JPS5867360A - 電気集じん装置における逆電離現象検知方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

この発明は電気集じん機の集じん極に生じる逆電離現象
の発生を速やかに検知する方法に関するものである。 電気集じん機において、ダストの電気抵抗が１×１０１
１０・Ｃｍ　　をこえると、逆電離と呼ばれる現象が発
生し、集しん性能が著しく低下することは周知のとおり
である。　この逆電離現象は、集じん極堆積ダスト層に
過度に電荷が蓄積するため絶縁破壊をおこすものである
から、集じん効率の低下を防止するためには、逆電離の
発生と同時に集じん機印加電圧を下げ、ダスト層に蓄積
している電荷が実質的になくなるダスト放電必要時間経
過後、再び印加電圧を回復させるよう制御するのが有効
で、このような制御方式については、別の発明を提案し
た（昭和５６年９月２８日付特許願（ロ）「電気集じん
装置における自動電圧制御装置」）。 ただし、このような制御のためには逆電離の発生をでき
るだけ早く検知する検知方法が不可欠である。 そこで本出願人は、逆電離が発生すると第１図に示すよ
うに、二次電圧Ｖと二次電流■の特性（Ｖ−Ｉ特性）が
、正常な場合とは大きく異なることに着目し、このＶ−
Ｉ特性のちがい特に、このかたむきｄＶ／ｄＩ　　が大
きく変わることを利用して、ｄＶ／ｄＩ　　の大きさか
ら逆電離を検出する方法を先に提案した（昭和５６年９
月２８日付特許願（イ）「電気集じん装置における逆電
離検出方法」）。 しかし、この方法は電圧、電流を電源交流の半サイクル
の期間に、Ｉ−？ｃ−ｊる）Ｖ、均値として求めている
ので、平均値算出に半サイクルの１１４ｒ間が必要で、
ぴらにｄＶ／ｄＩを算出するに（ｊｌこの６１：うｆ、
ｒ　）ｌｉ均Ｘ１訂１−１電流の値（ｖ　＋　ｒ　）を
２組仕す１２的演９゛リ−る・１湯；あり、半サイクル
×２、すなわち１−ｖ−（クルの時間が（１ｖ／ｄＩの
算出には必要である。さらに集じん機雷１１−を上昇さ
せる過程において６：Ｊ１後述する゛充電々流″が大き
くなるため、このときのｉＭ！動作を）９ｊ　＜ために
は集じん機雷圧を急上昇さ−１−する期間（：１検出暗
能が働かないようにしな＋ｊればｔ「らない。 この発明は上記検出力法を改良して検出時間を短縮し、
逆電離を検出する際に制御電圧を変化ざ」Ｊることなく
電源周波数の半サイクルにて検出１１丁能な高速逆電離
検出方法を提供するもので、（ｉ）る。 電圧、電流の瞬時値から逆電肖１１の発生を検知できれ
ば、上記方法より、ずっと’７’　＜　ｉ！！ｉ電１咀
（を検知できるであろう。 ところが、電気乗しん機は、電気回路でいうコンデンサ
ーの機能（静電容■１１と呼ぶ）があるため観測される
二次電流の瞬時値は、真のコロナ族７１ｉ。 ３− 電流（逆電離によるものも含む）に、充電電流が加わっ
た値となる。 第２図で示す電気乗しん機の等価回路を第３図に示す。 第３図においてＶは放電極、Ｔは集しん極、Ｓは整流器
、ｗｌｊ：ｌ・ランス、Ｃは集じん機の静電容量、Ｒは
コロナ放電と等価な抵抗、ＩＯは二次電流、■３はコロ
ナ電流、１２は充電電流である。 Ｉ・ランスニ次巻線の起電力の絶対値Ｖｏが第４［Δ（
ａ）実線のように変化するとき、静電容量Ｃのため乗じ
ん機の電圧（二次電圧）は点線の」：うに変化する。　
Ｖｌ＞Ｖｏの期間は、シリコン整流器Ｓは逆バイアスと
なり電流を阻止するため第４図（ｂ）の実線のように、
二次電流は断続波形となる。 しかし、この場合もコロナ電流■３は連続しており、両
者は別の波形となる。 （なお、■３　を直接的に観測することはできない。）
第３図の等価回路正よると ｄＶ。 ｌ０＝Ｉ３＋Ｃ ｔ で示される。　ここで右辺第二項が充電電流丁。 　４− である。 以上でわかるように、観測される二次？ｌｔ流■。 の瞬時値をコロナ電流Ｔ３とみ２ｒずこと＋ｊできず、
特に集じん機雷圧を急速に一、１：　ｌｊＩさ一υるＪ
、ｌ、ｉ合ＣＪ１充電電流が大きくなることがわかる。 ところで、第４図（ｌ〕）においてｒｏ＝＋１の期間に
おいては Ｖｌ ■３−−Ｃ ｔ で示されるので、貞のコＩロナ電流は二次電圧波形の電
圧減衰の速さから推定できる。 逆電離が発生するとコロナ電流が著しく大きくなるので
二次電圧の減衰［１１が太きく　ｔｒる。　二次電圧波
形から逆電離の発生を検知することが可能であり、発生
するとすぐ検知できる。　本発明１］その具体的方法に
関するものである。 前述の観点から二次電圧の波形を実機集じん機でいろい
ろ観測した結果、 二次電圧波形のピーク値（■２と呼ぶ）と谷底値（ＶＢ
と呼ぶ）の間に次の関係があることがわ　５　− かった。 ■　コロナ開始以前の電圧では、ＶＰ　　・Ｖｎとも低
く、両者はほぼ一致している。（第５図参照）■　逆電
離がおきない場合番コ、出力を増加させるに伴い、Ｖｐ
もＶ。も増加し、その差Ｖ１．−ＶＢも大きくなる。　
　しかし、Ｖｐ　　’Ｖｎが過度に大きくはならない。 （第６図参照） ■　逆電離がおきると、出力を増加させてもＶＢは増大
せず、逆に減少する。　Ｖｐは大きくなるのでＶＮ（−
ｖＰ−ＶＢ）は、非常に大きくイｆる。（第７図参照） さらに、ｖＮ（−ｖＰ−ＶＢ）とＶＢノ特性を求めると
、第１図に類似した第８図が得られた。 そこで第８図の点線で示す線を想定し、この線のどぢら
側にあるかで逆電離の発生を検出するのが本発明の原理
である。 第８図では、正常荷電と逆電離の境界線（点線）がＶｎ
とｖＮ（＝ｖ、−ｖＢ）　の関係として求められている
が、この図から境界線をｖＰとＶＢ　　の関係として求
めｍる。　それを第９図に示す。（折６− れ線で近似した。） ピーク電圧Ｖ　がり、えられた時谷底電１１τｖ１１が
第９図に示す、対応する■ヤの値を下まわわば逆１．ｔ
ｌ離と判定される。　さらに、このときｖＭ−■１．の
ち下りから立ち一１ユリに転する時、−い”・Ｊ−ノ「
わＩ′□ｉ　Ｓ’ｆ、　”）下り過程の終局時に、ｉ川
る■の飴が”１１に／「る。 を 立ち下り過程でＬｊ、　Ｖ　　＞　Ｖ　　であるから、
ｖ、がｎ 第９図のＶ　をＦまわってＪ−ｆればＶ　　ＩＩ必ず■
いＭ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　＋１を
下まわり逆電離と判定される。　そこで、１β１１時値
Ｖｔが■４を下まわった時点で、逆’１１ｆｌｉ’ｌｌ
ｌと判定することにする。　このようにずれば谷１１

【
電圧Ｖ１゜による判定より早い時点で判定でき、自動電
圧制御上、有利である。（谷底電圧ｖ１１でｉｔずてに
、立ち下り過程から立ち−１−りに転じようどしている
が、これは−次側で用イリスタＲ１１１ａｎ　ｔ、てい
る電ｉｊ：ｊにおいては、ヤイリスタが点弧した結果と
して１３きたものである。　すなわち、−リイリスクの
ゲートパルスが発せられた結果であり、この時点ての逆
電離検出は、ゲートパルスが発せられた後であるので、
制御が手遅れになる。） 瞬時値Ｖｔで逆電離を検出したら、その時点あるいは、
その後さらにＶ、が低下した時点でのＶ。 の値を、ＶＭと比較しｖＭ−Ｖｔを逆電離の大きさをあ
られず信号として出力する。 なお、このときｖＬがほとんどＯまで落ちこんでいると
きは、これは逆電離ではなくスパークが生じたのである
から、逆電離とはみなさない。 次にこのような検出回路の一実施例を述べる。 第１０図は、検出回路を集じん接電圧制御に組み込んだ
状態を示す。　二次電圧をＲ，・Ｒ２で分圧し、逆電離
検出回路の入力１とする。 サイリスク点弧開始信号２′は、逆電離検出回路の１回
の動作（電源交流半サイクルごとに１回の検出動作をく
りかえす。）のはじまりをトリガする信号として与えら
れる。 逆電離検出回路３は、逆電離の発生とその大きさを検知
し出力する。　この出力４により別の発明（昭和５６年
９月２８目何特許願（ロ）［電気集じん機における自動
↑Ｕ圧制？３１１装置−１）で述べた。１：うに、制御
回路５は動作する。　ずｌ「わｌつ、逆電離の検知と同
時に低荷電に切り変え、）φ’、ｌ　ｊ　Ｉｌｌの太き
さに応じた時間経過後高荷電に出力る一回復さ（ｌる」
：うな制御を行う制御回路５は、自動電圧制御間ログ回
路） 二次電圧信号は、二次電圧が負の値であるので負の信号
として人ってくるが、こわを市の信けに反転する。 集じん機雷源−次側シイリスクの点φ１【開始漬けが発
ゼられると、二次電圧＋：ｌ：　、１．　＆１に転する
ので、この点弧開始信号は集しん機二次電圧の谷底点の
時期とほぼ一致する。　この信号により瞬時、トランジ
スタＴｒ１　　をＯＮさ刊、コンデンリＣ１の電ｆ：Ｅ
　ＶＰを０にする。　次のド１間、ｉ”　ｒ　１　ｉＪ
’、　ＯＦ　Ｆ’　シ、二次電圧信号Ｖを５　ｉ−Ｊつ
ける。ｖ、＞ｖ、；４（ら、ダイオードＤ１　がＯＮし
、Ｃ１の電圧ｖ１１はＶ。 に等しくなる。　二次電圧が谷底点か「）ピーり値−〇
− に達するまでは、この動作が続くがピークを過ぎると１
ｖＰ＞ｖゎとなりＤｌは０ＦＦＬ、、ｖＰはピーク電圧
が記憶される。 Ａ１４ｆ高入力インピーダンスの増巾回路であり、Ｖｐ
の値をそのまま出力する。 Ａ２目関数発生回路であり、第９図の折れ線のように■
　の値に応じた逆電離境界電圧Ｖヶの値を出力する。 Ａ３は減算回路であり、■や−ｖｔの値を出力する。　
この値が負ならＤ２がＯＮＬ、”　ｏ　ｕ　ｔ→０とな
る。　これは、正常荷電と判定され、信号を０とした訳
である。 ■Ｍ−Ｖｔが正なら、この大きさが逆電離の太きさを示
す信号Ｖ。ｕｔとなる。　■、の大きさが、ある設定値
”ＳＰ　（１〜５Ｋｖに設定）以下なら、これはスバ−
りと判定される。　この設定値はポテンショメーターＲ
で設定し、これとＶ、の値を比較器Ａ４　が比較し、Ｖ
８Ｐ＞ｖ、なら、Ａ４がＯ出力となりトランジスタＴｒ
２がＯＮ＋、、Ａ３の出力■Ｍ−■、が正でも出力Ｖ。 。を０とする。 １０− このような動作に」；すＶＭＶ　、は、逆電離と判定さ
れ、かつスパークで１１ないと判定された時のめ出力Ｖ
。０．があられれる。　Ａ５け、スパーク時Ｔｒ□がＯ
Ｎするまでの短時間ＶＭ−Ｖ、がＶ。１□。 にあられれるのを防ぐためのフィルターである。 本回路で逆電離検出信号が発刊られたＩ＋’ｉ果、もし
サイリスタをしゃ断する」：つな制御が行われると、サ
イリスタ点弧信号が人ってこノ「いので０１に記憶され
ている■２の値は、いつまで・いセットされずに残る。 　一方、この場合現イリスタでしゃ断されているので、
■、はいつ才ても立ち１・りが続き、検出回路の出力Ｖ
。、、−；１Ｍ１ｉ増する。 このため弱い逆電離の場合でも放って：Ｉ３＜と逆電離
信号Ｖ。ｕｔが大きくなる。　これを防ぐため逆電離の
大きさの判定は、ある一定のタイミングたとえば、サイ
リスタゲ−１・信号があってから一定の時間（たとえば
電源交流半一リイクルの期間）紅過後に行い、この値を
ラッチするＪ：う４１回路が必要になる場合もある。　
これは本検出器によりどのような集じん接電圧制御をす
るかに」：り選択さ１１　− れるものである。 逆電離検出回路の別の実施例を第１２図、第１３図に示
す。（デジタル回路）ここでは電圧のピークＶＰを検出
後、電圧の瞬時値はある決められたタイミングで電圧波
形立ち下がり中、１回のみ検出される。　この電圧をサ
ンプリング値■。と呼、ｖ。 第１２図に逆電離検出装置の構成を示す本装置はピーク
値■　、サンプリング値■。検出回路１１と、それに二
次電圧を絶縁して供する為の絶縁増幅器１３及びマイク
ロコン１２とから成っている。 ピーク値、サンプリング値検出回路１１及びマイクロコ
ン１２には、検出開始の同期を取る為のサイリスク点弧
開始信号１１１が人力されている。 マイクロコン１２は、ピーク値、サンプリング値検出回
路１１からピーク値検出信号】５、ピーク値１６、サン
プリング値検出信号１７及びサンプリング値１８を受け
とって逆電離が発生したか否かを判断し、送Ｎ離が発生
したのであれば、逆電離検出信号１９と逆電離の大きさ
１１０とを出力する。 ピーク値、づンブリング値検出回路１１の構成を第１３
図に示す。又、その処理流れ図を第１４１２− 図に示す。　本回路＋１．．＊：ず最初にサイリスタ点
弧信号１１１の有無をチェックする（第１４図のブロッ
ク（以下Ｂ　Ｋと略ず）１）。　−サイリスタ点弧信号
１１１が来れば、Ａレジスタ１１３、＋ルリスタ１１５
、Ｃレジスタ１１Ｇ、ピーク値検出信号（以下ＶｐＦＬ
ＡＧ　）］、　５、基底値検出口シＪ（以下ＶＴＦＬＡ
Ｇ　）１７を全てクリアする。（１１に２）クリア信号
は制御部１１７から出さ、１１る。 次に制御部１］７から、Ａ／Ｄ変換器１１２に変換開始
指令が与えられ（ｎＫ３）、Ａ／Ｄ変換完了后、制御部
１１７からの信号でＡ　１．−リスク１１３は変換結果
を格納する。（ｒｌｒ（７Ｉ）Ａレジスタ１１３の内容
とＢレジスタ１１５の内容とは比較器１１４で常時比較
されて：１３す、その比較結果を制御部１１７でチェッ
クする（１１に５）。 その結果において、Ａ＜Ｂでなければ二次電圧は増加の
途中であると判断し、Ａレジスタの内容をＢレジスタに
格納する（　ｎ　Ｋ　６）。　ソシテ、Ａ／Ｄ変換を続
けて行ない１−記処即をくりかえず。 もしＡ（Ｂであれば、ずなわぢＡ〈］］１イ、−ｆ号゛
ＩＩ８１３− が立っていれば制御部１１７はＢレジスタ１１５に格納
されている値かピーク値と判断し、ｖ］）ＦＬＡＧ１５
を立てる（ＢＫ７）。　そして制御部１１７はサンプリ
ング値を計測するタイミングを測る為に、制御部１１７
内のＶＴタイマをスタートさせる（ＢＫ８）。ＶＴタイ
マがタイムアツプすれば（ＢＫ９）、制御部１１７はＡ
／Ｄ変換器１１２に変換開始を指示する（ＢＫＩＯ）。 　変換結果は制御部１１７からの指示により、Ｃレジス
タ１１６に格納される（ＢＫＩｌ、）。　ついで制御部
１１７はＶＴＦＬＡＧ　１７を設定しくＢＫＩ２）次の
サイリスク点弧開始信号１１１の来るのを待つ（ＢＫＩ
）。 第１５図がマイクロコン１２に入っている処理の流れ図
である。マイクロコン１２はまず、前記始 検出回路１１と同様にサイリスタ点弧開信号１１１が来
るのを待っている（ＢＫ２１）。サイリスタ点弧開始信
号１１１が来ると、逆電離検出信号（以下ｖＢｏＦＬＡ
Ｇ）１９及び逆電離の大きさく以下ＶＢｏ）１１０が立
っていたり設定されていれば＝　１４− クリアする（ＢＫ２２）。そしてＶｐＩいＴ、ＡＧ　１
５が前記検出回路１１から送られてくるのを待つ（ＢＫ
２３）。Ｖｐ　Ｆ　Ｉ、Ａ　Ｇ　１．５　カ送られてく
るトピーク値（以下Ｖｐ　）　６を読込む（１１に２／
Ｉ）。　マイクｏ　＝＋　ン］、　２は、ピーク値ｖ１
、からそわに対１ノー）匈−る逆電離境界電圧ｖヶを第
９図のグラフに従って求める。（ｎＫ２５） サンプリング値ｖ１、がＶＭを一ト：トわっていると逆
電離である。　ただし、Ｖｌ、が４ｉとんど０のときは
、逆電離でなく、スパークと考えられる。 そうしてマイクロコン１．２　ｆｊ前記検出回路１１か
らサンプリング電圧検出信号（Ｖ、−パ＋、Ａｃ　）　
Ｉ　Ｑが送られてくるのを待ツ（ＲＴ＜　２６　）。Ｖ
ＴＪ”ＬＡＧが送られてくるとマイクロコン１２ｉｊ、
゛リンブリング電圧（Ｖ　）を読む（ｎ　Ｋ　２７　）
。ｖ、Ｉ、の値はスパーりが発生した場合は極端に小い
＜ｆ、１″るのでその境界値をＶ８ｐ　とすると、逆電
部が発生している場合には逆電離境界電圧（ＶＭ）　、
、ｌ二ｊ＋−！Ｊコンリング電圧（ＶＴ）が小さく、か
つスパーク発生の境界値（ＶＳＰ）よりサンプリング４
／＋　（”Ｔ）が大　１５− きくなる。　従ってマイクロコン１２はＶｓＰ〈ｖＴく
ｖＭなるチェックを行う（ＢＫ２８）。 ｖＴがこの範囲外であれば逆電離が起っていないのでＢ
Ｋ２１へ戻り、次のサイリスタ点弧開始信号１１１がく
るのを待つ。 ＶＴがｖ８Ｐ＜ｖＴ＜ｖＭの範囲に入っていれば逆電離
が発生しているので、逆電離検出信号（ＢＣ電離の大き
さく　ｖｏ、□）とする（ＢＫ３０）。　そしてその逆
電離の大きさくＶｏｕｔ）を出プル（ＢＫ３１、ＢＫ２
１へ戻って次のサイリスタ点弧開始第１６図にサイリス
ク点弧信号及び二次電圧波形、検出器出力を示す。 サイリスタ点弧開始信号により検出器は■２の値がリセ
ットされる。　はぼ同時に二次電圧波形は、立ち上りは
じめピークにおいてＶＰの値が検出器のコンデンサ又は
レジスタに記憶され、それに応じた逆電離境界電圧ＶＭ
が演算される。 　１６− 電圧の瞬時値がＶＭまで落ちなりれば正常荷電と判断さ
れる。（第１６図の第１　Ｉｌｌ　ｌ’ｌの場合）電圧
の瞬時の値がｖＭを一トまわっても、さらにＶＳＰ　の
設定値をもドまわった場合ｃ４１スパークと判定され逆
電部検出信じ゛（月１１ない。（第１６［ηの第２山目
の場合） 電圧の瞬時値が■　を下まわり■８□）い設定値より大
きい場合は、逆電離と判断さねその大きさに応じた信号
Ｖ。、１．が出力される。（第１６図の第３山目の場合
）　この時、アナログの長体例では瞬時値ＶかＶ　を下
まわるとずく出力Ｖ。ｕＬがあ　　　Ｍ られれる。　デジタルの具体例では、ｖＴの検出がある
タイミングをもって行われるので、この検出により逆電
離と判断されれば出力Ｖ。ｕｔ　　があられれ、同時に
検出フラグが立つ。 以上層するに本発明は、′市気集じん装置の二次電圧波
形のピーク電圧と、該ビータ電圧時以後の電圧の瞬時値
を検出し、ピーク電圧の関数として求められる逆電離の
境界電圧と比較してその値の大小により逆電離の発生を
検知することを特徴とする逆電離検知方法であって、逆
電離の発生を瞬時（電源周波数の中サイクツ似下）に検
知することが１ｉｆ能であるから、その検知信号を電圧
制御装置にフィードバックすることにより電気集じん装
置の最適制御を可能ならしめる効果が期待でき、集じん
効率の向上に寄与するところ大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は逆電離現象の発生状況を検出するＶ　−■特性
図、第２図および第３図は電気集じん機の一般的な電気
回路図およびその等何回路を示す図、第４図（ａ）（ｂ
）はそれぞれ電気集じん装置におけるトランス二次巻線
の起電力および二次電圧とコロナ電流および二次電流の
変化を表わす図、第５図、第６図、第７図はそれぞれ二
次電圧波形のピーク値と谷底値との関係を示す図、第８
図は二次電圧波形のピーク値と谷底値との差と谷底値と
の関係を示す図、第９図は逆電離境界電圧とピーク電圧
との関係を示す図、第１０図は電気集じん装置の自動電
圧制御回路を示す図、第１１図は逆電離検出回路の一例
を示す図、第１２図、第１３図は逆電離検出回路の別の
実施例を示すデジタル回路図、第１４図は処理流れ１を
示す図、第１５図はマイ１８− クロコン１２に入っている処理の流ね図、第１６図はサ
イリスク点弧開始信号１３よび二次電圧波形検出器出力
を示す図である。　な才３、第１４図］３よび第１５図
ｆ１〜２９は処理流れの順序を示す数字である。 １・・・逆電離検出回路の入力　　２，２′・・・信シ
シ３・・・逆電離検出回路　　　　４・・・逆電離検出
回路の出力５・・・制御回路　　　　　　６・・・信す
７・・・自動電圧制御回路 １１・・・ピーク値、ザンブリング値検出回路１２・・
・マイクロコン　　　　１３・・・１６　Ａ’Ｘ　増’
Ｉ’！１１　器１４・・・二次電圧 １５・・・ピーク値検出信号（ｖ、　Ｆｒ、ｈａ　）１
６・・・ピーク値（ｖＰ） １７・・ヤンプリング値検出信ｇ　（ｖＴｒｒｔ、ＡＧ
）値 １８・・・サンプリンクπＶ、） １９−・・逆電離検出信６″（ｖｎｏＦｒ、ｈａ　）１
１０・・、逆電離の大きさく　”ｏｕｔ　）１１１・・
サイリスタ点弧開始信号 １１２・・・Ａ／Ｄ変換器　　１１３・・・Ａレジスタ
　１９− １１４・・・比較器　　　　１１．５・・・Ｂレジスタ
１１６・・・Ｃレジスタ　　１１７・・制御部１１８・
・・Ａ（Ｂ信号 ■・・・・・・・・・放電極　　　　Ｔ・・・・・・・
・・集じん極Ｓ・・・・・・・・整流ｕ　　　　　ｗ・
・・・・・・・・トランスＣ・・・・・・・・静電容量 Ｒ・・・コロナ放電と等価な抵抗 ２０− 罵了図 第１２閃 ／ＩＩ 馬１３図 手続補正書 陥和５７年４月５日 特許庁長官　島田春樹　殿 １　事件の表示 特願昭５６−１６４０８７号 ２　発明の名称 電気集じん装置における逆電離現象検知方法３、補正を
する者 代表者　西　村　恒三部 本代理人 自発補正 ６、補正の対象 明細　書　及び図面 ７　補正の内容 別紙のとおり ■、明細書第１頁第４行目以下の「２、特許請求の範囲
」を以下のように訂正する。 ［２、特許請求の範囲 （１）電気集じん装置の２次電圧波形のピーク電圧と、
該ピーク電圧時以後の電圧の瞬時値を検出し、該ピーク
電圧の関数として求められる逆電離の境界電圧と比較し
てその値の大小により逆電離の発生を検出することを特
徴とする電気集塵装置における逆電離現象検知方法。 により与えられることを特徴とする上記検知方法。 λ　明細書第７頁第１行目と第２行目の間に以下の文を
挿入する。 「逆電離境界電圧Ｖｎはピーク電圧ｖｐに対し、飽和特
性をもった関数形状となっている。　こ１− の飽和レベル（第９図ではＶｎ　＝　１５１（Ｖ　）は
逆電離がまだ生じない条件たとえば、荷電開始直後にお
ける２次電圧波形のボトム値より３〜５ＫＶ　低く設定
すればよいことを実験により確認した。　逆電離がおき
ていないとぎは、２次電圧波形のボトム値ｉＪ高く、逆
電離が発生ずると、ボトム値が低くなるので２次電圧の
ボトム値の最高値を検知してそれより３〜５１（Ｖ低い
ところに逆電離境界電圧の飽和レベルを設定すればよい
。」 ３、図面第８図および第９図１第１１図を添付の１！而
に訂正する。 ２− ＶＢ ＶＮ（＝Ｖｐ　ＶＢ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電気集じん装置の２次電圧波形のピーク電圧と、該ピー
   ク電圧時以後の電圧の瞬時値を検出し、該ピーク電圧の
   関数として求められる逆電離の境界電圧と比較して、そ
   の値の大小により逆電離の発生を検出することを特徴と
   する電気集じん装置における逆電離現象−検知方法。