JPS5866028A - 光−抵抗値変換素子を用いた測定回路 - Google Patents
光−抵抗値変換素子を用いた測定回路Info
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- JPS5866028A JPS5866028A JP16406281A JP16406281A JPS5866028A JP S5866028 A JPS5866028 A JP S5866028A JP 16406281 A JP16406281 A JP 16406281A JP 16406281 A JP16406281 A JP 16406281A JP S5866028 A JPS5866028 A JP S5866028A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 16
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 8
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 244000275904 brauner Senf Species 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は放射温度計等に用いられ、放射エネルギーを抵
抗値変化として取９出す光−抵抗値変換素子、およびこ
の光−抵抗変換素子を用いた直流温度ドリフト補償回路
に関するものである。
抗値変化として取９出す光−抵抗値変換素子、およびこ
の光−抵抗変換素子を用いた直流温度ドリフト補償回路
に関するものである。
放射温度計は被測定体からの放射エネルギーを光−抵抗
値変換素子上に集光させて、光量に応じた抵抗値変化全
電気的に取り出して被測足体の温度を計測するのである
が、一般に放射温度計は周温の変化に影響されて直流的
なドリフ）１−生じ易いという欠点があり、これを防止
するために、チョッパを用いて入射光を断続させて光−
抵抗値変換素子からの信号を交流信号として取り出し、
直流的なドリフトラなくする方法が用いられている。
値変換素子上に集光させて、光量に応じた抵抗値変化全
電気的に取り出して被測足体の温度を計測するのである
が、一般に放射温度計は周温の変化に影響されて直流的
なドリフ）１−生じ易いという欠点があり、これを防止
するために、チョッパを用いて入射光を断続させて光−
抵抗値変換素子からの信号を交流信号として取り出し、
直流的なドリフトラなくする方法が用いられている。
しかしながら上記のような交流信号として取り出す方法
は、チョッノ４′ヲ駆動するモータを必要とし、その機
械的な信頼性に問題があると共に％電力消費量が大きく
携帯用の放射温度計には不適であるという問題がある。
は、チョッノ４′ヲ駆動するモータを必要とし、その機
械的な信頼性に問題があると共に％電力消費量が大きく
携帯用の放射温度計には不適であるという問題がある。
また、温度補償を外部の温度補償素子を用いて行う方法
も考えられるが、検出素子と熱容量、熱伝導率の異なる
別の補償素子では、正確に補償することは困難であシ、
特に温度の急変には追従できないといった問題がある。
も考えられるが、検出素子と熱容量、熱伝導率の異なる
別の補償素子では、正確に補償することは困難であシ、
特に温度の急変には追従できないといった問題がある。
本発明は１以上のような点に鑑みて成されたものであり
、上述した問題点を克服し、チョッノ平等の機械的装置
音用いなくとも直流的なドリフｌ−生じさせるおそれの
ない放射温度計等を構成することができる光−抵抗値変
換素子およびこの素子を用いた直流温度ドリフト補償回
路を提供することを目的とするものである。
、上述した問題点を克服し、チョッノ平等の機械的装置
音用いなくとも直流的なドリフｌ−生じさせるおそれの
ない放射温度計等を構成することができる光−抵抗値変
換素子およびこの素子を用いた直流温度ドリフト補償回
路を提供することを目的とするものである。
本発明の１つは、ステムと、該ステム上に設けられる少
なくとも３個のサーミスタボロメータと。
なくとも３個のサーミスタボロメータと。
上記ステム上に取シ付けられ、上記各サーミスタボロメ
ータを密閉状に覆うキャップと、上記サーミ、Ｘ、 夕
Ｎ ｏ メータのうち１個のサーミスタゴロメータにお
ける受光面と対向する上記キャップの一部ニ形成される
採光窓と、上記サーミスタＮｏ）−タにおける残シのサ
ーミスタゾロメータの受光面と上記採光窓との間に設け
られる遮光板と、全具備する光−抵抗値変換素子の発明
であり、もう１つの発明に上記光−抵抗値変換素子を用
いた直流温度ドリフト補償回路の発明であって、上記サ
ーミスタボロメータのうち採光窓と対向する受光面を有
するサーミスタゴロメータは放射エネルギー’に受ける
エネルギー検出抵抗として用いられ。
ータを密閉状に覆うキャップと、上記サーミ、Ｘ、 夕
Ｎ ｏ メータのうち１個のサーミスタゴロメータにお
ける受光面と対向する上記キャップの一部ニ形成される
採光窓と、上記サーミスタＮｏ）−タにおける残シのサ
ーミスタゾロメータの受光面と上記採光窓との間に設け
られる遮光板と、全具備する光−抵抗値変換素子の発明
であり、もう１つの発明に上記光−抵抗値変換素子を用
いた直流温度ドリフト補償回路の発明であって、上記サ
ーミスタボロメータのうち採光窓と対向する受光面を有
するサーミスタゴロメータは放射エネルギー’に受ける
エネルギー検出抵抗として用いられ。
他のサーミスタ？ロメ〜りのうち一方に、上記エネルギ
ー検出抵抗と直列に接続される負荷抵抗として用いられ
、他方は周温補償抵抗として用いられており、この周温
補償抵抗及び該補償抵抗と直列に接続される抵抗と、上
記エネルギー検出抵抗及び負荷抵抗とは並列に接続され
、その並列接続された両端は直流バイアス電源と接続さ
れていると共に、上記エネルギー検出抵抗と負荷抵抗と
の間に発生する電圧を増幅する第１の増幅器と、上記周
温補償抵抗と該補償抵抗に直列接続されている抵抗との
間に発生する電圧全増幅し、上記第１の増幅器の出力信
号とは逆の特性の信号を作り出す第２の増幅器と、上記
第１の増幅器の出力と第２の増幅器の出力とを加算して
その結果を出力する加算器と、を具備するものである。
ー検出抵抗と直列に接続される負荷抵抗として用いられ
、他方は周温補償抵抗として用いられており、この周温
補償抵抗及び該補償抵抗と直列に接続される抵抗と、上
記エネルギー検出抵抗及び負荷抵抗とは並列に接続され
、その並列接続された両端は直流バイアス電源と接続さ
れていると共に、上記エネルギー検出抵抗と負荷抵抗と
の間に発生する電圧を増幅する第１の増幅器と、上記周
温補償抵抗と該補償抵抗に直列接続されている抵抗との
間に発生する電圧全増幅し、上記第１の増幅器の出力信
号とは逆の特性の信号を作り出す第２の増幅器と、上記
第１の増幅器の出力と第２の増幅器の出力とを加算して
その結果を出力する加算器と、を具備するものである。
次に本発明の一実施例′ｆ：図面について説明する。
第１図は本発明に係る光−抵抗値変換素子の正面図であ
り、第２図、第３図は同断面図である。図中ＩＨ先光−
抗値変換素子であり、この光−抵抗値変換素子１は、外
部リード端子２が埋設されている円盤状のステム３を有
し、とのステム３上に第１．第２．第３のサーミスタゴ
ロメータＲａ 、 Ｒｃ 。
り、第２図、第３図は同断面図である。図中ＩＨ先光−
抗値変換素子であり、この光−抵抗値変換素子１は、外
部リード端子２が埋設されている円盤状のステム３を有
し、とのステム３上に第１．第２．第３のサーミスタゴ
ロメータＲａ 、 Ｒｃ 。
Ｒｘが該ステム３と電気的に絶縁された状態で設けられ
ており、この各サーミスタゴロメータＲａ、Ｒｃ。
ており、この各サーミスタゴロメータＲａ、Ｒｃ。
Ｒｘは互いに同等とされる熱容量及び熱電導率を有して
いる。上記第１のサーミスタボロメータＲａｉステム３
の中央部にその受光面Ｃを上方に向けて設置され、第２
．第３のサーミスタボロメータＲｅ、 Ｒｘは第１のサ
ーミスタゾロメータＲａの両側にその受光面Ｃ？上方に
向けて設置されており、この第１のサーミスタがロメー
タＲａと第２のサーミスタゾロメータＲｃとの間、及び
第１のサーミスタゾロメータＲａと第３のサーミスタゾ
ロメータＲｘとの間にはく字状に折曲された遮光板４．
４が取り付けられている。また、前記リード端子２は、
ガラスアイレット５を介してステム３に取り付けられ、
このリード端子２の一端はステム３の上面に露出されて
おり、このリード端子２の一端と前記各サーミスタボロ
メータＲａ、 Ｒｃ、 Ｒｘ との間ｕボンディング
ワイヤ６．６・・・より適宜電気的な接続が行われてい
る。さらに、前記ステム３上ＶＣｉｉ。
いる。上記第１のサーミスタボロメータＲａｉステム３
の中央部にその受光面Ｃを上方に向けて設置され、第２
．第３のサーミスタボロメータＲｅ、 Ｒｘは第１のサ
ーミスタゾロメータＲａの両側にその受光面Ｃ？上方に
向けて設置されており、この第１のサーミスタがロメー
タＲａと第２のサーミスタゾロメータＲｃとの間、及び
第１のサーミスタゾロメータＲａと第３のサーミスタゾ
ロメータＲｘとの間にはく字状に折曲された遮光板４．
４が取り付けられている。また、前記リード端子２は、
ガラスアイレット５を介してステム３に取り付けられ、
このリード端子２の一端はステム３の上面に露出されて
おり、このリード端子２の一端と前記各サーミスタボロ
メータＲａ、 Ｒｃ、 Ｒｘ との間ｕボンディング
ワイヤ６．６・・・より適宜電気的な接続が行われてい
る。さらに、前記ステム３上ＶＣｉｉ。
前記各サーミスタがロメータＲａ、 Ｒｃ、 Ｒｘ
とリード端子２の一端と、デンディングワイヤ６．６・
・・と、遮光板４．４とを密閉状に覆う不透光性のキャ
ップ７が取り付けられておシ、このキャップ７は、前記
ステム３と略同径とされる偏平な筒体７ａが一体に形成
された構造とされ、この円板７ｂの中央部における前記
遮光板４．４の範囲内には円形の採光窓部８が形成され
ている。上記採光窓部８［ｕフィルタ９が取り付けられ
、該フィルタ９によリキャツプ７内の気密性が保持され
ていると共に、そのフィルタ９として赤外光透過フィル
タが用いられているので、この光−抵抗値変換素子１は
赤外光の波長範囲に感応する素子とされている。
とリード端子２の一端と、デンディングワイヤ６．６・
・・と、遮光板４．４とを密閉状に覆う不透光性のキャ
ップ７が取り付けられておシ、このキャップ７は、前記
ステム３と略同径とされる偏平な筒体７ａが一体に形成
された構造とされ、この円板７ｂの中央部における前記
遮光板４．４の範囲内には円形の採光窓部８が形成され
ている。上記採光窓部８［ｕフィルタ９が取り付けられ
、該フィルタ９によリキャツプ７内の気密性が保持され
ていると共に、そのフィルタ９として赤外光透過フィル
タが用いられているので、この光−抵抗値変換素子１は
赤外光の波長範囲に感応する素子とされている。
次に、上記光−抵抗値変換素子１が用いられている直流
温度ドリフト補償回路を第４図について説明する。図中
１０が直流温度ドリフト補償回路であり、前記第１．第
２１第３のサーミスタゾロメータＲａ、 Ｒｃ、 Ｒｘ
と、第１外部接続抵抗Ｒｂとによシプリｉツ′ジ回路１
１が構成され、第１．第２のサーミスタメロメータＲａ
、Ｒｃが直列に接続されておシ。
温度ドリフト補償回路を第４図について説明する。図中
１０が直流温度ドリフト補償回路であり、前記第１．第
２１第３のサーミスタゾロメータＲａ、 Ｒｃ、 Ｒｘ
と、第１外部接続抵抗Ｒｂとによシプリｉツ′ジ回路１
１が構成され、第１．第２のサーミスタメロメータＲａ
、Ｒｃが直列に接続されておシ。
第１のサーミスタゾロメータＲａがエネルギー検出抵抗
とされ、第２のサーミスタゾロメータＲｃが負荷抵抗と
されている。また上記第３のサーミスタボロメータＲｘ
と第１外部接続抵抗Ｒｂとが直列に接続され、この第３
のサーミスタボロメータＲｘが周温補償抵抗とされてお
υ、上記第１のサーミスタボロメータＴＬａと第３のサ
ー′ミスタがロメータＲｘとの接続部にはバイアス電圧
＋Ｅｖが加えられ、第２のサーミスタがロメータＲｃと
第１外部接続抵抗ａｂとの接続部にはバイアス電源−Ｅ
ｖが加えられている。さらに、上記第３のサーミスタボ
ロメータＲｘと並列に第２外部接続抵抗Ｒｄが接続され
ており。
とされ、第２のサーミスタゾロメータＲｃが負荷抵抗と
されている。また上記第３のサーミスタボロメータＲｘ
と第１外部接続抵抗Ｒｂとが直列に接続され、この第３
のサーミスタボロメータＲｘが周温補償抵抗とされてお
υ、上記第１のサーミスタボロメータＴＬａと第３のサ
ー′ミスタがロメータＲｘとの接続部にはバイアス電圧
＋Ｅｖが加えられ、第２のサーミスタがロメータＲｃと
第１外部接続抵抗ａｂとの接続部にはバイアス電源−Ｅ
ｖが加えられている。さらに、上記第３のサーミスタボ
ロメータＲｘと並列に第２外部接続抵抗Ｒｄが接続され
ており。
第１のサーミスタゾロメータＲａと第２のサーミスタボ
ロメータＲｃとの接続部は第１の演算増幅器ＯＰ１の入
力端と接続され、第３のサーミスタボロメータＲ×と第
１外部接続抵抗Ｒｂとの接続部は第２の演算増幅器ＯＰ
２の入力端に接続されている。上記第１、第２の演算増
幅器ＯＰ１．ＯＰ２の各出力側は、この各増幅器ｏｐ、
、 ｏｐ２の出力ｖｔ＋ｖ３に加算してその演算結果
を出力端子１３よシ出力する加算器１２に接続されてい
る。
ロメータＲｃとの接続部は第１の演算増幅器ＯＰ１の入
力端と接続され、第３のサーミスタボロメータＲ×と第
１外部接続抵抗Ｒｂとの接続部は第２の演算増幅器ＯＰ
２の入力端に接続されている。上記第１、第２の演算増
幅器ＯＰ１．ＯＰ２の各出力側は、この各増幅器ｏｐ、
、 ｏｐ２の出力ｖｔ＋ｖ３に加算してその演算結果
を出力端子１３よシ出力する加算器１２に接続されてい
る。
次に、上述した光−抵抗値変換素子１と、直流温度ドリ
フト補償回路１００作用を説明する。
フト補償回路１００作用を説明する。
１ず、光−抵抗値変換素子１の採光窓部８に被測定体（
図示せず）刀１ら放射エネルギーが集光されると、この
窓部８に取り付けられているフィルタ９により赤外光が
選択されて第１のサーミスタゾロメータＲａの受光面Ｃ
に赤外光が照射される。
図示せず）刀１ら放射エネルギーが集光されると、この
窓部８に取り付けられているフィルタ９により赤外光が
選択されて第１のサーミスタゾロメータＲａの受光面Ｃ
に赤外光が照射される。
こうして第１のサーミスタボロメータＲａは上記赤外光
の光量に応じた抵抗値を有することになるが。
の光量に応じた抵抗値を有することになるが。
この第１のサーミスタボロメータＲａの両側に設けられ
ている第２．第３のサーミスタボロメータＲｃ 、 Ｒ
ｘについては、キャップ７と遮光板４．４により遮光さ
れているため照射される光には影響されず、その周温の
みに応じた抵抗値を有することになる。すなわち、第２
．第３のサーミスタボロメータＲｃ、Ｒｘは、第１のサ
ーミスタボロメータＲａと同一パツケーノ内にあるため
第１のサーミスタゾロメータＲａと同等の温度条件下に
置かれていることと、各サーミスタボロメータＲａ、Ｒ
ｃ、Ｒｘｕ互いに同等とされる熱容量及び熱伝導率を有
しているため、各サーミスタゾロメータＲａ、 Ｒｃ、
Ｒｘは周温の変化に対１．てその抵抗値が同率で変動
することになる。。
ている第２．第３のサーミスタボロメータＲｃ 、 Ｒ
ｘについては、キャップ７と遮光板４．４により遮光さ
れているため照射される光には影響されず、その周温の
みに応じた抵抗値を有することになる。すなわち、第２
．第３のサーミスタボロメータＲｃ、Ｒｘは、第１のサ
ーミスタボロメータＲａと同一パツケーノ内にあるため
第１のサーミスタゾロメータＲａと同等の温度条件下に
置かれていることと、各サーミスタボロメータＲａ、Ｒ
ｃ、Ｒｘｕ互いに同等とされる熱容量及び熱伝導率を有
しているため、各サーミスタゾロメータＲａ、 Ｒｃ、
Ｒｘは周温の変化に対１．てその抵抗値が同率で変動
することになる。。
次に、補償回路１００作用を説明する。尚、ここでは第
１のサーミスタがロメータＲａｉエネルギー検出抵抗Ｒ
ａとして、第２のサーミスタ？ロメータＲ，ｃ′ｔ−負
荷抵抗Ｒｃとして、また第３のサーミスタゾロメータＲ
ｘを周温補償抵抗として説明する。
１のサーミスタがロメータＲａｉエネルギー検出抵抗Ｒ
ａとして、第２のサーミスタ？ロメータＲ，ｃ′ｔ−負
荷抵抗Ｒｃとして、また第３のサーミスタゾロメータＲ
ｘを周温補償抵抗として説明する。
まず、検出抵抗Ｒａと負荷抵抗Ｒｃとを流れる電流ｔ？
Ｉｉとし、入射エネルギーによる検出抵抗Ｒａの変化量
をΔＲａとすると、検出抵抗Ｒａと負荷抵抗Ｒｃとの間
に発生する電圧Ｖは次式■工り得られる。
Ｉｉとし、入射エネルギーによる検出抵抗Ｒａの変化量
をΔＲａとすると、検出抵抗Ｒａと負荷抵抗Ｒｃとの間
に発生する電圧Ｖは次式■工り得られる。
Ｒｃ −Ｒａ−２ΔＲａ 、Ｅ 、００．、、
（Ｉ）ｖ＝−■Ｔ麻−一 ■式においてＲａ ＝−ＲＣならば ４ ・・・・・・■ｖ＝１丁ΔＲ ここで検出抵抗Ｒａの０℃での抵抗をＲｏ（Ｔｏ）、サ
ーミ２りｉ定数をＢ、絶対温度翰をＴｏ、周温をＴとす
ると、検出抵抗Ｒａと絶対温度の関係は。
（Ｉ）ｖ＝−■Ｔ麻−一 ■式においてＲａ ＝−ＲＣならば ４ ・・・・・・■ｖ＝１丁ΔＲ ここで検出抵抗Ｒａの０℃での抵抗をＲｏ（Ｔｏ）、サ
ーミ２りｉ定数をＢ、絶対温度翰をＴｏ、周温をＴとす
ると、検出抵抗Ｒａと絶対温度の関係は。
１
Ｒａ（Ｔ） ＝Ｒｏ（Ｔｏ） ｅｘｐ（Ｂ（Ｗ −ｚ月
で表わされ、 が得られ、上式■、■より ・＝〒Ｅ°ΔＴ と表わすことができる。従って入射エネルギーの変化を
直流的にとりだすことができる。
で表わされ、 が得られ、上式■、■より ・＝〒Ｅ°ΔＴ と表わすことができる。従って入射エネルギーの変化を
直流的にとりだすことができる。
然しながら検出抵抗Ｒａと負荷抵抗ＲｅにおけるＢ足数
を、完全に一致させることは不可能であるから■式にお
ける電圧Ｖは周温に依存したものとなる６゜すなわち、
第１の演算増幅器０Ｐ１ｉ介して出力される電圧Ｖｌは
第５図に示すグラフで示されるように周温に対してＬｌ
というドリフトが生ずることになり、このり、上に入射
エネルギーによる変化Ｓが存在することになる。
を、完全に一致させることは不可能であるから■式にお
ける電圧Ｖは周温に依存したものとなる６゜すなわち、
第１の演算増幅器０Ｐ１ｉ介して出力される電圧Ｖｌは
第５図に示すグラフで示されるように周温に対してＬｌ
というドリフトが生ずることになり、このり、上に入射
エネルギーによる変化Ｓが存在することになる。
ここにおいて、前記周温補償抵抗Ｒｘが同一パッケージ
内に納められているので、検出抵抗Ｒａと負荷抵抗Ｒｃ
の周温変化はこの周温補償抵抗Ｒｘよシ検出することが
できる。従って、抵抗Ｒｂ、Ｒｄにより電ｆｆｖの周温
変化と逆の特性の信号Ｖ２ｔ’取シ出し。
内に納められているので、検出抵抗Ｒａと負荷抵抗Ｒｃ
の周温変化はこの周温補償抵抗Ｒｘよシ検出することが
できる。従って、抵抗Ｒｂ、Ｒｄにより電ｆｆｖの周温
変化と逆の特性の信号Ｖ２ｔ’取シ出し。
第２の演算増幅器ＯＰ２において電圧Ｖｌと逆の特性の
信号Ｖｓｔ作シ出すと共に、その電圧Ｖｌとｖ３の信号
を加算器１２に入力させると２その加算器１２の出力ｖ
（、は１周温による直流的なドリフトが取り除かれて、
入射エネルギーに比例した出力信号Ｓが得られることに
なる。すなわち、第２の演算増幅器ＯＰ２の出力は第゛
６図のグラフ図で示すように周温に対してＬｌの傾斜を
有しておシ、この傾斜５２分が前記ドリフト分を相殺し
、加算器１２の出力は第７図に示すように入射エネルギ
ーに比例した出力となる。
信号Ｖｓｔ作シ出すと共に、その電圧Ｖｌとｖ３の信号
を加算器１２に入力させると２その加算器１２の出力ｖ
（、は１周温による直流的なドリフトが取り除かれて、
入射エネルギーに比例した出力信号Ｓが得られることに
なる。すなわち、第２の演算増幅器ＯＰ２の出力は第゛
６図のグラフ図で示すように周温に対してＬｌの傾斜を
有しておシ、この傾斜５２分が前記ドリフト分を相殺し
、加算器１２の出力は第７図に示すように入射エネルギ
ーに比例した出力となる。
これは数式で説明すると。
Ｒａ〆Ｒｃの場合にｖ、、ｖ２Ｆｉ、
で表わされ。
いから。
ΔＲ＜ Ｒａ 、 Ｒｃ Ｋ工り
第２の演算増幅器ＯＰ２′ｔ−通して
となるようなＲｘ、 Ｒｈ、 ｉ’ｔｃｔ ｆ求めれば
。
。
直流的な温度ドリフトは除去されることになる。
なお１本発明は放射温度計のみならず水分計等の光を媒
体とする計測機器に広く使用することができるものであ
る。
体とする計測機器に広く使用することができるものであ
る。
以上説明したように本発明°に係る光−抵抗値変換素子
によれば、第１．第２．第３のサーミスタゾロメータが
四−ノ９ツケージ内に組み込まれ、エネルギー検出抵抗
としてのサーミスタゴロメータ以外のサーミスタボロメ
ータは遮光されているので、エネルギー検出抵抗として
用いられるサーミスタゾロメータの周温を、他のサーミ
スタボロメータにより高精度で検出することができる効
果があセ、特に温度の急変があっても容易に追従できる
効果がある。
によれば、第１．第２．第３のサーミスタゾロメータが
四−ノ９ツケージ内に組み込まれ、エネルギー検出抵抗
としてのサーミスタゴロメータ以外のサーミスタボロメ
ータは遮光されているので、エネルギー検出抵抗として
用いられるサーミスタゾロメータの周温を、他のサーミ
スタボロメータにより高精度で検出することができる効
果があセ、特に温度の急変があっても容易に追従できる
効果がある。
また本発明に係る補償回路によればドリフト分を、逆の
特性の信号を作シ出して相殺させるようにしたので、電
気的構成のみによ°つて、＠流温度ドリフトヲ補償する
ことができる効果があり、チョッパ等の機械的な装置を
必要とせず、消費電力も小さいという効果がある。従っ
て信頼性が高く。
特性の信号を作シ出して相殺させるようにしたので、電
気的構成のみによ°つて、＠流温度ドリフトヲ補償する
ことができる効果があり、チョッパ等の機械的な装置を
必要とせず、消費電力も小さいという効果がある。従っ
て信頼性が高く。
コン・セクトで安価な放射温度計を提供することができ
る効果がある。
る効果がある。
第１図は本発明に係る光−抵抗値変換素子の一実施例を
示す正面図、第２図は同縦断面図、第３図は同横断面図
、第４図は本発明に係る補償回路の一実施例を示す回路
図、第５．６．７図は同回路の動作を説明するグラフ図
である。 ３・・・ステム、４・・・遮光板、７キヤツプ、８・・
・採光窓部、Ｒａ・・・エネルギー検出抵抗としての第
１のサーミスタボロメータ％Ｒｃ・・・負荷抵抗として
の第２のサーミスタボロメータ、 Ｒｘ・・・周温補償
抵抗としての第３のサーミスタゾロメータ、Ｃ・・・受
光面、Ｒｂ、Ｒｄ・・・抵抗、 十Ｅｖ 、−Ｂｖ・・
・直流バイアス電源。 ＯＰｌ・・・第１の増幅器、ＯＦ２・・・第２の増幅器
、１２・・・加算器。 特許出願人 株式会社千野製作所 代理人 井理士 西 村 教 光第４図 ＋Ｅｙ １０ １４８−
示す正面図、第２図は同縦断面図、第３図は同横断面図
、第４図は本発明に係る補償回路の一実施例を示す回路
図、第５．６．７図は同回路の動作を説明するグラフ図
である。 ３・・・ステム、４・・・遮光板、７キヤツプ、８・・
・採光窓部、Ｒａ・・・エネルギー検出抵抗としての第
１のサーミスタボロメータ％Ｒｃ・・・負荷抵抗として
の第２のサーミスタボロメータ、 Ｒｘ・・・周温補償
抵抗としての第３のサーミスタゾロメータ、Ｃ・・・受
光面、Ｒｂ、Ｒｄ・・・抵抗、 十Ｅｖ 、−Ｂｖ・・
・直流バイアス電源。 ＯＰｌ・・・第１の増幅器、ＯＦ２・・・第２の増幅器
、１２・・・加算器。 特許出願人 株式会社千野製作所 代理人 井理士 西 村 教 光第４図 ＋Ｅｙ １０ １４８−
Claims (2)
- （１） ステムと、該ステム上に設けられる少なくと
も３個のサーミスタがロメータと、上記ステム上に取シ
付けられ、上記各サーミスタボロメータを密閉状に覆う
キャップと、上記サーミスタがロメータのうち１個のサ
ーミスタゾロメータにおける受光面と対向する上記キャ
ップの一部に形成される採光窓と、上記サーミスタゾロ
メータにおける残シのサーミスタゾロメータの受光面と
上記採光窓との間に設けられる遮光板と、を具備するこ
とを特徴とする光−抵抗値変換素子。 - （２）ステムと、該ステム上に設けられる少なくとも３
個のサーミスタゾロメータと、上記ステム上に取り付け
られ、上記各サーミスタがロメータを密閉状に覆うキャ
ップと、上記サーミスタゾロメータのうち１個のサーミ
スタボロメータにおける受光面と対向する上記キャップ
の一部に形成される採光窓と、上記サーミスタボロメー
タにおける残りのサーミスタがロメータの受光面と上記
採光窓との間に設けられる遮光板と、を具備する光−抵
抗値変換素子を用いた直流温度ドリフト補償回路であっ
て、上記サーミスタがロメータのうち採光窓と対向する
受光面を有するサーミスタゾロメータは、放射エネルギ
ーを受けるエネルギー検出抵抗として用いられ、他のサ
ーミスタボロメータのうち一方は、上記エネルギー検出
抵抗と直列に接続される負荷抵抗として用いられ、他方
は周温補償抵抗として用いられており、この周温補償抵
抗及び該補償抵抗と直列に接続される抵抗と、上記エネ
ルギー検出抵抗及び負荷抵抗とは並列に接続され。 その並列接続された両端は直流バイアス電源と接続され
ていると共に、上記エネルギー検出抵抗と負荷抵抗との
間に発生する電圧を増幅する第１の増幅器と、上記周温
補償抵抗と該補償抵抗に直列接続されている抵抗との間
に発生する電圧を増幅し、上記第１の増幅器の出力信号
とは逆の特性の信号を作り出す第２の増幅器と、上記第
１の増幅器の出力と第２の増幅器の出力とを加算してそ
の結果を出力する加算器と、を具備することを特徴とす
る補償回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16406281A JPS5866028A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 光−抵抗値変換素子を用いた測定回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16406281A JPS5866028A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 光−抵抗値変換素子を用いた測定回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5866028A true JPS5866028A (ja) | 1983-04-20 |
| JPS6257211B2 JPS6257211B2 (ja) | 1987-11-30 |
Family
ID=15786051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16406281A Granted JPS5866028A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 光−抵抗値変換素子を用いた測定回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5866028A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6174848U (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-20 | ||
| JPS6192838U (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-16 | ||
| JPS63501818A (ja) * | 1985-10-10 | 1988-07-21 | ロ−ベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 熱放射センサ |
| US6034369A (en) * | 1996-11-27 | 2000-03-07 | Nec Corporation | Thermal infrared detecting device capable of detecting infrared rays without influence of operating temperature |
| JP2003028721A (ja) * | 2001-07-18 | 2003-01-29 | Fuji Xerox Co Ltd | 温度検知装置及びこれを用いた定着装置 |
| JP2013003014A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Tdk Corp | 赤外線センサ |
| WO2018225840A1 (ja) * | 2017-06-08 | 2018-12-13 | 北陸電気工業株式会社 | 赤外線センサデバイス及びその製造方法並びに赤外線センサデバイス・ユニット |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5566724A (en) * | 1978-11-15 | 1980-05-20 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Infrared rays detecting device |
-
1981
- 1981-10-16 JP JP16406281A patent/JPS5866028A/ja active Granted
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| JPWO2018225840A1 (ja) * | 2017-06-08 | 2020-05-28 | 北陸電気工業株式会社 | 赤外線センサデバイス及びその製造方法並びに赤外線センサデバイス・ユニット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6257211B2 (ja) | 1987-11-30 |
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