JPS5861682A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
- Publication number
- JPS5861682A JPS5861682A JP56161280A JP16128081A JPS5861682A JP S5861682 A JPS5861682 A JP S5861682A JP 56161280 A JP56161280 A JP 56161280A JP 16128081 A JP16128081 A JP 16128081A JP S5861682 A JPS5861682 A JP S5861682A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- region
- guard ring
- germanium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 45
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 73
- 238000000098 azimuthal photoelectron diffraction Methods 0.000 description 30
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 14
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 6
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 4
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 101150049414 IMH1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- -1 boron ion Chemical class 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000004243 sweat Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体受光素子、特Ｋ、アバランシェフォトダ
イオード（以下人ＰＤという。）Ｋ関する。許しくけ、
１μｍ波長域に感光域を有するゲルマニュウムを使用し
た人ＰＤの過剰雑音を減少させる改良に関する。
イオード（以下人ＰＤという。）Ｋ関する。許しくけ、
１μｍ波長域に感光域を有するゲルマニュウムを使用し
た人ＰＤの過剰雑音を減少させる改良に関する。
人ＰＤは、受光部に入射した光の有するエネルギーにも
とづ色発生された電子又は正孔を、ＰＮ接合の両端に印
加された降伏電圧に近い高さの逆バイアスによって発生
している空乏層中でアバランシェ増倍されるととＫより
高効率の光電変換作用な実現することを基本原理とする
半導体受光素子であり、半導体の有する基礎吸収端波長
にしたがって感光波長域が決定される。そして、高増培
率、低暗電流、高量子効率（出力電力と入力光の有する
エネルギーとの比）、低雑音、高速応答性等の特性がす
ぐれていることが望ましい。又、他の観点から、光ファ
イバの伝播損失の少ない１粗波長帯に感光波長域を有す
るＡＰＤとして基礎吸収端波長が１．５５μｍであるゲ
ルマニ〉ラム（Ｇｅ）を使用したＡＰＤの開発の努力が
なされている。
とづ色発生された電子又は正孔を、ＰＮ接合の両端に印
加された降伏電圧に近い高さの逆バイアスによって発生
している空乏層中でアバランシェ増倍されるととＫより
高効率の光電変換作用な実現することを基本原理とする
半導体受光素子であり、半導体の有する基礎吸収端波長
にしたがって感光波長域が決定される。そして、高増培
率、低暗電流、高量子効率（出力電力と入力光の有する
エネルギーとの比）、低雑音、高速応答性等の特性がす
ぐれていることが望ましい。又、他の観点から、光ファ
イバの伝播損失の少ない１粗波長帯に感光波長域を有す
るＡＰＤとして基礎吸収端波長が１．５５μｍであるゲ
ルマニ〉ラム（Ｇｅ）を使用したＡＰＤの開発の努力が
なされている。
従来知らされているゲルマニュウム（（ｒｅ ）を使用
したＡＰＤはその層構造により、（イ）ｐ ＋ ｎ型、
（財）ｎ ＋ ｐ型、（ｅｉｎ＋ｎｐ型等に分類される
が、いずれの層構造を有するものにあっても、増倍率に
）を１０倍としたとき過剰雑音係数（ト）が波長１．３
μｍにおいて７以上通常は８〜９であり、要するに、過
剰雑音特性忙劣るという欠点がある。この過剰雑音特性
ＦｉＡＰＤを光通信用に使用する場合特に重要なパラメ
ータであるから、特に光通信用ＡＰＤにおいて、この欠
点は看做し難い重大な欠点である。
したＡＰＤはその層構造により、（イ）ｐ ＋ ｎ型、
（財）ｎ ＋ ｐ型、（ｅｉｎ＋ｎｐ型等に分類される
が、いずれの層構造を有するものにあっても、増倍率に
）を１０倍としたとき過剰雑音係数（ト）が波長１．３
μｍにおいて７以上通常は８〜９であり、要するに、過
剰雑音特性忙劣るという欠点がある。この過剰雑音特性
ＦｉＡＰＤを光通信用に使用する場合特に重要なパラメ
ータであるから、特に光通信用ＡＰＤにおいて、この欠
点は看做し難い重大な欠点である。
本発明の目的は、ゲルマニュウム（Ｇｅ）を使用し１μ
ｍ波長帯に感光波長域を有するＡＰＩ）Ｉｃおいて、過
剰雑音特性の改善されたＡＰＤを提供することＫある。
ｍ波長帯に感光波長域を有するＡＰＩ）Ｉｃおいて、過
剰雑音特性の改善されたＡＰＤを提供することＫある。
汗の要旨は、ｎ型のゲルマニュウム（Ｇｅ）単結晶より
なる基板上Ｋｐ＋型のゲルマニュウム（Ｇｅ）単結晶層
よりなる受光部を有し、この受光部を囲み受光部ＰＮ接
合より深くまで形成されたｐ型のゲルマニュウム（Ｇｅ
）単結晶層よりなるガードリングを有す、ｂｐ＋ｎｍの
層構造を基本とし、受光部と基板との間のみにガードリ
ングの下縁より浅く形成されたキャリア濃度の極めて低
いゲルマニュウム（Ｇｅ）単結晶層（電界強度一定層）
を介在、させ、受光層領域においてのみｐ”ｉｎ型の層
構造となし、ガードリング領域とその外部領域とにおい
てｄｐｎ型の層構造となすことにある。そこで。
なる基板上Ｋｐ＋型のゲルマニュウム（Ｇｅ）単結晶層
よりなる受光部を有し、この受光部を囲み受光部ＰＮ接
合より深くまで形成されたｐ型のゲルマニュウム（Ｇｅ
）単結晶層よりなるガードリングを有す、ｂｐ＋ｎｍの
層構造を基本とし、受光部と基板との間のみにガードリ
ングの下縁より浅く形成されたキャリア濃度の極めて低
いゲルマニュウム（Ｇｅ）単結晶層（電界強度一定層）
を介在、させ、受光層領域においてのみｐ”ｉｎ型の層
構造となし、ガードリング領域とその外部領域とにおい
てｄｐｎ型の層構造となすことにある。そこで。
受光部に対接する限られた領域を除き、ガードリングは
ｎ型層のみと接触することになる。なお。
ｎ型層のみと接触することになる。なお。
ガードリング下端はｉ型の電界強度一定層とｎ型の基板
との境界面より深い位置に存在することが必須なことけ
いつまでもない。
との境界面より深い位置に存在することが必須なことけ
いつまでもない。
以下、本発明の着想から発明の具体化への過程を説明す
名。過剰雑音を小さくするＫは、光起電力作用により発
生する２種のキャリヤすなわち電子と正孔とのうち、一
方のみを主としてアバランシェ増倍させるととが有効な
ことはすでに知られている。すなわち、電子のイオン化
率αと正孔のイオン化率βとの比であるイオン化率比ｋ
（α／β）が大舞いか又は小さいことが低雑音化に有効
である。そこで例えばシリコン（８ｉ）のように電子の
イオン化率αが正孔のイオン化率βよりも大きい半導体
を使用する場合は電子のみをア／（ランシェ増倍させる
ようＫなしており、一方、ゲルマニ。
名。過剰雑音を小さくするＫは、光起電力作用により発
生する２種のキャリヤすなわち電子と正孔とのうち、一
方のみを主としてアバランシェ増倍させるととが有効な
ことはすでに知られている。すなわち、電子のイオン化
率αと正孔のイオン化率βとの比であるイオン化率比ｋ
（α／β）が大舞いか又は小さいことが低雑音化に有効
である。そこで例えばシリコン（８ｉ）のように電子の
イオン化率αが正孔のイオン化率βよりも大きい半導体
を使用する場合は電子のみをア／（ランシェ増倍させる
ようＫなしており、一方、ゲルマニ。
ラム（Ｇｅ）のように正孔のイオン化率βが電子のイオ
ン化率αより大きい半導体を使用する場合は正孔のみを
アバ２ンシ工増倍させ石ことが有効である。ところでイ
オン化率比に／ｆｉ最大電界強度に依存して変化し、ゲ
ルマニ、ウム（Ｇｅ）の場合最大電界強度の値が小さい
穆イオン化率比ｋＦｉ小さくなることが知られており、
電子イオン化率αと正孔イオン化率βと、イオン化率比
に＝７の逆数との実験結果を第１図に示す。図において
実ＩＩＩＡは本発明の発明者の１人である三周による実
験結果であり、破線はミラー（８，Ｌ、 Ｍｉ １ｌｅ
ｒ） ＶＣよる実験結果である。そこで、ゲルマニュウ
ム（Ｇｅ）を使用するＡＰＤの場合、降伏時の最大電界
強度の値が小さい穆イオン化率比は小さくなり、正孔の
みがアバランシェ増倍に寄与して、低雑音化の実現に有
効となる。
ン化率αより大きい半導体を使用する場合は正孔のみを
アバ２ンシ工増倍させ石ことが有効である。ところでイ
オン化率比に／ｆｉ最大電界強度に依存して変化し、ゲ
ルマニ、ウム（Ｇｅ）の場合最大電界強度の値が小さい
穆イオン化率比ｋＦｉ小さくなることが知られており、
電子イオン化率αと正孔イオン化率βと、イオン化率比
に＝７の逆数との実験結果を第１図に示す。図において
実ＩＩＩＡは本発明の発明者の１人である三周による実
験結果であり、破線はミラー（８，Ｌ、 Ｍｉ １ｌｅ
ｒ） ＶＣよる実験結果である。そこで、ゲルマニュウ
ム（Ｇｅ）を使用するＡＰＤの場合、降伏時の最大電界
強度の値が小さい穆イオン化率比は小さくなり、正孔の
みがアバランシェ増倍に寄与して、低雑音化の実現に有
効となる。
ところで、ＡＰＤを正常に動作させるためには、ある程
度の逆方向バイアスの電圧の印加は必須であるから、こ
の逆方向バイアス電圧を保持しながら最大電界強度を小
さくするためＫＦｉ、ＡＰＤの厚さ方向に対する電界強
度の値を一定に保つことが有効であることは明らかであ
る。すなわちｐ層ｎ−ュ型又はｐ層ｉｎ型（もしくはｎ
”ｐ層型又はｎ十ｉｐ型）の層構造がＡＰＤの低雑音化
に有効である。
度の逆方向バイアスの電圧の印加は必須であるから、こ
の逆方向バイアス電圧を保持しながら最大電界強度を小
さくするためＫＦｉ、ＡＰＤの厚さ方向に対する電界強
度の値を一定に保つことが有効であることは明らかであ
る。すなわちｐ層ｎ−ュ型又はｐ層ｉｎ型（もしくはｎ
”ｐ層型又はｎ十ｉｐ型）の層構造がＡＰＤの低雑音化
に有効である。
そこで、シリコン（８ｉ）を使用しているＡＰＤにおい
ては、第２図に示すように、ｐ型（又はｎ型）のシリコ
ｙ（Ｓｉ）基板ｌ上Ｋｐ−型（又＃：ｔｎ−型）のシリ
コン（８ｉ）単結晶層２を形成し、その表面にｎ十層（
又はｐ土層）の受光部３とｎ層（又はｐ層）のガードリ
ング４とを拡散、イオン注入法等により形成していた。
ては、第２図に示すように、ｐ型（又はｎ型）のシリコ
ｙ（Ｓｉ）基板ｌ上Ｋｐ−型（又＃：ｔｎ−型）のシリ
コン（８ｉ）単結晶層２を形成し、その表面にｎ十層（
又はｐ土層）の受光部３とｎ層（又はｐ層）のガードリ
ング４とを拡散、イオン注入法等により形成していた。
これと同じ考え方にもとづいたＡＰＤをゲルマニュウム
（Ｇｅ ）を使用して製造するとすれば、第３図に示す
とおりとなる。すなわち、ｎ型のゲルマニエウム（Ｇｅ
）基板５の上ｌＩＣｎ−型のゲルマニュウム（Ｇｅ）単
結晶層６を形成し、その表層にｐ層型の受光部７とｐ型
のガードリンク８とを拡散又はイオン注入法等を使用し
て形成するととＫなる。
（Ｇｅ ）を使用して製造するとすれば、第３図に示す
とおりとなる。すなわち、ｎ型のゲルマニエウム（Ｇｅ
）基板５の上ｌＩＣｎ−型のゲルマニュウム（Ｇｅ）単
結晶層６を形成し、その表層にｐ層型の受光部７とｐ型
のガードリンク８とを拡散又はイオン注入法等を使用し
て形成するととＫなる。
ところが、ゲルマニュウム（Ｇｅ）を使用したＡＰＤの
場合、ガードリンク８の表層部（図において点線で囲ま
れた領域９）での絶縁破壊が発生しやすく、この層構造
のＡＰＤを製造すｂことは現実的に不可能である。すな
わち、低不純物濃度のゲルマニュウム（Ｇｅ）層中に有
効なガードリングを形成することは極めて困難である。
場合、ガードリンク８の表層部（図において点線で囲ま
れた領域９）での絶縁破壊が発生しやすく、この層構造
のＡＰＤを製造すｂことは現実的に不可能である。すな
わち、低不純物濃度のゲルマニュウム（Ｇｅ）層中に有
効なガードリングを形成することは極めて困難である。
そこで、ガードリング効果は十分保持しながべ受光部と
活性層との間の領域における最大電界強度を下げこの領
域におけるイオン化率比にの値を下げて正孔の増倍寄与
率を向上して低雑音化を実現するためＫＦｉ、第４図に
示すように、ｎ型のゲルマニュウム（Ｇｅ）基板ｌＯの
表層に、ｐ＋層よりなる受光部１１とｐ型層よりなるガ
ードリンク１２とを形成し、更Ｋ、受光部１１に対接す
る領域においてのみ、ｎ型基板１０との間にｉ型の電界
強度一定層１３を介在させればよいとの着想を得た。
活性層との間の領域における最大電界強度を下げこの領
域におけるイオン化率比にの値を下げて正孔の増倍寄与
率を向上して低雑音化を実現するためＫＦｉ、第４図に
示すように、ｎ型のゲルマニュウム（Ｇｅ）基板ｌＯの
表層に、ｐ＋層よりなる受光部１１とｐ型層よりなるガ
ードリンク１２とを形成し、更Ｋ、受光部１１に対接す
る領域においてのみ、ｎ型基板１０との間にｉ型の電界
強度一定層１３を介在させればよいとの着想を得た。
なお、ｐ＋型の受光部１１とｎ型の基板１０との間の絶
縁耐力ＶＢは、この領域とｉ型の電界強度一定悔層１３
とに発生する空乏層における電界強度を空乏層の全長で
積分した値であるから但し、Ｅ（ｘ）は空乏層の厚さ方
向距離８を独立変数として表わした上記領域における電
界強度であり、ｘｊ、Ｘ′ｊは第５図ＫＤをもって示す
空乏層の上下限である。
縁耐力ＶＢは、この領域とｉ型の電界強度一定悔層１３
とに発生する空乏層における電界強度を空乏層の全長で
積分した値であるから但し、Ｅ（ｘ）は空乏層の厚さ方
向距離８を独立変数として表わした上記領域における電
界強度であり、ｘｊ、Ｘ′ｊは第５図ＫＤをもって示す
空乏層の上下限である。
で表わされることになる。又、ｘｊ、ｘ’ｊの値は下式
より求められる。
より求められる。
但し、α（Ｘ′）・・・電子のイオン化率β（Ｘ′）・
・・正孔のイオン化率 ところで、かような層構造を実現する製造方法について
、その可能性を種々検討した結果、ボロン（ロ）のイオ
ン注入法を利用することが有効であることを発見した。
・・正孔のイオン化率 ところで、かような層構造を実現する製造方法について
、その可能性を種々検討した結果、ボロン（ロ）のイオ
ン注入法を利用することが有効であることを発見した。
すなわち、第６図に示すよう鳴およそ１０／ｃＩｌｌｌ
ｓ度にｎ型の不純物を含有するゲルマニュウム（Ｇｅ）
基板に、ボロン（ロ）を４Ｘ１０”／Ｃａの濃度で、４
０ＫｅＶのエネルギーをもってイオン注入し、５５０°
Ｃで１時間程度熱処・理を施すと表面から０，３μｍ程
度までは約１０ ” ”／Ｃ艷と高濃度のｐｆｌｉに転
換するが、表面から０．３μｍ〜３μｍ程度の領域にお
いては１０ ／ｃｄ程度のｐ型に転換されるにすぎな
い。それよりも更に深い領域は基板に当初から含有され
ていた１０ ／ｃｔＡ程度のｎ型に保たれることはい
うまでもない。
ｓ度にｎ型の不純物を含有するゲルマニュウム（Ｇｅ）
基板に、ボロン（ロ）を４Ｘ１０”／Ｃａの濃度で、４
０ＫｅＶのエネルギーをもってイオン注入し、５５０°
Ｃで１時間程度熱処・理を施すと表面から０，３μｍ程
度までは約１０ ” ”／Ｃ艷と高濃度のｐｆｌｉに転
換するが、表面から０．３μｍ〜３μｍ程度の領域にお
いては１０ ／ｃｄ程度のｐ型に転換されるにすぎな
い。それよりも更に深い領域は基板に当初から含有され
ていた１０ ／ｃｔＡ程度のｎ型に保たれることはい
うまでもない。
これに対し、はぼ同一条件をもりてベリリュウム（Ｂｅ
）をイオン注入したところ、第７図に示す如くでありた
。すなわち、およそ１０ ／ｃ−程度Ｋｎ型の不純物
を含有するゲルマニュウム（Ｇｅ）基板にベリリュウム
（Ｂｅ）をｌＸｌ０ ／ｃｄｌの濃度で１００ＫｅＶ
のエネルギーをもってイオン注入し５５０°Ｃをもりて
１時間程度熱処理を施すと１表面は約１０ ／Ｃ−程度
に高濃度Ｋｐ型に転換し、ここから緩徐にｎ型不純物濃
度は減少して表面から６μｍ程度の深さではじめて、ｎ
型不純物濃度は１０／Ｃ−程度まで低下した。
）をイオン注入したところ、第７図に示す如くでありた
。すなわち、およそ１０ ／ｃ−程度Ｋｎ型の不純物
を含有するゲルマニュウム（Ｇｅ）基板にベリリュウム
（Ｂｅ）をｌＸｌ０ ／ｃｄｌの濃度で１００ＫｅＶ
のエネルギーをもってイオン注入し５５０°Ｃをもりて
１時間程度熱処理を施すと１表面は約１０ ／Ｃ−程度
に高濃度Ｋｐ型に転換し、ここから緩徐にｎ型不純物濃
度は減少して表面から６μｍ程度の深さではじめて、ｎ
型不純物濃度は１０／Ｃ−程度まで低下した。
そこで、１ｏ／ｃｊ程度にｎ型不純物を含有するゲルー
ｒニュウム（Ｇｅ）基板のガードリング部にはべりリニ
ウム（Ｂｅ）を１×１０７ＣＩａ程度１００ＫｅＶ程度
でイオン注入し、受光部にはボロン（ロ）を４Ｘ１０”
／ｃｌｌｆｉ［４０ＫｅＶ程ＩＥでイオン注入りその後
５５０°Ｃ程度で約１時間熱処理を施せば、注入された
不純物の活性化と拡散がなされ、第４図に示す如く、表
層が１０”／Ｃ−程度のｐ＋型で、その下部に約２．５
〜３μｍ程度の厚さの補償型のｉ型層が出来、その下部
が当初からの基板のｎ型不純物濃度である１０１６／ｃ
−程度のｎｆｉ層が残留する層構造な実現しうるものと
の結論を得た。なお、ここで、受光部にイオン注入する
ボロン（Ｂ）の量へｎ型基板の当初の不純物濃度を打ち
消す程度の量であることが必要なことはいうまでもない
。
ｒニュウム（Ｇｅ）基板のガードリング部にはべりリニ
ウム（Ｂｅ）を１×１０７ＣＩａ程度１００ＫｅＶ程度
でイオン注入し、受光部にはボロン（ロ）を４Ｘ１０”
／ｃｌｌｆｉ［４０ＫｅＶ程ＩＥでイオン注入りその後
５５０°Ｃ程度で約１時間熱処理を施せば、注入された
不純物の活性化と拡散がなされ、第４図に示す如く、表
層が１０”／Ｃ−程度のｐ＋型で、その下部に約２．５
〜３μｍ程度の厚さの補償型のｉ型層が出来、その下部
が当初からの基板のｎ型不純物濃度である１０１６／ｃ
−程度のｎｆｉ層が残留する層構造な実現しうるものと
の結論を得た。なお、ここで、受光部にイオン注入する
ボロン（Ｂ）の量へｎ型基板の当初の不純物濃度を打ち
消す程度の量であることが必要なことはいうまでもない
。
以下、図面を参照しつつ１本発明の一実施例に係るゲル
マニュウム（Ｇｅ）を使用したＡＰＤを製造する主要各
工程を説明し１本発明の構成と特有の効果とを明らかに
する。
マニュウム（Ｇｅ）を使用したＡＰＤを製造する主要各
工程を説明し１本発明の構成と特有の効果とを明らかに
する。
第８図参照
１０１６／ｃ−程度Ｋｎ型不純物を含有するゲルマ二ュ
ウム（Ｇｅ）基板１０表面のガードリング領域１２上を
除く領域を７オトレジスト膜１４でマスクし、ペリリニ
ウム（Ｂｅ）をｌＸｌ０ ”／ｃ＋ａｔ ｏ 。
ウム（Ｇｅ）基板１０表面のガードリング領域１２上を
除く領域を７オトレジスト膜１４でマスクし、ペリリニ
ウム（Ｂｅ）をｌＸｌ０ ”／ｃ＋ａｔ ｏ 。
Ｋｅ′％Ｊｃイオン注入して、ガードリング１２を形成
する。
する。
第９図参照
〜７オトレジスト膜１４を除去し７、新たに受光部１１
上を除く領域をフォトレジスト膜１５でマスクし、ホロ
ン（ｆ３）を４Ｘ１０１”／ｃＪ４ｏＫｅＶ で４ オ
ン注入して、受光部１１と電界強度一定層１３とを形成
する。
上を除く領域をフォトレジスト膜１５でマスクし、ホロ
ン（ｆ３）を４Ｘ１０１”／ｃＪ４ｏＫｅＶ で４ オ
ン注入して、受光部１１と電界強度一定層１３とを形成
する。
第４図、第１０図参照
フォトレジスト膜１５を除去し、５５０°Ｃ１時間程度
の熱処理を行い、イオン注入された不純物の活性化と拡
散とを実行すると第４図に示す如きｐ＋ｉｎ型の層構造
が完成する。なお、ベリリュウム（Ｂｅ）の拡散分布は
ガウス分布とけならず、第７図に示す如く緩徐な勾配と
して伸延し、傾斜型ＰＮ接合となり、−Ｎ接合も深いの
で、望ましいガードリング効果を得ることができる。
の熱処理を行い、イオン注入された不純物の活性化と拡
散とを実行すると第４図に示す如きｐ＋ｉｎ型の層構造
が完成する。なお、ベリリュウム（Ｂｅ）の拡散分布は
ガウス分布とけならず、第７図に示す如く緩徐な勾配と
して伸延し、傾斜型ＰＮ接合となり、−Ｎ接合も深いの
で、望ましいガードリング効果を得ることができる。
この時の受光部におけるボロン（至）元素の濃度グロフ
ァイルをＩＭＡ法により測定した結果を第１０図に示す
。上記の事項をよく説明していることがわかる。
ァイルをＩＭＡ法により測定した結果を第１０図に示す
。上記の事項をよく説明していることがわかる。
第１１図参照
チャンネルストップ領域１６以外をフォトレジスト膜１
７でマスクし、砒素６Ｎｓ ）等のｎ型不純物をイオン
注入する。注入条件はＩ Ｘｉ Ｏ” ’／ｃ！１１．
１３０ＫｅＶ程度が適当である。尚、熱処理はここでな
しても、後になされる高温工程をもって兼ねても全く効
果は同一である。
７でマスクし、砒素６Ｎｓ ）等のｎ型不純物をイオン
注入する。注入条件はＩ Ｘｉ Ｏ” ’／ｃ！１１．
１３０ＫｅＶ程度が適当である。尚、熱処理はここでな
しても、後になされる高温工程をもって兼ねても全く効
果は同一である。
第１２図参照
フォトレジスト膜１７を除去して、素子を囲む領域１８
上を厚さａ、ｏｏｏＸ程度の二酸化シリコン（Ｓｔｏｇ
）層よりなる表面保護膜１９で覆い、受光部１１上には
厚さ１．７ｓｏ、Ｌ＠変の窒化シリコン（ＳｉｓＮａ）
層よりなる反射防止膜２ｏを形成し、受光部１１を囲ん
で、アルミニュウム（ＡＩ ）よりなる負電極２１を形
成し１ＡＰＤを完成する。
上を厚さａ、ｏｏｏＸ程度の二酸化シリコン（Ｓｔｏｇ
）層よりなる表面保護膜１９で覆い、受光部１１上には
厚さ１．７ｓｏ、Ｌ＠変の窒化シリコン（ＳｉｓＮａ）
層よりなる反射防止膜２ｏを形成し、受光部１１を囲ん
で、アルミニュウム（ＡＩ ）よりなる負電極２１を形
成し１ＡＰＤを完成する。
以上の如くして製造された本発明の一実施例にがかるＡ
ＰＤとほぼ同一の寸法を有し、受光部においてほぼ同一
の降伏電圧を有する従来技術におけるｐ ＋ Ｈ型の層
構造を基本とするＡＰＤとの特性を比較すると下記の如
くなる。
ＰＤとほぼ同一の寸法を有し、受光部においてほぼ同一
の降伏電圧を有する従来技術におけるｐ ＋ Ｈ型の層
構造を基本とするＡＰＤとの特性を比較すると下記の如
くなる。
電界強度Ｅと表層からの距離ｄとの関係は第１３図に示
す如くであり、最大電界強度は従来技術における場合２
．０７ Ｘ １０ ’Ｖ／Ｃ１１であるに反し、本発明
の一実施例［、％７．ＡＰＤにおいては１．１２Ｘ１０
Ｖ／ｃｍであり、約Ｉ Ａ２に低減されている。な
お、受光部における降伏電圧は、従来技術におけるもの
が３３．８Ｖであるに反し、本発明の一実施例において
は５ｔｓＶで予期のとおりほぼ同程度であった。又、ガ
ードリング部の降伏電圧は約４ｓＶであり、十分なガー
ドリング効果が実証された。
す如くであり、最大電界強度は従来技術における場合２
．０７ Ｘ １０ ’Ｖ／Ｃ１１であるに反し、本発明
の一実施例［、％７．ＡＰＤにおいては１．１２Ｘ１０
Ｖ／ｃｍであり、約Ｉ Ａ２に低減されている。な
お、受光部における降伏電圧は、従来技術におけるもの
が３３．８Ｖであるに反し、本発明の一実施例において
は５ｔｓＶで予期のとおりほぼ同程度であった。又、ガ
ードリング部の降伏電圧は約４ｓＶであり、十分なガー
ドリング効果が実証された。
上記の層構造と電界強度分布とを有する本発明の一実施
例に係る人ＰＤと従来技術におけるｐ＋ｎ型ＡＰＤとの
過剰雑音係数η対増倍率−との関係は第１４図に示す如
く、大幅に改善されていることが認められる。図におい
て、曲線人は本発明の一実施例に係るＡＰＤの結果を示
し曲線Ｂは従来技術におけるＡＰＤの結果を示す。なお
、この測定は、波長１．３μｍの単色光を照射し、測定
周波数３ｏＭＨ２，バンド幅ＩＭＨ１の高周波電圧を使
用してなした。初期光電流Ｉｐｏ け１，０μＡであ
つた。図より明らかなように、増倍率−が１０の場合に
おける過剰雑音係数（ト）は従来技術における場合約８
〜９であるが、本発明の一実施例における場合約４．６
であり、おおむね半減している。
例に係る人ＰＤと従来技術におけるｐ＋ｎ型ＡＰＤとの
過剰雑音係数η対増倍率−との関係は第１４図に示す如
く、大幅に改善されていることが認められる。図におい
て、曲線人は本発明の一実施例に係るＡＰＤの結果を示
し曲線Ｂは従来技術におけるＡＰＤの結果を示す。なお
、この測定は、波長１．３μｍの単色光を照射し、測定
周波数３ｏＭＨ２，バンド幅ＩＭＨ１の高周波電圧を使
用してなした。初期光電流Ｉｐｏ け１，０μＡであ
つた。図より明らかなように、増倍率−が１０の場合に
おける過剰雑音係数（ト）は従来技術における場合約８
〜９であるが、本発明の一実施例における場合約４．６
であり、おおむね半減している。
なお、本発明において、注目すべき利点は、第１５図に
その結果を示すように、長波長帯域において、低雑音化
がはかれることである。図は上記の本発明の一実施例に
係るゲルマニメウム（Ｇｅ）ＡＰＤに対し波長１．３μ
ｍと１．５５μｍとの２種の単色光を別々に照射した場
合の結果であるが、曲線Ｃが１．３μｍＪｆｃ対する場
合と、曲線りが１．５５μｍに対する場合である。なお
、測定周波数とそのバンド幅とはそれぞれ３０ＭＨｚ、
ＩＭＨｚであり。
その結果を示すように、長波長帯域において、低雑音化
がはかれることである。図は上記の本発明の一実施例に
係るゲルマニメウム（Ｇｅ）ＡＰＤに対し波長１．３μ
ｍと１．５５μｍとの２種の単色光を別々に照射した場
合の結果であるが、曲線Ｃが１．３μｍＪｆｃ対する場
合と、曲線りが１．５５μｍに対する場合である。なお
、測定周波数とそのバンド幅とはそれぞれ３０ＭＨｚ、
ＩＭＨｚであり。
初期光電流Ｉｐｏは１．０μ人でありた。
以上の説明にありては、ボロン（Ｂ）のイオン注入にお
ける拡散特性を利用した製造方法についてのみ記載され
ているが、本発明の要旨は上記のとおり、ｐ型層よりな
るガードリングの外周はｎ型層であり、受光層に対接す
る領域のみにガードリングよりも浅い厚さにｉ型層より
なる電界強度一定層が存在している層構造を基本とする
ゲルマニュウム（Ｇｅ）ＡＰＤであり、かかる層構造は
、上記せる製造方法Ｋかぎらず、ｎ型のゲルマニュウム
（Ｇｅ）基板の受光部領域にエツチング法を用いて凹部
な形成し２、ここに、ｉ型ゲルマニュウム（Ｇｅ）層と
ｐ＋型ゲルマニ瓢ウつ（Ｇｅ）層とを重ねてエピタキシ
ャル成長させた後、その周囲にガードリングを形成する
等の方法によって形成すると、とも可能である。
ける拡散特性を利用した製造方法についてのみ記載され
ているが、本発明の要旨は上記のとおり、ｐ型層よりな
るガードリングの外周はｎ型層であり、受光層に対接す
る領域のみにガードリングよりも浅い厚さにｉ型層より
なる電界強度一定層が存在している層構造を基本とする
ゲルマニュウム（Ｇｅ）ＡＰＤであり、かかる層構造は
、上記せる製造方法Ｋかぎらず、ｎ型のゲルマニュウム
（Ｇｅ）基板の受光部領域にエツチング法を用いて凹部
な形成し２、ここに、ｉ型ゲルマニュウム（Ｇｅ）層と
ｐ＋型ゲルマニ瓢ウつ（Ｇｅ）層とを重ねてエピタキシ
ャル成長させた後、その周囲にガードリングを形成する
等の方法によって形成すると、とも可能である。
以上説明せるとおり、本発明によれば、１μｍ波長帯に
感光波長域を有するゲルマニュウム（Ｇｅ）を用いたＡ
ＰＤにおいて、過剰雑音特性の改善されたＡＰＤを提供
することができる。
感光波長域を有するゲルマニュウム（Ｇｅ）を用いたＡ
ＰＤにおいて、過剰雑音特性の改善されたＡＰＤを提供
することができる。
第１図は、ゲルマニュウムの電子イオン化率（（４と正
孔イオン化率いとイオン化率比（ｋ、＝ａ／／ｉ）が電
界強度に依存して変化する特性を示すグラフである。第
２図は従来技術におけるｐ型シリコンを基板とするｎ”
ｐ−ｐ型層構造を有するシリコンＡＰＤの断面図であり
、第３図は第２図に示すところと同一の原理にもとづ〈
従来技術におけるｎ型ケルマニュウムを基板とするｐ”
ｎ ｎ型層構造を有するゲルマニュウムＡＰＤの断面
図である。第４°図は本発明の一実施例に係る、ｎ型ゲ
ルマ二ュウムを基板とするＡＰＤＯ層構造を示す断面図
である。第５図は本発明の詳細な説明するためのグラフ
であり、電界強度対層厚に対する空乏層の拡がりを示す
。第６図はｎ型不純物を含有するゲルマニュウム基板に
ボロンをイオン注入したとき形成される不純物濃度プロ
ファイルを示すグラフであり、第７図は同一基板にベリ
リュウムをイオン注入したとき形成される不純物濃度プ
ロファイルを示すグラフである。第８．９，１１．１２
図は本発明の一実施例に係るゲルマニュウムＡＰＤの主
要製造工程における基板断面図である。第１０図は本発
明の一実施例に係るゲルマニュウムへＰＤの電界強度一
定層が形成された状態におけるボロンイオン濃度プロフ
ァイルをＩＭＡ法を使用して測定した結果である。第１
３図は本発明の一実施例に係るρ＋ｉｎ型層構造を有す
るゲルマニュウムＡＰＤにおける電界強度対空乏層厚さ
との関係と従来技術におけるｐ”ａｍ層構造を有するゲ
ルマニュウムＡＰＤにおけゐ電界強度対空乏層厚さとの
関係とを比較するグラフである。第１４図は本発明の一
実施例に係るゲルマニュウムＡＰＤと従来技術における
ｐ＋ ｎ型層構造を有するゲルマニュウムＡＰＤとにお
ける過剰雑音係数口対増倍率（財）とを比較するグラフ
である。第１５図は本発明の一実施例に係るゲルマニュ
ウムＡＰＤの過剰雑音係数（ト）と増倍率−との関係を
光波長をノくラメータとして比較したグラフである。 １＠−”９型シリコン基板、 ２・・・ｐ−型シリコン
層、 ３１１ｎ＋型シリコン層（受光部）、４・・・
ｎ型シリコン層（ガードリング）、５・・・ｎ Ｍｌ
）ｌ ｋマニ、ラム基板、６＠・・ｎｌ！ケルマニエウ
ム層、 ７・・・ｐ＋型ゲルマニネウム層（受光部）、８・・・
ｐ型ゲルマニ≦ウム層（ガードリング）、９・１ガード
リングの表層部、 １０＠・・ｎｕゲルマニュウム１
．１１・・り十型ケルマニュウム層（受光部）、 １２
・・・ｐ型ゲルマニュウム層（ガードリング）、 １３・・・ｌ型ゲルマニュウム層（電界強度一定層）、
１４．１１５．１７・・・フォトレジスト膜、１６・・
φチャンネルストップ領域、 １Ｂ・・・素子を囲む領域、 １９・・・表面保護紙
２０・・・反射防止膜、 ２１・・・負電極、第１図 電界８虐ｃ＋ｏ５Ｖ／Ｃ，１１） 表面よりの深さ９）
孔イオン化率いとイオン化率比（ｋ、＝ａ／／ｉ）が電
界強度に依存して変化する特性を示すグラフである。第
２図は従来技術におけるｐ型シリコンを基板とするｎ”
ｐ−ｐ型層構造を有するシリコンＡＰＤの断面図であり
、第３図は第２図に示すところと同一の原理にもとづ〈
従来技術におけるｎ型ケルマニュウムを基板とするｐ”
ｎ ｎ型層構造を有するゲルマニュウムＡＰＤの断面
図である。第４°図は本発明の一実施例に係る、ｎ型ゲ
ルマ二ュウムを基板とするＡＰＤＯ層構造を示す断面図
である。第５図は本発明の詳細な説明するためのグラフ
であり、電界強度対層厚に対する空乏層の拡がりを示す
。第６図はｎ型不純物を含有するゲルマニュウム基板に
ボロンをイオン注入したとき形成される不純物濃度プロ
ファイルを示すグラフであり、第７図は同一基板にベリ
リュウムをイオン注入したとき形成される不純物濃度プ
ロファイルを示すグラフである。第８．９，１１．１２
図は本発明の一実施例に係るゲルマニュウムＡＰＤの主
要製造工程における基板断面図である。第１０図は本発
明の一実施例に係るゲルマニュウムへＰＤの電界強度一
定層が形成された状態におけるボロンイオン濃度プロフ
ァイルをＩＭＡ法を使用して測定した結果である。第１
３図は本発明の一実施例に係るρ＋ｉｎ型層構造を有す
るゲルマニュウムＡＰＤにおける電界強度対空乏層厚さ
との関係と従来技術におけるｐ”ａｍ層構造を有するゲ
ルマニュウムＡＰＤにおけゐ電界強度対空乏層厚さとの
関係とを比較するグラフである。第１４図は本発明の一
実施例に係るゲルマニュウムＡＰＤと従来技術における
ｐ＋ ｎ型層構造を有するゲルマニュウムＡＰＤとにお
ける過剰雑音係数口対増倍率（財）とを比較するグラフ
である。第１５図は本発明の一実施例に係るゲルマニュ
ウムＡＰＤの過剰雑音係数（ト）と増倍率−との関係を
光波長をノくラメータとして比較したグラフである。 １＠−”９型シリコン基板、 ２・・・ｐ−型シリコン
層、 ３１１ｎ＋型シリコン層（受光部）、４・・・
ｎ型シリコン層（ガードリング）、５・・・ｎ Ｍｌ
）ｌ ｋマニ、ラム基板、６＠・・ｎｌ！ケルマニエウ
ム層、 ７・・・ｐ＋型ゲルマニネウム層（受光部）、８・・・
ｐ型ゲルマニ≦ウム層（ガードリング）、９・１ガード
リングの表層部、 １０＠・・ｎｕゲルマニュウム１
．１１・・り十型ケルマニュウム層（受光部）、 １２
・・・ｐ型ゲルマニュウム層（ガードリング）、 １３・・・ｌ型ゲルマニュウム層（電界強度一定層）、
１４．１１５．１７・・・フォトレジスト膜、１６・・
φチャンネルストップ領域、 １Ｂ・・・素子を囲む領域、 １９・・・表面保護紙
２０・・・反射防止膜、 ２１・・・負電極、第１図 電界８虐ｃ＋ｏ５Ｖ／Ｃ，１１） 表面よりの深さ９）
Claims (1)
- ｎ型のゲルマニシウム単結晶よりなる基板上に形成され
たｐ型のゲルマニ晶つム単結晶層よりなる受光部と該受
光部を囲んでこれよ抄深くまで形成されたｐＨのゲルマ
ニ具つム単結晶層よりなるガードリングとを有する半導
体受光素子におい二前記受光部と前記基板との間のみに
前記ガードリングの下縁より浅く形成された。キャリア
濃度の極めて少ないゲルマニ＾ウム単結晶よりなる電界
強度一定層を有することを特徴とする半導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56161280A JPS5861682A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56161280A JPS5861682A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 半導体受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5861682A true JPS5861682A (ja) | 1983-04-12 |
Family
ID=15732101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56161280A Pending JPS5861682A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5861682A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5223919A (en) * | 1987-02-25 | 1993-06-29 | U. S. Philips Corp. | Photosensitive device suitable for high voltage operation |
| US7015560B2 (en) * | 2003-02-25 | 2006-03-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-receiving device, method for manufacturing the same, and optoelectronic integrated circuit comprising the same |
-
1981
- 1981-10-09 JP JP56161280A patent/JPS5861682A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5223919A (en) * | 1987-02-25 | 1993-06-29 | U. S. Philips Corp. | Photosensitive device suitable for high voltage operation |
| US7015560B2 (en) * | 2003-02-25 | 2006-03-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-receiving device, method for manufacturing the same, and optoelectronic integrated circuit comprising the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4127932A (en) | Method of fabricating silicon photodiodes | |
| US7964789B2 (en) | Germanium solar cell and method for the production thereof | |
| US4142200A (en) | Semiconductor photodiodes | |
| US6096573A (en) | Method of manufacturing a CMOS sensor | |
| CN109904274B (zh) | 一种锗硅光电探测器 | |
| CA1078948A (en) | Method of fabricating silicon photodiodes | |
| JPS5861682A (ja) | 半導体受光素子 | |
| US4415370A (en) | Method of beryllium implantation in germanium substrate | |
| CA1195414A (en) | Avalanche photodiode | |
| JPS6244704B2 (ja) | ||
| JPS60211886A (ja) | アバランシフオトダイオ−ドの製造方法 | |
| JPS61101084A (ja) | 化合物半導体受光素子の製造方法 | |
| JPS5936437B2 (ja) | 半導体受光装置 | |
| JPS6259906B2 (ja) | ||
| JPS63198383A (ja) | 半導体受光装置及びその製造方法 | |
| JPS6373676A (ja) | 半導体受光装置 | |
| JPS61220481A (ja) | 半導体受光装置の製造方法 | |
| JPH0559590B2 (ja) | ||
| Melchior et al. | Epitaxial silicon n+-p-π-p+ avalanche photodiodes for optical fiber communications at 800 to 900 nanometers | |
| KR100934216B1 (ko) | 단파장용 바이폴라 광트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| JPS60178674A (ja) | アバランシフオトダイオ−ドの製造方法 | |
| JPH01309387A (ja) | 半導体光検出素子 | |
| JPS61292973A (ja) | 半導体受光素子 | |
| KR100198423B1 (ko) | 애벌란치 광 다이오드형 장파장 광검출기 | |
| KR940000260B1 (ko) | 포토디텍터 제조방법 |