JPS5856368A - 太陽電池モジユ−ル - Google Patents

太陽電池モジユ−ル

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JPS5856368A
JPS5856368A JP56153816A JP15381681A JPS5856368A JP S5856368 A JPS5856368 A JP S5856368A JP 56153816 A JP56153816 A JP 56153816A JP 15381681 A JP15381681 A JP 15381681A JP S5856368 A JPS5856368 A JP S5856368A
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JP
Japan
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solar cell
light
cell element
receiving surface
diode
Prior art date
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Pending
Application number
JP56153816A
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English (en)
Inventor
Mitsunori Ketsusako
光紀 蕨迫
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/044PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes
    • H01L31/0443PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes comprising bypass diodes integrated or directly associated with the devices, e.g. bypass diodes integrated or formed in or on the same substrate as the photovoltaic cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は太陽電池モジュール、特にその配線方式に@す
る。
太陽電池モジュールは、第1図に示すようK。
太陽電池素子11t−直・並列に接続して構成される。
直交変換【目的にする場合には、高電圧が必賛なため、
モジュールはそれt−構成する素子をすべて直列に接続
するのが通常である。この様な構成のモジュールに一様
な太陽光が照射された場合には、第2図に示す如く、各
太陽電池素子のp−n接合に対し順方向に起電方が発生
し、モジュールに外部負荷【接続した場合1fCd、見
かけ上p−n接合の逆方向K[fi21が流れ、電源と
して作用する。
この直列に接続された一連の素子では、1に流が等しい
ので、各々の素子については仁の等しい電流出力に相当
する電圧状11MKあシ、その合計か直列に*Ml含れ
た素子群の端子間電圧となる。この様子は、飼えば第3
図の電流電圧特性で理解できる。すなわち、特性の異な
る2つの素子の出方特性をそれぞれ31および32とし
、これtFM列に接続して負荷に接続した時に電fii
が流れる場合。
それぞれの素子の端子間電圧v1+Vlは、各々の素子
の出力特性曲線と電流1との交点として与えられ、黄鉛
端子間電圧は、各々の素子の端子間電圧の和となる)素
子数3以上でも同様であp、先述の通りである。
いま、この様な稼動状態にある太陽電池モジュールで、
一部の素子の入射光が遮られた場合、その素子の出力電
流は零となシ、その素子に直列に接続されている素子の
開放電圧の和に相当する逆バイアスに9ける。この逆バ
イアス電圧が素子の降伏電圧より十分に低い場合には問
題ないが、モジュールを複数個直列に接続する場合には
重大な四組となる。また素子自体の逆方向特性が良好で
ない場合にも常に考慮しなければならない問題である。
さらに同様な状況ii素子の出方特性が一様でない場合
 入射光が一様であっても特性の最も低い素子か逆バイ
アス条件になることがおり、素子が順次破壊される危険
がある。
この様な状況から素子を保護するために、縞4図に示す
如く素子のp −n接合と逆並列に保農ダイオードに設
けることが行われる。この構造では。
素子が逆バイアス条件になった場合には、電流は保−ダ
イオード414Cバイパスして流れ、素子は^々保睦ダ
イオードの順電圧降下以上に逆バイアス逼れることはな
くなる。また、モジュールの一部の太陽電池素子が遮光
されても、遮光逼れたセルの寄与分が減少するのみでモ
ジュール全体の出力が零Kfkるということはなくなる
。また、稼動状態では保護ダイオードは常に逆バイアス
条件にあり、僅かな飽和電流が漏洩電流となるだけで実
質的な損失は生じない。
本発明は、かかる保霞ダイオードを付加した太陽電池モ
ジュールの結線方法に関するものである。
本発明の基本的構成は、第4図に示す如く、互に直列K
m続され友太陽電池素子の各々に逆並列に保護ダイオー
ドを設けた構造を有する。
次に本発明t−冥施例に沿ってa明する。第5図は、従
来構造の太陽電池篭ジュールの一例の断面構造を示す。
太陽電池素子51は通常−導電i!I!e! 半導体基板の一生面に反対導電形の層52t−設轢て受
光面とする構造であシ、この両領域を直列に′j&続す
るリード53で互に連結される。この素子列は充填材5
4によって埋め込まれ、透羽保賎材55で受光面at、
また他の保瞳材56で背向側tそれぞれ機って一体化し
1両端のリードを適宜外部に導出してモジュールとして
構成される。モジュール構成材として、透明表面保護材
には強化ガラスあるいはポリカーボネート、アクリル樹
脂等耐候性素材が一般的であり、背面保護材にはフン化
ビニル樹脂等がモジュール軽量化のために用いられる3
fた充填材にはPVB(ポリビニルブrラール)樹脂等
が用いられる。本発明にとって斥ジュールの構成および
材料は本質的な問題ではないが、受光面側が剛性のある
材料で、背面が柔軟な材料で構成される場合には本発明
の利点がより発揮でれる。
以下本発明の適用−を示す。第6図は、第5図に示すよ
うな太陽電池モジュールの直列に接続されている素子に
ついて1本発明を適用した一例の堅 断面図である。太陽電池素子61は0.5Ωcmpへの
シリコン結晶であシ、その表面にはりん會拡薮゛し、n
+層62が形成されている。素子の大きさii3インチ
径の円形でアリ、表面にはチタンおよびニッケルによる
積層形の格子状電極(図示せず)か辱さ約3μmで形成
され、その一部に直列接続のためのリード線が接続され
る。裏面はアルミニラムで合金層管形成しく図示せず)
、その一部に!・′− tもつ、5−角のpnダイオードt、ダイオードのn層
が太陽電池素子の裏面に接触するように半田づけされる
。ダイオードのp 層64と、そのダイオードの取付け
られた太陽電池素子に隣接する太陽電池の裏面とt、l
J−ドロ5で接続し、そのリードの砥長は、再び該ダイ
オードの取りつけられ九太陽電池素子の表面電極に接続
した。
上述の構造を単位とし、56素子を直列に接続してモジ
ュールとした。晴天時の太陽元下におけるモジュールの
出力は、短絡電ltがi、aA、Ii4!放電圧が30
.2Vであり、同構造のモジュールt4個直列に接続し
た場合には118Vo11放電圧を得た。これに100
0の負荷を接続した場合、負荷の端子間電圧は1Q7V
、負′#【流れる電流は1.06ムであった。このモジ
ュールの一部の素子を1党したところ、端子間電圧は1
061/に低下つた。
従来構造のモジュールを同様に接続した場合。
モジュールの一部t−遮光すると端子間電圧はOv近く
に低下し、負荷電流もはとんど流れない。場合によって
は[−また素子が劣化し、遮光を取除いてももとの端子
間電圧まで回復しないことも生じた。
保護ダイオードを設けたことの効果は上述の通りである
が1本発明のように保鰻ダイオード會太陽電池素子の裏
面に接続一体化する構成では、製造プロセスおよびモジ
ュール構成上でさらに利点がある。
まず、受光面側にリード付は部分【除いて突出部がなく
、剛性のある表面保護材との接触において、太陽電池素
子に不要の応力を加えることがなく、この点では従来構
造と同等である。II向保護材は柔軟であるため、保護
ダイオードの付mKよる突出t@収する。ま几、保護ダ
イオードのり′−ドと太陽電池素子の表面電極に接続さ
れるリードとは同一電位であり、裏面保護材の密着によ
ってリード同士の接触により短絡する危険が無い、さ素
子と保護ダイオードとの接触は保護ダイオードの片面全
面で行われる丸め、*方向抵抗が小さく。
比較的小面積のダイオードで済む。
太陽電池素子の裏面に保護ダイオードを設けるリード7
4t−設けた構造もある。この場合、iる太陽電池素子
の保護ダイオードは隣接する太陽電池素子に付置嘔れる
ことになり、素子列の片方の終趨部では外部に保護ダイ
オードを設ける必要がある3tた、リード73と74F
i同電位罠ないため、構造上煙路を防止するための迂回
措置が必要である。
第6図および第7図に示す構造で保護ダイオードを受光
面側に取付ける構造もあるが、通常太陽電池素子は光電
変換の特性上、受光1i1@の0.2〜lN]!+の浅
い位置にpn接合が形成されるため。
保鰻ダイオード會太陽電池素子に接続する工程が困難で
、接合貫通による短絡不良を起こす危険が大きい3石ら
に、受光面側に剛性透明保膜材を用いる場合に、太陽電
池素子に偏った応力を生ずることKなり、信頼性の面で
第6図の構成に劣る。。
型 子についても保護ダイオードの極性を反対にする縞6図
において、保謙ダイオードはn%基板に半田IJ7cl
一時にダイオード細面において短絡を防止するためでわ
シ、工程上jk要な要件である。
以上述べた如く、本発明上適用することにより。
単純な構成かつ単一の工II!によって、保護ダイオー
ドが逆並列に接続逼れた太陽電池素子およびその相互配
Im!が実現でき、不用意な部分的!1九に対して安定
に動作し、かつ信頼性の改善された太陽電池モジュール
を提供することができる。
本構成Fitたシリコン以外の、砒化ガリウム硫化カド
ミウム等の化合物半導体材料を用いた太−電池でも適用
可能である。
【図面の簡単な説明】
111図は一般的な太陽電池モジュールの構成的を示す
図、第2図は直列**された太陽電池素子列が光照射に
より動作する状況を示す模式図、第3図は太陽電池素子
の動作を示す電流−電圧特性のa引回、814図は太陽
電池素子の各々に逆並列に接続された保線ダイオードを
含む素子列の構成を示す図、亀664ti従来構造の太
陽電池モジュールの断面のHk示す図、!116図は本
発明の@1の実施ガに係わる太陽電池素子の相互配lI
Mt−示す断面図、總7図は本発明の總2の実MjIA
鉤に係わる太11.51,61,71・−太陽電池素子
、41゜72・−保護ダイオード、53,65,73.
74・・・!lI続リード。 特許出願人 工紐術娠石板誠− 第  1  図、  第  2  図 第3図 v、4図 ″に一ヨ 第  5  図 第  6  図 /L 々≧; 第  7  図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体基板の一生表面領域に、基板と反対導電型の
    不純物領域を設け、咳主表面【受光面となし、基板およ
    び不純物領域にそれぞれ電1iit設けてなる構成の太
    陽電池素子の複数音、直列接綬してな表太陽電池モジュ
    ールにおいて、太陽電池素子の基板に設けられた非受光
    面側電極上に保−ダイオードt’!litして設け、該
    保護ダイオードを各太陽電池素子に対して逆並列Km続
    して保瞳素子とし、太陽電池素子列を充填材によって埋
    め込み。 剛性のある保護材で受光面側【、柔軟な保護材で非受光
    面at覆うことによって構成してなる太陽電池モジュー
    ル。 1 上記基板はp (n )mlであ〕、上記不純物領
    域はn(p)fJIであp、上記保護ダイオードのn層
    側電fiが上記非受光面儒電IIK密着され、上記保護
    ダイオードの9層側電極と上記不純物領域上の受光1f
    Illl電極と1−接続したリードを隣接する太陽電池
    素子の非受光面側電極に接続してなること【特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の太陽電池モジュール。 3、上記基板はp(n)型であり、上記不純物領域tj
    n(p)型であり、上記保護ダイオードの9層側電極が
    上記非受光面側電極に密着され、上記保護ダイオードの
    nJm側電極と隣接する太陽電池素子の非受光面側電極
    とt−接続するリードと、上記非受光面側電極とiii
    *する太陽電池素子の受光E![1111m極とを接続
    するリードとを有、することを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の太陽電池モジュール。
JP56153816A 1981-09-30 1981-09-30 太陽電池モジユ−ル Pending JPS5856368A (ja)

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