同一画素
内において、前記ダイオードと別のダイオードのうち少
なくとも１個は、画素電極から信号線の方向を順方向に
した構造を有しており、吋向基板は、該信号線と直交す
る方向に透明臘極がストライブ状に形成されている液晶
マトリクス表示装置において、選択信号線とデータ信号
線の間に印加される賦圧信号波形は、選択期間と非選択
期間に分けられ、非選択期間の信号波形は、液晶の有す
る時定数を１ｍ５（＝ｅＯＬＣＸＲＬＣ）とすると７ｍ
８ の時間以内に必らず極性が反転する１＄を特徴とす
る液晶表示駆動信号。
を画素内に形成した場合のトランジスタ付近の断面図で
ある。 第２図は、ＭＩＭ素子を用いた液晶パネルに電圧平均化
法による信号波形を印加した場合に１液晶層に印加され
る、信号波形を示す。 第３図は、本発明による画素付近の等価回路図である。 第４図は、第５図に示された回路に、電圧平均化法によ
る信号を印加した例で、オン波形の時を示している。 第５図は、第５図に示された回路に、液晶の有する時定
数Ｔ、（＝ ＣＬｅ Ｘ ＲＬｅ ）以内でデータ信号
の極性が反転する本発明による信号を印加した例である
。 １１・・・・・・ストッパー １２・・・・−・最下層Ｓ１０．絶縁膜１５・・・・・
・ポリシリコン層 １４・・・・・・ポリシリコン層とアルミニウム層との
間の８１０鵞絶縁膜 １５・・・・・・アルミニウム １６・・・・・・Ｂ Ｉ Ｏ，絶縁膜 １７・・・・・・アルミニウム １８・・・・・・ポリシリコンによるコンデンサの電極
２１・・・・・・選択信号 ２２・・・・・・データ信号 ２５・・・・・・選択信号とデータ信号の差信号２４・
・・・・・液晶層忙かかる信号 ３１・・・・ノー信号線 ５２・・・・・・ダイオード ５６・・・・・・透明電極 ５４・・・・・・ダイオード ５５・・・・・・信号線 ３６・・・・・・対向基板の電極 ４１・・・・・・信号線５１と対向基板醒８５６七の間
に印加されるＯＮ信号 ４２・・・・・・イ＝号４１が印加された時液晶に加わ
る波形 ４５・・・・・・信号線３１と対向基板電極５６との間
に印加されるＯＮ信号 ４４・・・・・・信号４５が印加された時液晶に加わる
波形 ５１・・・・・・選択信号 ５２・・・・・・選択期間 ５５・・・・・・データ信号 ５４・・・・・・選択信号とデータ信号の差の信号５５
・・・・・・液晶にかかる信号 ５６・・・・・・データ信号レベル。 以上 第１図 ｊノ 第３図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５６年特許願第２１０８２５号 ２、発明の名称 液晶表示駆動信号 ３、補正をずろ者 （２５６）株式会社 諏 訪 精 工 舎６ 補正の対
象 明細書 ７、補正の内容 別紙の通り 手続補正（自発） １、特許請求の範囲を別紙の如く補正する。 ２ 明細書 ２貞５行目 「液晶の抵抗値ＲＬｃと容量値ＣＬＣの積、」とあるを ［液晶の抵抗（［ＲＬ Ｏと容量値（’３ＬＯの積、」
に補正する。 五 明細書 ６負７行目〜同８行目 ［液晶の時定数ｒ （＝ ＯＬ ｃ Ｘ ＲＬ ｃ ）
よりも短かい」とあるを、 ［液晶の時定数τ（＝ ＯＬＯＸ ＲＬＯ）よりも短か
い」に補正する。 ４、 明細書 ６貞１２杓目 「実効値が一定で、液晶」 とあるを、「実効値が一定
で、オフ信号の場合でも同様に実効値はオフ同志一定と
なり、液晶」 に補止する。 以 上 ＃＄ｌｌＡ Ｊ） μ 、、諮゛１１λ 特許
請求の範囲 液晶を挾持する上下のガラス基板のうち、片側の基板上
にダイオード特性を有する素子を各画素毎に２個以上形
成し、そのうち少なくとも１個のダイオードは、信号線
から画素電極の方向を１狐方向にしており、又同一画素
内において、前記ダイオードと別のダイオードのうち少
なくとも１個は、画素電極から信号線の方向を順方向に
した構造を有しており、吋向基板は、該信号線と直交す
る方向に透明臘極がストライブ状に形成されている液晶
マトリクス表示装置において、選択信号線とデータ信号
線の間に印加される賦圧信号波形は、選択期間と非選択
期間に分けられ、非選択期間の信号波形は、液晶の有す
る時定数を１ｍ５（＝ｅＯＬＣＸＲＬＣ）とすると７ｍ
８ の時間以内に必らず極性が反転する１＄を特徴とす
る液晶表示駆動信号。
Claims (1)
- 液晶を挾持する上下のガラス基板のうち、片側の基板上
にダイオード特性を有する素子を各画素毎に２個以上形
成し、そのうち少なくとも１個のダイオードは、信号線
から画素！極の方向を順方向にしており、又同一画素内
において、前記ダイオードと別のダイオードのうち少な
くとも１個は、画ｐ電極から信号線の方向を順方向にし
た構造を有しており、対向基板は、該信号線と直交する
方向に透明電極がストライプ状に形成されている液晶マ
トリクス表示装置において、選択信号線とデータ信号線
の間に印加される電圧信号波形は、選択期間と非選択期
間に分けられ、非選択期間の信号波形は、液晶の有する
時定数をＴ： ｍｓ （＝＝ ＣＬｅＲＬｅ ） と
するとＴ；ｍｓ の間に必ず極性が反転する事を特徴
とする液晶表示駆動信号。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21082381A JPS58113985A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 液晶表示駆動信号 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21082381A JPS58113985A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 液晶表示駆動信号 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58113985A true JPS58113985A (ja) | 1983-07-07 |
Family
ID=16595705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21082381A Pending JPS58113985A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 液晶表示駆動信号 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58113985A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4929489A (en) * | 1987-07-20 | 1990-05-29 | Dreschhoff Gisela A M | Method of making and using selective conductive regions in diamond layers |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS626210A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光分波器 |
-
1981
- 1981-12-26 JP JP21082381A patent/JPS58113985A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS626210A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光分波器 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4929489A (en) * | 1987-07-20 | 1990-05-29 | Dreschhoff Gisela A M | Method of making and using selective conductive regions in diamond layers |
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