JPS5868720A - 液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置とその製造方法Info
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- JPS5868720A JPS5868720A JP56168245A JP16824581A JPS5868720A JP S5868720 A JPS5868720 A JP S5868720A JP 56168245 A JP56168245 A JP 56168245A JP 16824581 A JP16824581 A JP 16824581A JP S5868720 A JPS5868720 A JP S5868720A
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- Japan
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- films
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- crystal display
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶表示装置及びその製造方法に関する。
従来の液晶表示装置では、第１図の如く、液晶を平行配
向する配向処理剤として用いられる耐熱有機重合体膜１
を、ガラス爪板２七の保護膜３と、パターン形成された
電極４を被うように塗布している。同図において、５は
スベーザで液晶６をガラス基板２とともに気密封止して
いる。なお、耐熱有機重合体膜１はラビング処理が施こ
されている。
向する配向処理剤として用いられる耐熱有機重合体膜１
を、ガラス爪板２七の保護膜３と、パターン形成された
電極４を被うように塗布している。同図において、５は
スベーザで液晶６をガラス基板２とともに気密封止して
いる。なお、耐熱有機重合体膜１はラビング処理が施こ
されている。
上記構造の液晶表示装置の基板を作製するにあたっては
、まずガラス基板２上にテトラエトキンシシランのアル
コール溶液を塗布焼成してＳｉＯ２保護膜３を形成する
。次にＲＦスパンタリング後焼成してＩｎ２ ０３−Ｓ
ｎ系透明導電膜を形成するか、又は吹付は法で高温酸化
Ｉ７てＳｎ０２−Ｓｂ系透明導電膜を形成する。この透
明導電膜をフォトプロセス法又はスクリーン印刷法によ
りパターン化し電極４を形成する。次に表示に必要な領
域の表面上にラダー型オルガノシリコーンなどの前駆溶
液を塗布し焼成することによって耐熱有機重合体膜Ｉを
形成する。この後ラビング処理を施して完成する。
、まずガラス基板２上にテトラエトキンシシランのアル
コール溶液を塗布焼成してＳｉＯ２保護膜３を形成する
。次にＲＦスパンタリング後焼成してＩｎ２ ０３−Ｓ
ｎ系透明導電膜を形成するか、又は吹付は法で高温酸化
Ｉ７てＳｎ０２−Ｓｂ系透明導電膜を形成する。この透
明導電膜をフォトプロセス法又はスクリーン印刷法によ
りパターン化し電極４を形成する。次に表示に必要な領
域の表面上にラダー型オルガノシリコーンなどの前駆溶
液を塗布し焼成することによって耐熱有機重合体膜Ｉを
形成する。この後ラビング処理を施して完成する。
上記の構成および製造方法では、絶縁性、透明導電膜の
反射防止などの点で優れているが、電気−光学的特性−
種である誘起ドメインの発生が完全に抑制できないとい
う欠点かある。又、保護膜、透明導電膜及び耐熱有機重
合体膜の形成に際して、耐熱有機重合体膜は電極状に被
着されているため透明導電膜を一旦焼成した後に更に耐
熱有機重合体膜を焼成する必要があり、少なくも２回の
焼成を必要とし、工程が複雑化するという欠点がある、 本発明は上記の欠点に鑑みてなされたものであり、焼成
回数を低減化して、且つ液晶配向特性と誘起ドメインの
抑制かともに優れた液晶表示装置を提供することを目的
とする、 本発明の液晶表示装置の構成を第２図により説明する、 本例の面晶表示装置はガラス基板２上に約１５００Åの
ＳｉＯ２保護膜３、約８００Åのポリイミドシロギサン
共重合体よりなる耐熱有機重合体膜１ａ及び約４００Å
のＩｎ２Ｏ３Ｓ系透明導電膜よりなる電極４が形成され
でいる。電極４及び耐熱有機重合膜１ａ上には液晶を水
平配向する配向処理膜７としてアミノ糸シランカップリ
ング膜が１００Å塗布されている。
反射防止などの点で優れているが、電気−光学的特性−
種である誘起ドメインの発生が完全に抑制できないとい
う欠点かある。又、保護膜、透明導電膜及び耐熱有機重
合体膜の形成に際して、耐熱有機重合体膜は電極状に被
着されているため透明導電膜を一旦焼成した後に更に耐
熱有機重合体膜を焼成する必要があり、少なくも２回の
焼成を必要とし、工程が複雑化するという欠点がある、 本発明は上記の欠点に鑑みてなされたものであり、焼成
回数を低減化して、且つ液晶配向特性と誘起ドメインの
抑制かともに優れた液晶表示装置を提供することを目的
とする、 本発明の液晶表示装置の構成を第２図により説明する、 本例の面晶表示装置はガラス基板２上に約１５００Åの
ＳｉＯ２保護膜３、約８００Åのポリイミドシロギサン
共重合体よりなる耐熱有機重合体膜１ａ及び約４００Å
のＩｎ２Ｏ３Ｓ系透明導電膜よりなる電極４が形成され
でいる。電極４及び耐熱有機重合膜１ａ上には液晶を水
平配向する配向処理膜７としてアミノ糸シランカップリ
ング膜が１００Å塗布されている。
本例の液晶セルは、ＴＮ−ＦＥＭ型、ゲストホスト型及
びハイブリノド型液晶表示装置に適用できる。
びハイブリノド型液晶表示装置に適用できる。
次に上例の液晶表示装置の基板および基板上の膜の製造
工程について記す、 ガラス基板の表面を洗浄し、テトラハロゲノシランと有
機カルボン酸との反応生成物にリン化合物を混合したア
ルコ−ル溶液を浸漬法で塗布し、室温で乾燥し皮膜Ｉを
形成する。皮膜Ｉ面上にテトラカルボン酸無水物、ジア
ミン及び珪素を有するシアミンを重合させたプレポリマ
ーのＮ−メチル−２−ピロリドン溶液をスプレー法で塗
布し赤外線炉で乾燥し皮膜■を形成し、続いてインジウ
ムエトキド又はスズエトキシドのアルコール溶液を浸漬
法で塗布し、室温乾燥して皮膜■を形成する。、皮膜硬
化後に皮膜■．■及び■を４００℃で３０分間焼成炉で
同時焼成すると、皮膜■はリンがドープされたＳｉＯ２
保護膜に、皮膜■はポリイミドシロキサン供重合体膜に
、皮膜■はＩｎ２Ｏ３−Ｓｎ系透明導電膜に化成する、
次に上記透明導電膜をフォトプロセスでパターン化して
電極を市（１恒を形成する。できあがった電極基板をエ
トキシシランのアルコール溶液に浸漬して、アミノ系シ
ランカップリング膜の配向膜を形成する、該配向膜をラ
ピング処理し完成する。
工程について記す、 ガラス基板の表面を洗浄し、テトラハロゲノシランと有
機カルボン酸との反応生成物にリン化合物を混合したア
ルコ−ル溶液を浸漬法で塗布し、室温で乾燥し皮膜Ｉを
形成する。皮膜Ｉ面上にテトラカルボン酸無水物、ジア
ミン及び珪素を有するシアミンを重合させたプレポリマ
ーのＮ−メチル−２−ピロリドン溶液をスプレー法で塗
布し赤外線炉で乾燥し皮膜■を形成し、続いてインジウ
ムエトキド又はスズエトキシドのアルコール溶液を浸漬
法で塗布し、室温乾燥して皮膜■を形成する。、皮膜硬
化後に皮膜■．■及び■を４００℃で３０分間焼成炉で
同時焼成すると、皮膜■はリンがドープされたＳｉＯ２
保護膜に、皮膜■はポリイミドシロキサン供重合体膜に
、皮膜■はＩｎ２Ｏ３−Ｓｎ系透明導電膜に化成する、
次に上記透明導電膜をフォトプロセスでパターン化して
電極を市（１恒を形成する。できあがった電極基板をエ
トキシシランのアルコール溶液に浸漬して、アミノ系シ
ランカップリング膜の配向膜を形成する、該配向膜をラ
ピング処理し完成する。
上記実施例の他に、保護膜としてはＳｉＯ，ＴｉＯ、Ｔ
ｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３又はＭｇＦ２、耐熱有
機重合体膜としてラダー型オルガノシリコ−ン樹脂、ポ
リフェニレンサルルファイド、ポリイミド、ポリイミド
イミダゾピロン、ポリイミドイソインドロキナゾリンジ
オン、ポリキノキサリン、ポリパラパン酸、芳香族シア
ン酸エステル。
ｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３又はＭｇＦ２、耐熱有
機重合体膜としてラダー型オルガノシリコ−ン樹脂、ポ
リフェニレンサルルファイド、ポリイミド、ポリイミド
イミダゾピロン、ポリイミドイソインドロキナゾリンジ
オン、ポリキノキサリン、ポリパラパン酸、芳香族シア
ン酸エステル。
ポリヒダントイン、ポリサルルファイド、ポリエステル
イミド、ポリチアゾール、ポリオキサゾール又はポリジ
アジン、平行配向処理剤としてフッ素樹脂、エポキシ系
カップリング剤．メルカプト系シランカップリンク剤、
ポリビニルアルコール又は二塩基性カルボン酸多核クロ
ム錯体がある。
イミド、ポリチアゾール、ポリオキサゾール又はポリジ
アジン、平行配向処理剤としてフッ素樹脂、エポキシ系
カップリング剤．メルカプト系シランカップリンク剤、
ポリビニルアルコール又は二塩基性カルボン酸多核クロ
ム錯体がある。
又、外皮膜の塗布方法は浸漬法、スピンナー法。
スプレー法、ロールコータ法、オフセット印刷法又はス
クリーン印刷法が適用できる。
クリーン印刷法が適用できる。
本発明による液晶表示装置は、製造にあたって通常は少
なくとも２回は必要な基板の焼成工程が１回で済むため
、液晶表示装置の製作コストの低減及び製作に要する時
間の短縮化の効果がある。
なくとも２回は必要な基板の焼成工程が１回で済むため
、液晶表示装置の製作コストの低減及び製作に要する時
間の短縮化の効果がある。
第１図は従来の液晶表示装置の実施例の断面図、第２図
は本発明に係る液晶表示装置の実施例の断面図である。 １．１ａ・耐熱有機重合体膜、２・・ガラス基板、３・
・保護膜、４・・電極、５−・・スペーサ、６・・液晶
、７・・・配向処理膜。
は本発明に係る液晶表示装置の実施例の断面図である。 １．１ａ・耐熱有機重合体膜、２・・ガラス基板、３・
・保護膜、４・・電極、５−・・スペーサ、６・・液晶
、７・・・配向処理膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも２枚の電極基板間に液晶すを有する液晶
表示装置において、少々くとも１枚の電極基板が基板本
体、無機保護膜、耐熱有機重合体膜、透明導電膜、平行
配向処理剤を順に形成した積り構造からなることを特徴
とする液晶表示装置。 ２ 基板に無機保護膜の前駆溶液を塗布乾燥させる工程
とその上に耐熱有機重合体膜の前駆溶液を塗布乾燥させ
る工程と、さらにその上に透明導電膜の前駆溶液を塗布
乾燥させる工程と、上記各前駆溶液が塗布乾燥された基
板を焼成して、同時に保護膜、耐熱有機重合体膜及び透
明導電膜を形成する工程と、該透明導電膜に電極パター
ンを形成する工程と、耐熱有機重合体膜及び電極上に平
行配向処理剤を被覆してラビング処理する工程を含む液
晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56168245A JPS5868720A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56168245A JPS5868720A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5868720A true JPS5868720A (ja) | 1983-04-23 |
Family
ID=15864445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56168245A Pending JPS5868720A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5868720A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH037911A (ja) * | 1989-03-15 | 1991-01-16 | Toshiba Corp | 電極基板及び液晶表示装置の製造方法 |
-
1981
- 1981-10-20 JP JP56168245A patent/JPS5868720A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH037911A (ja) * | 1989-03-15 | 1991-01-16 | Toshiba Corp | 電極基板及び液晶表示装置の製造方法 |
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