JPS5875120A - 電子制御シヤツタ回路 - Google Patents
電子制御シヤツタ回路Info
- Publication number
- JPS5875120A JPS5875120A JP17433481A JP17433481A JPS5875120A JP S5875120 A JPS5875120 A JP S5875120A JP 17433481 A JP17433481 A JP 17433481A JP 17433481 A JP17433481 A JP 17433481A JP S5875120 A JPS5875120 A JP S5875120A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- current
- collector
- cds
- current source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B7/00—Control of exposure by setting shutters, diaphragms or filters, separately or conjointly
- G03B7/08—Control effected solely on the basis of the response, to the intensity of the light received by the camera, of a built-in light-sensitive device
- G03B7/081—Analogue circuits
- G03B7/083—Analogue circuits for control of exposure time
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Control For Cameras (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明Ｈ１ＣｄＳなどの光導電体の光出力電流を利用し
てシイツタの開閉動作を制御する電子制御シイツタ回路
ＫＮする。
てシイツタの開閉動作を制御する電子制御シイツタ回路
ＫＮする。
在来のいわゆるプロゲラムシτツタでは、シイツタ逮度
が運いときＫは時間経過とともに開口面積が大きくなり
、７τツタ速度が遅い場合には開口面積は時間経過とと
もに大きくなった後に一定値に保たれる。被写体の一度
を検出するための光導電体としてのＣｄＳはカメラのボ
ディに設けられており、そのＴ値すなわち照度りの対数
値に対する抵抗Ｒの対数値の比（ｔ＝ ｌ！ｎＲ／／ｎ
Ｌ ）ｕ、ＣｄＳ毎にばらつきがある。先行技術では、
このようなＴ値・にばらつきのあるＣｄＳを用いると、
プログフＡシでツタによる適切な両光量を達成すること
ができなかった。
が運いときＫは時間経過とともに開口面積が大きくなり
、７τツタ速度が遅い場合には開口面積は時間経過とと
もに大きくなった後に一定値に保たれる。被写体の一度
を検出するための光導電体としてのＣｄＳはカメラのボ
ディに設けられており、そのＴ値すなわち照度りの対数
値に対する抵抗Ｒの対数値の比（ｔ＝ ｌ！ｎＲ／／ｎ
Ｌ ）ｕ、ＣｄＳ毎にばらつきがある。先行技術では、
このようなＴ値・にばらつきのあるＣｄＳを用いると、
プログフＡシでツタによる適切な両光量を達成すること
ができなかった。
本発明の目的は、適切な露光量を得ることができる電子
制御シイツタ回路を提供することである。
制御シイツタ回路を提供することである。
第１図は、本発明に従う電子制御シャッタ回路が開運し
て実施されるプログラムシャッタの特性を示すグラフで
ある。露光時間がＴＯまでのシャッタ速度の速い場合Ｋ
に、開口面積は時間とともに正比例して増加する。露光
時間が１０以上になると、開口面積は一定の値ＳＯＫ保
たれる。図中、露光時間Ｔｌはシャッタ速度が速い場合
を示し、露光時間７２ｒｉシャッタ速度が遅い場合を示
している。
て実施されるプログラムシャッタの特性を示すグラフで
ある。露光時間がＴＯまでのシャッタ速度の速い場合Ｋ
に、開口面積は時間とともに正比例して増加する。露光
時間が１０以上になると、開口面積は一定の値ＳＯＫ保
たれる。図中、露光時間Ｔｌはシャッタ速度が速い場合
を示し、露光時間７２ｒｉシャッタ速度が遅い場合を示
している。
第２図は、第１図の特性を有するプログラムシャッタを
制−するための本発明の一実施例の電気回路図である。
制−するための本発明の一実施例の電気回路図である。
光導電体としてのＣｄＳからの光出力電流は、第１トラ
ンジスタＱＩＫ与えちれる。
ンジスタＱＩＫ与えちれる。
第１トランジスタＱｌのベースに、コレクタｒｃＩｌｋ
絖されている。第２トランジスタＱ２は、第１トランジ
スタＱｌに直列接続され、そのペースはコレクタに接続
される。＠２トランジスタＱ２にはまた第１の電流源Ｚ
ｌから電流が供給される。第３トランジスタＱ３のペー
スは、第１トランジスタＱｌのコレクタに接続される。
絖されている。第２トランジスタＱ２は、第１トランジ
スタＱｌに直列接続され、そのペースはコレクタに接続
される。＠２トランジスタＱ２にはまた第１の電流源Ｚ
ｌから電流が供給される。第３トランジスタＱ３のペー
スは、第１トランジスタＱｌのコレクタに接続される。
＠４トランジスタＱ４は、第３トランジスタＱ３に直列
に接続される。この第４トランジスタＱ４のベースは、
コレクタに接続される。第４トランジスタＱ４にに、第
２電流源Ｚ２から電流が供給される。第３トランジスタ
Ｑ３には、コンデンサＣＩが直列に接続される。このコ
ンデンサＣＩＫに、並列に放電のための回路を構成する
スイッチＳＷが接続される。
に接続される。この第４トランジスタＱ４のベースは、
コレクタに接続される。第４トランジスタＱ４にに、第
２電流源Ｚ２から電流が供給される。第３トランジスタ
Ｑ３には、コンデンサＣＩが直列に接続される。このコ
ンデンサＣＩＫに、並列に放電のための回路を構成する
スイッチＳＷが接続される。
スイッチＳＷは、露光開始時に透照されてコンデンサＣ
１の充電を許容し、露光時間終了時に導通されてコンデ
ン？ＣＩを放電する。接続点１におけるコンデンサＣＩ
の出力電圧は、レベル弁別のためのコンパレータＣＯＭ
の一方の入力に与えられる。コンパレータＣＯＮの他方
の入力Ｋ１−１、弁υ１」レベルを決定する電圧Ｖｒが
与えられる。コンパレータＣ（１Ｍ＃−ｆ、コンデンサ
Ｃ１の出力電圧が基準電圧ＶｒＫ達したときにハイレベ
ルの信号を ｊシャッタ駆動回路ＤＲＩＣ与える。こ
れによってシャッタ駆動回路ＤＲに、第１図示の特性を
有するシャッタを閉じる。鉱動回ｖ＆ＤＲがシャッタを
開じるに要する時間は、無視できる程度にきわめて短い
◎ トランジスタＱｌ＊Ｑ２ｅＱ３＊ＱａＫ流れる電流をｉ
ｌ、ｉ２．ｉ３．ｉ４とし、電流＠Ｚｌ。
１の充電を許容し、露光時間終了時に導通されてコンデ
ン？ＣＩを放電する。接続点１におけるコンデンサＣＩ
の出力電圧は、レベル弁別のためのコンパレータＣＯＭ
の一方の入力に与えられる。コンパレータＣＯＮの他方
の入力Ｋ１−１、弁υ１」レベルを決定する電圧Ｖｒが
与えられる。コンパレータＣ（１Ｍ＃−ｆ、コンデンサ
Ｃ１の出力電圧が基準電圧ＶｒＫ達したときにハイレベ
ルの信号を ｊシャッタ駆動回路ＤＲＩＣ与える。こ
れによってシャッタ駆動回路ＤＲに、第１図示の特性を
有するシャッタを閉じる。鉱動回ｖ＆ＤＲがシャッタを
開じるに要する時間は、無視できる程度にきわめて短い
◎ トランジスタＱｌ＊Ｑ２ｅＱ３＊ＱａＫ流れる電流をｉ
ｌ、ｉ２．ｉ３．ｉ４とし、電流＠Ｚｌ。
ｚ２から供給さｈる電流をｉｌＯ，ｉ２０とする。
トランジスタＱｌ 、Ｑ２．Ｑ３ 、Ｑ４は、カレント
ミラーを構成し、電流源Ｚｌ、Ｚ２が設けちれていない
場合には、１ｌ＝ｉ３となる動作を行なう。第３トラン
ジスタＱ３のペース電流ハ小さいので無視すると、Ｃｄ
Ｓからの光出力電流は第１トランジスタＱｌに流れる。
ミラーを構成し、電流源Ｚｌ、Ｚ２が設けちれていない
場合には、１ｌ＝ｉ３となる動作を行なう。第３トラン
ジスタＱ３のペース電流ハ小さいので無視すると、Ｃｄ
Ｓからの光出力電流は第１トランジスタＱｌに流れる。
＠２トランジスタＱ２および！４）ランジスタＱ４に流
れる電流ｉ２゜ｉ４は、次式のようになる。
れる電流ｉ２゜ｉ４は、次式のようになる。
１２＝ｉｌ＋ｉｌＯ・・・ｌ１ｌ
ｉ４＝ｉ３＋ｉ２Ｕ ・・・＋２）トランジス
タＱｌ＊Ｑ２．．Ｑ３．Ｑａのペースエミッタ・−電圧
ＶＢＥ１．ＶＢＫ３・、ＶＢＫ３ 、ＶＢＥ４は、次式
で示される。
タＱｌ＊Ｑ２．．Ｑ３．Ｑａのペースエミッタ・−電圧
ＶＢＥ１．ＶＢＫ３・、ＶＢＫ３ 、ＶＢＥ４は、次式
で示される。
ここでｋにボルツマン定数、Ｔは絶対温度、ｑは電子の
電荷、ｔｏは逆方向飽和電流を示す。第１および一＄２
）ランジスタＱｌ 、Ｑ２のペースエミッタ闇電圧ＶＢ
ＥＩ、ＶＢＥ２の相は、第３おｊｃＦ＠ａ ）ランジス
タＱ ３ ＊ Ｑ ４のペースエミッタ闇電圧ＶＢＥ３
．ＶＢＥ４の和に等しいので、襖７式および＃Ｎ１８式
が成り立つ。
電荷、ｔｏは逆方向飽和電流を示す。第１および一＄２
）ランジスタＱｌ 、Ｑ２のペースエミッタ闇電圧ＶＢ
ＥＩ、ＶＢＥ２の相は、第３おｊｃＦ＠ａ ）ランジス
タＱ ３ ＊ Ｑ ４のペースエミッタ闇電圧ＶＢＥ３
．ＶＢＥ４の和に等しいので、襖７式および＃Ｎ１８式
が成り立つ。
１１ （ｉｌ＋ｉｌＯ）＝ｉ３（ｉ３＋１２０）・・・
１８１ここで電流源Ｚｌ、Ｚ２からの供給される電流値
ｉ１０，１２０を第９弐゛のとおりに定める。
１８１ここで電流源Ｚｌ、Ｚ２からの供給される電流値
ｉ１０，１２０を第９弐゛のとおりに定める。
１１０（ｉ２０ ・・・１割＠３図を参照
して、明るさとシャッタが開いている秒時との関係を説
明する。照度が大きいとき、すなわち １２（１（ｉｌ ・・・ＩＩＩＪである
とき、ｉｌＵ、ｉ２０は無視されることができ、したが
って第３トランジスタＱ３したかってコンデンサＣ１に
流れる電流ｉ３は、第８式に基づいて第１１式で示され
るようになる。
して、明るさとシャッタが開いている秒時との関係を説
明する。照度が大きいとき、すなわち １２（１（ｉｌ ・・・ＩＩＩＪである
とき、ｉｌＵ、ｉ２０は無視されることができ、したが
って第３トランジスタＱ３したかってコンデンサＣ１に
流れる電流ｉ３は、第８式に基づいて第１１式で示され
るようになる。
１３＝ｉｌ ・・・（１１）この照度が
大きｖｓ ＠ １ ＠域は、第３図では参照符Ａで示さ
れている。
大きｖｓ ＠ １ ＠域は、第３図では参照符Ａで示さ
れている。
照度が中程度の＠２頭領域では、
ｉｌＵ （ｉｌ （ｉ２０ ・・・す々、°、
ｉｆ ＋ １ｌＯ＝ ｉｌ −Ｌｌ：１゜ｉ３＋
ｉ２０キｉ２０ ・・・（１４１したがって第８式
に基づいて、 となる。
ｉｆ ＋ １ｌＯ＝ ｉｌ −Ｌｌ：１゜ｉ３＋
ｉ２０キｉ２０ ・・・（１４１したがって第８式
に基づいて、 となる。
照度が小さい第３領ｖｃＣでに、
１１ （ｉ２ ・・・ｕ〜、”、 ｉ
１ ＋ ｉ ２中ｉ２ ・・・０ηｉ３＋ｉ４中
ｉ４ ・・・（１８１したがって第８式に基づい
て、 となる。
１ ＋ ｉ ２中ｉ２ ・・・０ηｉ３＋ｉ４中
ｉ４ ・・・（１８１したがって第８式に基づい
て、 となる。
Ｔ値がｌ／２ であるＣｄＳを用いたとき、接続点１
から見たＣｄＳの等価的なＴ値は、領域ＡでＨｆ＝ｌ／
２ 、ｉｉＪ域ＢＣｎＴ＝１％鐵＠Ｃで／ｆｉＴ＝ｌ／
２ となり、それら（１’）＠域Ａ＃ＢＩＣ１Ｆ）境８
付近でｔｆｄ、ｇのとおりＫなる。
から見たＣｄＳの等価的なＴ値は、領域ＡでＨｆ＝ｌ／
２ 、ｉｉＪ域ＢＣｎＴ＝１％鐵＠Ｃで／ｆｉＴ＝ｌ／
２ となり、それら（１’）＠域Ａ＃ＢＩＣ１Ｆ）境８
付近でｔｆｄ、ｇのとおりＫなる。
量産されるＣｄＳのＴ値はばらつきが大きく、たとえば
０．４〜０．６５の範囲にある。Ｔ値か０．４程度のＣ
ｄＳを用いた場合４Ｃは、低速時にはやや露出不足とな
るけれども、このような場合は被写体も夕夜景のように
目が受ける印象もやや暗いものであるので、そのような
やや露出不足のほうが好ましいとも言える。これに対し
て、Ｔ値が０．６５程度である場合に°は、露出不足と
なり、暗く見えるべきものが明るく映り過ぎることにな
る。上述の実施例では、照度が小さい領＠ＣでＦｉＴ値
を等価的に小さくシ、これによって露出が過度になるこ
とを防ぐ。
０．４〜０．６５の範囲にある。Ｔ値か０．４程度のＣ
ｄＳを用いた場合４Ｃは、低速時にはやや露出不足とな
るけれども、このような場合は被写体も夕夜景のように
目が受ける印象もやや暗いものであるので、そのような
やや露出不足のほうが好ましいとも言える。これに対し
て、Ｔ値が０．６５程度である場合に°は、露出不足と
なり、暗く見えるべきものが明るく映り過ぎることにな
る。上述の実施例では、照度が小さい領＠ＣでＦｉＴ値
を等価的に小さくシ、これによって露出が過度になるこ
とを防ぐ。
第１電流源Ｚｌおよび１＠２電流源ｚ２から供給される
電流ｉ１Ｕ、ｉ２Ｇを支えることによって、領域Ａ、Ｂ
、Ｃの範囲を変化することができる。
電流ｉ１Ｕ、ｉ２Ｇを支えることによって、領域Ａ、Ｂ
、Ｃの範囲を変化することができる。
これによって量産されるＣｄＳのＴ愉Ｋｆ５じて適切な
露光量を得ることができる。！１および１ｇ２電流源Ｚ
ｌ、Ｚ２の電流値３ｔｏ、５ｚｏａ、それらの回路に含
まれている抵抗を調整することによって容易ＫＬ化する
ことができ、当業者によく知られる。
露光量を得ることができる。！１および１ｇ２電流源Ｚ
ｌ、Ｚ２の電流値３ｔｏ、５ｚｏａ、それらの回路に含
まれている抵抗を調整することによって容易ＫＬ化する
ことができ、当業者によく知られる。
艷３図では、露光のための好ましい特性は曲線ｅ、ｈで
示されている。したがって前述の実施例では、領域Ａ、
Ｂ、Ｃの境界付近で若干のずれが生じる。前述の実施例
の特性の漸近線に、参照符ｆｅＪで示される。
示されている。したがって前述の実施例では、領域Ａ、
Ｂ、Ｃの境界付近で若干のずれが生じる。前述の実施例
の特性の漸近線に、参照符ｆｅＪで示される。
第４図には、このようなずれを小さくするようｋした電
流源が示される。このより々第４図に示される電流源は
、前述の第２電流源２２に代替して…いちれるけれども
、さらに第１電流源Ｚｌとしても用いられ得る。この電
流源ハ、トランジスタＱＩＯ、Ｑｌｌ 、Ｑ１２．Ｑ１
３から成る差勧増暢器に基準電圧および入力電圧を与え
る回路が付加されて構成される。トランジスタＱ９のコ
レクタは、トランジスタＱ５のベースに接続され、トラ
ンジスタＱ９のコレクタはさらに第２図の第４トランジ
スタＱ４のコレクタに接続される。トランジスタＱ５の
コレクタ電流をｉ５とすると、ｉ４：ｉ５
・・・四 となる。この値が一定電流値ｉ Ｕ ＝ Ｅ／Ｒより小
さい状絢では、トランジスタＱ８のベースはトランジス
タＱ９のベースより電位が高く保たれて−るので、トラ
ンジスタＱ９から電流Ｉｒが流れ、この電流１ｒがトラ
ンジスタＱ５の電流１ｃを増加させ、 １５＝ｉ０ ・・・シ幻となるように
帰還がかかる。電流１０が光出力電流ｉ１に対して ｉｏ （ｉｌ ・・・（２）であれば、１
５は１０よね大きくなり、第４図示の回路はカットオツ
状愈となる。カットオツ状塾でトランジスタＱ５の飽和
を防止するために差動増幅器の入力側にダイオードＱ６
、Ｑ７が設けられている。したがって光出力電流１１
が一定電流値１０を越えた状駒でに、 ｉ ｉｎ ＝ １ｏｕＬ −ｊφ関ここでｉ
ｏｕｔは等価的なＣｄＳによる出力電流値である。
流源が示される。このより々第４図に示される電流源は
、前述の第２電流源２２に代替して…いちれるけれども
、さらに第１電流源Ｚｌとしても用いられ得る。この電
流源ハ、トランジスタＱＩＯ、Ｑｌｌ 、Ｑ１２．Ｑ１
３から成る差勧増暢器に基準電圧および入力電圧を与え
る回路が付加されて構成される。トランジスタＱ９のコ
レクタは、トランジスタＱ５のベースに接続され、トラ
ンジスタＱ９のコレクタはさらに第２図の第４トランジ
スタＱ４のコレクタに接続される。トランジスタＱ５の
コレクタ電流をｉ５とすると、ｉ４：ｉ５
・・・四 となる。この値が一定電流値ｉ Ｕ ＝ Ｅ／Ｒより小
さい状絢では、トランジスタＱ８のベースはトランジス
タＱ９のベースより電位が高く保たれて−るので、トラ
ンジスタＱ９から電流Ｉｒが流れ、この電流１ｒがトラ
ンジスタＱ５の電流１ｃを増加させ、 １５＝ｉ０ ・・・シ幻となるように
帰還がかかる。電流１０が光出力電流ｉ１に対して ｉｏ （ｉｌ ・・・（２）であれば、１
５は１０よね大きくなり、第４図示の回路はカットオツ
状愈となる。カットオツ状塾でトランジスタＱ５の飽和
を防止するために差動増幅器の入力側にダイオードＱ６
、Ｑ７が設けられている。したがって光出力電流１１
が一定電流値１０を越えた状駒でに、 ｉ ｉｎ ＝ １ｏｕＬ −ｊφ関ここでｉ
ｏｕｔは等価的なＣｄＳによる出力電流値である。
次に
ｉ１≦ｉｏ ・・・り慟
であれば、
ｉｌ −５ｏｕＬ ＠ｉ０ ・−Ｃｍとなり、こ
の特性−艷３図の破線で示した特性ｆに相当する。この
第４図に示された電気回路の特性は理想的な特性Ｃに比
べて＠２図の基本回路の特性ｄと反対側にずれた特性を
示している。第１電流＠Ｚｌとして第４図示の電流源を
用いれば、特性ｊが得られる。
の特性−艷３図の破線で示した特性ｆに相当する。この
第４図に示された電気回路の特性は理想的な特性Ｃに比
べて＠２図の基本回路の特性ｄと反対側にずれた特性を
示している。第１電流＠Ｚｌとして第４図示の電流源を
用いれば、特性ｊが得られる。
第５図は理想的な特性Ｃを得る＠２ｉｌ流源２２に代替
する回路構成を示す。第５図示の電流源は、第４図示の
制御回路［類似しているけれども、注目すべきは差動増
幅器の出力端とトランジスタＱ５との闇［１１Ｎ 述の
トランジスタＱ９に代ってトランジスタＱ１５およびＱ
１６が接続される。トランジスタＱ５のエミッタ面積は
、トランジスタＱ４のｎ倍に設計されている。ｎの好ま
しい値はたとえば２である。このような第５図示の電流
源を用いると、第３図の特性Ｃが得られる。第５図示の
電流源を第１電流源として用いる。と、特性りが得られ
る。
する回路構成を示す。第５図示の電流源は、第４図示の
制御回路［類似しているけれども、注目すべきは差動増
幅器の出力端とトランジスタＱ５との闇［１１Ｎ 述の
トランジスタＱ９に代ってトランジスタＱ１５およびＱ
１６が接続される。トランジスタＱ５のエミッタ面積は
、トランジスタＱ４のｎ倍に設計されている。ｎの好ま
しい値はたとえば２である。このような第５図示の電流
源を用いると、第３図の特性Ｃが得られる。第５図示の
電流源を第１電流源として用いる。と、特性りが得られ
る。
以上のように本発明によれば、ＣｄＳなどの光導電体の
特性のばらつきに応じて、第１および第 １２電流源
から供給される電流の値を変化させ、これによって適正
な露光量ｆ得ることができるようになる。
特性のばらつきに応じて、第１および第 １２電流源
から供給される電流の値を変化させ、これによって適正
な露光量ｆ得ることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
第１図はプログラムンヤツタの特性を示す図、１ｇ２図
は本発明の一実施例の電気回路図、第３図は第２図示の
実施例の特性を示すグラフ、＠４図は第１および＠２電
流源Ｚ１．２２に代替する電流源の電気回路図、４！ｓ
５図は第１および第２電流源Ｚｌ、２２に代替するさら
に他の電流源の１［蒐回路図である。 □ （ｌ・・・帳１トランジスタ、Ｑ２・・・第２トランジ
スタ％Ｑ ３１１．第３トランジスタ、Ｑ４・・・憔４
トランジスタ％ＣｄＳ・・・硫化力Ｆ二ｔＡ％Ｃ１・・
・コンデンサ、Ｚｌ・・・＠１電流源、Ｚ２・・・第２
電流源、ＳＷ・・・スイッチ、ＣＯＭ−・・ランパレー
タ、ＤＲ・・・シャッタ駆動回路 代理人 弁理士 西教圭一部 露先晴間Ｔ 第１図 第３図
は本発明の一実施例の電気回路図、第３図は第２図示の
実施例の特性を示すグラフ、＠４図は第１および＠２電
流源Ｚ１．２２に代替する電流源の電気回路図、４！ｓ
５図は第１および第２電流源Ｚｌ、２２に代替するさら
に他の電流源の１［蒐回路図である。 □ （ｌ・・・帳１トランジスタ、Ｑ２・・・第２トランジ
スタ％Ｑ ３１１．第３トランジスタ、Ｑ４・・・憔４
トランジスタ％ＣｄＳ・・・硫化力Ｆ二ｔＡ％Ｃ１・・
・コンデンサ、Ｚｌ・・・＠１電流源、Ｚ２・・・第２
電流源、ＳＷ・・・スイッチ、ＣＯＭ−・・ランパレー
タ、ＤＲ・・・シャッタ駆動回路 代理人 弁理士 西教圭一部 露先晴間Ｔ 第１図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光導電体と、 この導電体の光出力電流が与えちれかつベースがコレク
タに接続された第１トランジスタと、この＠ｌトフンジ
スタに直列に接続されかつベースがコレクタに接続され
た第２トランジスタと、この格２トランジスタに電流を
供給する舘ｌの電流源と、 第１トランジスタのコレクタにベースが接続された第３
トランジスタと、 この第３トランジスタに直列に接続されかつベースがコ
レクタに接続された第４のトフンジスタと１ 第４トランジスタに電流を供給する＠２の電流源と、 第３トランジスタに直列接続されたコンデンサと、 コンデンサの出力電圧が予め定めた値になったときシイ
ツタを閉じる回路と、 コンデンサを放電する回路とを含むことを特徴とする電
子制御シイツタ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17433481A JPS5875120A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 電子制御シヤツタ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17433481A JPS5875120A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 電子制御シヤツタ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5875120A true JPS5875120A (ja) | 1983-05-06 |
| JPH0123770B2 JPH0123770B2 (ja) | 1989-05-08 |
Family
ID=15976819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17433481A Granted JPS5875120A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 電子制御シヤツタ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5875120A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60108826A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-14 | Ricoh Co Ltd | 自動露出制御回路 |
-
1981
- 1981-10-29 JP JP17433481A patent/JPS5875120A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60108826A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-14 | Ricoh Co Ltd | 自動露出制御回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0123770B2 (ja) | 1989-05-08 |
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