JPS5871684A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS5871684A JPS5871684A JP16976281A JP16976281A JPS5871684A JP S5871684 A JPS5871684 A JP S5871684A JP 16976281 A JP16976281 A JP 16976281A JP 16976281 A JP16976281 A JP 16976281A JP S5871684 A JPS5871684 A JP S5871684A
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/164—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions comprising semiconductor material with a wider bandgap than the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は出力導波路を有する横モード制御型半導体レー
ザに関する。
ザに関する。
半導体レーザは他のレーザ系に比べて小型軽量で高効率
動作、長寿命、高速直接変調が可能となる利点を有し。
動作、長寿命、高速直接変調が可能となる利点を有し。
光伝送・光情報処理の実用システムの光源として用いら
れている。
れている。
半導体レーザを光情報処理分野の光源として用いる場合
その光出力を向上させることが望まれる。ＧａＡｌＡｓ
３元化合物を材料とする半導体レーザにおいては、レー
ザ出力の限界を決めるものはレーザ端面の光学損傷によ
る破壊であり、この光学損傷は表面再結合によるキャリ
アの不十分な反転分布に基づくレーザ端面付近の光吸収
が原因である。
その光出力を向上させることが望まれる。ＧａＡｌＡｓ
３元化合物を材料とする半導体レーザにおいては、レー
ザ出力の限界を決めるものはレーザ端面の光学損傷によ
る破壊であり、この光学損傷は表面再結合によるキャリ
アの不十分な反転分布に基づくレーザ端面付近の光吸収
が原因である。
従って、レーザの高出力化のためには、レーザ端面付近
でキャリアを注入せず、かつ、光吸収を低減することが
有効となり、これより、レーザ端面付近に活性層を含ま
ない出力専用の導波路を設けて活性層で発生したレーザ
光をこの出力導波路に結合させる構造が一つの有力な構
造となる。
でキャリアを注入せず、かつ、光吸収を低減することが
有効となり、これより、レーザ端面付近に活性層を含ま
ない出力専用の導波路を設けて活性層で発生したレーザ
光をこの出力導波路に結合させる構造が一つの有力な構
造となる。
以下に出力導波路を有するレーザで高出力化を図る場合
に必要となる条件を示す。第１に、高出力を得るために
は、上記の端面破壊を抑制することに加えて、微分量子
効率の向上および発振閾値の低減が必要と々る。
に必要となる条件を示す。第１に、高出力を得るために
は、上記の端面破壊を抑制することに加えて、微分量子
効率の向上および発振閾値の低減が必要と々る。
これは高出力時の動作電流を低減して電流注入に帰因す
る熱発生を緩和し、温度上昇による特性低下を抑制する
理由による。従って、上記必要条件を満足させるために
は、活性層で発生した光を効率良く出力導波路に結合さ
せるとともに発振閾値の低減が可能となるように活性層
内の光の閉じ込め係数を最適化することが重要となる。
る熱発生を緩和し、温度上昇による特性低下を抑制する
理由による。従って、上記必要条件を満足させるために
は、活性層で発生した光を効率良く出力導波路に結合さ
せるとともに発振閾値の低減が可能となるように活性層
内の光の閉じ込め係数を最適化することが重要となる。
第２に９発振横モードを安定化して電流−光出力特性に
おいて１キンク（ｋｉｎｋ）” （電流−光出力特性に
おける曲がり）などの微分量子効率の低下をもたらす要
因を除去することが必要である。従って、３次元的な光
導波機構を発光領域に作り込んで横モードを制御する必
要がある。
おいて１キンク（ｋｉｎｋ）” （電流−光出力特性に
おける曲がり）などの微分量子効率の低下をもたらす要
因を除去することが必要である。従って、３次元的な光
導波機構を発光領域に作り込んで横モードを制御する必
要がある。
ここで、従来の技術として、出力導波路を有し、且つ横
モード制御のための導波路機構を構造的に有するガリウ
ム・ヒ巣（ＧａＡｓ）−アルミニウム・ガリウム・ヒ素
。
モード制御のための導波路機構を構造的に有するガリウ
ム・ヒ巣（ＧａＡｓ）−アルミニウム・ガリウム・ヒ素
。
（ＡＩＧａＡｓ）系半導体レーザについて、その構造機
構等を簡単に説明する。第１図は、その概略的斜視図及
び主要な部分の概略断面図である。
構等を簡単に説明する。第１図は、その概略的斜視図及
び主要な部分の概略断面図である。
半導体基板１はｎ形ＧａＡｓ、光閉じ込め層２はｎ形Ａ
ｌＯ，３Ｇａ Ｏ，７Ａｓ層、光力イト及びキャリアを
閉じ込める層（以下光ガイド層と略記する）３はｎ形Ａ
Ｉ Ｏ，Ｉ Ｇａ ０．９Ａｓ層で活性層４はＧ ａ
Ａ Ｓ層、光及びキャリア閉じ込め層５はＰ形Ａ１０
．３０ａＯ，７Ａｓ層、埋め込み層６はｎ形ＡＩ０．３
０ａＯ，７Ａｓ層である。
ｌＯ，３Ｇａ Ｏ，７Ａｓ層、光力イト及びキャリアを
閉じ込める層（以下光ガイド層と略記する）３はｎ形Ａ
Ｉ Ｏ，Ｉ Ｇａ ０．９Ａｓ層で活性層４はＧ ａ
Ａ Ｓ層、光及びキャリア閉じ込め層５はＰ形Ａ１０
．３０ａＯ，７Ａｓ層、埋め込み層６はｎ形ＡＩ０．３
０ａＯ，７Ａｓ層である。
半導体基板ｌに設けられた溝７部分の光ガイド層３は。
半導体基板ｌの方に内方に弓形にされた光閉じ込め層２
に接し、中央部が凸で表面が平担な、即ち、平凸形状の
断面を有する。活性層４は平凸状ガイド領域の一部分の
みに有り、その周囲を埋め込み層６によって埋め込まれ
ている。（＃！１図（ｂ） Ｔ −Ｉ ’断面（Ｃ）Ｉ
−１’ 断ｉ１）［［ｉ＋８．９のｎ形電＠８を半導体
基板ＩＫ、又Ｐ形電極８をＰ形Ａｌ Ｏ，３Ｇａ ０．
７Ａｓ層５の表面にそれぞれ接触するように設けである
。
に接し、中央部が凸で表面が平担な、即ち、平凸形状の
断面を有する。活性層４は平凸状ガイド領域の一部分の
みに有り、その周囲を埋め込み層６によって埋め込まれ
ている。（＃！１図（ｂ） Ｔ −Ｉ ’断面（Ｃ）Ｉ
−１’ 断ｉ１）［［ｉ＋８．９のｎ形電＠８を半導体
基板ＩＫ、又Ｐ形電極８をＰ形Ａｌ Ｏ，３Ｇａ ０．
７Ａｓ層５の表面にそれぞれ接触するように設けである
。
動作は電極８に負、電極９に正を印加し、活性層４にキ
ャリアを注入し、再結合により発光を得る。活性層４に
注入されたキャリアは、縦方向に対して隣接する各半導
体３，５と、横方向には半導体層６のそれぞれによシ。
ャリアを注入し、再結合により発光を得る。活性層４に
注入されたキャリアは、縦方向に対して隣接する各半導
体３，５と、横方向には半導体層６のそれぞれによシ。
該活性層４内に完全に閉じ込められる。注入電流が閾値
を越えるとき、活性層４からレーザ光が生じる。この光
は光ガイド層３にしみ出し、屈折率の低い光閉じ込め層
２と光及びキャリアを閉じ込める層５によって導かれる
。
を越えるとき、活性層４からレーザ光が生じる。この光
は光ガイド層３にしみ出し、屈折率の低い光閉じ込め層
２と光及びキャリアを閉じ込める層５によって導かれる
。
光ガイド層３の中央部の厚さは、その外側とで異りてい
るので、光ガイド層３の横方向屈折率分布は中央部が外
側に比べて太き、くなる。即ち、光導波機構を発光領域
に作り込んだことになり、光の横方向閉じ込め作用によ
り安定した基本モード発振が得られる。
るので、光ガイド層３の横方向屈折率分布は中央部が外
側に比べて太き、くなる。即ち、光導波機構を発光領域
に作り込んだことになり、光の横方向閉じ込め作用によ
り安定した基本モード発振が得られる。
の光ガイド層３へ結合される。この領域の光ガイド層は
。
。
縦、横方向とも屈折率変化の光導波機構を有するため。
レーザ光は、その基本モードを変形することなく伝播力
；可能である。
；可能である。
しかしながら、この半導体レーザには以下のような問題
点がある。すなわち、高出力化のためには、微分量子効
率の向上および発振しきい値の低減が必要であり、活性
層の光を効率良く出力領域に結合させることおよび活性
層内の光の閉じ込め係数を最適化することが必要である
ことは前に述べたとうりであるが、この半導体レーザで
は光の結合効率を向上させるためには光力イト１１１Ｉ
３へのしみ出し効果を太きくする必要がある。このため
活性層４内の光の閉じ込め係数が小さくなるため発振−
値が上昇する。一方、活性層４内の光の閉じ込め係数を
最適値に近づけると結合効率が低下するため９発振閾値
の上昇および微分量子効率の減少が生じる。このように
、従来のレーザでは９発振しきい値の低減および微分量
子効率の向上の両方を同時に満足することが難しいとい
う問題点がある。
点がある。すなわち、高出力化のためには、微分量子効
率の向上および発振しきい値の低減が必要であり、活性
層の光を効率良く出力領域に結合させることおよび活性
層内の光の閉じ込め係数を最適化することが必要である
ことは前に述べたとうりであるが、この半導体レーザで
は光の結合効率を向上させるためには光力イト１１１Ｉ
３へのしみ出し効果を太きくする必要がある。このため
活性層４内の光の閉じ込め係数が小さくなるため発振−
値が上昇する。一方、活性層４内の光の閉じ込め係数を
最適値に近づけると結合効率が低下するため９発振閾値
の上昇および微分量子効率の減少が生じる。このように
、従来のレーザでは９発振しきい値の低減および微分量
子効率の向上の両方を同時に満足することが難しいとい
う問題点がある。
本発明の目的は従来の半導体レーザが有している欠点を
除去し１発振閾値電流が低く、且つ微分量子効率の高い
半導体レーザの構造を提供するにある。
除去し１発振閾値電流が低く、且つ微分量子効率の高い
半導体レーザの構造を提供するにある。
本発明は、活性層とその両側に該活性層より屈折率が小
キく９禁制帯幅が大きい光ガイド及びキャリア閉じ込め
層（以下光ガイド層と略記）と、前記ガイド層の両側に
前記光ガイド層より屈折率が小さく、前記活性層より禁
制帯幅が大きいクラツド層とを有する半導体層を設け。
キく９禁制帯幅が大きい光ガイド及びキャリア閉じ込め
層（以下光ガイド層と略記）と、前記ガイド層の両側に
前記光ガイド層より屈折率が小さく、前記活性層より禁
制帯幅が大きいクラツド層とを有する半導体層を設け。
前記光ガイド層の少なくとも一方は光導波方向と直交す
る断面で中心部の膜厚が最も厚く、中心部から離れるほ
ど薄くなる形状を有し、前記半導体層の光導波方向に平
行する断面では、前記活性層が両端になく且つ両端部で
の前記光力イト層の膜厚が中央部と同じか或いは異なる
ものである。本発明の大きな特徴は、活性層を両側から
光ガイド層で挾み込んだところにある。
る断面で中心部の膜厚が最も厚く、中心部から離れるほ
ど薄くなる形状を有し、前記半導体層の光導波方向に平
行する断面では、前記活性層が両端になく且つ両端部で
の前記光力イト層の膜厚が中央部と同じか或いは異なる
ものである。本発明の大きな特徴は、活性層を両側から
光ガイド層で挾み込んだところにある。
本発明の一実施例を用いて本発明の基本原理を説明する
ことにする。第２図は本発明を（）ａＡｓ −Ａ Ｉ
Ｇａ Ａｓ系子牛導体実施した場合の半導体レーザで、
その概略的斜視図及び主要部分の概略断面図を示すもの
である。
ことにする。第２図は本発明を（）ａＡｓ −Ａ Ｉ
Ｇａ Ａｓ系子牛導体実施した場合の半導体レーザで、
その概略的斜視図及び主要部分の概略断面図を示すもの
である。
半導体基板１０はｎ形ＧａＡｓ、 ｎ形光及びキャリア
閉じ込め鳩１１はｎ形Ａ１０．４６５Ｇａ０．５３５Ａ
ｓ層、ｎ形光ガイド層１２はｎ形Ａ１０．２６５ＧａＯ
，７３５Ａｓ・層、活性層１３はＡＩｏ、１６５ＧａＯ
，８３５Ａｓ層、Ｐ形光ガイド層１４はＰ形Ａ１０．２
６５ＧａＯ１７３５Ａｓ層、Ｐ形光及キャ！Ｊ ７閉シ
込メＩ’１４１５はＰ形Ａ１０．４１５ＧａＯ，５３５
Ａｓ層である。
閉じ込め鳩１１はｎ形Ａ１０．４６５Ｇａ０．５３５Ａ
ｓ層、ｎ形光ガイド層１２はｎ形Ａ１０．２６５ＧａＯ
，７３５Ａｓ・層、活性層１３はＡＩｏ、１６５ＧａＯ
，８３５Ａｓ層、Ｐ形光ガイド層１４はＰ形Ａ１０．２
６５ＧａＯ１７３５Ａｓ層、Ｐ形光及キャ！Ｊ ７閉シ
込メＩ’１４１５はＰ形Ａ１０．４１５ＧａＯ，５３５
Ａｓ層である。
ｎ形光カイト層１２は、半導体基板１ｏの方に内方に弓
形にされたｎ形光及びキャリア閉じ込め層１１に接し。
形にされたｎ形光及びキャリア閉じ込め層１１に接し。
光導波方向に直交する断面は、中心部で膜厚が厚く１両
端部へいくに従って薄くな枦井膚で枯嵜挿毎る形状を有
し、活性層１３はｎ形光カイト層１２の一部のみに有り
。
端部へいくに従って薄くな枦井膚で枯嵜挿毎る形状を有
し、活性層１３はｎ形光カイト層１２の一部のみに有り
。
電極１６．１７のｎ形電極１６は半導体基板１０に又Ｐ
形電極はＰ形光及びキャリア閉じ込め層１５上の活性層
が設けられた領域に半導体チップを横切るようにそれぞ
れ設ける。
形電極はＰ形光及びキャリア閉じ込め層１５上の活性層
が設けられた領域に半導体チップを横切るようにそれぞ
れ設ける。
無形的な各層厚は中央部でそれぞれｎ形光及びキャリア
閉じ込め層１１が０．７μｍ、ｎ形光ガイド層１２が。
閉じ込め層１１が０．７μｍ、ｎ形光ガイド層１２が。
Ｑ、２μｍ、活性層１３が０．１μｍ、Ｐ形光カイト層
１４が０．２μｍである。
１４が０．２μｍである。
動作は電極１６に負、電極１７に正を印加し、活性層１
３にキャリアを注入し、再結合により発光を得る。活性
層１３に注入されたキャリアは縦方向に対して、半導体
１１，１２，１４．１５によって閉じ込められる。注入
電流によって損失に利得が打ち勝った時、活性層１３が
らレーザ光がヰじる。この光はｎ形光ガイド層１２とＰ
形光カイト層１４の両方にしみ出し、屈折率の低い光及
びキャリア閉じ込め層１１．１５によって導かれる。レ
ーザ光は活性層１３および光ガイド層１２．１４内を伝
播し、活性層１３のない出力領域（第２図Ｃ１−ＩＴ’
断面の幅Ｘ′に当たる領域）の光ガイド層１２．１４へ
結合される光ガイド層は全領域で中央部での厚さが、そ
の外側に比べて厚くなっているので、光ガイド層の横方
向屈折率分布は中央部が外側に比べて大きくなる。即ち
光の横方向閉じ込め作用が働く。従って、光ガイド層は
、縦、横方向とも屈折率変化の光機構を有するため９発
振モードが制御されている。
３にキャリアを注入し、再結合により発光を得る。活性
層１３に注入されたキャリアは縦方向に対して、半導体
１１，１２，１４．１５によって閉じ込められる。注入
電流によって損失に利得が打ち勝った時、活性層１３が
らレーザ光がヰじる。この光はｎ形光ガイド層１２とＰ
形光カイト層１４の両方にしみ出し、屈折率の低い光及
びキャリア閉じ込め層１１．１５によって導かれる。レ
ーザ光は活性層１３および光ガイド層１２．１４内を伝
播し、活性層１３のない出力領域（第２図Ｃ１−ＩＴ’
断面の幅Ｘ′に当たる領域）の光ガイド層１２．１４へ
結合される光ガイド層は全領域で中央部での厚さが、そ
の外側に比べて厚くなっているので、光ガイド層の横方
向屈折率分布は中央部が外側に比べて大きくなる。即ち
光の横方向閉じ込め作用が働く。従って、光ガイド層は
、縦、横方向とも屈折率変化の光機構を有するため９発
振モードが制御されている。
本発明の特徴は９本実施例の中のＰ形光カイト層１４を
設けたことにある。活性層１３から発生した光の光ガイ
ド層へのしみ出しが、従来、ｎ形光ガイド層１２のみで
あったのに対し１本発明では活性層１３の両輪に光ガイ
ド層１２．１４を配置することにより、Ｐ形光カイト層
１４へのしみ出し効果も加わるので出力領域への結合効
率を大きくでき且つ活性層４での光の閉じ込め係数を最
適値に近づけることができる。即ち９ｇｔ分蓋子効率が
向上し且つ発振閾値電流が下がる。
設けたことにある。活性層１３から発生した光の光ガイ
ド層へのしみ出しが、従来、ｎ形光ガイド層１２のみで
あったのに対し１本発明では活性層１３の両輪に光ガイ
ド層１２．１４を配置することにより、Ｐ形光カイト層
１４へのしみ出し効果も加わるので出力領域への結合効
率を大きくでき且つ活性層４での光の閉じ込め係数を最
適値に近づけることができる。即ち９ｇｔ分蓋子効率が
向上し且つ発振閾値電流が下がる。
また、別な面での特徴は、出力領域でのｎ形光ガイド層
１２とＰ形光カイト層１４の膜厚の和を所望の膜厚に調
整することによシ、光放射角を自由に選択できるという
利点がある。この場合、活性層１３を含む領域と含まな
い領域とで光ガイド層１２および１４の膜厚の和が異な
るため光の結合効率が低下することが考えられるが。
１２とＰ形光カイト層１４の膜厚の和を所望の膜厚に調
整することによシ、光放射角を自由に選択できるという
利点がある。この場合、活性層１３を含む領域と含まな
い領域とで光ガイド層１２および１４の膜厚の和が異な
るため光の結合効率が低下することが考えられるが。
これは両領域間の接続部付近で光ガイド層におよび１４
の膜厚を徐去に変えテーパー状にすることにより結合効
率の向上が可能となる。
の膜厚を徐去に変えテーパー状にすることにより結合効
率の向上が可能となる。
本実施例によれば２発振モードが制御され１発振閾値電
流が低く、微分量子効率も高く高出力も可能となる。
流が低く、微分量子効率も高く高出力も可能となる。
本発明によれば、従来の出力導波路を有する半導体レー
ザに比べて発振閾値電流が低く、且つ微分量子効率が婉
い半導体レーザが得られる。
ザに比べて発振閾値電流が低く、且つ微分量子効率が婉
い半導体レーザが得られる。
同、従来例及び実施例でＧａＡｓ−ＡｌＧａＡｓ系半導
体を用いて説明しているが９本発明はＧａＡｓ−Ａｌ
ＧａＡｓ系半導体に限定するものではない。
体を用いて説明しているが９本発明はＧａＡｓ−Ａｌ
ＧａＡｓ系半導体に限定するものではない。
第１図は、従来における半導体レーザの概略的斜視図及
び主要な部分の概略断面図、第２図は本実施例における
半導体レーザの概略的斜視図及び主要な部分の概略断面
図である。 ２ 光閉じ込め層 ３．１２． ｌ ４光ガイド
層４．１３活性層 ５．１１．１５ 光及び
キャリア閉じ込め層 ６ 埋め込み層 特許庁長官殿 １．４Ｇ （ｉの表示 昭和５６年特許和第１６９１６２号 ２．５と明の名称 半導体発光装置 ３、補１１：、をする者 ル件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区十小田中１０１５番地（５
２２）名称富士通株式会社 ４、代 理 人 住所 神奈川県用崎市中
原区り小円中１０１５番地（Ｃ）６
び主要な部分の概略断面図、第２図は本実施例における
半導体レーザの概略的斜視図及び主要な部分の概略断面
図である。 ２ 光閉じ込め層 ３．１２． ｌ ４光ガイド
層４．１３活性層 ５．１１．１５ 光及び
キャリア閉じ込め層 ６ 埋め込み層 特許庁長官殿 １．４Ｇ （ｉの表示 昭和５６年特許和第１６９１６２号 ２．５と明の名称 半導体発光装置 ３、補１１：、をする者 ル件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区十小田中１０１５番地（５
２２）名称富士通株式会社 ４、代 理 人 住所 神奈川県用崎市中
原区り小円中１０１５番地（Ｃ）６
Claims (1)
- 活性層とその両側に該活性層より屈折率が小さく、禁制
帯幅が大きい光ガイド及びキャリア閉じ込め層（以下光
ガイド層と略記）と、更に、前記ガイド層の両側に前記
光ガイド層よシ屈折率が小さく、前記活性層よシ禁制帯
幅が大きいクラッド層とを有する半導体層を設け、前記
光ガイド層の少なくとも一方は光導波方向と直交する断
面で中心部の膜厚が最も厚く、中心部から離れるほど薄
くなる形状を有し、前記半導体層の光導波方向に平行す
る断面では、前記活性層が両端になく、且つ両端部での
前記光ガイド層の膜厚が中央部と同じか或いは異なるこ
とを４！徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16976281A JPS5871684A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16976281A JPS5871684A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5871684A true JPS5871684A (ja) | 1983-04-28 |
Family
ID=15892374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16976281A Pending JPS5871684A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5871684A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5336189A (en) * | 1976-09-16 | 1978-04-04 | Nec Corp | Semiconductor junction laser |
| JPS5635484A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-08 | Nec Corp | Semiconductor laser |
-
1981
- 1981-10-23 JP JP16976281A patent/JPS5871684A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5336189A (en) * | 1976-09-16 | 1978-04-04 | Nec Corp | Semiconductor junction laser |
| JPS5635484A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-08 | Nec Corp | Semiconductor laser |
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