JPS5859536A - カラ−受像管 - Google Patents
カラ−受像管Info
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- JPS5859536A JPS5859536A JP15821981A JP15821981A JPS5859536A JP S5859536 A JPS5859536 A JP S5859536A JP 15821981 A JP15821981 A JP 15821981A JP 15821981 A JP15821981 A JP 15821981A JP S5859536 A JPS5859536 A JP S5859536A
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- magnetic
- magnetic body
- magnetic field
- electron beam
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/70—Arrangements for deflecting ray or beam
- H01J29/701—Systems for correcting deviation or convergence of a plurality of beams by means of magnetic fields at least
- H01J29/707—Arrangements intimately associated with parts of the gun and co-operating with external magnetic excitation devices
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はインライン配列３電子銃を有するカラー受像管
の、％に磁界制御素子によるピン歪補正量を軽減するカ
ラー受像管に関するものである。
の、％に磁界制御素子によるピン歪補正量を軽減するカ
ラー受像管に関するものである。
インライン配列３電子銃を有するカラー受像管では赤、
緑及び青の各専用電子銃による画面上での偏向走査領域
（以下パターンと称す）の歪や一致度が問題となる。画
面水平軸に沼って一列に配列されたインライン配列３電
子銃による電子ビー向の垂直偏向磁界と水平軸に垂直な
方向の°水平偏向磁界により偏向走査されるが、中央電
子ビームと両サイド電子ビームのパターン歪や一致度が
最も重要である。第１図は特にインライン配列３電子銃
を収納しているネック部の断面の各偏向磁界分布を示す
もので、水平偏向磁界（１）をビンクッション磁界に垂
直偏向磁界（２）ｆバレル磁界にすることにより両サイ
ド電子ビーム間の色ずれを減少させており受像機側のコ
ンバーゼンス回路が単純化される利点がある。しかし乍
ら之等の偏向磁界は何れ本非斉−磁界分布であり、中央
電子ビーム（４）に対する偏向感度が両サイド電子ビー
ム（３）及び（５）ｋ対する偏向感度より悪くなる欠点
を有している。
緑及び青の各専用電子銃による画面上での偏向走査領域
（以下パターンと称す）の歪や一致度が問題となる。画
面水平軸に沼って一列に配列されたインライン配列３電
子銃による電子ビー向の垂直偏向磁界と水平軸に垂直な
方向の°水平偏向磁界により偏向走査されるが、中央電
子ビームと両サイド電子ビームのパターン歪や一致度が
最も重要である。第１図は特にインライン配列３電子銃
を収納しているネック部の断面の各偏向磁界分布を示す
もので、水平偏向磁界（１）をビンクッション磁界に垂
直偏向磁界（２）ｆバレル磁界にすることにより両サイ
ド電子ビーム間の色ずれを減少させており受像機側のコ
ンバーゼンス回路が単純化される利点がある。しかし乍
ら之等の偏向磁界は何れ本非斉−磁界分布であり、中央
電子ビーム（４）に対する偏向感度が両サイド電子ビー
ム（３）及び（５）ｋ対する偏向感度より悪くなる欠点
を有している。
この場合画面上には第２図に示すような両サイド電子ビ
ームによるパターン（６）と中央電子ビームによるパタ
ーン（７）が得られ、このよう々現１−コマ収差のある
状態と見做される。
ームによるパターン（６）と中央電子ビームによるパタ
ーン（７）が得られ、このよう々現１−コマ収差のある
状態と見做される。
これを補正する為に従来は第３図に示すような磁性体か
らなる磁界制御素子を電子銃の電子ビーム放出孔に、通
常は電子銃最先端（蛍光面側）の電極底部に設けている
。第３図に於て、両サイド電子ビーム放出孔Ｑカ及び０
４を取り囲むように設けられた磁性体（８）及び（９）
からなる磁界制御緊着水平及び垂直画偏向磁界を弱め、
中央電子ビーム放出孔付近の垂直偏向磁界を強めるよう
に働く、一方中央電子ビーム放出孔α］の水平軸に対し
て上下側に設けられた磁性体ａ１及びα１）からなる磁
界制御素子は中央電子ビーム放出孔付近の水平偏向磁界
を強めるように働く。この結果両サイド電子ビームに対
する偏向感度が中央電子ビームに対する偏向感度より４
悪くなり、非斉一な偏向磁界による中央電子ビームの偏
向感度の劣化を補正し画面上にはコマ収差の少ないパタ
ーンが得うれる。
らなる磁界制御素子を電子銃の電子ビーム放出孔に、通
常は電子銃最先端（蛍光面側）の電極底部に設けている
。第３図に於て、両サイド電子ビーム放出孔Ｑカ及び０
４を取り囲むように設けられた磁性体（８）及び（９）
からなる磁界制御緊着水平及び垂直画偏向磁界を弱め、
中央電子ビーム放出孔付近の垂直偏向磁界を強めるよう
に働く、一方中央電子ビーム放出孔α］の水平軸に対し
て上下側に設けられた磁性体ａ１及びα１）からなる磁
界制御素子は中央電子ビーム放出孔付近の水平偏向磁界
を強めるように働く。この結果両サイド電子ビームに対
する偏向感度が中央電子ビームに対する偏向感度より４
悪くなり、非斉一な偏向磁界による中央電子ビームの偏
向感度の劣化を補正し画面上にはコマ収差の少ないパタ
ーンが得うれる。
ところで受僚機側でコンバーゼンス補正回路を省略しよ
う表したり、ビンクッション歪補正量を軽減しようとし
て偏向ヨークの種類や磁界分布を種々変化させると上記
目標を達成することのできる偏向ヨークとカラー受像管
の組み合せに対し７てコマ収差のパターンは必らずしも
第２図に示すようなパターンではなく第４Ｖのようかパ
ターンとなる場合がある。即ち１両サイド電子ビームに
よるパターン（６）と中央電子ビームによるパターン（
力が入り組んだ状態となり、このようなパターンの場合
は第３図のような磁界制御素子ではコマ収差の軽減に対
応することは出来ケい。
う表したり、ビンクッション歪補正量を軽減しようとし
て偏向ヨークの種類や磁界分布を種々変化させると上記
目標を達成することのできる偏向ヨークとカラー受像管
の組み合せに対し７てコマ収差のパターンは必らずしも
第２図に示すようなパターンではなく第４Ｖのようかパ
ターンとなる場合がある。即ち１両サイド電子ビームに
よるパターン（６）と中央電子ビームによるパターン（
力が入り組んだ状態となり、このようなパターンの場合
は第３図のような磁界制御素子ではコマ収差の軽減に対
応することは出来ケい。
本発明は以上の点に鑑みてガされたもので、コマ収差を
実用上１谷し得るように軽減したカラー受像管を提供せ
んとすることしくある。
実用上１谷し得るように軽減したカラー受像管を提供せ
んとすることしくある。
本発明の目的は両サイド電１ビームに対する偏向感度と
中央電子ビームに対する偏向感度が異々るカラー受像管
と偏向ヨークの組み合せに対して両サイド電子ビームと
中央電子ビームに対する偏向感度の差を解消する手段を
提供することにある。
中央電子ビームに対する偏向感度が異々るカラー受像管
と偏向ヨークの組み合せに対して両サイド電子ビームと
中央電子ビームに対する偏向感度の差を解消する手段を
提供することにある。
即ち、本発明の要点は水平軸に活って一列に配列された
インライン配列３を子銃を有するカラー受像管に於て、
電子銃の電子ビーム放出孔近傍に磁性体からなる磁界制
御素子を配置し、偏向磁界の実効強度分布を変化させる
ことによって両サイド電子ビームに対する偏向磁界強度
と中央を子ビ−ムに対する偏向磁界強度とを互に異らせ
ることである。
インライン配列３を子銃を有するカラー受像管に於て、
電子銃の電子ビーム放出孔近傍に磁性体からなる磁界制
御素子を配置し、偏向磁界の実効強度分布を変化させる
ことによって両サイド電子ビームに対する偏向磁界強度
と中央を子ビ−ムに対する偏向磁界強度とを互に異らせ
ることである。
以下に実施例を挙げて本発明の詳細な説明する。
第５図は本発明のカラー受像管に適用される磁界制御素
子０９及び（２）を蛍光面側から見た正面図である。第
５図に示す磁界制御素子０ｅ及び（２）は偏向磁界の及
ぶ領域１例えばインライン配タリ３箪子銃の蛍光面側最
先端の電極底部に配置されるか、ここでは電極を含めた
全体は省略し要部のみをノＪ（シである。第５図に於て
電子ビーム放出孔ａｓ 、 ｕ４及び０４は水平軸線に
ｔａって一直線状に配設さｔじＣいる。中央電子ビーム
放出孔（至）の水平軸１１ＣＧう両側にあって両サイド
電子ビーム放出孔ｏり及びｏ樽との間には、水平偏向磁
界と平行な方向に長く、垂直偏向磁界と平行な方向に短
かい第１の磁性体α力及びα槌が配置されている。また
両サイド電子ビーム放出孔（６）及びα◆の水平軸に対
して上側及び下側にあって垂直偏向磁界と平行な方向に
長く、水平偏向磁界と平行な方向に短かい第２の磁性体
０１ 、 Ｃ／！ｌ）及び第３の磁性体内、（イ）が配
置されている。１！に両サイド電子ビーム放出孔Ｏノ及
び０４の水平軸に対して上側及び下側にあって、水平偏
向磁界と平行な方向に長く、垂直偏向磁界と平行な方向
に短かく、月つ給２の磁性体０９ 、６４η及び第３の
磁性体内。
子０９及び（２）を蛍光面側から見た正面図である。第
５図に示す磁界制御素子０ｅ及び（２）は偏向磁界の及
ぶ領域１例えばインライン配タリ３箪子銃の蛍光面側最
先端の電極底部に配置されるか、ここでは電極を含めた
全体は省略し要部のみをノＪ（シである。第５図に於て
電子ビーム放出孔ａｓ 、 ｕ４及び０４は水平軸線に
ｔａって一直線状に配設さｔじＣいる。中央電子ビーム
放出孔（至）の水平軸１１ＣＧう両側にあって両サイド
電子ビーム放出孔ｏり及びｏ樽との間には、水平偏向磁
界と平行な方向に長く、垂直偏向磁界と平行な方向に短
かい第１の磁性体α力及びα槌が配置されている。また
両サイド電子ビーム放出孔（６）及びα◆の水平軸に対
して上側及び下側にあって垂直偏向磁界と平行な方向に
長く、水平偏向磁界と平行な方向に短かい第２の磁性体
０１ 、 Ｃ／！ｌ）及び第３の磁性体内、（イ）が配
置されている。１！に両サイド電子ビーム放出孔Ｏノ及
び０４の水平軸に対して上側及び下側にあって、水平偏
向磁界と平行な方向に長く、垂直偏向磁界と平行な方向
に短かく、月つ給２の磁性体０９ 、６４η及び第３の
磁性体内。
翰と十字形状をなすように館４の磁性体の、四及び第５
の蛤性体乙し、いるが配置されている。即ち電子ビーム
放出孔の水平軸に対する両側及び上下側に夫々鎮１の磁
性体乃至第５の磁性体からなる磁界制御索子曹及び榊が
設けられている。
の蛤性体乙し、いるが配置されている。即ち電子ビーム
放出孔の水平軸に対する両側及び上下側に夫々鎮１の磁
性体乃至第５の磁性体からなる磁界制御索子曹及び榊が
設けられている。
このよりな磁性体の配置により、まず本来中央電子ビー
ム放出孔０付近を通るべき水平偏向磁界の磁束の大部分
は第１の磁性体Ｑで及び（至）によって吸収され、この
付近の水平偏向磁界強度は磁界制御素子がない場合に比
べてかなり弱くなる。また両サイド電子ビーム放出孔（
６）及び０４１付近の水平偏向磁界強度は第２の磁性体
（２）、に）及び第３の磁性体（ハ）、（１）による集
束効果のため磁界制御素子がかい場合に比べてかなり弱
く々る。従って磁界制御素子ａ０及び（ト）は結果とし
て中央電子ビームの水平偏向感度を弱め、両サイド電子
ビームの水平偏向感度を強める働きをし、第４翻に示す
ようなパターンのコマ収差のうち左右のコマ収差を補正
することができる。この場合の磁界制御素子０θ及び（
ト）による水平偏向磁界強度の分布特性を第６図に示す
。第６図に於て横軸は各電子ビーム放出孔（１゜０４及
び００に対応する中心位置匈、（２）及びＣＡ’４に夫
々示し、縦軸は水平偏向磁界強度ＢＨを示す、磁界制御
素子のない場合−に比べて第５図の実施例の磁界制御素
子のある場合ｃｌｌ）の差が明確に示されている。
ム放出孔０付近を通るべき水平偏向磁界の磁束の大部分
は第１の磁性体Ｑで及び（至）によって吸収され、この
付近の水平偏向磁界強度は磁界制御素子がない場合に比
べてかなり弱くなる。また両サイド電子ビーム放出孔（
６）及び０４１付近の水平偏向磁界強度は第２の磁性体
（２）、に）及び第３の磁性体（ハ）、（１）による集
束効果のため磁界制御素子がかい場合に比べてかなり弱
く々る。従って磁界制御素子ａ０及び（ト）は結果とし
て中央電子ビームの水平偏向感度を弱め、両サイド電子
ビームの水平偏向感度を強める働きをし、第４翻に示す
ようなパターンのコマ収差のうち左右のコマ収差を補正
することができる。この場合の磁界制御素子０θ及び（
ト）による水平偏向磁界強度の分布特性を第６図に示す
。第６図に於て横軸は各電子ビーム放出孔（１゜０４及
び００に対応する中心位置匈、（２）及びＣＡ’４に夫
々示し、縦軸は水平偏向磁界強度ＢＨを示す、磁界制御
素子のない場合−に比べて第５図の実施例の磁界制御素
子のある場合ｃｌｌ）の差が明確に示されている。
次に本来両サイド電子ビーム放出孔（６）及び（１４１
付近を通るべき垂直偏向磁界の磁束の大部分は第２の磁
性体四、シ９及び第３の磁性体内、ＯＫよって吸収され
、この付近の垂直偏向磁界強度は磁界制御素子がない場
合に比べてかなり弱くなる。また一旦吸収された磁束は
中央電子ビーム放出孔０］付近で放出され、この付近の
垂直偏向磁界強度は磁界制御素子がない場合に比べてか
なり強くなる。
付近を通るべき垂直偏向磁界の磁束の大部分は第２の磁
性体四、シ９及び第３の磁性体内、ＯＫよって吸収され
、この付近の垂直偏向磁界強度は磁界制御素子がない場
合に比べてかなり弱くなる。また一旦吸収された磁束は
中央電子ビーム放出孔０］付近で放出され、この付近の
垂直偏向磁界強度は磁界制御素子がない場合に比べてか
なり強くなる。
従って第２の磁性体ａ値、 １２η及び第３の磁性体内
。
。
（イ）は両サイド電子ビームの垂直偏向感度を弱め、中
央電子ビームの垂直偏向感度を強める働きをし、第４図
に示すようなパターンのコマ収差のうち上下のコマ収差
を補正することができる。この場合の磁界制御索子０５
１及び如によふ癖直偏向磁界強度（Ｂｙ）の分布４１Ｆ
性を紀６シ１と同様の方式で第７図に示す。笛７０に於
て、磁界ｆ１１１！御素子のない場合翰に比べである場
合（２）の差か明確に示されている。
央電子ビームの垂直偏向感度を強める働きをし、第４図
に示すようなパターンのコマ収差のうち上下のコマ収差
を補正することができる。この場合の磁界制御索子０５
１及び如によふ癖直偏向磁界強度（Ｂｙ）の分布４１Ｆ
性を紀６シ１と同様の方式で第７図に示す。笛７０に於
て、磁界ｆ１１１！御素子のない場合翰に比べである場
合（２）の差か明確に示されている。
ここで重殺なこと打面サイド電子ビームの上端又は、下
気ｊｎの水平偏向磁界と平行な磁性体に集中した両サイ
ド電子ビーム、の水平感度を向上させる水平偏向磁界が
その対向する下端又は上端の水平偏向磁界に平行な磁性
体に集中しなければ、両サイト電子ビームの水平偏向感
度を充分向上させることは出来ない。即ち、第４の磁性
体内、（ハ）及ｑ第５の磁性体内、（至）の水平偏向磁
界と平行な方向の長さを充分長く取り、水平偏向磁界が
集中し両サイド電子ビームの水平偏向感度を充分向上さ
せる必要がある。従って以上の条件を′ｊ！−慮して第
２の磁性体０１．Ｑυと第４の磁性体内、（ホ）及び第
３の磁性体内、（財）と第５の磁性体（ハ）、樹を夫々
組み合わせると実質的に十字形状に各磁性体を配置する
ことどなる。
気ｊｎの水平偏向磁界と平行な磁性体に集中した両サイ
ド電子ビーム、の水平感度を向上させる水平偏向磁界が
その対向する下端又は上端の水平偏向磁界に平行な磁性
体に集中しなければ、両サイト電子ビームの水平偏向感
度を充分向上させることは出来ない。即ち、第４の磁性
体内、（ハ）及ｑ第５の磁性体内、（至）の水平偏向磁
界と平行な方向の長さを充分長く取り、水平偏向磁界が
集中し両サイド電子ビームの水平偏向感度を充分向上さ
せる必要がある。従って以上の条件を′ｊ！−慮して第
２の磁性体０１．Ｑυと第４の磁性体内、（ホ）及び第
３の磁性体内、（財）と第５の磁性体（ハ）、樹を夫々
組み合わせると実質的に十字形状に各磁性体を配置する
ことどなる。
第８図、第９図及び第１０図は本発明の他の実施例を示
すもので、何れも第５図に対応して一一番号金付しであ
る。第８図は第１の磁性体０η、（財）と第２の磁性体
Ｑｌ 、 １４１）及び第３の磁性体μ塾、ＧＪを夫々
一体化して成形配置した例である。第９図は第８図の例
に加えて第１の磁性体乃至第５の磁性体を磁界制御素子
（ト）及び（２）の夫々で全て一体化して成形配置した
例である。第１０図は第８図の例に加えて第２の磁性体
四、（ハ）と第４の磁性体υ。
すもので、何れも第５図に対応して一一番号金付しであ
る。第８図は第１の磁性体０η、（財）と第２の磁性体
Ｑｌ 、 １４１）及び第３の磁性体μ塾、ＧＪを夫々
一体化して成形配置した例である。第９図は第８図の例
に加えて第１の磁性体乃至第５の磁性体を磁界制御素子
（ト）及び（２）の夫々で全て一体化して成形配置した
例である。第１０図は第８図の例に加えて第２の磁性体
四、（ハ）と第４の磁性体υ。
に）及び第３の磁性体員、（イ）と第５の磁性体ｃｎ、
ｗを夫々非接触状態に配置した例を示し、第１１図は第
１０図の水平軸に平行な方向から見た側面図である。
ｗを夫々非接触状態に配置した例を示し、第１１図は第
１０図の水平軸に平行な方向から見た側面図である。
第８図、第９図及び第１０図の実施例の場合に於ても第
５図の実施例と同様に、磁界制御素子０θ及び（ト）は
水平偏向磁界に対しては中央電子ビームより両サイド電
子ビームの偏向感度を相対的に増加させるように働き、
垂直偏向磁界に対しては中央電子ビームの偏向感度を両
サイド電子ビームのそれより相対的に増加させるように
働き、第４図に示すようなパターンのコマ収差を容易に
効果的に補正することができる。
５図の実施例と同様に、磁界制御素子０θ及び（ト）は
水平偏向磁界に対しては中央電子ビームより両サイド電
子ビームの偏向感度を相対的に増加させるように働き、
垂直偏向磁界に対しては中央電子ビームの偏向感度を両
サイド電子ビームのそれより相対的に増加させるように
働き、第４図に示すようなパターンのコマ収差を容易に
効果的に補正することができる。
第１２図及び第１３図は第６図、第７図と同様に横軸に
各電子ビーム放出孔＜１２１ 、 （＋：ｊ 、 （稀
に対応する中心位４ｂ（ハ）、＠、鵠を夫々とり、縦軸
に水平−向磁界強度（ＢＨ）及び垂直偏向磁界強度（Ｂ
ｖ）を夫々とって磁界強度分布時ｔ４．を示すものであ
る。
各電子ビーム放出孔＜１２１ 、 （＋：ｊ 、 （稀
に対応する中心位４ｂ（ハ）、＠、鵠を夫々とり、縦軸
に水平−向磁界強度（ＢＨ）及び垂直偏向磁界強度（Ｂ
ｖ）を夫々とって磁界強度分布時ｔ４．を示すものであ
る。
第１２図及び第１３図に於て、山及びに）は磁界制御素
子のない揚台を、６１）及び（ハ）は第５図に示す実施
例の場合を、例及び翰は第１０図に示す実施例の場合を
１輪及び翰は第８図に示す実施例の場合を、員及び翰は
第９図に示す実施例の場合を夫々示す。之等の持株から
、適用されるカラー受像管の偏向ヨークと絹み合せて適
宜選択すれは′良い。
子のない揚台を、６１）及び（ハ）は第５図に示す実施
例の場合を、例及び翰は第１０図に示す実施例の場合を
１輪及び翰は第８図に示す実施例の場合を、員及び翰は
第９図に示す実施例の場合を夫々示す。之等の持株から
、適用されるカラー受像管の偏向ヨークと絹み合せて適
宜選択すれは′良い。
製造上からは第９図の実施例の場合が最も容易である。
第１４図、第１５図及び第１７図は本発明に適用される
磁界制御素子の更に他の実施例を示すもので、何れも第
５図に対応して同一番号を付しである。また第１６図及
び第１８図は第１５同極び第１７図の夫々水平軸に垂直
な方向から見た側面図である。第１４図は第１の磁性体
αη、０槌と第４の磁性体−，＠及び第１の磁性体Ｑη
、（２）と第５の磁性体（ハ）、翰の間の第２の磁性体
（＋１ 、 ｅａＤ及び第３の磁性体翰、四の水平偏向
磁界と平行な方向の長さの少くとも一部を短かく形成し
た例である。第１５図は第１の磁性体ａη、（至）と第
４の磁性体−。
磁界制御素子の更に他の実施例を示すもので、何れも第
５図に対応して同一番号を付しである。また第１６図及
び第１８図は第１５同極び第１７図の夫々水平軸に垂直
な方向から見た側面図である。第１４図は第１の磁性体
αη、０槌と第４の磁性体−，＠及び第１の磁性体Ｑη
、（２）と第５の磁性体（ハ）、翰の間の第２の磁性体
（＋１ 、 ｅａＤ及び第３の磁性体翰、四の水平偏向
磁界と平行な方向の長さの少くとも一部を短かく形成し
た例である。第１５図は第１の磁性体ａη、（至）と第
４の磁性体−。
（ホ）及び第１の磁性体０？）、（至）と第５の磁性体
（ハ）、（２）の間の第２の磁性体ａ’ａ 、 ａη及
び第３の磁性体の電子ビーム進行方向の厚さの少くとも
一部を薄く形成した例である。第１７図は第４の磁性体
（ハ）、に）及び第５の磁性体（ホ）、（ホ）の電子ビ
ーム進行方向の厚さが第２の磁性体０１ 、 Ｉ２υ及
び第３の磁性体−。
（ハ）、（２）の間の第２の磁性体ａ’ａ 、 ａη及
び第３の磁性体の電子ビーム進行方向の厚さの少くとも
一部を薄く形成した例である。第１７図は第４の磁性体
（ハ）、に）及び第５の磁性体（ホ）、（ホ）の電子ビ
ーム進行方向の厚さが第２の磁性体０１ 、 Ｉ２υ及
び第３の磁性体−。
（イ）の厚さよりも厚く形成した例である。
第１４図、第１５図及び第１７図に示した実施例の場合
も第５図に示した実施例と同じく、磁界制御素子ＱＱ及
び（ト）は水平偏向磁界に対しては中央電子ビームよね
両サイド電子ビームの偏向感度を相対的に増加させるよ
うに働き、垂直偏向磁界に対しては中央電子ビームの偏
向感度を両サイド′電子ビームのそれより相対的に増加
させるように働き、第４図に示すようなパターンのコマ
収］ヲ効果的に補正することができる。
も第５図に示した実施例と同じく、磁界制御素子ＱＱ及
び（ト）は水平偏向磁界に対しては中央電子ビームよね
両サイド電子ビームの偏向感度を相対的に増加させるよ
うに働き、垂直偏向磁界に対しては中央電子ビームの偏
向感度を両サイド′電子ビームのそれより相対的に増加
させるように働き、第４図に示すようなパターンのコマ
収］ヲ効果的に補正することができる。
以−りのように本発明によれば、インライン配列３電子
銃を有するカラー受像管の画面上のパターンに於て、両
サイド電子ビームに対する中央電子ビームのパターンが
水平方向に長く垂直方向に短かいコマ収差を容易に効果
的に補正することができ、これによりコンバーゼンス補
正回路を省略しビン歪補正に壜を軒滅することかり能と
なりその工業的価値は大である。
銃を有するカラー受像管の画面上のパターンに於て、両
サイド電子ビームに対する中央電子ビームのパターンが
水平方向に長く垂直方向に短かいコマ収差を容易に効果
的に補正することができ、これによりコンバーゼンス補
正回路を省略しビン歪補正に壜を軒滅することかり能と
なりその工業的価値は大である。
第１図はネック部の偏向磁界分布を説明するだめの概略
断面図、坑２図は第１図の偏向磁界分布による画面上パ
ターンを示す模式図、第３図は従来のＢ界制御素子を示
す漿略断面図、第４図はインライン配列３ｉ［子銃を有
するカラー受ｆｌ？の画面上パターンを示す栓弐図、第
５図は本発明に適用される磁界制御素子の配置の実施例
を示す概略断面図、第６図及び第７図は第５図の水平及
び垂直偏向磁界強度を各電子ビーム位置毎に示す分布特
性図、第８図、第９図及び第１０図は本発明の他の実施
例で第５図に対応して示す概略断面図。 第１１図は第１０図の概略側面図、第１２図及び第１３
図は鎮８図乃至第１０図の水平及び垂直偏向磁界強度を
各電子ビーム位置毎に示す分布特性図、第１４図、第１
５図、第１７図は本発明の史に他の実施例で第５図に対
応して示す概略断面図、第１６図及び第１８図は夫々第
１５図及び第１７図の概略側面図である。 Ｏ→、０４）・・・・サイド電子ビーム放出孔０４・・
・・中央電子ビーム放出孔 ｑ０．（４）・・・・磁界ｆｌ、Ｄ （Ｉ１１素子Ｑ７
１．（至）・・・・第１の磁性体 ００、しυ・・・・第２の磁性体 い秒、にう・・・・第３の磁性体 □□□、０９・・・・第４の磁性体 （ハ）、＠・・・・笛５の磁性体
断面図、坑２図は第１図の偏向磁界分布による画面上パ
ターンを示す模式図、第３図は従来のＢ界制御素子を示
す漿略断面図、第４図はインライン配列３ｉ［子銃を有
するカラー受ｆｌ？の画面上パターンを示す栓弐図、第
５図は本発明に適用される磁界制御素子の配置の実施例
を示す概略断面図、第６図及び第７図は第５図の水平及
び垂直偏向磁界強度を各電子ビーム位置毎に示す分布特
性図、第８図、第９図及び第１０図は本発明の他の実施
例で第５図に対応して示す概略断面図。 第１１図は第１０図の概略側面図、第１２図及び第１３
図は鎮８図乃至第１０図の水平及び垂直偏向磁界強度を
各電子ビーム位置毎に示す分布特性図、第１４図、第１
５図、第１７図は本発明の史に他の実施例で第５図に対
応して示す概略断面図、第１６図及び第１８図は夫々第
１５図及び第１７図の概略側面図である。 Ｏ→、０４）・・・・サイド電子ビーム放出孔０４・・
・・中央電子ビーム放出孔 ｑ０．（４）・・・・磁界ｆｌ、Ｄ （Ｉ１１素子Ｑ７
１．（至）・・・・第１の磁性体 ００、しυ・・・・第２の磁性体 い秒、にう・・・・第３の磁性体 □□□、０９・・・・第４の磁性体 （ハ）、＠・・・・笛５の磁性体
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）水平軸に沿って一列に配列されたインライン配列３
電子銃を有し前記電子銃の電子ビームが前記水平軸に垂
直な方向の水平偏向磁界と前記水平軸に平行な方向の垂
直偏向磁界により偏向走査されるカシ−受像管において
、前記インライン配列３電子銃の中央電子ビーム放出孔
の１記水平軸１１ＣＧう両側にあって前記水平偏向磁界
と平行な方向に長く前記垂直偏向磁界と平行な方向に短
かい第１の磁性体と、前記インライン配列３電子銃の両
サイド電子ビーム放出孔の前記水平軸に対して上側及び
下側にあって前記真直偏向磁界と平行な方向に長く前記
水平偏向磁界と平行な方向に短かい第２の磁性体及び第
３の磁性体と、前記インライン配列３電子銃の両−サイ
ド電子ビーム放出孔の前記水平軸に対して上側及び下側
にあって前記水平偏向磁界と平行な方向に長く前記垂直
偏向磁界と平行な方向に短かく１つ前記第２の、磁性体
及び前記第３の磁性体と各々実質的に十字形状をなす第
４の磁性体及び第５の磁性体を配置した電子銃を有する
ことを特徴とするカラー受像管。 ２）前記第１の磁性体、前記第２の磁性体及び前記第３
の磁性体を一体化したことを特徴とする特Ｉ′Ｉ−錆求
の範囲第１項記載のカラー受像管。 ３）前記第１の磁性体乃至前記第５の磁性体を一体化し
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のカラー
受像管。 ４）前記第２の磁性体と前記第４の磁性体及び前記第３
の磁性体と前記第５の磁性体が夫々非撃触状態に配置さ
れたことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のカラ
ー受像管。 ５）前記第１の磁性体と前記第４の磁性体及び前記第１
の磁性体と前記第５の磁性体の間の前記＠２の磁性体及
び前記第３の磁性体の前記水平偏向磁界と平行な方向の
長さの少くとも一部が短かく形成されたことを特徴とす
る特許請求の範囲第３項記載のカラー受像管。 ６）前記第１の磁性体と前記第４の磁性体及び前記第１
の磁性体と前記第５の磁性体の間の前記第２の磁性体及
び前記第３のａ性体の前記電子ビーム進行方向の厚さの
少くとも一部が薄く形成されたことを特徴とする特許請
求の範囲第３項記載のカラー受像管。 ７）前記第４の磁性体及び前記第５の磁性体の前記電子
ビーム進行方向の厚さが前記第２の磁性体及び前記第３
の磁性体の前記厚さよシも厚く形成されたことを特徴と
する特許請求の範囲第３項記載のカラー受像管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15821981A JPS5859536A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | カラ−受像管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15821981A JPS5859536A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | カラ−受像管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5859536A true JPS5859536A (ja) | 1983-04-08 |
Family
ID=15666879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15821981A Pending JPS5859536A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | カラ−受像管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5859536A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4691139A (en) * | 1984-05-07 | 1987-09-01 | U.S. Philips Corporation | Display tube having ferromagnetic field shapers to prevent beam defocussing |
-
1981
- 1981-10-06 JP JP15821981A patent/JPS5859536A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4691139A (en) * | 1984-05-07 | 1987-09-01 | U.S. Philips Corporation | Display tube having ferromagnetic field shapers to prevent beam defocussing |
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