JPS5877573A - マグネトロンスパツタ装置 - Google Patents
マグネトロンスパツタ装置Info
- Publication number
- JPS5877573A JPS5877573A JP17395281A JP17395281A JPS5877573A JP S5877573 A JPS5877573 A JP S5877573A JP 17395281 A JP17395281 A JP 17395281A JP 17395281 A JP17395281 A JP 17395281A JP S5877573 A JPS5877573 A JP S5877573A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- plate
- area
- sputtering
- magnetron sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本す？：明はマグネトロンスパッタｋｌｂのターゲット
の改良に１力する。
の改良に１力する。
牛尋体装置に於て曲縁として几いられる尚−；点金属膜
（タングステン、モリフ゛ナン、チタン、白金、午等）
の形成、成るいはフォト・マスクに於ける辿九膜（クロ
ム、酸化クロム、酸化鉄等）の形成１等に第１図にボす
ような装置自によるマグネトロンスパッタビが用いらノ
′ｌる。
（タングステン、モリフ゛ナン、チタン、白金、午等）
の形成、成るいはフォト・マスクに於ける辿九膜（クロ
ム、酸化クロム、酸化鉄等）の形成１等に第１図にボす
ような装置自によるマグネトロンスパッタビが用いらノ
′ｌる。
第１図はマクネトロンスパッタｉ愉の代々的な一例の振
部断面図で、図中１は座台、２はペルジャー、３は陽極
、４はターゲット′Ｉｔ１．榛（陰極）、５はイＭ石、
６６：＝スパッタ・ターゲット、７は絶縁体、８は左板
保持槓イＩ４ ９は被処理基板、１０［：排気日、１１
はガス導入口、１２ａ、 １２ｂはガスケット、１３は
Ｏリング、１４はイ１紅力線を７バシている。
部断面図で、図中１は座台、２はペルジャー、３は陽極
、４はターゲット′Ｉｔ１．榛（陰極）、５はイＭ石、
６６：＝スパッタ・ターゲット、７は絶縁体、８は左板
保持槓イＩ４ ９は被処理基板、１０［：排気日、１１
はガス導入口、１２ａ、 １２ｂはガスケット、１３は
Ｏリング、１４はイ１紅力線を７バシている。
そしてスパッタリングに際しては、ペルジャー２内に例
えばアルゴン（Ａｒ ） 等の不粘性ガスを流入し、且
つ９ト気ロ１０から」ノド気を伯ってペルジャー２内の
カス圧ｋ １０ ” 〜１０ ’ （’ｆ’ｏｒｒ
）にり、’７４しながら陽極３とターケラト電極（陰
極）間に例えｔ才５００〜１０００ （ｖ ）程度の血
流電圧を印加し、スパッタφターク゛ット６上にプラズ
マを・党生ぜしめ眩ブシズマｆ（ｌより励起されたＡｒ
わ／−ｆ［よりターケラト材料を゛スパッタさせ、扱処
理差板９上に被后芒せる。セしてこのようなマグネトロ
ンスパッタｋｔｉ＝に笈では、スパッタ・ターゲット６
の上’６１ｊにル成塾れる似（場の腹に当たる領」或（
Ｎ極とＳ倣の中間に当る旬、Ｉｆ！ｔ’で、図に於ては
妹力線１４によって７３シである）で最も多音にスパッ
タがなされ、Ｓ極に挾゛まれたターゲット中火ＷＩＳは
殆んどスパッタがなされない不機能領域となる。第２図
はクロムマスク膜の形成に長時Ｉｉｉ」使用した後のク
ロム争ターゲットの断面模式形状を示したもので、ター
ゲット電極４上に固定されたクロム替ターゲット１５は
前記磁場の腹に当たる領域で楡端にスパッタされ該領域
に門松５１６が形ノ戊される○そ１〜て更に前述した中
央Ｒ１＼の不払ｔｊヒ領域１７ｊ−にはスパッタ１勿賀
（クロム）がルく扱イー１する（図中５は磁石、１８は
クロム被着鳩を示す）。スパッタ処理にたてはターゲッ
トの衣面温度が４００〜５００〔′Ｃ〕程度にまで急激
に上昇するとと／Ｉ′ｉ良く知られているが、このよう
にターゲット温展か急上引、シた際、上記ターゲットに
於ける不機能領域１７上ｙｃ形成されたクロム被堝−Ｊ
曽１８が、成る土♀度ノリくなると細かいフレーク状と
なって剥離飛散し、ぞして被処理九板即ちマスク基板面
に附カーし、スパッタされて米たクロム粒子がその部分
に被崩するのｆ ｊノ１１止するため、スパッタ族即ち
クロム・マスク族にピンホールを形成させマスク晶餉を
低下させるという…ｊ題がある。父上記不機能領域１７
上のクロム被凋層１８は、スパッタ処理全路ってペルジ
ャーの真空が破られターゲットが急激に冷却された除に
も剥陥飛散してペルジャー内を汚染し７、ピンホール等
の原因をつくる。イのため従来はターク゛ッ）’ｒｌｉ
＋／りげずして上記被看層を削り落とす操作を頻繁に行
うことによシ、ピンホールの発生を防止１７ていたが、
この操作にはかなりの一長時ＩＭｊ ？ｌ−要し、作条
工数の増大及び稼動率の低下を招いていた０ 本発明の目的は上記間朗点に鑑み、スパッタ・ターゲッ
トの不機能領域上に被着するターゲット材料層の除去が
容易な構造全南するマク坏トロンスパッタ用ターケット
ヲ提供することにある。
えばアルゴン（Ａｒ ） 等の不粘性ガスを流入し、且
つ９ト気ロ１０から」ノド気を伯ってペルジャー２内の
カス圧ｋ １０ ” 〜１０ ’ （’ｆ’ｏｒｒ
）にり、’７４しながら陽極３とターケラト電極（陰
極）間に例えｔ才５００〜１０００ （ｖ ）程度の血
流電圧を印加し、スパッタφターク゛ット６上にプラズ
マを・党生ぜしめ眩ブシズマｆ（ｌより励起されたＡｒ
わ／−ｆ［よりターケラト材料を゛スパッタさせ、扱処
理差板９上に被后芒せる。セしてこのようなマグネトロ
ンスパッタｋｔｉ＝に笈では、スパッタ・ターゲット６
の上’６１ｊにル成塾れる似（場の腹に当たる領」或（
Ｎ極とＳ倣の中間に当る旬、Ｉｆ！ｔ’で、図に於ては
妹力線１４によって７３シである）で最も多音にスパッ
タがなされ、Ｓ極に挾゛まれたターゲット中火ＷＩＳは
殆んどスパッタがなされない不機能領域となる。第２図
はクロムマスク膜の形成に長時Ｉｉｉ」使用した後のク
ロム争ターゲットの断面模式形状を示したもので、ター
ゲット電極４上に固定されたクロム替ターゲット１５は
前記磁場の腹に当たる領域で楡端にスパッタされ該領域
に門松５１６が形ノ戊される○そ１〜て更に前述した中
央Ｒ１＼の不払ｔｊヒ領域１７ｊ−にはスパッタ１勿賀
（クロム）がルく扱イー１する（図中５は磁石、１８は
クロム被着鳩を示す）。スパッタ処理にたてはターゲッ
トの衣面温度が４００〜５００〔′Ｃ〕程度にまで急激
に上昇するとと／Ｉ′ｉ良く知られているが、このよう
にターゲット温展か急上引、シた際、上記ターゲットに
於ける不機能領域１７上ｙｃ形成されたクロム被堝−Ｊ
曽１８が、成る土♀度ノリくなると細かいフレーク状と
なって剥離飛散し、ぞして被処理九板即ちマスク基板面
に附カーし、スパッタされて米たクロム粒子がその部分
に被崩するのｆ ｊノ１１止するため、スパッタ族即ち
クロム・マスク族にピンホールを形成させマスク晶餉を
低下させるという…ｊ題がある。父上記不機能領域１７
上のクロム被凋層１８は、スパッタ処理全路ってペルジ
ャーの真空が破られターゲットが急激に冷却された除に
も剥陥飛散してペルジャー内を汚染し７、ピンホール等
の原因をつくる。イのため従来はターク゛ッ）’ｒｌｉ
＋／りげずして上記被看層を削り落とす操作を頻繁に行
うことによシ、ピンホールの発生を防止１７ていたが、
この操作にはかなりの一長時ＩＭｊ ？ｌ−要し、作条
工数の増大及び稼動率の低下を招いていた０ 本発明の目的は上記間朗点に鑑み、スパッタ・ターゲッ
トの不機能領域上に被着するターゲット材料層の除去が
容易な構造全南するマク坏トロンスパッタ用ターケット
ヲ提供することにある。
即ち本発明はマグネトロンスパッタ装置のターゲットに
於て、該ターゲットの六面中央郡の不機能領域上に該不
機能領域を核い、且つ漸脱司１ヒな絶縁板を配設してな
ること’を特徴とする。
於て、該ターゲットの六面中央郡の不機能領域上に該不
機能領域を核い、且つ漸脱司１ヒな絶縁板を配設してな
ること’を特徴とする。
以下本発明のターケラト檜遺を一実施例について、第３
図に示す上面図（ａ）、断面図（ｂ＞ 、及び第４３− 図に示すぜ・用後の断面模式図を用いて計細に酸、Ｗｌ
する。
図に示す上面図（ａ）、断面図（ｂ＞ 、及び第４３− 図に示すぜ・用後の断面模式図を用いて計細に酸、Ｗｌ
する。
本発明を通用したマグネトロンスパッタ用のクロム拳タ
ーゲットニ［、例えは第３図に示すように、直径２００
〔關〕、＃さ１０〜１５ （ｍｍ ）程度の円板状クロ
ム・ターゲット２１の−Ｆ曲中心部に、例えは直径５０
〜７０（ｉｎ）程度の石英ガラス成るいはセラミクス等
からなる絶縁＆２２が載１自配設されており、該絶縁板
２２によって不戦１止顆域上が堕われてなっている。そ
して該Ｆｈで４反２２は振動等により位１自ずれを生じ
ないよう、レリえは該絶縁板２２の下田ｊｌｌこ形成し
た所望形状の突ｊｌ詣＋１１２３と、クロム・ターゲッ
ト２１の」二面に形ノ戊した四部２４によって低層され
ている。そして更に絶縁板２２をクロム・ターゲット上
から取シ外すのが谷易なように、その吠雇状態はゆるや
かに形／ｊｋされている。
ーゲットニ［、例えは第３図に示すように、直径２００
〔關〕、＃さ１０〜１５ （ｍｍ ）程度の円板状クロ
ム・ターゲット２１の−Ｆ曲中心部に、例えは直径５０
〜７０（ｉｎ）程度の石英ガラス成るいはセラミクス等
からなる絶縁＆２２が載１自配設されており、該絶縁板
２２によって不戦１止顆域上が堕われてなっている。そ
して該Ｆｈで４反２２は振動等により位１自ずれを生じ
ないよう、レリえは該絶縁板２２の下田ｊｌｌこ形成し
た所望形状の突ｊｌ詣＋１１２３と、クロム・ターゲッ
ト２１の」二面に形ノ戊した四部２４によって低層され
ている。そして更に絶縁板２２をクロム・ターゲット上
から取シ外すのが谷易なように、その吠雇状態はゆるや
かに形／ｊｋされている。
上り已悟造を有するクロム争ターゲットに於ては、７ｉ
ＰＪ４凶に示すように、スパッタ処理に’ｔ、ｒった除
にクロム・ターケ、ソト２１の不、１憧’＞ ｆｔ１ｉ
４ｉＩ４ｊｉか１７Ｆに＋ｉｌ４− 来した活性クロム粒子は、該領域を覆う絶縁板２２上に
被着する（１８はクロム被眉層）０そこで該絶縁板２２
を頻繁に交挨することによシ、ターゲット上のクロム被
ン、層１８が〜くなることがなくなる。従ってスパッタ
処理に際してのターゲットの急激な温度上昇、成るいは
処、＠！を終って被処理基板を取り出す際のターゲット
表面温度の急激なμ、−下等により、眺ターゲット上の
クロム抜盾層１８が剥１ｉｆｌＦ飛散することかなくな
る。ぞの結釆、該実施例のターケラ）ｋ用いたマグネト
ロンスパッタに於ては１０〔ｃｎｌ〕当りのピンホール
数は１〜２〔個〕程展とな９、従来に比べ１〜１に加・
１少する。
ＰＪ４凶に示すように、スパッタ処理に’ｔ、ｒった除
にクロム・ターケ、ソト２１の不、１憧’＞ ｆｔ１ｉ
４ｉＩ４ｊｉか１７Ｆに＋ｉｌ４− 来した活性クロム粒子は、該領域を覆う絶縁板２２上に
被着する（１８はクロム被眉層）０そこで該絶縁板２２
を頻繁に交挨することによシ、ターゲット上のクロム被
ン、層１８が〜くなることがなくなる。従ってスパッタ
処理に際してのターゲットの急激な温度上昇、成るいは
処、＠！を終って被処理基板を取り出す際のターゲット
表面温度の急激なμ、−下等により、眺ターゲット上の
クロム抜盾層１８が剥１ｉｆｌＦ飛散することかなくな
る。ぞの結釆、該実施例のターケラ）ｋ用いたマグネト
ロンスパッタに於ては１０〔ｃｎｌ〕当りのピンホール
数は１〜２〔個〕程展とな９、従来に比べ１〜１に加・
１少する。
５
又絶縁板２２の交渋は極めて短詩ｒＨｊで行うことがで
きるので時間的なロスを生じない。そして更に又眠絶縁
板２２は、別迩エツチング処理等によ）、＃層している
スパッタクロム層１８を除去すれば、伺回でも便用でき
るのでに黄の増加をもたらすことはない。なお第４図に
於て４はターケラト電極（１震極）、５は磁石を示して
いる。
きるので時間的なロスを生じない。そして更に又眠絶縁
板２２は、別迩エツチング処理等によ）、＃層している
スパッタクロム層１８を除去すれば、伺回でも便用でき
るのでに黄の増加をもたらすことはない。なお第４図に
於て４はターケラト電極（１震極）、５は磁石を示して
いる。
上記実施例に於ては、本発明全クロム・ターゲットによ
って欲明したが、本発明は他のスパッタ材料からなるマ
グネトロンスパッタ用ターゲットにも勿論進相でさる。
って欲明したが、本発明は他のスパッタ材料からなるマ
グネトロンスパッタ用ターゲットにも勿論進相でさる。
又酸化膜をマグネトロンスパッタ法で形成する際のター
ゲットにも適用できるＯ 史に又本発明は円形以外の形状のマグ坏トロン・スパッ
タ用ターゲットにも適用できる。
ゲットにも適用できるＯ 史に又本発明は円形以外の形状のマグ坏トロン・スパッ
タ用ターゲットにも適用できる。
以上説明したように、マクネトロンスパッタ装捕に本発
明の構造をイ」するクーケット′！Ｌ−使用することに
よシ、ターゲット上に板組゛シたターク′ノド拐科層が
フレーク状になって剥離飛散することが防止ａＪとるの
で、被処３Ｍ基板上に形成もノするスパッタ族のピンホ
ール晃生率は太１１’ｉｓ、Ｖ（−７ｆｉＡ少する。
明の構造をイ」するクーケット′！Ｌ−使用することに
よシ、ターゲット上に板組゛シたターク′ノド拐科層が
フレーク状になって剥離飛散することが防止ａＪとるの
で、被処３Ｍ基板上に形成もノするスパッタ族のピンホ
ール晃生率は太１１’ｉｓ、Ｖ（−７ｆｉＡ少する。
徒って本）６す」はフォト・マスク、半倫、１４．装論
苛の品質向上に極めて有効である０
苛の品質向上に極めて有効である０
％４１図はマグ坏トロンスパッタ装置ｉ−の吸”６＋ｖ
障１１ロ１図、第２図は従来横這のクロム中ターケット
にカミりる長１稍１ｉｊ」使用佼のｌｕｒ曲模式図、第
３図ｔま本発明の一大施例に於ける上面し＋ （ａ）及
び１１１１１区１（ｂ）、第４図は該−笑旅例に於ける
使用後の断面模式図であるＯ し」に於て、４はターゲット電＆（陰極）、５は磁石、
１７は小松、能領域、１８はクロム被着層、２１はクロ
ム・ターゲット、２２は絶縁仮、２３は突起部、２４は
四部を示す。
障１１ロ１図、第２図は従来横這のクロム中ターケット
にカミりる長１稍１ｉｊ」使用佼のｌｕｒ曲模式図、第
３図ｔま本発明の一大施例に於ける上面し＋ （ａ）及
び１１１１１区１（ｂ）、第４図は該−笑旅例に於ける
使用後の断面模式図であるＯ し」に於て、４はターゲット電＆（陰極）、５は磁石、
１７は小松、能領域、１８はクロム被着層、２１はクロ
ム・ターゲット、２２は絶縁仮、２３は突起部、２４は
四部を示す。
Claims (1)
- マクネトロンスパッタ装励のターゲットに」？いて、該
ターゲットの表面中央部の不扱＃１シ領域」二に、該不
払ｉシ領域上を）ｊい、且つ着脱ｐｉ能な絶縁板を自１
．設してなること？ Ｑ＋−徴とするマグネトロンスパ
ッタ装館。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17395281A JPS5914107B2 (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | マグネトロンスパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17395281A JPS5914107B2 (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | マグネトロンスパツタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877573A true JPS5877573A (ja) | 1983-05-10 |
| JPS5914107B2 JPS5914107B2 (ja) | 1984-04-03 |
Family
ID=15970095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17395281A Expired JPS5914107B2 (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | マグネトロンスパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5914107B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014062282A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Ulvac Japan Ltd | ターゲット装置、スパッタ装置、及び、ターゲット装置の製造方法 |
-
1981
- 1981-10-30 JP JP17395281A patent/JPS5914107B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014062282A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Ulvac Japan Ltd | ターゲット装置、スパッタ装置、及び、ターゲット装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5914107B2 (ja) | 1984-04-03 |
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