JPS5868376A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS5868376A JPS5868376A JP56166241A JP16624181A JPS5868376A JP S5868376 A JPS5868376 A JP S5868376A JP 56166241 A JP56166241 A JP 56166241A JP 16624181 A JP16624181 A JP 16624181A JP S5868376 A JPS5868376 A JP S5868376A
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- Japan
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 29
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 22
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 229930091051 Arenine Natural products 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ぼ、複数の元ＩＥ変換素子からぼろ受光部とこ１
等各党電変換素子に結合したシフトレジスタとからなる
固体撮像装置に関する。
等各党電変換素子に結合したシフトレジスタとからなる
固体撮像装置に関する。
一般の固体撮像装置に、受光部と夫々結合し九シフトレ
ジスメからｔｌ、−次元の撮像素子Ｋ［。
ジスメからｔｌ、−次元の撮像素子Ｋ［。
−列に配列した複数の光電変換素子【２本のシフトレジ
スタに振！分けて結合し九デュアルチャンネル瀧のもの
がある・ 纂１−に斯様なデエ丁ルチャンネル型の従来の園体操像
鋏置會模式的に示す。同図に於て、（１）に入射光を感
知してその光量に応じた電荷全発生する受光部であって
、例えｔｆ２０４８個の光電変換素子が一列に配列され
ている０１２１に該受光部１１１の奇数１１目の素子か
６ビツトに結合した第１シフトレジスタで６Ｌ１］Ｃビ
ツト（１０２４）會有し各ビット１１に２相クロブクバ
ルスφ１．φｂが夫々印−名ｎる電極対（ａ）％０）’
を備えたＣＣＤ（電荷結合素子）Ｉｔシフトレジスタで
ある６ １３１Ｕｊｌ １シフトレジスタ（２）と同様
のＣＣＤＩＩシフトレジスタであるが、上記受光ｇ（１
１の偶数番目の素子が各ビットに結合されている＠ １
４０４１は上記受光部１１１列と両シフトレジスタ（２
１，（３）との間に設けらｆ′した転送ゲ−ト部であり
、上記受光面ｉｌ＋に於いて照射光量に応じて発生した
電荷全第１シフトレジスタ（２）又は第２シフトレジス
タ（３）に導入する為のゲート信号（Ｖｇ）が印加さル
るゲート電＆を有している。
スタに振！分けて結合し九デュアルチャンネル瀧のもの
がある・ 纂１−に斯様なデエ丁ルチャンネル型の従来の園体操像
鋏置會模式的に示す。同図に於て、（１）に入射光を感
知してその光量に応じた電荷全発生する受光部であって
、例えｔｆ２０４８個の光電変換素子が一列に配列され
ている０１２１に該受光部１１１の奇数１１目の素子か
６ビツトに結合した第１シフトレジスタで６Ｌ１］Ｃビ
ツト（１０２４）會有し各ビット１１に２相クロブクバ
ルスφ１．φｂが夫々印−名ｎる電極対（ａ）％０）’
を備えたＣＣＤ（電荷結合素子）Ｉｔシフトレジスタで
ある６ １３１Ｕｊｌ １シフトレジスタ（２）と同様
のＣＣＤＩＩシフトレジスタであるが、上記受光ｇ（１
１の偶数番目の素子が各ビットに結合されている＠ １
４０４１は上記受光部１１１列と両シフトレジスタ（２
１，（３）との間に設けらｆ′した転送ゲ−ト部であり
、上記受光面ｉｌ＋に於いて照射光量に応じて発生した
電荷全第１シフトレジスタ（２）又は第２シフトレジス
タ（３）に導入する為のゲート信号（Ｖｇ）が印加さル
るゲート電＆を有している。
斯る構成の固体撮像装置は、受光部（１）の−列に配列
さルた２０４８個の光電変換素子で光電変換を行い、上
記転送ゲート部＋４１ｉ４＋にゲート信号（Ｖｇ）！？
印加する亭に依って、奇数番目の光電変換素子で発生し
た電荷１例えば電子が上記第１シフトレジスタ（２）の
各ビットの電極（ａ）位置に導かれ、一方偶数番目の電
子で発生した電子は上記＠２シフトレジスタ（３）の各
ビットの電極（ｂ）位ＩＮＫ導かルる。
さルた２０４８個の光電変換素子で光電変換を行い、上
記転送ゲート部＋４１ｉ４＋にゲート信号（Ｖｇ）！？
印加する亭に依って、奇数番目の光電変換素子で発生し
た電荷１例えば電子が上記第１シフトレジスタ（２）の
各ビットの電極（ａ）位置に導かれ、一方偶数番目の電
子で発生した電子は上記＠２シフトレジスタ（３）の各
ビットの電極（ｂ）位ＩＮＫ導かルる。
斯様にして受光部（１）からの電荷が導かｎた各シフト
レジスタｉ２＋、 ＋３１でに、電極Ｌａ）にクロック
パルスφａ、電極（ｂ）にクロックパルスφｂｌ印加し
てこれ等の電荷を順次転送する事に依って、各シフトレ
ジスタ１２１．１３１の終端から又互に一次元のアナロ
グ画像信号が出力信号ｖｏｕｔとして出力される。
レジスタｉ２＋、 ＋３１でに、電極Ｌａ）にクロック
パルスφａ、電極（ｂ）にクロックパルスφｂｌ印加し
てこれ等の電荷を順次転送する事に依って、各シフトレ
ジスタ１２１．１３１の終端から又互に一次元のアナロ
グ画像信号が出力信号ｖｏｕｔとして出力される。
斯様な固体撮像装置に焚いて受光面（１）の各光電変換
素子に入射さ几る光量に応じた了ナロダ画像儂信号ＶＯ
ｕｔ の電圧値との関係が線形である事が必要であり、
この関係が線形となる最適な入射光量の範Ｓ【設定しな
ければならない。この為に従来は入射光の光強Ｉｔ変化
させて、その時の１像信号Ｔｏ ｕｔの電圧値を何ｆも
読み取る必要があり。
素子に入射さ几る光量に応じた了ナロダ画像儂信号ＶＯ
ｕｔ の電圧値との関係が線形である事が必要であり、
この関係が線形となる最適な入射光量の範Ｓ【設定しな
ければならない。この為に従来は入射光の光強Ｉｔ変化
させて、その時の１像信号Ｔｏ ｕｔの電圧値を何ｆも
読み取る必要があり。
この作業の能率を低下せしめていた。
本発明框斯る点に＠みて為されたものであり。
受光面への最適入射光量の範囲を容易に決定できる機能
を付加した同体操像装置を提供するものである・ ｊｌｌｌＩＺ図に１本発明の固体撮像装置の一実施例を
模式的に示す＠同図に於いて、（ム）に第１図に示した
従来装置と同じ構成の撮像部であって、受光部（１）と
シフトレジスタ１２１１３）と転送ゲート部＋４１＋４
１とからなっている。（１′）は上記受光面（１）の終
端力・ら延在し九付属受元部でｈす１例えば上記受光面
ｉｌ＋の終端側η為らその受光面積が０チ、２０チ、４
０チ。
を付加した同体操像装置を提供するものである・ ｊｌｌｌＩＺ図に１本発明の固体撮像装置の一実施例を
模式的に示す＠同図に於いて、（ム）に第１図に示した
従来装置と同じ構成の撮像部であって、受光部（１）と
シフトレジスタ１２１１３）と転送ゲート部＋４１＋４
１とからなっている。（１′）は上記受光面（１）の終
端力・ら延在し九付属受元部でｈす１例えば上記受光面
ｉｌ＋の終端側η為らその受光面積が０チ、２０チ、４
０チ。
６０嗟、８０９１．１００−のＩＩＫ配列された各付属
ｘ電ｚ＊ｓ子（１１，１２１，１１３，０４１，α９．
αｅ＞らなっている。尚、こ几等尤電賞換嵩子ａｖ、・
・・、αｅ汀、上記撮曹部（〜の受光面ｉｌ＋を構成す
る光電変換素子と同様の形状に構放さルてお９．これ等
の受光面に伺えばアルミニウムを部分的に蒸着被覆する
事に依って形底されている０１２′：に上記第１シフト
レジスタ（２）の最終ビットから延在した５ビツト構成
の第１付属シフトレジスタであり、 ｔｉ）ａ上記第２
シフトレジスタ（３）の最終ビットから延在した５ビツ
ト構成のｊ［２付属シフトレジスタである。コレ等の纂
１及び第２付属シフトレジスタｔ２ｏａ＋の各ビットに
は上記Ｊ１１１及び第２シフトレジスタ＋２１＋３）と
同様＜２相のクロックパルスφａ、φｂが夫々印加され
る電極対（ＩＬ）Ｃｂ） を備えている・ｔｊ＋１４’
ｉに上記撮像部（幻の転送ゲート部＋４０４１から延長
したゲート電極を有する付属転送ゲート部であり、上記
付属受光面（ｌ′）と上記両第１及びｊ１！２付属シフ
トレジスタ（ｉ）（３）との間に介在している。
ｘ電ｚ＊ｓ子（１１，１２１，１１３，０４１，α９．
αｅ＞らなっている。尚、こ几等尤電賞換嵩子ａｖ、・
・・、αｅ汀、上記撮曹部（〜の受光面ｉｌ＋を構成す
る光電変換素子と同様の形状に構放さルてお９．これ等
の受光面に伺えばアルミニウムを部分的に蒸着被覆する
事に依って形底されている０１２′：に上記第１シフト
レジスタ（２）の最終ビットから延在した５ビツト構成
の第１付属シフトレジスタであり、 ｔｉ）ａ上記第２
シフトレジスタ（３）の最終ビットから延在した５ビツ
ト構成のｊ［２付属シフトレジスタである。コレ等の纂
１及び第２付属シフトレジスタｔ２ｏａ＋の各ビットに
は上記Ｊ１１１及び第２シフトレジスタ＋２１＋３）と
同様＜２相のクロックパルスφａ、φｂが夫々印加され
る電極対（ＩＬ）Ｃｂ） を備えている・ｔｊ＋１４’
ｉに上記撮像部（幻の転送ゲート部＋４０４１から延長
したゲート電極を有する付属転送ゲート部であり、上記
付属受光面（ｌ′）と上記両第１及びｊ１！２付属シフ
トレジスタ（ｉ）（３）との間に介在している。
斯る構成の本発明固体撮ｇＲ装置に於いて、量適入射光
１１決定する場合、撮像部（幻の受光面（１）と共に夫
々異なる受光面積を有する６傭の光電変換素子αＤ、・
・・、α＠Ｖ−らなる付属受光面ｔｔｉｒｃ←その光量
が計掬さ１ている元【入射する。セして直ちに転送ゲー
ト部１４＋１４１及び付属転送ゲート部＋４’イｌのゲ
ート電極にゲート信号（Ｖｇ）ｔ−印加し、クロックパ
ルスφａ、φ１）Ｋ依って藁１及び第２シフトレジスタ
＋１１１２１と共Ｋｇ１及び第２付属シフトレジスタ＋
１１１２１ｋｌＫ］ｍせしめると、この−纂１及び第２
付属シフトレジスタ１ｌ１１２１の最終ビットで為う得
らルる出力信号Ｖｏｕｔが最適入射ｙｔｔ検出信号とな
る。
１１決定する場合、撮像部（幻の受光面（１）と共に夫
々異なる受光面積を有する６傭の光電変換素子αＤ、・
・・、α＠Ｖ−らなる付属受光面ｔｔｉｒｃ←その光量
が計掬さ１ている元【入射する。セして直ちに転送ゲー
ト部１４＋１４１及び付属転送ゲート部＋４’イｌのゲ
ート電極にゲート信号（Ｖｇ）ｔ−印加し、クロックパ
ルスφａ、φ１）Ｋ依って藁１及び第２シフトレジスタ
＋１１１２１と共Ｋｇ１及び第２付属シフトレジスタ＋
１１１２１ｋｌＫ］ｍせしめると、この−纂１及び第２
付属シフトレジスタ１ｌ１１２１の最終ビットで為う得
らルる出力信号Ｖｏｕｔが最適入射ｙｔｔ検出信号とな
る。
この検出信号【三つの場合に分けてａｇ５図のＶｏｕｔ
ｌ、Ｖｏｕｔｌ、Ｖｏｕｔ３に：夫々示す。こル等の検
出信号ｖ ｏ ｕ ｃ、 １ ｋ ２ ＊ ３に於いて
、 （Ｖｌ）に受光面積１００Ｉｓの党電質換素子αｅ
即ち撮像部（Ａ）のそれとＭ郷の光電変換素子に依って
得られた出力電圧ｊＶ）は受光面積８０−の光電変換素
子＋Ｉｓに依って得らｆ′Ｌ、同様Ｋ （ＩＶ）、（Ｉ
ＥＬ （ｇＬ （＋）Ｈ夫々受光面積６０Ｌ ４０ｓ、
２０１１．０１Ｍ！ｒ尤ｔＫ換素子Ｑ４１、（１３，
ｌ汎（ＩＩＩＫ依って得られた出力電圧、である。
ｌ、Ｖｏｕｔｌ、Ｖｏｕｔ３に：夫々示す。こル等の検
出信号ｖ ｏ ｕ ｃ、 １ ｋ ２ ＊ ３に於いて
、 （Ｖｌ）に受光面積１００Ｉｓの党電質換素子αｅ
即ち撮像部（Ａ）のそれとＭ郷の光電変換素子に依って
得られた出力電圧ｊＶ）は受光面積８０−の光電変換素
子＋Ｉｓに依って得らｆ′Ｌ、同様Ｋ （ＩＶ）、（Ｉ
ＥＬ （ｇＬ （＋）Ｈ夫々受光面積６０Ｌ ４０ｓ、
２０１１．０１Ｍ！ｒ尤ｔＫ換素子Ｑ４１、（１３，
ｌ汎（ＩＩＩＫ依って得られた出力電圧、である。
そして、こｆ′Ｌ以後の時間領域に於ける出力電圧は撮
像部（幻の光電変換素子に依るものであり、上配出力電
圧（ｖｌ）と同じ一定値を示している。
像部（幻の光電変換素子に依るものであり、上配出力電
圧（ｖｌ）と同じ一定値を示している。
今、ＶｏｕｔｌのＭＯ検出信号が得られたとすると、そ
の出力電圧（Ｖ）と（ｖｌ）とが等しくなっているので
、即ち、この時の入射元金の２０９！の光量が暗電流信
号レベルにあるので、この時の入射元金の２０チ以上が
最適元金の下限である事がわかる・またＹｏｕｔ２の如
き検出信号が得られたとすると、各出力電圧（１）、・
・・、 （Ｖｌ）がこのＩＮＫ比例して増加している
ので、この時の入射元金の２０チから１００−に亘って
最適ｙｔ、ｔの範囲に双筒っでいる手がわかる。さらに
Ｖｏｕｔ３の如き検出信号が得られたとすると、出力電
圧（１）と（鱈）が略似か工っているので、即ち、この
時の入射元金の８０−の元金が飽和レベルにあるので、
この時の入射元金の８０−が最適元金の上限である手が
わかる０以上の説明に於いて区６個の付属光電変換素子
Ｉｎ、 −・・、ｒｉｅｖ用いたがとｆ′Ｌｔ更に増設
し夫々の受光面積率を更に細分化した構ｇＩＩＣ−ｆ″
れば１厘４図のＶｏｕｔ４に示す如き検出信号が得られ
、その暗電流レベルＶＬとその飽和レベルＶＢとが同時
に得られ、その線形領域、即ち最適な入射元金の範囲が
さらに評しく検出できる。
の出力電圧（Ｖ）と（ｖｌ）とが等しくなっているので
、即ち、この時の入射元金の２０９！の光量が暗電流信
号レベルにあるので、この時の入射元金の２０チ以上が
最適元金の下限である事がわかる・またＹｏｕｔ２の如
き検出信号が得られたとすると、各出力電圧（１）、・
・・、 （Ｖｌ）がこのＩＮＫ比例して増加している
ので、この時の入射元金の２０チから１００−に亘って
最適ｙｔ、ｔの範囲に双筒っでいる手がわかる。さらに
Ｖｏｕｔ３の如き検出信号が得られたとすると、出力電
圧（１）と（鱈）が略似か工っているので、即ち、この
時の入射元金の８０−の元金が飽和レベルにあるので、
この時の入射元金の８０−が最適元金の上限である手が
わかる０以上の説明に於いて区６個の付属光電変換素子
Ｉｎ、 −・・、ｒｉｅｖ用いたがとｆ′Ｌｔ更に増設
し夫々の受光面積率を更に細分化した構ｇＩＩＣ−ｆ″
れば１厘４図のＶｏｕｔ４に示す如き検出信号が得られ
、その暗電流レベルＶＬとその飽和レベルＶＢとが同時
に得られ、その線形領域、即ち最適な入射元金の範囲が
さらに評しく検出できる。
上述の如き１本発明装置の実施例に於いて、撮ａｔ行な
う場合には、出方信号のパルス状の出方電圧の内、付属
光電変換素子Ｉ１１．・・・α８に依る出方信号の時間
領域を無視すれば、従来装置と同等の撮像機能が果たせ
る・また最適な入射元金の範囲音検出する場合であって
も、この為の新たな外部端子及び出力端子等ｔＩｊ！Ｐ
＊としない。
う場合には、出方信号のパルス状の出方電圧の内、付属
光電変換素子Ｉ１１．・・・α８に依る出方信号の時間
領域を無視すれば、従来装置と同等の撮像機能が果たせ
る・また最適な入射元金の範囲音検出する場合であって
も、この為の新たな外部端子及び出力端子等ｔＩｊ！Ｐ
＊としない。
上記撮像部（〜から分離して構成しても、上述の実ｍｆ
Ｉと同様に最適入射元金の範囲を検出する事ができる・
九だこの場合、付属シフトレジスタ＋ｉ＋ｔａ）及び付
属ゲート部＋４１（４）とｔ駆動する為の新たな外部端
子及び出力端子等を設ける必要があるが、撮像上行なう
場合に、撮像部（〜のみが駆動されるので１ｇＬ来値置
装置様に１画像信号だけからなる出力信号Ｖｏｕｔが得
られる。
Ｉと同様に最適入射元金の範囲を検出する事ができる・
九だこの場合、付属シフトレジスタ＋ｉ＋ｔａ）及び付
属ゲート部＋４１（４）とｔ駆動する為の新たな外部端
子及び出力端子等を設ける必要があるが、撮像上行なう
場合に、撮像部（〜のみが駆動されるので１ｇＬ来値置
装置様に１画像信号だけからなる出力信号Ｖｏｕｔが得
られる。
尚１本発明の困体操像装置框、以上に説明し九−次元の
そｆ′Ｌｖｃ限定さｎるｔのでなく、二次元装置にも容
易に応用できるものである。
そｆ′Ｌｖｃ限定さｎるｔのでなく、二次元装置にも容
易に応用できるものである。
本発明の固体撮像装置は、以上の説明力為ら明らの
２）−な如＜、 −ｔ、受光面積を有する複数個の光電
変換素子を有する受光部に、受光面積が夫々異なる適数
個の付属充電変換素子を付加し九ものであるので、この
装置全体に固定光量の元金入射するだけで、その適数の
付属充電変換素子に依る各出力電圧を一度に検出する事
ができ、とｆ′Ｌ勢出力出力電圧値対的な変化の様子に
依って、暗電流レベル並びに飽和レベルを測定する事が
可能となる。従って、最適な入射元金の範囲が容易に導
出でき。
変換素子を有する受光部に、受光面積が夫々異なる適数
個の付属充電変換素子を付加し九ものであるので、この
装置全体に固定光量の元金入射するだけで、その適数の
付属充電変換素子に依る各出力電圧を一度に検出する事
ができ、とｆ′Ｌ勢出力出力電圧値対的な変化の様子に
依って、暗電流レベル並びに飽和レベルを測定する事が
可能となる。従って、最適な入射元金の範囲が容易に導
出でき。
斯る最適入射元金【検出する為の作業の大巾な簡略化が
計れる◎ 又、上記光電変換素子と関係付けられたシフトレジスタ
に上記付属元電褒換素子と関係付けられた付属シフトレ
ジスタを一体に連結構成したものであるので、この付属
シフトレジスタを上記シフトレジスタと共に駆動でき、
新たな外部端子等を増設することなしに１本発明に係る
固体撮像装置を構成する事ができる。
計れる◎ 又、上記光電変換素子と関係付けられたシフトレジスタ
に上記付属元電褒換素子と関係付けられた付属シフトレ
ジスタを一体に連結構成したものであるので、この付属
シフトレジスタを上記シフトレジスタと共に駆動でき、
新たな外部端子等を増設することなしに１本発明に係る
固体撮像装置を構成する事ができる。
第１図は従来の固体撮像装置の模式平面図、酊２図は本
発明の固体撮像装置の模式平面図、第３図、及び第４図
は夫々本発明装置から得られる出力信号波形図、を夫々
示している。 １１１・・・受光部、（１）・・・付属受光部、 ｔ２
１ｉ３１・・・シフトレジスタ、 １２１１３１・・・
付属シフトレジスタ、（４）・・・転送ゲート部、１４
）・・・付属転送ゲート部、惺１１Ｑ２）Ｑ３Ｑ４１０
５叫・・・付属充電変換素子。
発明の固体撮像装置の模式平面図、第３図、及び第４図
は夫々本発明装置から得られる出力信号波形図、を夫々
示している。 １１１・・・受光部、（１）・・・付属受光部、 ｔ２
１ｉ３１・・・シフトレジスタ、 １２１１３１・・・
付属シフトレジスタ、（４）・・・転送ゲート部、１４
）・・・付属転送ゲート部、惺１１Ｑ２）Ｑ３Ｑ４１０
５叫・・・付属充電変換素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）一定受光面積を有する複数の光電変換素子が配列さ
れた受光部と、該受光部の各光電変換素子が夫々関係付
けられた複数ビットのシフトレジスタと、力・らなる固
体撮像装置に於いて、上記受光部？１１１５ＥＬ、てい
る光電変換素子と框別に夫々受光面積が異なる適数個の
付属光電変換素子群を設け、該各付属元電変換素子での
受光信号ｔＲみ出す為の付属シフトレジスタｔこの各付
属光電変換素子に関係付は九ことを特徴とする固体撮像
装置。 ２）上記付属元電ｆ換素子群を上記受光部の光電変換素
子に連続して設けると共に％この光電変換素子に関係付
けらｎ７（付属シフトレジスタと上記シフトレジスタと
を一体に連結構底した特許請求の範囲第１項記載の固体
撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56166241A JPS5868376A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56166241A JPS5868376A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5868376A true JPS5868376A (ja) | 1983-04-23 |
| JPH0449312B2 JPH0449312B2 (ja) | 1992-08-11 |
Family
ID=15827721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56166241A Granted JPS5868376A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5868376A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5389971A (en) * | 1988-01-20 | 1995-02-14 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Image sensor provided on a chip and having amplifying means |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5637776A (en) * | 1979-09-05 | 1981-04-11 | Canon Inc | Level detection/elimination system for dark current signal of solid state image pickup element |
-
1981
- 1981-10-16 JP JP56166241A patent/JPS5868376A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5637776A (en) * | 1979-09-05 | 1981-04-11 | Canon Inc | Level detection/elimination system for dark current signal of solid state image pickup element |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5389971A (en) * | 1988-01-20 | 1995-02-14 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Image sensor provided on a chip and having amplifying means |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0449312B2 (ja) | 1992-08-11 |
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