JPS5876411A - ポリジビニルベンゼン共重合体およびその製法 - Google Patents

ポリジビニルベンゼン共重合体およびその製法

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JPS5876411A
JPS5876411A JP17498981A JP17498981A JPS5876411A JP S5876411 A JPS5876411 A JP S5876411A JP 17498981 A JP17498981 A JP 17498981A JP 17498981 A JP17498981 A JP 17498981A JP S5876411 A JPS5876411 A JP S5876411A
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polydivinylbenzene
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Toshinobu Higashimura
青島貞人
Hiroshi Hasegawa
長谷川洋
Sadato Aoshima
東村敏延
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  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、・ジビニルベンゼンの末端にスチレン類を導
入した鎖状ポリマーもしくはオリゴマーおよびその製造
法に関するものである。
ジビニルベンゼンは、その分子中に2個のビニル基を有
しているので、一般に重合により溶媒不溶性の橋かけ構
造を持ったポリマーを生成することが知られている。従
って、ジビニルベンゼンは他のモノマーとの共重合にお
ける橋かけ剤として用いられており、それ自体のホモポ
リマーあるいはオリゴマーとして知られているものは、
次の−般式(■)で示される化合物およびその橋かけ構
造化合物である。
一般式(■) 式中mは1以上の整数である。
本発明者らは、先にスルホネートアニオンまたは過塩素
酸アニオンの存在下にジビニルベンゼンを重合させるこ
とにより、ジビニルベンゼンの新規な鎖状ポリマーまた
はオリゴマーが得られることを見出し特許出願を行なっ
た(特開昭56−62808号)。
更に本発明者らは、ジビニルベンゼンを重合、させるに
際し、スチレン類を共存させることにより。
末端に核スチレン類が導入された鎖状のポリジビニルベ
ンゼン共重合体が得られることを見出し本発明を完成さ
せた。
すなわち、本発明は、下記の一般式(1)から(V)で
表わされる群から選ばれた1種または2種以上の化合物
からなるポリノビニルベンゼン共重合体に関するもので
ある。
一般式(I) 一般式(II) 一般式(m) 一般式(R/) 一般式(V) 但し、上記一般式(I)から(V)において、Xは低級
アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アシル基、アシル
オキシル基、ヒドロキシル基もしくはハロダン原子を表
わし、rは0以上の整数であり、かつr個の門は、それ
ぞれ下記繰返し単位(A)または(B)である。
繰返し単位(A) 更に本発明は、スルホネートアニオンもしくは過塩素酸
アニオンの存在下に、温度−20°Cから+1500C
の範囲内でジビニルベンゼンを重合するに際し、下記一
般式(Vl)で表わされるスチレン類を共存させること
を特徴とする前記一般式(1)から(V)で表わされる
群から選ばれた1種または2種以上の化合物からなるポ
リジビニルベンゼン共重合体の製法に関するものである
一般式(■) なお式中Xは前記定義と同じである。
更に本発明は、スルホネートアニオンまたは過塩素酸ア
ニオンの存在下に、−20°C、+ 150°Cにおい
て、ジビニルベンゼンを重合するに際し、下記一般式(
■″)で示されるアシルオキシル基レ/を共存させて得
られたポリジビニルベンゼン共重合体を加水分解するこ
とを特徴とする下記一般式(白から(V′)で表わされ
る群から選ばれた1種または2種以上の化合物からなる
ポリジビニルベンゼン共重合体の製法に関するものであ
る。
一般式(自 一般式(■′) 一般式(■′) 一般式(■″) 一般式(V′) 但し、上記一般式(自から(■″)において XIはア
シルオキシル基を表わし、rおよび門は前言己定義と同
じである。
本発明の製造方法について説明すると、原料の一つであ
るジピニルベンゼントシては+P−ノビニルベンゼンお
よびm〜ジビニルベンゼンのいスレを用いても良く、工
業的には特にこれらの異性体の混合物が有利に使用でき
る。また、他方の原料である前記一般式(M)で表わさ
れるスチンン類にはXが低級アルキル基であるものとし
て、o、m、p−メチルスチレン、  o、m、p−エ
チルスチレンおよびmlp  (ソゾロピルスチレンな
ど、Xがハロゲン化アルキル基であるものとして、Ol
m、p−クロロメチルスチレン、m、p−ブロモメチル
スチレンおよびp−よう化メチルスチレンなど、またX
がアシル基であるものとして、m1p−アセチルスチレ
〜 ン々どかあげられる。
さらに、Xがアシルオキシル基であるものとしテm、p
−アセトキシスチレンなど、Xがハロダン原子であるも
のとして、Olm、p−クロロスチレン、p−ブロモス
チレン、p−よう化スチレン、そしてXがヒドロキシル
基であるものとしてo、m、p−ヒドロキシスチレンな
どがある。
ま念、本発明の方法如使用するスルホネートアニオンは
、R80a−なる構造式で表わされる。ここでRは、フ
ッ素原子、塩素原子、脂肪族炭化水素残基、芳香族炭化
水素残基およびこれらの置換体である。前記脂肪族炭化
水素残基の炭素数は1〜3であり、芳香族炭化水素残基
は単環もしくは二環で、炭素数が6〜18のものがそれ
ぞれ好ましい。
置換体は、アルキル置換体、・・ログン置換体等が好ま
しい。
スルホネートアニオンの代表的な例は次の通りである。
すなわち、Rがフッ素原子の場合のフルオロ硫酸イオン
、Rが塩素原子の場合のクロロ硫酸イオンがあり、Rが
脂肪族炭化水素残基の場合はメタンスルホネートアニオ
ン、エタンスルホネートアニオン、Rが芳香族炭化水素
の場合には、ベンゼンスルホネートアニオン、Rが置換
体の場合K tri %  )リフルオロメタンスルホ
ネートアニオンオヨヒハーフルオロエタンスルホ゛ネー
トアニオンなどがある。
これらのスルホネートアニオンを反応系に存在させて反
応を進行させるには、酸(R803I()の形の化合物
、゛あるいはこれらの誘導体である炭素数1〜3のアル
キル基(R)を有するエステル(R8O3R’)もしく
は(R802)20で表わされる酸無水物の形の化合物
を反応系に添加する。
スルホネートアニオン(R8O3−) ?生成させる酸
の代表的な例は、フルオロ硫酸、クロロ硫酸、トリフル
オロメタンスルホン酸およヒバ−フルオロエタンスルホ
ン酸等である。また、エステルはこれらの酸のアルキル
エステルであって、メチルエステルおよびエチルエステ
ル等が代表的なものである。これらの酸の酸無水物は、
ピロクロロ硫酸、ベンゼンスルホン酸無水物およびメタ
ンスルホン酸無水物等が代表的なものである。もちろん
酸の誘導体であるエステルおよび無水物は上記具体例の
化合物のみに限定されるものではない。
本発明の製造方法においては、また、過塩素酸アニオン
(CI 04−)の存在下でも行なうことができる。こ
の場合、過塩素酸アニオンを生ずるめかなる化合物をも
使用することができるが、代表的なものは次のような化
合物である。すなわち、過塩素酸(I(C104)、過
塩素酸アセ−1−ル(CH3COCIO4)、過塩素酸
ブチリル(C3H7COC1o4)、ベンゾイルパーク
ロンイト(C6H5COCIO4)等:過塩素酸のオキ
ソニウム塩、たとえば、ジオキソレニウム・母−クロレ
イト:過塩素酸のトリフェニルメチル塩、すなわち、ト
リフェニルメチル塩や−クロレイト(Ph3CCIO,
、−):および過塩素酸のトロピリウム塩のトロピリウ
ムパークロレイト(c7 H7+C104−)等である
使用する触媒量(スルホネートアニオンモジくは過塩素
酸アニオンの使用量)は、ジビニルベンゼン1モルに対
し、0.05〜100ミリモルの範囲が好ましい。この
範囲外の量でも使用できるが、少量では反応に長時間を
要し、また必要以上に多量の触媒を使用した場合には、
触媒除去に手間を要するので経済的に不利である。
反応温度は、−20°Cから+150°Cの温度範囲内
で任意に選択することができ、反応温度がこの温度範囲
から外れた場合には、後述するように側鎖にビニル基を
有するポリマー(■)が生じ、これは更に橋かけ反一応
を惹起し、ポリマーは溶剤に不溶性となるので好ましく
ない。上記より更に好ましい反応温度は+30’Cから
+80°Cである。
本発明の反応は、溶媒の存在下で行なうことが好ましい
。溶媒は一般にカチオン重合を停止させないものであれ
ばよい。溶媒の好ましい具体例とり、テid、ベンゼン
、クロロベンゼンのようす芳香族化合物、n−ヘキサン
のような飽和脂肪族炭化水素、シクロヘキサン、メチル
シクロヘキサ7(7)ような飽和脂環式炭化水素、ある
いはこれらの・・ログン化物である四基化炭l、クロロ
ホルム等である。もちろん本発明に使用し得る溶媒はこ
こに具体的に例示した化合物に限定されるものではない
。また、溶媒は二種類以上を混合して用いることもでき
る。
なお、溶媒の極性に関しては飽和脂肪族炭化水素のよう
に極性の低いものが良く、極性の高い溶媒を用いた場合
には側鎖にビニル基金布するポリーマー(■)を生成し
、橋かけ反応が起りやすい。
更に本発明の製造方法においては、モノマーであるジビ
ニルベンゼンの反応系中における濃度が低い方が、式(
■)のようなポリマーを生じないので、たとえば、溶媒
中のジビニルベンゼン濃度を20容量チ以下にして使用
することが好ましい。
本発明のポリジビニルベンゼン共重合体は前記一般式(
Vl)で表わされるスチレン類を共存させて、ジビニル
ベンゼンをスルホネートアニオンまたは過塩素酸アニオ
ンなどの酸性触媒の存在下で共重合を行なうが、ポリジ
ビニルベンゼンのホモ重合体としては、下記の一般式(
■)で表わされる重合体があり、この末端に前記スチレ
ン類が付加したものとし゛て本発明の共重合体が得られ
る。
一般式(■) 上式中rおよび閂の定義は前記と同様である。
更K、一般式(■)のポリジビニルベンゼンの片方の末
端にスチレン類が付加したものとして前記一般式(1)
および(It)のポリジビニルベンゼン共重合体、また
、両端にスチレン類が付加したものとして一般式(II
I)〜(V)のポリジ・ビニルベンゼン共重合体が得ら
れる。
本発明においては、スチレン類を共存さ・せることによ
り共重合体を製造するが、スチレン類はジビニルベンゼ
ンの重合当初から添加しても良い。
すなワチ、ジビニルベンゼンとスチレン類とを混合して
共重合させても良い。また、重合の途中でスチレン類を
添加しても良い。更に、ある程度ジビニルベンゼンの重
合度が上昇してから、すなわち、重合反応の終期に添加
しても良い。
ナオ、ジビニルベンゼンとスチレン類トを混合して反応
させる際に、共重合体の収率を上げるためには、ジビニ
ルベンゼンに対するスチレン類の割合を小さくすること
が好ましい。すなわち、スチレン類トジビニルベンゼン
の重合の相対速度にもよるが、通常はスチレン類とジビ
ニルベンゼンとのモル比は5〜0.01の範囲にするこ
とが好ましい。
また、前記一般式(1)〜(V)で表わされる本発明の
共重合体の内部二重結合は主としてトランス結合である
従来の塩化アルミニウムなどのカチオン重合触lk用い
てジビニルベンゼンを重合すると、前言已一般式(■)
のように側鎖にビニル基を有するポ1)マーを生ずるこ
とになる。ポリマー(■)は側鎖にビニル基を持つため
に奮かけ反応を起しやすく、溶剤に不溶性になるので好
ましくない。
本発明の製造方法は、スルホネートアニオンまたは過塩
素酸アニオンの存在下にジビニルベンゼンを重合させる
のであるが、前述のように重合温度が一20°Cから+
150’Cの温度範囲全外れるとき、モノマー濃度が高
いとき、また極性溶媒を用いるときには、前記一般式(
■)の構造を有するポ1jマーが生成し、とのポリマー
は更に横力・け反応fEすので好ましくない。
なお、ヒドロキシル基を末端の官能基として有スルポリ
ゾビニルベンゼンを得る場合には、アシルオキシスチレ
ンたとえばアセトキシスチレンカ;末端に付カルたポリ
ビニルベンゼン共重合体全製造し、これを加水分解して
も得ることができる。
この加水分解は通常、温度10°C〜50°C11〜4
時間の条件で容易に行なうことができる。
本発明のポリジビニルベンゼン共重合体は、少なくとも
その一端に官能基を有するので、それを反応させること
によって、種々の反応中間体として利用することができ
る。
次に実施例により本発明を詳述する。
実施例1 乾燥窒素中でp−ジビニルベンゼンとp−メチルスチレ
ンのベンゼン溶液に、過塩素酸アセチル(CH3COC
lO4)のベンゼン溶液を加え、p−ノビニルベンゼン
濃度0.05モル/As  p−メチルスチレン濃度0
.05モル/ t b触媒濃度0−2ミ’)モル/lの
初期条件で70°Cで反応させた。反応時間5分、40
分および120分でそれぞれサンプルを採取した。
その後、アンモニア性メタノールで反応全停止し、減圧
下に50°Cで溶媒および未反応メタノールケ除去した
。得られた共重合体の数平均分子量は反応時間120分
のとき約800であった。
次に上記サンプルをGPCにかけその分子量分布を測定
した。その結果を第1図に示す。図中、p −DVBは
p−ジビニルベンゼン、p−MeStiip−メチルス
チレンを示し、各曲線のピークに付した数値は重合度を
示す。また、5分、140分のサンゾルについてのNM
Rス被ク被層トル2図に示す。
第1図エリ、反応時間の経過と共に分子量が増加するこ
とが解る。また第2図より、モノマー転化率の高い40
分のサンプルではメチル基の水素の吸収(δ=2.2p
pm)が大きく、そして、末端ビニル基の水素の吸収は
殆ど認められず末端がp −メチルスチレンのみKなっ
たことが解る。
また、ポリマーの末端の構造全確認するために、分取G
PCにより二量体から五量体を分取し、それぞれのNM
RMRストルから末端基の構成割合を求めた。その結果
を次の表1に示す。なおp−ノビニルベンゼン濃[0,
075モル/ls p−メチルスチレン濃度0.025
モル/ L (p −DVB/ p −’MeSt =
 3/1 )の反応系についても重合反応を行ないその
結果も併せて示す。
表1 重合体末端基の構成比率 実施例2 p−ジビニルベンゼン0.025モル/lとp−アセト
キシスチレン0.075モル/lのベンゼン溶液全実施
例1と同様にして反応させた。反応時間120分では転
化率100%であった。このポリマーのNMRスイクト
ルを第3図に示す。また、分取GPCにより二量体から
玉量体を分取し、その末端基を調べたところ、末端基は
すべてアセトキシル基で4って、ビニル基は認められな
かった。また、得られた共重合体の数平均分子量は約5
00であった。
次にこの共重合体全1,4−ジオキサンの溶媒中で、4
時間かけて加水分解したところ、末端が−ヒドロキシル
基であるポリマーが得られた。このポリマーのNMRス
ペクトルを第4図に示す。第3図のNMRス4クトルと
比較すると末端メチル基の吸収が消失し、代りにヒドロ
キシル基の水素の吸収が表われていることが解る。
実施例3 p−ソピニルベンゼン0.05モル乙4:b p 、’
クロロメチルメチ2フ0.05モル/lのタンーゼン溶
液を、実施例1と同様にして反応させ、た。反応時間1
20分では転化率100チであった。このポ・リマーの
NMRスペクトルを第5図に示す。また分取GPCによ
り分取した二量体から玉量体についてNMRスペクトル
により末端基を測定したところ、ビニル基は認められず
すべてクロロメチル基であった。なお、得られた共重合
体の数平均分子量は約1000であった。
実施例4 本実施例では、p−ノビニルベンゼンを一度単独重合さ
せたのち、p−アセトキシスチレンを添加して共重合さ
せた。
すなわ7ち、乾燥窒素中でp−ジビニルベンゼンの0.
05モル/lのベンゼン溶液に、過塩素酸アセチルの0
.20ミリモル/lのベンゼン溶液を加え、70’Cで
20分間反応させた。次にp−アセトキシスチレン(A
eO8t )を0.05モル/を加えて反応させた。こ
の反応の時間−転化率の関係は第6図のようであった。
また、p−アセトキシスチレンを添加する前のポリジビ
ニルベンゼン(A)と反応終了後の共重合体(B)とに
ついてGPCにより分子量分布を測定した結果をそれぞ
れ第7図および第8図に示す。次に/ リジピニルベン
ゼン(A)、共重合体(B)についてNMRスペクトル
を第9図および第1O図にそれぞれ示す。なお、ポリジ
ビニルベンゼンの数平均分子量は約2000であった。
NMRスイクトルの結果から、共重合体(B)では末端
ビニル基が殆ど消失し、末端アセトキシル基が認められ
た。また、これらの結果より、末端にアセトキシスチレ
ンが導入されたことが確認された。
実施例5 実施例1と同様の反応条件において、p−ノビニフレベ
ンゼン0.05モルフt% p−クロロスチレン0.0
5モル/lのベンゼン溶液を用いて反応させた。
反応時間120分で転化率100チで−あった(数平均
分子量約1000 )。このポリマ・−〇NMRスペク
トルは、メチル基の水素が存在しないこと以外はほぼ第
2図のものと同じであった。また分取GPCにより分取
した二量体から玉量体について元素分析を行なった結果
、オリゴマー1分子に2個の塩素原子が存在し、100
%の収率で両端に塩素原子の導入されたオリゴマーが合
成されたことが認められた。
実施例6 p−ノビニルベンゼン0.025モル/As p−アセ
トキシスチレン0.075モル/lのモノマー濃度およ
びトリフルオロメタンスルホン酸(CF35o3)I 
) 0.10ミリモル/lの初期条件で、70°Cで1
20分間ベンゼン中で反応させた。得られたポリマーの
数平均分子量は500であり、そのNMRスペクトルは
実施例2に示したものと殆ど同様のものであった。また
?リマー全体および分取GPCで分取したこ量体から豆
量体についてNMRスペクトルから測定した末端基も実
施例2のそれとほぼ同様に全てアセトキシル基であった
【図面の簡単な説明】
第1図、第7図および第8図はGPCのチャートであり
:第2図、第3図、第4図、第5図、第9図および第1
0図はNMRのスペクトルであり、また第6図は転化率
(チ)と時間(分)の関係を示すグラフである。 特許出願人   東 オギ #あと 代理人 弁理士前高 肇 第1図 第2図 6(ppm) 6(93m) 6(ppm) 第6図 0 10 20 30 40 50 60M 藺 (m
in、) lEQ 図 第7図 V  y 第10図 6Cpρm) 手続補正書 昭和56年12月19日 脣許庁長官島田春樹 殿 1、事件の表示 昭和56年 特許願第174989号 2、発明(7)名称ポリジビーーベンゼン共重合体およ
びその製法 3、補正をする者 事件との関係  特許出願法 氏名(名称)  東村敏延 4、代理人 〒110   電話03(841)586
1番6、補正により増加する発明の数 なし7、補正の
対象 補正の内容 明細書を以下の通り補正する。 1、特許請求の範囲の欄を別紙の通り補正する。 2、発明の詳細な説明の欄全以下の通り補正する。 (イ)第14頁、一般式(VI)の次の行の「前記定義
と同じである。」の次に「但し、ヒドロキシル基を除く
。」を加入する。 (ロ)第16頁、下から3行目あ・ら最下行の1、そし
てXが・・・・・ヒドロキシスチレン」を削除する。 (・・)第羽頁、最下行の「ポリビニルベンゼン」を「
ポリジビニルベンゼン」と訂正する。 (ニ)第24頁、第1行の「加水分解しても」を「加水
分解することによって」と訂正する。 (1)下記一般式(1)から(、V)で表わされる群か
ら選ばれた1種または2種以上の化合物からなるポリジ
ビニルベンゼン共重合体、 一般式(1) 一般式(■) 一般式(11) 一般式(IV) 一般式(V) 但し、上記一般式(1)から(V)において、Xは低級
アルキル基、ハロダン化アルキル基、アシル基、アシル
オキシル基、ヒドロキシル基モしくはハロダン原子を表
わし、rは0以上の整数であり、かつr個の閂は、それ
ぞれ下記繰返し単位(A)または(B)である。 (2)前記ポリ、ジビニルベンゼン共重合体中の二重結
合が、主としてトランス結合である特許請求の範囲第1
項記載のポリジビニルベンゼン共重合体。 (3)前記ポリジビニルベンゼン共重合体中のジビニル
ベンゼン単位がp−置換ノビニルベンゼン単位および/
またはm−置換ジビニルベンゼン単位である特許請求の
範囲第1項または第2項記載のポリジビニルベンゼン共
重合体。 (4)前記Xがメチル基である特許請求の範囲第1項な
いし第3項のいずれか(記載のポリノビニルベンゼン共
重合体。 (5)前記Xがクロロメチル基である特許請求の範囲第
1項な′いし第3項のいずれかに記載のポリジビニルベ
ンゼン共重合体。 (6)前記Xがアセトキシル基である特許請求の範囲第
1項ないし第3項のいずれかに記載のポリジビニルベン
ゼン共ti合体。 (7)前記Xが塩素原子である特許請求の範囲第1項ナ
イし第3項のいずれかに記載のポリジビニルベンゼン共
重合体。 (8)前記Xがアセチル基である特許請求の範囲第1項
ないし第3項のいずれかに記載のポリジビニルベンゼン
共重合体。 (9)スルホネートアニオンまたは過塩素酸アニオンの
存在下に、−20°C〜+150°Cにおいて、ジビニ
ルベンゼンを重合するに際し、下記一般式(Vl)で示
されるスチレン類を共存させることを特徴とする、下記
一般式(1)から(V)で表わされる群から選ばれた1
種または2種以上の化合物からなるポリジビニルベンゼ
ン共重合体の製法。、一般式(1) 一般式(U) 一般式(III) 一般式(V) 一般式(Vl) 但し、上記一般式(1)から(Vl)l’&おいて、X
は低級アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アシル基、
アシルオキシル基もしくはハr′Jダン原子を表わし、
rけ0以上の整数であり、か゛ 個の門は、それぞれ下
記繰返し単位(A)または(B)である。 (10)前記ポリジビニルベンゼン共重合体の二重結合
が主としてトランス結合である特許請求の範囲第9項記
載のポリジビニルベンゼン共重合体の製法。 (11) 前記ジビニルベンゼンがP−ジビニルベンゼ
ンおよび/またはm−ジビニルベンゼンである特許請求
の範囲第9項または第10項記載のポリジビニルベンゼ
ン共重合体の製法。 (12)前記一般式(■)で示されるスチレン類がメチ
ルスチレンである特許請求の範囲第9項ないし第11麺
のいずれかに記載の、ポリジビニルベンゼン共重合体の
製法。 (13)前記一般式(Vl)で示されるスチレン類がク
ロロメチルスチレンである特許請求の範囲第9項ないし
第11項のいずれかに記載のポリジビニルベンゼン共重
合体の製法。 (14)前記一般式(Vl)で示されるスチレン類がア
セトキシスチレンである特許請求の範囲第9項ないし第
11項のいずれかに記載のポリジビニルベンゼン共重合
体の製法。 (15)前記一般式(Vl)で示されるスチレン類がク
ロロスチレンである特許請求の範囲第9項ないし第11
項のいずれかに記載のポリジビニルベンゼン共重合体の
製法。 (16)前記一般式(Vl)で示されるスチレン類がア
セチルスチレンである特許請求の範囲第9項ないし第1
1項のいずれかに記載のポリジビニルベンゼン共重合体
の製法。 (17)スルホネートアニオンまたは過塩素酸ア1.ニ
オンの存在下に、−20°C〜+150°Cにおいて、
ジビニルベンゼンを重合するに“際し、下記一般式(■
′)で示されるアシルオキシスチレンを共存させて得ら
れたポリジビニルベンゼン共重合体を加水分解すること
を特徴とする下記一般式(自から(V′)で表わされる
群から選ばれた1種または2種以上の化合物からなるポ
リジビニルベンゼン共重合体の製法、 一般式(1″) 一般式(■′) 一般式(■′) 一般式(■′) 一般式(v′) 但し、上記一般式(■′)から(■′)において、XI
、はアシルオキシル基を表わし、rは0以上の整数であ
り、かつr個の阿は、それぞれ下記繰返し単位(A)ま
たは(B)である。 (1B)前記ポリジビニルベンゼン共重合体中の二重結
合が主としてトランス結合である特許請求の範囲第17
項記載のポリジビニルベンゼン共重合体の製法。 (19)前記ジビニルベンゼンがp−ノビニルバンゼン
および/ま久はm−ジビニルベン竺ンである特許請求の
範囲第17項または第18項記載のポリジビニルベンゼ
ン共重合体の製法。 (20)前記アシルオキシスチレンがアセトキシスチレ
ンである特許請求の範囲第17項ないし第19項のいず
れかに記載のポリジビニルベンゼン共重合体の製法。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)下記一般式(1)から(V)で表わされる群から
    選ばれた1種または2種以上の化合物からなるポリノビ
    ニルベンゼン共重合体、 一般式(1) 一般式(n) 一般式(III) 一般式(IV) 一般式(V) 但し、上記一般式(I)から(V)において、Xは低級
    アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アシル基、アシル
    オキシル基、ヒドロキシル基モジくハハロケ゛ン原子を
    表わし、rは0以上の整数であり、かつr個の門は、そ
    れぞれ下記繰返し単位(A)またFi(Iである。 しH3 (2)前記ポリジビニルベンゼン共重合体中の二重結合
    が主としてトランス結合である特許請求の範囲第1項記
    載のポリジビニルペ・ンゼン共重合体。 (3)前記ポリジビニルベンゼン共重合体中のジビニル
    へy セン単位カルー置換ジビニルベンゼン単位および
    /またはm−置換ジビニルベンゼン単位である特許請求
    の範囲第1項または第2項記載のポリジビニルベンゼン
    共重合体。 (4)前記Xがメチル基である特許請求の範囲第1項な
    いし第3項のいずれかに記載のポリジビニルベンゼン共
    重合体。 (5)前記×がクロロメチル基である特許請求の範囲第
    1項ないし第3項のいずれかに記載のポリノビニルベン
    ゼン共重合体。 (6)前記Xがアセトキシル基である特許請求の範囲第
    1項ないし第3項のいずれかに記載のポリジビニルベン
    ゼン共重合体。 (7)前記Xが塩素原子である特許請求の範囲第1項な
    いし第3項のいずれかに記載のポリジビニルベンゼン共
    重合体。 (8)前記Xがアセチル基である特許請求の範囲第1項
    ないし第3項のいずれかに記載の、j? リノビニルベ
    ンゼン共重合体。 (9)スルホネートアニオンまたは過塩素酸アニオンの
    存在下に、−20°C〜+150°Cにおいて、ノビニ
    ルベンゼンを重合するに際し、下記一般式(M)で示さ
    れるスチレン類を共存させることを特徴とする、下記一
    般式(1)から(V)で表わされる群から選ばれた1種
    または2種以上の化合物からなるポリジビニルベンゼン
    共重合体の製法、 一般式(I) 一般式(II) し■3 一般式(1) 一般式(Fly) 一般式(V) 一般式(Vl) 但し、上記一般式(1)から(Vl)において、Xは低
    級アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アシル基、′ア
    シルオキシル基、ヒドロキシル基モジくはハロゲン原子
    を表わし、rは“0以上の整数であり、かつr個の門は
    、それぞれ下記繰返し単位(A)または(B)である。 繰返し単位(B) (lO)前記ポリジビニルベンゼン共重合体の二重結合
    が主としてトランス結合である特許請求の範囲第9項記
    載のポリジビニルベンゼン共重合体の製法。 (11)前記ジビニルベンゼンがp−ノビニルベンセン
    および/またはm−ジビニルベンゼンである%許請求の
    範囲第9項または第1O項記載のポリジビニルベンゼン
    共重合体の製法。 (12)前記一般式(Vl)で示されるスチレン類がメ
    チルスチレンである特許請求の範囲第9項ないし第11
    項のいずれかに記載のポリジビニルベンゼン共重合体の
    製法。 (13)前記一般式(Vl)で示されるスチレン類がク
    ロロメチルスチレンである特許請求の範囲第9項ないし
    第11項のいずれかに記載のテリノビニルベンゼン共重
    合体の製法。 (14)前記一般式(■)で示されるスチレン類がアセ
    トキシスチレンである特許請求の範囲第9項ないし第1
    1項のいずれかに記載のポリジビニルベンゼン共重合体
    の製法。 (15)前記一般式(M)で示されるスチレン類がクロ
    ロスチレンである特許請求の範囲第9項ないし第11項
    のいずれかに記載のポリジビニルベンゼン共重合体の製
    法。 (16)前記一般式(W)で示されるスチレン類がアセ
    チルスチレンである特許請求の範囲第9項ないし第11
    項のいずれかに記載のポリジビニルベンゼン声重合体の
    製法。 (17)スルホネートアニオンまたは過塩素酸アニオン
    の存在下に、−20°C〜+150°Cにおいて、ノビ
    ニルベンゼンを重合するに際し、下記一般式(■′)で
    示されるアシルオキシスチレンを共存させて得られたポ
    リジビニルベンゼン共重合体を加水分解することを特徴
    とする下記一般式(自から(V′)で表わされる群から
    選ばれた1種または2種以上の化合物からなるポリジビ
    ニルベンゼン共重合体の製法、 一般式(白 一般式(■′) 一般式(■′) 一般式(■′) 一般式(V’) 一般式(■′) 但し、上記一般式(自から(■゛)において、xIはア
    シルオキシル基を表わし、rは0以上の整数であり、か
    つr個の門は、それぞれ下記繰返し単位(A)または(
    B)である。 繰返し単位(A) 繰返し単位(B) (18)前記ポリジビニルベンゼン共重合体中の二重結
    合が主としてトランス結合である特許請求の範囲第1’
    i’ 項記載のテリノビニルベンゼン共重合体の製法。 (19) 前記ジビニルベンゼンがp−ジビニルベンゼ
    ンおよび/またはm−・ジビニルベンゼンである特許請
    求の範囲第17項または第18項記載のポリジビニルベ
    ンゼン共重合体の製法。 (20)前記アシルオキシスチレンがアセトキシスチレ
    ンである特許請求の範囲第17項ないし第19項のいず
    れかに記載の、j? +Jノビニルベンゼン共重合体の
    製法。
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