JPS5871370A - ロ−ルフイルムの金属蒸着自動制御装置 - Google Patents
ロ−ルフイルムの金属蒸着自動制御装置Info
- Publication number
- JPS5871370A JPS5871370A JP16943581A JP16943581A JPS5871370A JP S5871370 A JPS5871370 A JP S5871370A JP 16943581 A JP16943581 A JP 16943581A JP 16943581 A JP16943581 A JP 16943581A JP S5871370 A JPS5871370 A JP S5871370A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- voltage
- amplifier
- vapor deposition
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
高周波誘導炉に投入されて溶融された金属蒸気を真空中
で薄いフィルムに蒸着させる真空蒸着装置において誘導
炉に高周波出力を供給する手段として一般に高周波発電
機が用いられている。
で薄いフィルムに蒸着させる真空蒸着装置において誘導
炉に高周波出力を供給する手段として一般に高周波発電
機が用いられている。
従来この種の真空蒸着装置においては第１図に示すよう
に、高周波発電機１によって発生される高周波出力は高
周波誘導炉３のコイル４に供給され炉内に置かれた図示
しない金属を加熱溶融して蒸気とする。一方、誘導炉３
の蒸気噴出孔である開口部２には送り出しロール５から
送出され１巻取ロール乙に巻き取られる薄いフィルム７
が一定速度で通過している。この際誘導炉３で加熱溶融
された金属蒸“気は真空中でフィルム７に蒸着定着され
る。
に、高周波発電機１によって発生される高周波出力は高
周波誘導炉３のコイル４に供給され炉内に置かれた図示
しない金属を加熱溶融して蒸気とする。一方、誘導炉３
の蒸気噴出孔である開口部２には送り出しロール５から
送出され１巻取ロール乙に巻き取られる薄いフィルム７
が一定速度で通過している。この際誘導炉３で加熱溶融
された金属蒸“気は真空中でフィルム７に蒸着定着され
る。
従来この種の真空蒸着装置はフィルム７の蒸着量を均一
にするため、誘導炉３の温度を一定とすると共にフィル
ム７が誘導炉３の開孔部２の面上を通過するときの送り
速度も均一とするｌ要がある。従って温度及び送り速度
の監視を必要としだ。したがって蒸着膜の厚さを変える
場合には誘導炉の温度と共にフィルム７゛の送り速度を
手動操作によって微細に調整する必要を生じ９作業能率
を低下し、且つ品質の均一を保つことが容易でなかった
。
にするため、誘導炉３の温度を一定とすると共にフィル
ム７が誘導炉３の開孔部２の面上を通過するときの送り
速度も均一とするｌ要がある。従って温度及び送り速度
の監視を必要としだ。したがって蒸着膜の厚さを変える
場合には誘導炉の温度と共にフィルム７゛の送り速度を
手動操作によって微細に調整する必要を生じ９作業能率
を低下し、且つ品質の均一を保つことが容易でなかった
。
本発明は従来のかかる欠点を除去しフィルムへの蒸着量
の変更、並びにフィルムの送り速度の変化に対して誘導
炉６の加熱電力を供給する高周波発電機の界磁電流を自
動的に定状化させ。
の変更、並びにフィルムの送り速度の変化に対して誘導
炉６の加熱電力を供給する高周波発電機の界磁電流を自
動的に定状化させ。
誘導炉の温度」―昇を自動追従させて所定の膜厚のフィ
ルムを得ると共に能率の向上と製品の均一化を計ること
を目的とする。
ルムを得ると共に能率の向上と製品の均一化を計ること
を目的とする。
次に本発明の１実施例を第１図について説明高周波発電
機１は５００Ｈｚ乃至１０ＫＨｚの適当な出力であれば
よく、その出力によって高周波誘導炉３内の金属に渦電
流を生ぜしめ、該金属を高温に加熱して蒸気化しフィル
ム７への蒸着を行う。蒸着量を変えるには蒸着量設定器
８によって行ない、かくて設定器れる電圧が検出増幅器
９の１つの入力端子に入力される。また該検出増幅器９
のもう１つの入力端子には誘導炉６の膜厚測定用センサ
ー１０の出力が時定数変換部１１ヲ経て入力される。検
出増幅器９の出力は高周波発電機の出力電圧設定器１３
の設定電圧と共に設定増幅器１２に入力される。設定増
幅器１２は検出増幅器９の出力Ｖ２と出力電圧設定器１
３の設定電圧Ｖ、の差ｖ、ヲ出力し、この出力ｖ４は自
動電圧調整用の主増幅器１４に入力される。一方、高周
波発電機１の高周波出力電圧を検出する高周波出力電圧
検出器１５の出力電圧Ｖ、が前記主増幅器１４に入力さ
れ、前記Ｖ。
機１は５００Ｈｚ乃至１０ＫＨｚの適当な出力であれば
よく、その出力によって高周波誘導炉３内の金属に渦電
流を生ぜしめ、該金属を高温に加熱して蒸気化しフィル
ム７への蒸着を行う。蒸着量を変えるには蒸着量設定器
８によって行ない、かくて設定器れる電圧が検出増幅器
９の１つの入力端子に入力される。また該検出増幅器９
のもう１つの入力端子には誘導炉６の膜厚測定用センサ
ー１０の出力が時定数変換部１１ヲ経て入力される。検
出増幅器９の出力は高周波発電機の出力電圧設定器１３
の設定電圧と共に設定増幅器１２に入力される。設定増
幅器１２は検出増幅器９の出力Ｖ２と出力電圧設定器１
３の設定電圧Ｖ、の差ｖ、ヲ出力し、この出力ｖ４は自
動電圧調整用の主増幅器１４に入力される。一方、高周
波発電機１の高周波出力電圧を検出する高周波出力電圧
検出器１５の出力電圧Ｖ、が前記主増幅器１４に入力さ
れ、前記Ｖ。
とＶ、の差が増幅されて界磁電流を増加又は減少せしめ
、それによって発電機の出力電圧は上昇又は低下し＋
ｖ４とＶＢの差がほとんど零になったところで安定する
。また主増幅器１４の出力は高周波発電機１の界磁線輪
１６の電流を制御するためのトランジスタ、サイリスタ
の如き半導体素子１７のベースに接続されている。
、それによって発電機の出力電圧は上昇又は低下し＋
ｖ４とＶＢの差がほとんど零になったところで安定する
。また主増幅器１４の出力は高周波発電機１の界磁線輪
１６の電流を制御するためのトランジスタ、サイリスタ
の如き半導体素子１７のベースに接続されている。
次に上述した本発明の動作につりで説明する。
各入出力部分の電圧値に示すように、まず出力電圧設定
器１３の電圧Ｖ、によって高周波発電機１の出力電圧が
設定され、高周波誘導炉３の温度が規定された値に保た
れているものとする。
器１３の電圧Ｖ、によって高周波発電機１の出力電圧が
設定され、高周波誘導炉３の温度が規定された値に保た
れているものとする。
いまフィルム７の蒸着量を増した膜厚フィルムを得よう
とするために温度を上げる例について述べる。
とするために温度を上げる例について述べる。
いまフィルム蒸着量設定器８の電圧Ｖ。全増加器１２の
１つの入力となシ、既に設定されている電圧設定器１６
からの入力電圧ｖ３と共に前記設定増幅器１２に入力さ
れる。電圧設定増幅器１２はこの２人力の差を出力し、
出力電圧はｖ２−ｖ３に相当する電圧ｖ４となる。この
とき電圧Ｖ４ｉ １つの入力とする主増幅器１４の出力
は増加し、高周波発電機１の界磁線輪１６に接続されて
いるトランジスタ１７のベースを制御して界磁電流に変
化を与える。すなわち蒸着量設定器８の電圧Ｖ。全増加
させると界磁電流も増加し、この界磁電流の増加は高周
波出力電圧を上昇させる。ここで高周波発電機１の出力
は高周波変圧器によって構成された高周波出力電圧検出
器１５によってピックアップされ、その検出電圧Ｖ、は
主増幅器１４の入力に加えられ先に入力された電圧ｖ４
と比較され、ｖ４の値にＶ、の値がほぼ等しくなったと
き界磁電流の増加は止まり高周波発電機の出力電圧はほ
ぼ一定となる。
１つの入力となシ、既に設定されている電圧設定器１６
からの入力電圧ｖ３と共に前記設定増幅器１２に入力さ
れる。電圧設定増幅器１２はこの２人力の差を出力し、
出力電圧はｖ２−ｖ３に相当する電圧ｖ４となる。この
とき電圧Ｖ４ｉ １つの入力とする主増幅器１４の出力
は増加し、高周波発電機１の界磁線輪１６に接続されて
いるトランジスタ１７のベースを制御して界磁電流に変
化を与える。すなわち蒸着量設定器８の電圧Ｖ。全増加
させると界磁電流も増加し、この界磁電流の増加は高周
波出力電圧を上昇させる。ここで高周波発電機１の出力
は高周波変圧器によって構成された高周波出力電圧検出
器１５によってピックアップされ、その検出電圧Ｖ、は
主増幅器１４の入力に加えられ先に入力された電圧ｖ４
と比較され、ｖ４の値にＶ、の値がほぼ等しくなったと
き界磁電流の増加は止まり高周波発電機の出力電圧はほ
ぼ一定となる。
即ち、蒸着量設定器８の設定を上げると発電機１の出力
電圧が上昇し、出力電流が増加し。
電圧が上昇し、出力電流が増加し。
誘導炉３の温度が上昇し、金属蒸気が増加し。
フィルムへの蒸着量が多くなり、蒸着膜厚が厚くなる。
この膜厚値を膜厚センサー１０で検出し。
時定数変換部１１ヲ経て電圧値ｖ１として検出増幅器９
に入力させる。この自動制御回路は膜厚値ｖ１が設定蒸
着量Ｖ。とほぼ等しくなったところで平衡安定する。
に入力させる。この自動制御回路は膜厚値ｖ１が設定蒸
着量Ｖ。とほぼ等しくなったところで平衡安定する。
時定数変換部１１ば、何らかの理由そフィルム７の速度
が変ったときに、蒸着膜厚を一定に保つのに有効に作用
する。時定数変換部１１は比例積分増幅器の一種で、入
力の変化に対して出力はある時間をかけて徐々に変化す
るものである。
が変ったときに、蒸着膜厚を一定に保つのに有効に作用
する。時定数変換部１１は比例積分増幅器の一種で、入
力の変化に対して出力はある時間をかけて徐々に変化す
るものである。
いま、フィルム速度が上昇した場合を例にとって説明す
ると、この場合には蒸気量が一定であるからフィルム蒸
着量が減り、膜厚が薄くなる。
ると、この場合には蒸気量が一定であるからフィルム蒸
着量が減り、膜厚が薄くなる。
そこで膜厚センサーの検出値は薄くなった分だけ減少し
て時定数変換部１１に入力するが、その出力ｖ１は徐々
に減少し、従って検出増幅器９１の出力ｖ２も徐々に増
大し、それによって発電機出力電圧、出力電流を徐々に
増加せしめる。発電機出力電圧、電流を徐々に増加する
と９発電機電圧と誘導炉温度、すなわち蒸気量、蒸着量
。
て時定数変換部１１に入力するが、その出力ｖ１は徐々
に減少し、従って検出増幅器９１の出力ｖ２も徐々に増
大し、それによって発電機出力電圧、出力電流を徐々に
増加せしめる。発電機出力電圧、電流を徐々に増加する
と９発電機電圧と誘導炉温度、すなわち蒸気量、蒸着量
。
膜厚との時間おくれがなくなるので、オーバーシュート
して膜厚が設定値を越えることはない。
して膜厚が設定値を越えることはない。
もし時定数変換部１１がないとすると１発電機電圧が急
激に変化するので１発電機電圧と誘導炉温度、蒸気量、
蒸着量、膜厚との間に時間おくれが現われ、設定値に対
して膜厚がオーバーシュートすることになる。
激に変化するので１発電機電圧と誘導炉温度、蒸気量、
蒸着量、膜厚との間に時間おくれが現われ、設定値に対
して膜厚がオーバーシュートすることになる。
以上述べたように９本発明は第１のループとして出力電
圧設定器と出力電圧検出器による発電機の自動電圧調整
回路を有し、第２のループとして金属蒸着量設定器と蒸
着膜厚センサーによる自動膜厚調整回路を有し、自動膜
厚調整回路の出力は自動電圧調整回路の出力電圧設定を
補正する形になっている。そして９時定数変換回路を設
け、自動膜厚調整回路の出力を徐々に増減することによ
り、膜厚調整におけるオーバーシュートを防止している
。従って本装置により安定で精度の高い金属蒸着自動制
御が可能と残った。
圧設定器と出力電圧検出器による発電機の自動電圧調整
回路を有し、第２のループとして金属蒸着量設定器と蒸
着膜厚センサーによる自動膜厚調整回路を有し、自動膜
厚調整回路の出力は自動電圧調整回路の出力電圧設定を
補正する形になっている。そして９時定数変換回路を設
け、自動膜厚調整回路の出力を徐々に増減することによ
り、膜厚調整におけるオーバーシュートを防止している
。従って本装置により安定で精度の高い金属蒸着自動制
御が可能と残った。
以下余白
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、高周波発電機とその出力によって加熱される誘導炉
によって該誘導炉の開孔に近接して移動するロールフィ
ルムに前記誘導炉内に投入された金属を溶融して蒸着せ
しめる真空蒸着装置において、前記高周波発電機の出力
検出器の検出値と出力電圧設定、器の設定値を比較増幅
する主増幅器とからなる第１のループと、前記ロールフ
ィルムの蒸着膜厚を検出する膜厚センサーと。 その出力を入力する時定数変換部と、前記フィルムの蒸
着量を設定する蒸着量設定器と、前記時定数変換部出力
と蒸着量設定器の設定値とを比較増幅する検出増幅器と
、その検出増幅器の出力と前記出力電圧設定器の設定値
とを比較増幅する電圧設定増幅器によって構成された第
２のループと、前記主増幅器の出力により前記高周波発
電機の界磁線輪電流が制御される界磁線輪回路により前
記第１ループ第２ループを完了することを特徴とするロ
ールフィルムの金属蒸着自動制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16943581A JPS5871370A (ja) | 1981-10-24 | 1981-10-24 | ロ−ルフイルムの金属蒸着自動制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16943581A JPS5871370A (ja) | 1981-10-24 | 1981-10-24 | ロ−ルフイルムの金属蒸着自動制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5871370A true JPS5871370A (ja) | 1983-04-28 |
Family
ID=15886542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16943581A Pending JPS5871370A (ja) | 1981-10-24 | 1981-10-24 | ロ−ルフイルムの金属蒸着自動制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5871370A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059064A (ja) * | 1983-08-20 | 1985-04-05 | ライボルト・アクチエンゲゼルシャフト | 基材上に真空蒸着法で薄層を製造する際に蒸発装置の局部的蒸発パワーを制御するための方法及び装置 |
| EP0166960A2 (en) * | 1984-05-28 | 1986-01-08 | Nisshin Steel Co., Ltd. | Method of rapidly changing deposition amount in a continuous vacuum deposition process |
-
1981
- 1981-10-24 JP JP16943581A patent/JPS5871370A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059064A (ja) * | 1983-08-20 | 1985-04-05 | ライボルト・アクチエンゲゼルシャフト | 基材上に真空蒸着法で薄層を製造する際に蒸発装置の局部的蒸発パワーを制御するための方法及び装置 |
| EP0166960A2 (en) * | 1984-05-28 | 1986-01-08 | Nisshin Steel Co., Ltd. | Method of rapidly changing deposition amount in a continuous vacuum deposition process |
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