JPS5869234A - 有機半導体及びその製造方法 - Google Patents
有機半導体及びその製造方法Info
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- JPS5869234A JPS5869234A JP56169086A JP16908681A JPS5869234A JP S5869234 A JPS5869234 A JP S5869234A JP 56169086 A JP56169086 A JP 56169086A JP 16908681 A JP16908681 A JP 16908681A JP S5869234 A JPS5869234 A JP S5869234A
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- Japan
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- density
- semiconductor
- heat
- resin
- organic semiconductor
- Prior art date
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- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明線、耐熱性、耐酸化性、機械的強度等に優れた有
機半導体及びその製造方法ＫＩＪ１１する。
機半導体及びその製造方法ＫＩＪ１１する。
有機半導体は古くから研究され、アントラセン、ピレン
、ペリレン、ナト２シアノキノジメタン又はポリアクリ
ロニトリルの熱処理゛物寺々、多くの物質が知られてい
る。ところがこれら有機半導体紘シリコン、ゲルマニウ
ム等の無機半導体のように板状、フィルム状等に成形す
ることが困難であり、多くの有機半纏体は粉末状である
・又これらの有機半纏体に対してはシリコン、ゲルマニ
ウムの様に電子供与性あるいは電子受容性物質をドーピ
ングすることによりｐＨ６るいはｎｆｉ半導体とする技
前が確立されていないため用途が阪られている０ところ
が近年ポリアセチレンの様に比板的谷易にフィルム状に
成形され、しかも電子供与性めるいｔま電子受容性物質
をドーピングすることによってｐＪＪｉｓ ｎ−の不純
物半導体となり得る有機半導体が見出され、これらのｐ
−ｎ接合をオリ用して大圓積の太ｌＩＩ電池奏（応用＄
研究がなされている。しかしこれらのポリアセチレン、
らるいはこの系列の物質は空気中の酸素と反応性が高い
丸め安定性にとぼしく、又１ｔＭ性が患い丸め現実に使
用するには多くの困−がある＠更にポリアセチレンフィ
ルムは電子顕微鏡写真からもわかる様に非常に細いフィ
ブリルの集合体であり、その・丸めに嵩密度はかなり小
さい。このためドーパントをドーピングした場合、瞬時
にフィルムの全体にわ九ってドーピングされてしまい、
シリコン、ゲルマ二りムの様に表側はＰ１１％裏側はｎ
ｆｆ１というようにひとつの試料の内部にＰ−ｎ綴金を
作る事が嫌しい。即ちドーパントの拡散速度が非常に大
急いため拡散律速によりて試料内部に接合を作ることが
他めて困−である。又古くから高分子重合体を熱処理す
る事によって半導体を作如僧る事が知られているが、−
紋にこれらの熱九塩物はもとの為分子重合体が熱兜履時
に溶融し九伽、軟化する丸め形状を保つ事が出来ない欠
点かあるのみならず溶融、軟化時にで紋にメリフェーズ
とよはれる状ｊｌＫなｐ、試臀Ｏ内部に億々の形の結晶
が生じてくる。このため試料は均一でなく、結晶部分と
非結晶部分の混合した搏 状態となる丸め、均質な材料ヒ紘ない。このためドーピ
ングによる不純物制御が困離でＴｏ９間Ｉｌテある。又
ポリアクリロニトリルの様に一度予備的に酸化させ、軟
化し−くし友後に熱処理し、比較的均質な半導体ｉＥ得
られることが知られているが、この場合でもポリアクリ
ロニトリルが本質的には易黒鉛化物質であることからし
て完全に結＃１部分と非結晶部分の混合Δ６をさける事
が出来ない。
、ペリレン、ナト２シアノキノジメタン又はポリアクリ
ロニトリルの熱処理゛物寺々、多くの物質が知られてい
る。ところがこれら有機半導体紘シリコン、ゲルマニウ
ム等の無機半導体のように板状、フィルム状等に成形す
ることが困難であり、多くの有機半纏体は粉末状である
・又これらの有機半纏体に対してはシリコン、ゲルマニ
ウムの様に電子供与性あるいは電子受容性物質をドーピ
ングすることによりｐＨ６るいはｎｆｉ半導体とする技
前が確立されていないため用途が阪られている０ところ
が近年ポリアセチレンの様に比板的谷易にフィルム状に
成形され、しかも電子供与性めるいｔま電子受容性物質
をドーピングすることによってｐＪＪｉｓ ｎ−の不純
物半導体となり得る有機半導体が見出され、これらのｐ
−ｎ接合をオリ用して大圓積の太ｌＩＩ電池奏（応用＄
研究がなされている。しかしこれらのポリアセチレン、
らるいはこの系列の物質は空気中の酸素と反応性が高い
丸め安定性にとぼしく、又１ｔＭ性が患い丸め現実に使
用するには多くの困−がある＠更にポリアセチレンフィ
ルムは電子顕微鏡写真からもわかる様に非常に細いフィ
ブリルの集合体であり、その・丸めに嵩密度はかなり小
さい。このためドーパントをドーピングした場合、瞬時
にフィルムの全体にわ九ってドーピングされてしまい、
シリコン、ゲルマ二りムの様に表側はＰ１１％裏側はｎ
ｆｆ１というようにひとつの試料の内部にＰ−ｎ綴金を
作る事が嫌しい。即ちドーパントの拡散速度が非常に大
急いため拡散律速によりて試料内部に接合を作ることが
他めて困−である。又古くから高分子重合体を熱処理す
る事によって半導体を作如僧る事が知られているが、−
紋にこれらの熱九塩物はもとの為分子重合体が熱兜履時
に溶融し九伽、軟化する丸め形状を保つ事が出来ない欠
点かあるのみならず溶融、軟化時にで紋にメリフェーズ
とよはれる状ｊｌＫなｐ、試臀Ｏ内部に億々の形の結晶
が生じてくる。このため試料は均一でなく、結晶部分と
非結晶部分の混合した搏 状態となる丸め、均質な材料ヒ紘ない。このためドーピ
ングによる不純物制御が困離でＴｏ９間Ｉｌテある。又
ポリアクリロニトリルの様に一度予備的に酸化させ、軟
化し−くし友後に熱処理し、比較的均質な半導体ｉＥ得
られることが知られているが、この場合でもポリアクリ
ロニトリルが本質的には易黒鉛化物質であることからし
て完全に結＃１部分と非結晶部分の混合Δ６をさける事
が出来ない。
本発明者は、既存の縄分子有機半導体が有する上述の諸
問題点に鑑み鋭意研究を続けた結果本発明を完成したも
のである。
問題点に鑑み鋭意研究を続けた結果本発明を完成したも
のである。
本発明の目的はフィルム状、板状等自由な形に成形出来
、又耐熱性、耐酸化性、機械的強度等に優れ、そのため
実用上充分な物性を有し、しかも熱処理時に全く溶融、
軟化しないため半導体の内部に結晶部分と非結晶部分と
いう異質な構造が共存せず、分子レベルまで完全に均質
な丸め、ドーパントが極めて均一にドーピングｆｉＩ能
でめり、しかも、半導体の密度が適当な丸め、ドーパン
トの拡散速度が適切となり拡畝によりて不純物半導体層
を任意の深さまで作シ得る有機半導体及びその製造方法
を提供するにある・ 上述の目的はフェノール系樹脂又はフラン系樹脂の加Ｊ
亡を主成分とし、１０ 〜１０ Ω−の電気比抵抗と
１１０〜１．４５ ｊＦ／−の密度を有する有機半導体
並びにフェノール系樹脂又はフラン系樹脂を主成分とす
る高分子重合体を非酸化性雰囲気中で５５０〜７００℃
の温度で、マクロな連続気孔が存在せず電気比抵抗が１
０ 〜１０１ＱΩ・―、密度が１，１０〜１．４５ｙ／
−となる様熱処鳳することを特徴とする有機半導体の製
造方法によ知達成される。
、又耐熱性、耐酸化性、機械的強度等に優れ、そのため
実用上充分な物性を有し、しかも熱処理時に全く溶融、
軟化しないため半導体の内部に結晶部分と非結晶部分と
いう異質な構造が共存せず、分子レベルまで完全に均質
な丸め、ドーパントが極めて均一にドーピングｆｉＩ能
でめり、しかも、半導体の密度が適当な丸め、ドーパン
トの拡散速度が適切となり拡畝によりて不純物半導体層
を任意の深さまで作シ得る有機半導体及びその製造方法
を提供するにある・ 上述の目的はフェノール系樹脂又はフラン系樹脂の加Ｊ
亡を主成分とし、１０ 〜１０ Ω−の電気比抵抗と
１１０〜１．４５ ｊＦ／−の密度を有する有機半導体
並びにフェノール系樹脂又はフラン系樹脂を主成分とす
る高分子重合体を非酸化性雰囲気中で５５０〜７００℃
の温度で、マクロな連続気孔が存在せず電気比抵抗が１
０ 〜１０１ＱΩ・―、密度が１，１０〜１．４５ｙ／
−となる様熱処鳳することを特徴とする有機半導体の製
造方法によ知達成される。
本発明に係る有機半導体はｔ、１Ｏ−Ｌ４５ｊｌ／−の
ＩＦｊ［を有し、水銀ポロシメーターで一定した最小ｌ
１１１２０Ａ以上のマク−な孔、特に連続気孔が存在し
ないことが必費である・マクロな孔が存在すると、ドー
ピングし九とき、この孔を瀘してドーパントが異常に逮
〈（ｌ！畝し、均質なドーピング層が形成されない等の
＄１を生じる。
ＩＦｊ［を有し、水銀ポロシメーターで一定した最小ｌ
１１１２０Ａ以上のマク−な孔、特に連続気孔が存在し
ないことが必費である・マクロな孔が存在すると、ドー
ピングし九とき、この孔を瀘してドーパントが異常に逮
〈（ｌ！畝し、均質なドーピング層が形成されない等の
＄１を生じる。
本＠顔書中に於いて、ａＩｊＬは試料の体積を水銀ポロ
シメーターにて−足し、次式にて算出した墓である。
シメーターにて−足し、次式にて算出した墓である。
１Ｍ１１ （１１／ａｌ＞ヰ（拭科の絶乾重量）／（試
料の体積）本発明においてフェノール系ｗ驕又はフラン
系樹脂の成形体を熱処理していくと、温度の上昇にりれ
て２００〜３５０℃の温度範囲では分解によるガスが発
生し始め、この丸め試料の重量が減少していくが、体積
の減少は少なく、一度は小さくなる。この場合の空−は
分子レベルで６９極めて小さい０５５０℃〜７００℃Ｏ
温に範−でけ分解によるｍｉｔ減もあるか１体積も減少
するので＊１は少し大−くなる０７ｔＪロ℃を越えると
分解は９よとんどなくな抄１重瀘ははば一定となに１体
積は減少し続■する九め密度は人きく龜参続ける。この
熱処理時の１！度変化は分子レベルであ襲、この分子レ
ベルの空障にドーピングによるドーノ（ントか入り込む
躾が本発明において最も重要である。この意味では本４
発明における上記ＶＢ度は所謂真密度に近い０本発明に
使用する高分子はフェノール１Ｌノ９・ン樹腫を主成分
とするものであシこれらの混合体でぬってもよい。これ
らの樹脂はｖｋ巡する様に熱処理時に全く、溶融あるい
は軟化することがなく、形状をそのまま保持できるのみ
ならず、半導体になった時点で結晶、非結晶等の異質な
構造が存在せず、均質な材料となるため好適である。こ
れら樹脂の成形は成形体の種類に応じて常法により適宜
性なえばよい・例えばフィルム状とするにはノボ２．り
樹脂の場合メタノール等の溶剤に溶解させ、この＃Ｉ液
をテア０ン板畳の平滑な面上に均一な厚みに＃ｌ延し、
比較的低温でメタノールを蒸発させ、その＃！６０〜１
２０℃にて熱処理し微細気孔を無くし九依、塩酸ホルマ
リン水溶液中にて６Ｑ〜１００℃Ｏ温度で架橋反応をさ
せる事によって得られる。又、板状体とするには例えば
フェノール繊維にレゾール４Ｉ廁を付着せしめ、プリプ
レグを作成し、これを鳩当な厚みになる様、１ｉ板の間
杢 に仰し１２０〜１５０℃の温度で１０〜ｚｏ（１／ＣＩ
に加圧して成形体とする事が出来る〇又、フラン樹脂を
使用しても塩酸等の適当な触媒を使用してフィルム状、
あるいは板状１１成形可能でおる。メカえはフェノール
繊維と７ラン樹脂を使用すればこれら２ａ［類の樹脂の
混合体からなる成形体を侮ることが出来る。又、常法に
より他の形状、例えは棒状、パイプ状等にも容易に作成
出来る、 この様にしてｍ１ｔｔした熱処理前の成形体の嵩密度は
１．１５ ｆ／−でめるのが好ましい。密度が小さ過き
゛るとマクロな連続気孔（水銀ポロシメーターで測定し
た厳小径１２０Ａ以上の気孔〕が形成され易い０そして
成形体中にマクロな連続気孔が存在すると、引き枕いて
熱処理を施こし半導体化したときドーピング等を行うと
ドーパントの拡＃蓮門が他層に大になり不純物半導体層
の厚みを過度に制御し婦くなる。またこれら成形体中の
７エノール樹Ｂホ又ｉ＝、 ７９ン樹脂の含有蓋は９９
ｆＬ菖％以上でおるのが好ましい。
料の体積）本発明においてフェノール系ｗ驕又はフラン
系樹脂の成形体を熱処理していくと、温度の上昇にりれ
て２００〜３５０℃の温度範囲では分解によるガスが発
生し始め、この丸め試料の重量が減少していくが、体積
の減少は少なく、一度は小さくなる。この場合の空−は
分子レベルで６９極めて小さい０５５０℃〜７００℃Ｏ
温に範−でけ分解によるｍｉｔ減もあるか１体積も減少
するので＊１は少し大−くなる０７ｔＪロ℃を越えると
分解は９よとんどなくな抄１重瀘ははば一定となに１体
積は減少し続■する九め密度は人きく龜参続ける。この
熱処理時の１！度変化は分子レベルであ襲、この分子レ
ベルの空障にドーピングによるドーノ（ントか入り込む
躾が本発明において最も重要である。この意味では本４
発明における上記ＶＢ度は所謂真密度に近い０本発明に
使用する高分子はフェノール１Ｌノ９・ン樹腫を主成分
とするものであシこれらの混合体でぬってもよい。これ
らの樹脂はｖｋ巡する様に熱処理時に全く、溶融あるい
は軟化することがなく、形状をそのまま保持できるのみ
ならず、半導体になった時点で結晶、非結晶等の異質な
構造が存在せず、均質な材料となるため好適である。こ
れら樹脂の成形は成形体の種類に応じて常法により適宜
性なえばよい・例えばフィルム状とするにはノボ２．り
樹脂の場合メタノール等の溶剤に溶解させ、この＃Ｉ液
をテア０ン板畳の平滑な面上に均一な厚みに＃ｌ延し、
比較的低温でメタノールを蒸発させ、その＃！６０〜１
２０℃にて熱処理し微細気孔を無くし九依、塩酸ホルマ
リン水溶液中にて６Ｑ〜１００℃Ｏ温度で架橋反応をさ
せる事によって得られる。又、板状体とするには例えば
フェノール繊維にレゾール４Ｉ廁を付着せしめ、プリプ
レグを作成し、これを鳩当な厚みになる様、１ｉ板の間
杢 に仰し１２０〜１５０℃の温度で１０〜ｚｏ（１／ＣＩ
に加圧して成形体とする事が出来る〇又、フラン樹脂を
使用しても塩酸等の適当な触媒を使用してフィルム状、
あるいは板状１１成形可能でおる。メカえはフェノール
繊維と７ラン樹脂を使用すればこれら２ａ［類の樹脂の
混合体からなる成形体を侮ることが出来る。又、常法に
より他の形状、例えは棒状、パイプ状等にも容易に作成
出来る、 この様にしてｍ１ｔｔした熱処理前の成形体の嵩密度は
１．１５ ｆ／−でめるのが好ましい。密度が小さ過き
゛るとマクロな連続気孔（水銀ポロシメーターで測定し
た厳小径１２０Ａ以上の気孔〕が形成され易い０そして
成形体中にマクロな連続気孔が存在すると、引き枕いて
熱処理を施こし半導体化したときドーピング等を行うと
ドーパントの拡＃蓮門が他層に大になり不純物半導体層
の厚みを過度に制御し婦くなる。またこれら成形体中の
７エノール樹Ｂホ又ｉ＝、 ７９ン樹脂の含有蓋は９９
ｆＬ菖％以上でおるのが好ましい。
フェノール樹脂又は７ラン樹腫゛の含有量が９９重量％
未満の場曾、後続する熱処理工程で半導体化し九とき、
内部構造が不均一になり、均質性が低下するからである
。
未満の場曾、後続する熱処理工程で半導体化し九とき、
内部構造が不均一になり、均質性が低下するからである
。
次にこれらの成形体は公知の方法、例えば非酸株
ｉ囲気中で熱処理し、電気比抵抗が１０−１〜１０１０
Ω・錨でありかつ密度が１．１０〜１．４５７７／ｄと
なる様、半導体化する。この際の昇温速度と熱処理温度
は被処理成形体の種類によ抄多少の相違があるが次のよ
うに設定すると殊に好適な結果が得られる。即ち昇温速
度は室温より５００℃までは比較的速い昇温が９屁でめ
り、１００℃／＃間以下でわれは充分である。５００℃
以上に昇温する綜には有機物の熱分解によるガスが内部
より発生するため、充分に遅い速度でなけれはならない
、この昇ｉ１速度は本質的に材料０ＪＩＩＬみと関連し
ており、８０／ルＣ／時間〔ｈ：厚み（騙）〕以下の速
度で昇温するのが好ましい・これよ勤＾速で昇温すると
熱処理中導体の一気比抵抗を過度に制御し−くなるＯ熱
処理物の電気比抵抗を１０−１〜１０１０Ω・（至）、
密度を１．１０〜１・４５ｊＩ／−とするには熱処理温
度を６５０〜７００℃の範囲に設定する必貴がある。熱
処理温度が３５０℃未満の場合、電気比抵抗が１０１０
Ω・―を越え、この様々半導体はドーピングを行って本
はとんど電気抵抗は下がらず不純物半導体とすることか
困−である◎ 一方熱処理温度が７００℃を越えると、電気比抵抗が１
０−１０・１未満とな抄、この試料にドーピングを行っ
ても殆んど電気抵抗は下がらなと １５２ノ い。更に熱処理温度が７００℃を越える試料の密度がｔ
、４５ｊｌ／−を越えるためドーノくントが材料内部に
浸入し−〈無理にドーピングを行うと試料が破壊する。
Ω・錨でありかつ密度が１．１０〜１．４５７７／ｄと
なる様、半導体化する。この際の昇温速度と熱処理温度
は被処理成形体の種類によ抄多少の相違があるが次のよ
うに設定すると殊に好適な結果が得られる。即ち昇温速
度は室温より５００℃までは比較的速い昇温が９屁でめ
り、１００℃／＃間以下でわれは充分である。５００℃
以上に昇温する綜には有機物の熱分解によるガスが内部
より発生するため、充分に遅い速度でなけれはならない
、この昇ｉ１速度は本質的に材料０ＪＩＩＬみと関連し
ており、８０／ルＣ／時間〔ｈ：厚み（騙）〕以下の速
度で昇温するのが好ましい・これよ勤＾速で昇温すると
熱処理中導体の一気比抵抗を過度に制御し−くなるＯ熱
処理物の電気比抵抗を１０−１〜１０１０Ω・（至）、
密度を１．１０〜１・４５ｊＩ／−とするには熱処理温
度を６５０〜７００℃の範囲に設定する必貴がある。熱
処理温度が３５０℃未満の場合、電気比抵抗が１０１０
Ω・―を越え、この様々半導体はドーピングを行って本
はとんど電気抵抗は下がらず不純物半導体とすることか
困−である◎ 一方熱処理温度が７００℃を越えると、電気比抵抗が１
０−１０・１未満とな抄、この試料にドーピングを行っ
ても殆んど電気抵抗は下がらなと １５２ノ い。更に熱処理温度が７００℃を越える試料の密度がｔ
、４５ｊｌ／−を越えるためドーノくントが材料内部に
浸入し−〈無理にドーピングを行うと試料が破壊する。
以上の様にして侍られた本発明に係る有機半導体は板状
、フィルム状等その形状を適宜選択出狐完全に均質なで
おり、迩切な電気抵抗を有している。又耐熱性、耐酸化
性に優れているのみならず、充分−ｇ！−強震面でも優
れており、面状す−ミスター、湿にセンサー等梳々の用
途に適用可能である０又適切表密度を有しているために
ドーピングによって半導体内部に不純物半導体層を容易
に形成し＋Ｊ、Ｐ−ｎ接合等をひとつの試料内に作成出
来るため、ダイオード、太陽電池への応用も可能でめる
０ 以下実施例を挙げて本発明を具体的に説明するＯ 実施例１ フェノール系繊維ＩＩｂ平繊クロス（日本カイノール社
、商品名カイノール、目付２００ｊｊ／イ）を４０重量
％のレゾール樹脂のメタノール＃１ＩＩＬＫ浸漬し、マ
ングルにて搾液、レゾール樹脂を付着せしめ、素置にて
２４時間乾燥し、フェノール系繊維／レゾ−に樹ｍｌ−
”１／、（重量比〕のグリプレグを作成した。このプリ
プレグ１枚を１５０℃に加熱された積層板用加圧成形機
によｊ、１５０Ｊ１／−の圧力下５０分間硬化し、厚み
２５０μ、密度１．２５１ ／ ａ／の板とした。この
板ｔＮ２３Ｆｉｅｔｌ気下で３００℃までは７０℃／
ｈ ｒ ＊ ５１３０１１− ℃から下表記載の団定温度まで ２０℃／ａｒで昇温し
半纏性を有する成形板を得た◎これらの板犠 の表面及び断面ｔ′ｌ１ｉＬ劇 ２５倍率まで観皺し
たがマクロな孔り存在しなかった。これらの板の密度及
び電気比抵抗を第１表に示す。又この様にして得られた
半導性を有する成形板（厚み約２００μ）を２ＬＩＯ℃
の工２ガス雰囲気中にさらし板＆向より工２のドーピン
グを約６０分間行った。ドーピング後の試料をメタノー
ルで洗浄した後、風乾しｉｉ□ＭＡＸ（エレクトロン・
マイクロ・アナライザー）分析を行い、この試料内の工
２の分布を測゛定した。
、フィルム状等その形状を適宜選択出狐完全に均質なで
おり、迩切な電気抵抗を有している。又耐熱性、耐酸化
性に優れているのみならず、充分−ｇ！−強震面でも優
れており、面状す−ミスター、湿にセンサー等梳々の用
途に適用可能である０又適切表密度を有しているために
ドーピングによって半導体内部に不純物半導体層を容易
に形成し＋Ｊ、Ｐ−ｎ接合等をひとつの試料内に作成出
来るため、ダイオード、太陽電池への応用も可能でめる
０ 以下実施例を挙げて本発明を具体的に説明するＯ 実施例１ フェノール系繊維ＩＩｂ平繊クロス（日本カイノール社
、商品名カイノール、目付２００ｊｊ／イ）を４０重量
％のレゾール樹脂のメタノール＃１ＩＩＬＫ浸漬し、マ
ングルにて搾液、レゾール樹脂を付着せしめ、素置にて
２４時間乾燥し、フェノール系繊維／レゾ−に樹ｍｌ−
”１／、（重量比〕のグリプレグを作成した。このプリ
プレグ１枚を１５０℃に加熱された積層板用加圧成形機
によｊ、１５０Ｊ１／−の圧力下５０分間硬化し、厚み
２５０μ、密度１．２５１ ／ ａ／の板とした。この
板ｔＮ２３Ｆｉｅｔｌ気下で３００℃までは７０℃／
ｈ ｒ ＊ ５１３０１１− ℃から下表記載の団定温度まで ２０℃／ａｒで昇温し
半纏性を有する成形板を得た◎これらの板犠 の表面及び断面ｔ′ｌ１ｉＬ劇 ２５倍率まで観皺し
たがマクロな孔り存在しなかった。これらの板の密度及
び電気比抵抗を第１表に示す。又この様にして得られた
半導性を有する成形板（厚み約２００μ）を２ＬＩＯ℃
の工２ガス雰囲気中にさらし板＆向より工２のドーピン
グを約６０分間行った。ドーピング後の試料をメタノー
ルで洗浄した後、風乾しｉｉ□ＭＡＸ（エレクトロン・
マイクロ・アナライザー）分析を行い、この試料内の工
２の分布を測゛定した。
上表から熱処理温度か５５０℃未ｄＡ士は試料のＷｔが
１．１０５Ｆ／ｃ４未満となシ、１２をドーピングする
と工２の仏献速臘か大きい丸め試料全部がドーピングさ
れてしまい試料Ｐ３部にＩ２含浸層を作成する事が出来
ず、又晶処琥ｉｉＬ直が７５０℃を越えると試料の街区
が１．４５ノ／−を越えるため、工２をドーピングした
時に試料にクジ、りが生ずることがわかる・又本＠明半
導体からなる成層体ではＩ２をドーピングすると、ドー
パントの拡散堪ｋが過当でるるため、試料内−に不純物
半導体Ｊ＝を作る事が出来た。
１．１０５Ｆ／ｃ４未満となシ、１２をドーピングする
と工２の仏献速臘か大きい丸め試料全部がドーピングさ
れてしまい試料Ｐ３部にＩ２含浸層を作成する事が出来
ず、又晶処琥ｉｉＬ直が７５０℃を越えると試料の街区
が１．４５ノ／−を越えるため、工２をドーピングした
時に試料にクジ、りが生ずることがわかる・又本＠明半
導体からなる成層体ではＩ２をドーピングすると、ドー
パントの拡散堪ｋが過当でるるため、試料内−に不純物
半導体Ｊ＝を作る事が出来た。
実施例２
恭
レゾール樹脂とフラン−ｊｌｋ（日立化成７社、商品名
Ｌり７う：、ｙ６ｏ ２ ）を重重比で１：１の割合で
アセトンリこ積ｍしこの添板に実施例１で用イタ平楓り
ロスｔ＆直し、度域して、フェノ−号極！ｌ！／砺繍−
２７，ｑ）グリプレグを作成した口このグリプレグを成
形圧τ変化させる以外は★ＪｌｉｕＮ１と１−じ方法で
加熱、加圧成彩して−々の嵩密度の成形板を作った（＋
為分子成鯵板のか′さ↓９九 ｖＨｊ、１Ｌ２５）／ａｓ 、 １．２７ Ｗ ／ Ｃ
ｍでｕｍｍ−一でマクロな孔はなかったが、１．０５ｐ
／−ではマクロな孔が存在した。この板を実施例１と同
の ）− ｒ昇温し条件で下表記載の所定電板まで昇温し熱処理を
行った・これら、自生導体の板の厚みは約２００μであ
った・次にこれらの板ＫＩ、を１５０℃にて約５分間ド
ーピングを行い工、のドーピング層の厚みをｍＭＡＸ分
析によって求めた。
Ｌり７う：、ｙ６ｏ ２ ）を重重比で１：１の割合で
アセトンリこ積ｍしこの添板に実施例１で用イタ平楓り
ロスｔ＆直し、度域して、フェノ−号極！ｌ！／砺繍−
２７，ｑ）グリプレグを作成した口このグリプレグを成
形圧τ変化させる以外は★ＪｌｉｕＮ１と１−じ方法で
加熱、加圧成彩して−々の嵩密度の成形板を作った（＋
為分子成鯵板のか′さ↓９九 ｖＨｊ、１Ｌ２５）／ａｓ 、 １．２７ Ｗ ／ Ｃ
ｍでｕｍｍ−一でマクロな孔はなかったが、１．０５ｐ
／−ではマクロな孔が存在した。この板を実施例１と同
の ）− ｒ昇温し条件で下表記載の所定電板まで昇温し熱処理を
行った・これら、自生導体の板の厚みは約２００μであ
った・次にこれらの板ＫＩ、を１５０℃にて約５分間ド
ーピングを行い工、のドーピング層の厚みをｍＭＡＸ分
析によって求めた。
結果を第２機に示す。
＾分子成形体の密度がｔ１５ｐ／−未満の場合、５５０
〜７００℃のＥ＝１１３ ＩＮＩｔで熱処理を行っても
マクロな連続気孔が存在する丸め、ドーパントの拡散速
度が大きいため工２ドーピング鳩を半導体内部に作る事
が出来なかりた・又熱処理中導体の密ＲがＬ４５Ｆ／−
を越えるとＩ２がドーピングされ縁＜、表面にクツツク
が入った。本発明の牛導体からなる成形板では板肉部に
Ｉ２ドーピング層からなる不純物中導体（この場合には
ｐｇ半導体）層が形成され、この層の電気抵抗はドーピ
ング以前に比較して大巾に低減してい友。
〜７００℃のＥ＝１１３ ＩＮＩｔで熱処理を行っても
マクロな連続気孔が存在する丸め、ドーパントの拡散速
度が大きいため工２ドーピング鳩を半導体内部に作る事
が出来なかりた・又熱処理中導体の密ＲがＬ４５Ｆ／−
を越えるとＩ２がドーピングされ縁＜、表面にクツツク
が入った。本発明の牛導体からなる成形板では板肉部に
Ｉ２ドーピング層からなる不純物中導体（この場合には
ｐｇ半導体）層が形成され、この層の電気抵抗はドーピ
ング以前に比較して大巾に低減してい友。
出願人ｌ１ｌｉ紡株式会（
Claims (2)
- （１） ７ｇノール系樹脂又はフラン系樹脂のｗ経（
多 物を主成分とし、１０−１〜１０１ｏΩ・−の電気比抵
抗とＬ１０〜１．４５り／−の密度を有する有機半導体
。 - （２） フェノール系樹脂又は７ラン系樹脂を主成分
とする高分子成臘体を非酸化性！＃−気中で３５０〜７
００℃の温度で％１りｌ３ｔｋ連続気孔が存在せず、電
気比抵抗が１０−１〜１０１０Ω・―、密度がｔ１０〜
Ｌ４ＳＪＦ／−と表る様熱ｌＩ＆運することを特徴とす
る有機半導体の製造方法・（３） ＾分子成臘体が、
９９重量％以上のフェノール系樹脂又は７フン系樹脂を
含有するものである特許請求の範１１２）項記載の有機
半導体０製造方法・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56169086A JPS5869234A (ja) | 1981-10-21 | 1981-10-21 | 有機半導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56169086A JPS5869234A (ja) | 1981-10-21 | 1981-10-21 | 有機半導体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5869234A true JPS5869234A (ja) | 1983-04-25 |
| JPS6226122B2 JPS6226122B2 (ja) | 1987-06-06 |
Family
ID=15880060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56169086A Granted JPS5869234A (ja) | 1981-10-21 | 1981-10-21 | 有機半導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5869234A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0149497A2 (en) * | 1984-01-19 | 1985-07-24 | Kanebo, Ltd. | Insoluble and infusible substrate with a polyacen-type skeletal structure, and its applications for electrical conductor or organic cell |
| JPS61218641A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-29 | Kanebo Ltd | 多孔性有機半導体 |
| JPS61218640A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-29 | Kanebo Ltd | 多孔性有機半導体 |
| JPS6221528A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 摩擦材の製造法 |
| JP2007294719A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51121739A (en) * | 1975-04-18 | 1976-10-25 | Otani Sugio | Carbon fiber aqueous solution type secondary battery |
-
1981
- 1981-10-21 JP JP56169086A patent/JPS5869234A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51121739A (en) * | 1975-04-18 | 1976-10-25 | Otani Sugio | Carbon fiber aqueous solution type secondary battery |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0149497A2 (en) * | 1984-01-19 | 1985-07-24 | Kanebo, Ltd. | Insoluble and infusible substrate with a polyacen-type skeletal structure, and its applications for electrical conductor or organic cell |
| JPS61218641A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-29 | Kanebo Ltd | 多孔性有機半導体 |
| JPS61218640A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-29 | Kanebo Ltd | 多孔性有機半導体 |
| JPS6221528A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 摩擦材の製造法 |
| JP2007294719A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6226122B2 (ja) | 1987-06-06 |
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