KR20150043872A - 태양 전지 모듈 - Google Patents

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KR20150043872A
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홍세은
김주석
문현록
유언주
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엘지전자 주식회사
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈은, 태양 전지; 상기 태양 전지의 전면에 위치하는 제1 밀봉재; 및 상기 태양 전지의 후면에 위치하는 제2 밀봉재를 포함한다. 제1 조건에서 상기 제1 밀봉재의 비저항이 상기 제2 밀봉재의 비저항과 같거나 그보다 작다.

Description

태양 전지 모듈{SOLAR CELL MODULE}
본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것으로서, 좀더 상세하게는, 밀봉 구조를 개선한 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예상되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양 전지는 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 차세대 전지로서 각광받고 있다.
이러한 태양 전지는 외부 환경에 장기간 노출되어야 하므로, 태양 전지를 보호하기 위한 패키징(packaging) 공정에 의하여 모듈 형태로 제조된다. 이렇게 제조된 태양 전지 모듈은 다양한 환경에서 발전을 하여야 하므로 다양한 환경에서 오랜 시간 동안 발전을 할 수 있도록 높은 장기 신뢰성을 가져야 한다.
그런데 고온다습한 환경에서 태양 전지 모듈의 발전 효율이 감소하는 현상(potential induced degradation, PID)(이하, "PID 현상")이 많이 발생하고 있다. 여기서, PID 현상이란 태양 전지 모듈의 프레임과 태양 전지 모듈의 음극(negative) 단자의 큰 전위차로 인하여 태양 전지 모듈의 출력이 저하되는 현상을 말한다. 이에 따라 PID 현상을 개선하여 태양 전지 모듈의 장기 신뢰성을 향상하는 것이 요구된다.
본 발명은 우수한 장기 신뢰성을 가지는 태양 전지 모듈을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈은, 태양 전지; 상기 태양 전지의 전면에 위치하는 제1 밀봉재; 및 상기 태양 전지의 후면에 위치하는 제2 밀봉재를 포함한다. 제1 조건에서 상기 제1 밀봉재의 비저항이 상기 제2 밀봉재의 비저항과 같거나 그보다 작다.
상기 제1 조건의 온도가 20 내지 30℃이고, 20 내지 30℃보다 높은 온도의 제2 조건에서 상기 제1 밀봉재의 비저항이 상기 제2 밀봉재의 비저항과 같거나 그보다 클 수 있다.
상기 제1 조건보다 상기 제2 조건의 습도가 더 높고, 상기 제2 조건의 온도가 60℃ 이상이고 습도가 50% 이상일 수 있다.
온도 증가에 따른 상기 제1 밀봉재의 비저항의 감소분보다 상기 제2 밀봉재의 비저항의 감소분이 더 클 수 있다.
상기 제1 밀봉재의 비저항이 1 X 1014 Ωcm 내지 1 X 1015 Ωcm이고, 상기 제2 밀봉재의 비저항이 1 X 1014 Ωcm 내지 1 X 1016 Ωcm일 수 있다.
상기 제1 밀봉재의 수분 투습도가 상기 제2 밀봉재의 수분 투습도와 같거나 그보다 작을 수 있다.
상기 태양 전지 모듈은, 상기 제1 밀봉재 위에 위치하는 전면 기판; 및 상기 제2 밀봉재 위에 위치하는 후면 기판을 더 포함할 수 있다.
상기 전면 기판이 나트륨을 포함하지 않는 유리 또는 아크릴 수지를 포함할 수 있다.
상기 제1 밀봉재의 두께가 상기 제2 밀봉재의 두께와 같거나 이보다 클 수 있다.
상기 제1 밀봉재의 녹는점이 상기 제2 밀봉재의 녹는점보다 낮을 수 있다.
상기 제1 밀봉재가 상기 태양 전지의 전면 및 측면을 덮으면서 형성되고, 상기 제2 밀봉재가 상기 태양 전지의 후면을 덮으면서 형성될 수 있다.
상기 제1 밀봉재와 상기 제2 밀봉재의 경계면이 상기 태양 전지의 전면보다 상기 태양 전지의 후면에 가깝게 위치할 수 있다.
상기 제1 밀봉재가 열가소성 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 밀봉재가 아이오노머, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리올레핀, 폴리비닐부티랄, 열가소성 풀리우레탄, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리스티롤, 실록산 도는 이들의 코폴리머 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 물질 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 제1 밀봉재가 폴리올레핀을 포함할 수 있다.
상기 제2 밀봉재가 가교 결합된 물질을 포함할 수 있다.
상기 제2 밀봉재가 에폭시 수지, 에틸렌비닐아세테이트, 가교 결합된 폴리메탄, 폴리실리콘, 폴리아르가노실록산, 가교 결합된 폴리아크릴레이트에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 제2 밀봉재가 에틸렌비닐아세테이트를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지는, 태양 전지; 상기 태양 전지의 전면에 위치하는 제1 밀봉재; 및 상기 태양 전지의 후면에 위치하는 제2 밀봉재를 포함하고, 온도 증가에 따른 상기 제1 밀봉재의 비저항의 감소분보다 상기 제2 밀봉재의 비저항의 감소분이 더 크다.
제1 온도에서 상기 제1 밀봉재의 비저항이 상기 제2 밀봉재의 비저항과 같거나 그보다 작고, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에서 상기 제1 밀봉재의 비저항이 상기 제2 밀봉재의 비저항보다 클 수 있다. 상기 제1 밀봉재의 수분 투습도가 상기 제2 밀봉재의 수분 투습도보다 클 수 있다. 상기 제1 밀봉재가 폴리올레핀을 포함하고, 상기 제2 밀봉재가 에틸렌비닐아세테이트를 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 태양 전지 모듈에서는, 전면 기판에 인접하여 위치하는 제1 밀봉재와, 이의 반대편에 위치한 제2 밀봉재의 특성을 다르게 하여, 다양한 특성을 향상할 수 있다. 즉, 제1 및 제2 밀봉재의 온도에 따른 비저항, 수분 투습도, 두께 등을 한정하여 태양 전지 모듈의 비용을 절감하면서 PID 현상을 효과적으로 방지하여 장기 신뢰성을 향상할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 II-II 선을 따라서 잘라서 본 태양 전지 모듈의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시한 태양 전지의 평면도이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니며 다양한 형태로 변형될 수 있음은 물론이다.
도면에서는 본 발명을 명확하고 간략하게 설명하기 위하여 설명과 관계 없는 부분의 도시를 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 참조부호를 사용한다. 그리고 도면에서는 설명을 좀더 명확하게 하기 위하여 두께, 넓이 등을 확대 또는 축소하여 도시하였는바, 본 발명의 두께, 넓이 등은 도면에 도시된 바에 한정되지 않는다.
그리고 명세서 전체에서 어떠한 부분이 다른 부분을 "포함"한다고 할 때, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 부분을 배제하는 것이 아니며 다른 부분을 더 포함할 수 있다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 위치하는 경우도 포함한다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 위치하지 않는 것을 의미한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈을 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 II-II 선을 따라서 잘라서 본 태양 전지 모듈의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 모듈(100)은 태양 전지(150), 태양 전지(150)의 전면 상에 위치하는 제1 기판(이하 "전면 기판")(110) 및 태양 전지(150)의 후면 상에 위치하는 제2 기판(이하 "후면 시트")(200)을 포함할 수 있다. 또한, 태양 전지 모듈(100)은 태양 전지(150)와 전면 기판(110) 사이의 제1 밀봉재(131)와, 태양 전지(150)와 후면 시트(200) 사이의 제2 밀봉재(132)를 포함할 수 있다. 이때, 본 실시예에서는 제1 밀봉재(131) 및 제2 밀봉재(132)의 비저항에 의하여 태양 전지 모듈(100)의 장기 신뢰성을 향상한다. 이를 좀더 상세하게 설명한다.
먼저, 태양 전지(150)는 태양 에너지를 전기 에너지로 변환하는 광전 변환부와, 광전 변환부에 전기적으로 연결되는 전극을 포함하여 형성된다. 본 실시예에서는 일례로 반도체 기판(일례로, 실리콘 웨이퍼)과 도전형 영역을 포함하는 광전 변환부가 적용될 수 있다. 이러한 구조의 태양 전지(150)를 도 3 및 도 4를 참조하여 상세하게 설명한 다음, 다시 도 1 및 도 2를 참조하여 태양 전지 모듈(100)에 대하여 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 단면도이고, 도 4는 도 3에 도시한 태양 전지의 평면도이다. 도 4에서는 반도체 기판(152)과 제1 및 제2 전극(42, 44)을 위주로 도시하였다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 태양 전지(150)는, 도전형 영역(20, 30)을 포함하는 반도체 기판(152)과, 도전형 영역(20, 30)과, 베이스 영역(10) 및/또는 도전형 영역(20, 30)에 각기 연결되는 전극(42, 44)을 포함한다. 이하에서는 제1 도전형 영역을 에미터 영역(20)으로 칭하고, 제2 도전형 영역을 후면 전계 영역(30)으로 칭한다. 제1 및 제2 도전형 영역의 용어는 단순히 구별을 위하여 사용한 것에 불과하고 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고 제1 전극(42)은 에미터 영역(20)에 전기적으로 연결되고, 제2 전극(44)은 베이스 영역(10) 또는 후면 전계 영역(30)에 전기적으로 연결된다. 그리고 패시베이션막(22, 32), 반사 방지막(24), 캡핑막(34) 등이 더 형성될 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명한다.
반도체 기판(152)은, 도전형 영역(20, 30)이 형성되는 영역과 도전형 영역(20, 30)이 형성되지 않는 부분인 베이스 영역(10)을 포함한다. 베이스 영역(10)은, 일례로 제1 도전형 불순물을 포함하는 실리콘(일 예로, 실리콘 웨이퍼)으로 구성될 수 있다. 실리콘으로는 단결정 실리콘 또는 다결정 실리콘이 사용될 수 있으며, 제1 도전형 불순물은 p형 또는 n형일 수 있다.
베이스 영역(10)이 p형을 가지는 경우에는 베이스 영역(10)이 3족 원소인 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다. 베이스 영역(10)이 n형을 가지는 경우에는 베이스 영역(10)이 5족 원소인 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다. 베이스 영역(10)은 상술한 물질 외의 다양한 물질을 사용할 수 있다.
이때, 베이스 영역(10)은 제1 도전형 불순물로 n형의 불순물을 가질 수 있다. 그러면, 베이스 영역(10)과 pn 접합을 이루는 에미터 영역(20)이 p형을 가지게 된다. 이러한 pn 접합에 광이 조사되면 광전 효과에 의해 생성된 전자가 반도체 기판(152)의 제2 면(이하 "후면") 쪽으로 이동하여 제2 전극(44)에 의하여 수집되고, 정공이 반도체 기판(152)의 전면 쪽으로 이동하여 제1 전극(42)에 의하여 수집된다. 이에 의하여 전기 에너지가 발생한다. 그러면, 전자보다 이동 속도가 느린 정공이 반도체 기판(152)의 후면이 아닌 전면으로 이동하여 변환 효율이 향상될 수 있다. 다만, 이와 같이 n형의 베이스 영역(10)을 가지는 태양 전지(150)에서 PID 현상이 좀더 쉽게 발생될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스 영역(10) 및 후면 전계 영역(30)이 p형을 가지고 에미터 영역(20)이 n형을 가지는 것도 가능하다.
반도체 기판(152)의 전면 및/또는 후면은 텍스쳐링(texturing)되어 피라미드 등의 형태의 요철을 가질 수 있다. 이와 같은 텍스쳐링에 의해 반도체 기판(152)의 전면 등에 요철이 형성되어 표면 거칠기가 증가되면, 반도체 기판(152)의 전면 등을 통하여 입사되는 광의 반사율을 낮출 수 있다. 따라서 베이스 영역(10)과 에미터 영역(20)의 계면에 형성된 pn 접합까지 도달하는 광량을 증가시킬 수 있어, 광 손실을 최소화할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 기판(152)의 전면 및 후면에 텍스쳐링에 의한 요철이 형성되지 않는 것도 가능하다.
반도체 기판(152)의 전면 쪽에는 베이스 영역(10)과 반대되는 제2 도전형을 가지는 에미터 영역(20)이 형성될 수 있다. 에미터 영역(20)이 n형일 때에는 인, 비소, 비스무스, 안티몬 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있고, p형일 때에는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다.
도면에서는 에미터 영역(20)이 전체적으로 균일한 도핑 농도를 가지는 균일한 구조(homogeneous structure)를 가지는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 다른 실시예로, 에미터 영역(20)이 선택적 구조(selective structure)를 가질 수 있다. 선택적 구조에서는 에미터 영역(20) 중에서 제1 전극(42)과 인접한 부분에서 높은 도핑 농도 및 낮은 저항을 가지며, 그 외의 부분에서 낮은 도핑 농도 및 높은 저항을 가질 수 있다. 에미터 영역(20)의 구조로는 이 외에도 다양한 구조가 적용될 수 있다.
그리고 본 실시예에서는 반도체 기판(152)의 전면 쪽에 제2 도전형 불순물을 도핑하여 형성된 도핑 영역이 에미터 영역(20)을 구성한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 에미터 영역(20)이 반도체 기판(152)의 전면 위에 별도의 층으로 구성되는 등 다양한 변형이 가능하다.
반도체 기판(152) 위에, 좀더 정확하게는 반도체 기판(152)에 형성된 에미터 영역(20) 위에 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)이 차례로 형성되고, 제1 전극(42)이 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)을 관통하여 에미터 영역(20)에 접촉하여 형성된다.
패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)은 제1 전극(42)에 대응하는 부분을 제외하고 실질적으로 반도체 기판(152)의 전면 전체에 형성될 수 있다.
패시베이션막(22)은 에미터 영역(20)에 접촉하여 형성되어 에미터 영역(20)의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함을 부동화 시킨다. 이에 의하여 소수 캐리어의 재결합 사이트를 제거하여 태양 전지(150)의 개방 전압(Voc)을 증가시킬 수 있다. 반사 방지막(24)은 반도체 기판(152)의 전면으로 입사되는 광의 반사율을 감소시킨다. 이에 의하여 반도체 기판(152)의 전면을 통해 입사되는 광의 반사율이 낮추는 것에 의하여 베이스 영역(10)과 에미터 영역(20)의 계면에 형성된 pn 접합까지 도달되는 광량을 증가시킬 수 있다. 이에 따라 태양 전지(150)의 단락 전류(Isc)를 증가시킬 수 있다. 이와 같이 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)에 의해 태양 전지(150)의 개방 전압과 단락 전류를 증가시켜 태양 전지(150)의 효율을 향상할 수 있다.
패시베이션막(22)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 패시베이셔막(22)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 일 예로, 패시베이션막(22)은, 에미터 영역(20)이 n형을 가지는 경우에는 고정 양전하를 가지는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등을 포함할 수 있으며, 에미터 영역(20)이 p형을 가지는 경우에는 고정 음전하를 가지는 알루미늄 산화막 등을 포함할 수 있다.
방사 방지막(24)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 반사 방지막(24)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 일 예로, 반사 방지막(24)은 실리콘 질화물을 포함할 수 있다.
그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)이 다양한 물질을 포함할 수 있음은 물론이다. 그리고 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24) 중 어느 하나가 반사 방지 역할 및 패시베이션 역할을 함께 수행하여 다른 하나가 구비되지 않는 것도 가능하다. 또는, 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24) 이외의 다양한 막이 반도체 기판(152) 위에 형성될 수도 있다. 그 외에도 다양한 변형이 가능하다.
제1 전극(42)은 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)에 형성된 개구부(104)를 통하여(즉, 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)을 관통하여) 에미터 영역(20)에 전기적으로 연결된다. 이러한 제1 전극(42)은 다양한 물질에 의하여 다양한 형상을 가지도록 형성될 수 있다. 제1 전극(42)의 형상에 대해서는 도 4를 참조하여 추후에 다시 설명한다.
반도체 기판(152)의 후면 쪽에는 베이스 영역(10)과 동일한 제1 도전형을 가지되, 베이스 영역(10)보다 높은 도핑 농도로 제1 도전형 불순물을 포함하는 후면 전계 영역(30)이 형성된다. 후면 전계 영역(30)은 반도체 기판(152)의 후면 쪽에 제2 도전형 불순물을 도핑하여 형성된 도핑 영역으로 구성될 수 있다.
본 실시예에서 후면 전계 영역(30)이 전체적으로 균일한 도핑 농도를 가지는 균일한 구조(homogeneous structure)를 가지는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 다른 실시예로, 후면 전계 영역(30)이 선택적 구조(selective structure)를 가질 수 있다. 선택적 구조에서는 후면 전계 영역(30) 중에서 제2 전극(44)과 인접한 부분에서 높은 도핑 농도 및 낮은 저항을 가지며, 그 외의 부분에서 낮은 도핑 농도 및 높은 저항을 가질 수 있다. 또 다른 실시예로, 후면 전계 영역(30)이 국부적 구조(local structure)를 가질 수 있다. 국부적 구조에서는 후면 전계 영역(30)이 제2 전극(44)이 형성된 부분에 대응하여 국부적으로 형성될 수 있다.
반도체 기판(152)의 후면 위에, 좀더 정확하게는 반도체 기판(152)에 형성된 후면 전계 영역(30) 위에 패시베이션막(32) 및 캡핑막(34)이 차례로 형성되고, 제2 전극(44)이 패시베이션막(32) 및 반사 방지막(34)을 관통하여 후면 전계 영역(30)에 연결된다.
패시베이션막(32) 및 캡핑막(34)은 제2 전극(44)에 대응하는 부분을 제외하고 실질적으로 반도체 기판(152)의 후면 전체에 형성될 수 있다.
패시베이션막(32)은 후면 전계 영역(30)에 접촉하여 형성되어 후면 전계 영역(30)의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함을 부동화 시킨다. 이에 의하여 소수 캐리어의 재결합 사이트를 제거하여 태양 전지(150)의 개방 전압(Voc)을 증가시킬 수 있다. 캡핑막(34)은 패시베이션막(32)이 오염되거나 원하지 않는 물질이 패시베이션막(32)으로 확산하는 것을 방지하는 역할을 한다. 예를 들어, 캡핑막(34)은 제2 전극(44)의 형성 공정 등에서 제2 전극(44)을 형성하기 위한 물질 등이 패시베이션막(32)으로 확산하는 것을 방지할 수 있다.
패시베이션막(32)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 패시베이션막(32)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 일 예로, 패시베이션막(32)은, 후면 전계 영역(30)이 n형을 가지는 경우에는 고정 양전하를 가지는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등을 포함할 수 있으며, 후면 전계 영역(30)이 p형을 가지는 경우에는 고정 음전하를 가지는 알루미늄 산화막 등을 포함할 수 있다.
캡핑막(34)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 캡핑막(34)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 일 예로, 캡핑막(34)은 알루미늄 산화물을 포함할 수 있다.
그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 패시베이션막(32) 및 캡핑막(34)이 다양한 물질을 포함할 수 있음은 물론이다. 그리고 캡핑막(34)을 구비하지 않는 것도 가능하다. 또는, 패시베이션막(32) 및 캡핑막(34) 이외의 다양한 막이 반도체 기판(152) 위에 형성될 수도 있다. 그 외에도 다양한 변형이 가능하다.
제2 전극(44)은 패시베이션막(32) 및 캡핑막(34)에 형성된 개구부(102)를 통하여 후면 전계 영역(30)에 전기적으로 연결된다. 제2 전극(44)은 다양한 물질에 의하여 다양한 형상을 가지도록 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 제1 및 제2 전극(42, 44)은 일정한 피치를 가지면서 서로 이격되는 복수의 핑거 전극(42a, 44a)을 포함할 수 있다. 도면에서는 핑거 전극(42a, 44a)이 서로 평행하며 반도체 기판(152)의 가장자리에 평행한 것을 예시하였으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고 제1 및 제2 전극(42, 44)은 핑거 전극들(42a, 44a)과 교차하는 방향으로 형성되어 핑거 전극(42a, 44a)을 연결하는 버스바 전극(44a, 44b)을 포함할 수 있다. 이러한 버스 전극(44a, 44b)은 하나만 구비될 수도 있고, 도 2에 도시된 바와 같이, 핑거 전극(42a, 44a)의 피치보다 더 큰 피치를 가지면서 복수 개로 구비될 수도 있다. 이때, 핑거 전극(42a, 44a)의 폭보다 버스바 전극(42b, 44b)의 폭이 클 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 동일하거나 작은 폭을 가질 수 있다.
단면 상으로 볼 때, 제1 전극(42)의 핑거 전극(42a) 및 버스바 전극(42b)은 모두 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)을 관통하여 형성될 수도 있다. 즉, 개구부(102)가 제1 전극(42)의 핑거 전극(42a) 및 버스바 전극(42b)에 모두 대응하여 형성될 수 있다. 그리고 제2 전극(44)의 핑거 전극(44a) 및 버스바 전극(44b)은 모두 패시베이션막(32) 및 캡핑막(34)을 관통하여 형성될 수도 있다. 즉, 개구부(104)가 제2 전극(44)의 핑거 전극(44a) 및 버스바 전극(44b)에 모두 대응하여 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 예로, 제1 전극(42)의 핑거 전극(42a)이 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)을 관통하여 형성되고, 버스바 전극(42b)이 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24) 위에 형성될 수 있다. 그리고 제2 전극(44)의 핑거 전극(44a)이 패시베이션막(32) 및 캡핑막(34)을 관통하여 형성되고, 버스바 전극(44b)은 패시베이션막(32) 및 캡핑막(34) 위에 형성될 수 있다.
본 실시예에서는 태양 전지(150)의 제1 및 제2 전극(42, 44)이 일정한 패턴을 가져 태양 전지(150)가 반도체 기판(152)의 전면 및 후면으로 광이 입사될 수 있는 양면 수광형(bi-facial) 구조를 가진다. 이에 의하여 태양 전지(150)에서 사용되는 광량을 증가시켜 태양 전지(150)의 효율 향상에 기여할 수 있다.
도면에서는 제1 전극(42)과 제2 전극(44)이 서로 동일한 형상을 가지는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 전극(42)의 핑거 전극 및 버스바 전극의 폭, 피치 등은 제2 전극(44)의 핑거 전극(44a) 및 버스바 전극(44b)의 폭, 피치 등과 서로 다른 값을 가질 수 있다. 또한, 제1 전극(42)과 제2 전극(44)의 형상이 서로 다른 것도 가능하며, 그 외의 다양한 변형이 가능하다.
상술한 설명에서는 도 3 및 도 4를 참조하여 태양 전지(150)의 일 예를 설명하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 태양 전지(150)의 구조, 방식 등은 다양하게 변형될 수 있다. 일 예로, 태양 전지(150)는 화합물 반도체를 이용하거나, 염료 감응 물질을 이용하는 등의 다양한 구조를 가지는 광전 변환부가 적용될 수 있다.
다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 태양 전지(150)는 리본(142)에 의하여 전기적으로 직렬, 병렬 또는 직병렬로 연결될 수 있다. 구체적으로, 리본(142)은 태양 전지(150)의 수광면 상에 형성된 전면 전극과, 인접한 다른 태양 전지(150)의 이면 상에 형성된 후면 전극을 태빙(tabbing) 공정에 의해 연결할 수 있다. 태빙 공정은 태양 전지(150)의 일면에 플럭스(flux)를 도포하고, 플럭스가 도포된 태양 전지(150)에 리본(142)을 위치시킨 다음, 소성 과정을 거쳐 수행될 수 있다. 플럭스는 솔더링을 방해하는 산화막을 제거하기 위한 것으로, 반드시 포함되어야 하는 것은 아니다.
또는, 태양 전지(150)의 일면과 리본(142) 사이에 전도성 필름(미도시)을 부착시킨 다음, 열 압착에 의해 복수의 태양 전지(150)를 직렬 또는 병렬로 연결할 수 있다. 전도성 필름(미도시)은 도전성이 우수한 금, 은, 니켈, 구리 등으로 형성된 도전성 입자가 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리카보네이트 수지 등으로 형성된 필름 내에 분산된 것일 수 있다. 이러한 전도성 필름을 열을 가하면서 압착하면 도전성 입자가 필름의 외부로 노출되고, 노출된 도전성 입자에 의해 태양 전지(150)와 리본(142)이 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 같이 전도성 필름(미도시)에 의해 복수의 태양 전지(150)를 연결하여 모듈화하는 경우는, 공정 온도를 저하시킬 수 있어 태양 전지(150)의 휘어짐을 방지할 수 있다.
또한, 버스 리본(145)은 리본(142)에 의하여 연결된 하나의 열(列)의 태양 전지(150)의 리본(142)의 양끝단을 교대로 연결한다. 버스 리본(145)은 하나의 열을 이루는 태양 전지(150)의 단부에서 이와 교차하는 방향으로 배치될 수 있다. 이러한 버스 리본(145)은 태양 전지(150)가 생산한 전기를 모으며 전기가 역류되는 것을 방지하는 정션 박스(미도시)와 연결된다.
그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 태양 전지(150) 사이의 연결 구조, 태양 전지(150)와 외부의 연결 구조 등은 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 태양 전지 모듈(100)이 복수 개의 태양 전지(150)를 구비하지 않고 하나의 태양 전지(150)로 구성되는 것도 가능하다.
제1 밀봉재(131)는 태양 전지(150)의 전면에 위치하고, 제2 밀봉재(132)는 태양 전지(150)의 후면에 위치할 수 있다. 좀더 구체적으로, 제1 밀봉재(131)는 태양 전지(150)와 전면 기판(110) 사이에서 이들과 접촉하여 위치할 수 있고, 제2 밀봉재(132)는 태양 전지(150)와 후면 시트(200) 사이에서 이들과 접촉하여 위치할 수 있다. 제1 밀봉재(131)와 제2 밀봉재(132)는 라미네이션에 의해 접착하여, 태양 전지(150)에 악영향을 미칠 수 있는 수분이나 산소를 차단하며, 태양 전지의 각 요소들이 화학적으로 결합할 수 있도록 한다.
여기서, 제1 밀봉재(131)와 제2 밀봉재(132)는 서로 다른 물질, 특성 등을 가질 수 있다. 이는 비용을 절감하고 PID 현상을 효과적으로 방지하기 위함이다. 이를 좀더 상세하게 설명한다.
PID 현상은 다양한 이유에 의하여 발생할 수 있는데, 일 예로, 고온 다습한 제2 조건에서 전면 기판(110) 또는 후면 시트(200) 등에 포함된 이온성 물질의 높은 이동성에 의하여 이온성 물질이 태양 전지(150)에 도달하는 것에 의하여 발생할 수 있다. 이때, 후면 시트(200)보다는 전면 기판(110)에 이온성 물질(예를 들어, 나트륨 이온) 등이 더 많이 포함되므로, 전면 기판(110)에 인접하여(일 예로, 접촉하여) 위치한 제1 밀봉재(131)의 물질, 특성 등이 PID 현상을 방지하는 데 큰 영향을 미친다.
즉, PID 현상은 이온성 물질을 상대적으로 많이 포함하는 전면 기판(110)에 인접한 제1 밀봉재(131)가 낮은 수분 투습도 및 높은 비저항을 가질 때 효과적으로 방지될 수 있다. 좀더 구체적으로, 제1 밀봉재(131)의 수분 투습도가 낮거나 비저항이 높으면, 전면 기판(110)에 포함된 이온성 물질의 이동을 방해하게 되므로, 전면 기판(110)에 포함된 이온성 물질이 태양 전지(150)에 도달할 확률이 낮아지게 된다. 이에 따라 고온 다습한 제2 조건에서 전면 기판(110)에 포함된 이온성 물질에 의하여 유도될 수 있는 PID 현상을 방지할 수 있다.
이와 같이 제1 밀봉재(131)는 제2 밀봉재(132)보다 PID 현상을 방지하기에 좀더 적합한 물질, 특성 등을 가져야 한다.
일 예로, 온도 증가에 따른 제1 밀봉재(131)의 비저항의 감소분보다 제2 밀봉재(132)의 비저항의 감소분이 더 크도록 하여, 상대적으로 높은 온도(제2 온도) 및 상대적으로 높은 습도(제2 습도)의 제2 조건에서 제1 밀봉재(131)의 비저항이 제2 밀봉재(132)의 비저항보다 클 수 있다. 일 예로, 제2 조건의 제2 온도는 60℃ 이상일 수 있고 제2 습도가 50% 이상일 수 있다. 좀더 구체적으로 제2 온도가 60 내지 70℃(일 예로, 65℃)이고 제2 습도가 70 내지 90%(일 예로, 85%)일 수 있다. 이에 의하여 제2 조건에서 제1 밀봉재(131)의 높은 비저항이 전면 기판(110)에 포함된 이온성 물질의 이동을 방지하는 역할을 하게 되는바, PID 현상을 방지할 수 있다.
그리고 제1 밀봉재(131)의 수분 투습도를 제2 밀봉재(132)의 수분 투습도와 같거나 그보다 작게 하면, PID 현상을 좀더 효과적으로 향상할 수 있다. 일 예로, 37.8℃의 온도에서 수분 투습도 분석기(water vapor transmission rate, WVTR)를 이용하여 측정하면, 제1 및 제2 밀봉재(131, 132)의 수분 투습도가 10g/m2/일(day) 내지 50g/m2/일의 값을 가지면서 제1 밀봉재(131)의 수분 투습도가 제2 밀봉재(132)의 수분 투습도와 같거나 그보다 작을 수 있다. 이때, 37.8℃는 수분 투습도를 측정하는 데 일반적으로 사용되는 온도이다.
이와 같이 제1 밀봉재(131)로 온도 증가에 따른 비저항의 감소분이 상대적으로 작고 수분 투습도가 상대적으로 작은 물질을 사용하여야 한다. 이와 같은 특성을 가지는 물질은 제2 밀봉재(132)에 비하여 상대적으로 비싼 가격을 가지게 된다. 이때, 상대적으로 낮은 제1 온도(일 예로, 20 내지 30℃, 좀더 구체적으로, 25℃) 및 제1 습도(일 예로, 50% 미만)의 제1 조건에서 제1 밀봉재(131)의 비저항이 증가할수록 제1 밀봉재(131)의 가격이 증가한다. 이는 비저항을 조절하기 위하여 제1 밀봉재(131)의 조성을 변화시키거나 첨가물을 첨가하는데, 이에 의하여 제1 밀봉재(131)의 비용이 달라지기 때문이다. 본 실시예에서는 제1 조건에서는 제1 밀봉재(131)의 비저항을 제1 밀봉재(132)의 비저항과 같거나 이보다 작게 하여, 즉, 상대적으로 제1 밀봉재(131)의 비저항을 작게 하여, 상대적으로 고가인 제1 밀봉재(131)의 가격을 절감할 수 있다.
일 예로, 제1 조건인 20 내지 30℃(일 예로, 25℃)의 온도에서 제1 밀봉재(131)의 비저항이 1 X 1014 Ωcm 내지 1 X 1015 Ωcm이고, 제2 밀봉재(132)의 비저항이 1 X 1014 Ωcm 내지 1 X 1016 Ωcm이면서, 제1 밀봉재(131)의 비저항이 제2 밀봉재(132)의 비저항과 같거나 이보다 작을 수 있다. 제1 조건에서 제1 밀봉재(131)의 비저항이 1 X 1014 Ωcm 미만이면, 제1 조건에서의 비저항이 낮아 제2 조건의 비저항 또한 낮으므로 제2 조건에서 PID 현상을 효과적으로 방지하기 어려울 수 있다. 제1 조건에서 제1 밀봉재(131)의 비저항이 1 X 1015 Ωcm를 초과하면, 비용을 절감하기 어려울 수 있다. 제1 조건에서 제2 밀봉재(132)의 비저항이 1 X 1014 Ωcm 미만이거나 1 X 1016 Ωcm를 초과하면, 제2 밀봉재(132)의 제조 비용이 증가할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
그리고 PID 현상과 크게 관련되지 않는 제2 밀봉재(132)는 온도가 상승할 때 비저항 감소분이 상대적으로 크며 수분 투습도가 상대적으로 큰 물질을 사용할 수 있다. 이에 의하여 제2 밀봉재(132)는 제1 밀봉재(131)보다 가격이 저렴한 물질을 사용하여 비용 절감을 도모할 수 있다.
그리고 제1 밀봉재(131)의 두께가 제2 밀봉재(132)의 두께와 같거나 이보다 클 수 있다. 이와 같이 태양 전지(150)의 전면에 위치한 제1 밀봉재(131)의 두께가 클수록 PID 현상을 효과적으로 방지할 수 있고, 태양 전지(150)의 후면에 위치한 제2 밀봉재(132)의 두께를 줄여 비용을 절감할 수 있다. 일 예로, 제2 밀봉재(132)의 두께에 대한 밀봉재(131)의 두께 비율이 1배 이상(좀더 구체적으로는, 2배 이상)일 수 있다. 상기 두께 비율이 1배 미만이면 비용 절감 효과가 충분하지 않을 수 있다. 상기 두께 비율을 2배 이상으로 하면 비용 절감 효과를 향상할 수 있다. 그리고 제2 밀봉재(131)의 두께가 지나치게 얇아지거나 제1 밀봉재(131)의 두께가 불필요하게 두꺼워지는 것을 방지할 수 있도록, 제2 밀봉재(132)의 두께에 대한 밀봉재(131)의 두께 비율은 10배 이하(일 예로, 5배 이하)일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 및 제2 밀봉재(131, 132)의 두께는 다양한 값을 가질 수 있다.
이때, 도 2의 확대원에 도시한 바와 같이, 제1 밀봉재(131)가 태양 전지(150)의 전면 및 측면을 덮으면서 형성될 수 있고, 제2 밀봉재(132)가 태양 전지(150)의 후면을 덮으면서 형성될 수 있다. 이와 같이 제1 밀봉재(131)가 태양 전지(150)의 측면을 덮으면서 형성되어 PID 현상과 관련되는 제1 밀봉재(131)의 두께를 충분하게 확보할 수 있다. 좀더 구체적으로는, 제1 밀봉재(131)가 태양 전지(150)의 측면을 전체적으로 감싸는 것에 의하여, 제1 밀봉재(131)와 제2 밀봉재(132)의 계면(일 예로, 접촉하는 계면)은 태양 전지(150)의 후면(또는 태양 전지(150)의 후면에 부착된 리본(142))과 동일 평면 상에 위치할 수 있다. 이에 의하여 태양 전지(150)를 효과적으로 밀봉하면서 PID 현상을 효과적으로 방지할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 밀봉재(131)와 제2 밀봉재(132)의 계면이 태양 전지(150)의 전면보다 후면 쪽에 가까이 위치하면 족하며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.
구체적으로, 제1 밀봉재(131)가 열가소성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 밀봉재(131)가 아이오노머, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리올레핀, 폴리비닐부티랄, 열가소성 풀리우레탄, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리스티롤, 실록산 도는 이들의 코폴리머 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 물질 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 이 중에서도 폴리올레핀은 온도 상승에 따른 비저항의 감소분이 작으므로 높은 온도의 PID 조건에서 높은 비저항을 가질 수 있고, 수분 투습도가 낮다. 이에 의하여 고온 조건에서 전면 기판(110)에 포함된 물질 등이 태양 전지(150) 쪽으로 이동하여 발생할 수 있는 PID 현상을 효과적으로 방지할 수 있다.
제2 밀봉재(132)는 가교 결합된 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 밀봉재(132)가 에폭시 수지, 에틸렌비닐아세테이트, 가교 결합된 폴리메탄, 폴리실리콘, 폴리아르가노실록산, 가교 결합된 폴리아크릴레이트에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 이 중에서도 에틸렌비닐아세테이트는 우수한 접착성, 유연성, 충격 흡수성 등을 가지면서도 가격이 낮다. 이와 같은 에틸렌비닐아세테이트를 PID 현상과 상대적으로 적게 관련되는 태양 전지(150)의 후면 쪽에 위치시켜 접착성을 향상시키면서도 비용을 향상할 수 있다.
이때, 상술한 바와 같이 태양 전지(150)의 전면의 제1 밀봉재(131)가 폴리올레핀을 포함하고 태양 전지(150)의 후면의 제2 밀봉재(132)가 에틸렌비닐아세테이트를 포함하면, 녹는점 차이에 의하여 상술한 구조의 제1 및 제2 밀봉재(131, 132)를 쉽게 형성할 수 있다. 구체적으로, 제1 밀봉재(131)를 구성하는 폴리올레핀의 녹는점은 60℃ 이상, 70℃ 미만이며, 제2 밀봉재(132)를 구성하는 에틸렌비닐아세테이트의 녹는점은 70℃ 내지 75℃로 제1 밀봉재(131)보다 높다. 이에 따라 라미네이션 공정에서 온도를 상승시키면 폴리올레핀으로 구성된 제1 밀봉재(131)가 먼저 녹게 되어 제1 밀봉재(131)가 태양 전지(150)의 측면을 덮게 된다. 이에 의하여 자연스럽게 제1 밀봉재(131)가 태양 전지(150)의 전면과 측면을 덮게 되고, 제2 밀봉재(132)가 태양 전지(150)의 후면을 덮게 된다.
상술한 바와 같이 상온에서 제1 밀봉재(131)의 비저항을 제2 밀봉재(132)의 비저항과 같거나 그보다 작게 하는 방법으로는 다양한 방법이 사용될 수 있다. 예를 들어, 비저항을 비교하여 비저항이 작은 물질을 제1 밀봉재(131)로 사용하고 비저항이 높은 물질을 제2 밀봉재(132)로 사용할 수 있다. 또는, 제1 밀봉재(131) 및 제2 밀봉재(132)의 조성을 조절하는 것에 의하여 비저항을 조절할 수 있다. 제1 밀봉재(131)가 폴리올레핀을 포함하고 제2 밀봉재(132)가 에틸렌비닐아세테이트를 포함하는 경우를 예시로 하여 설명한다. 제1 밀봉재(131)는 폴리올레핀과 함께 커플링제를 포함하게 되는데, 일 예로, 실란계 커플링제를 포함하게 된다. 제1 밀봉재(131)의 실란계 커플링제의 증가시키면 제1 밀봉재(131)의 비저항을 낮출 수 있으므로, 이를 고려하여 제1 밀봉재(131)의 비저항을 조절할 수 있다. 제2 밀봉재(132)는 에틸렌과 중합되는 비닐아세테이트의 함량을 조절하거나 에틸렌비닐아세테이트의 단위밀도를 조절하는 것에 의하여 제2 밀봉재(132)의 비저항을 조절할 수 있다. 일 예로, 제2 밀봉재(132)는 비닐아세테이트를 28 wt% 이상(좀더 구체적으로, 33 wt% 내지 95 wt%, 예를 들어 33 wt% 내지 50 wt%) 포함할 수 있다. 비닐아세테이트가 감소하면 제2 밀봉재(132)의 접착성 등이 우수한 값을 가지기 어려울 수 있다. 그리고 비닐아세테이트의 양이 증가하면 에틸렌 비닐아세테이트의 제조 비용이 증가할 수 있다. 이를 고려하여 비닐아세테이트의 양을 상술한 범위로 한정한 것이다.
전면 기판(110)은 태양광을 투과하면서 외부 충격, 환경 등으로부터 태양 전지(150)를 보호할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 전면 기판(110)은 유리 기판 또는 아크릴 수지를 포함하는 플레이트 등으로 구성될 수 있다. 전면 기판(110)이 유리 기판으로 구성될 때, 전면 기판(110)을 나트륨을 포함하지 않는 유리 기판일 수 있다. 전면 기판(110)이 나트륨을 포함하는 유리 기판으로 이루어지는 경우에는 유리 기판 내부의 나트륨 이온이 전기장 작용하에서 전하를 운반(이온 전도)를 하여 전기 절연 특성이 저하되고 표면의 수분과 반응하여 표면 누설을 일으킬 수 있기 때문이다. 이와 같은 나트륨에 의한 문제 현상은 높은 온도에서 더 쉽게 일어날 수 있다. 이에 따라 본 실시예에서는 전면 기판(110)을 나트륨을 포함하지 않는 유리 기판, 또는 아크릴 수지 등으로 구성되도록 하여 고온에서의 PID 현상 방지에 기여할 수 있도록 한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 전면 기판(110)이 다른 물질 등으로 이루어질 수 있다.
후면 시트(200)는 태양 전지(150)의 이면에서 태양 전지(150)를 보호하는 층으로서, 방수, 절연 및 자외선 차단 기능을 한다. 후면 시트(200)는 필름 또는 시트 등의 형태로 구성될 수 있다. 후면 시트(200)은 TPT(Tedlar/PET/Tedlar) 타입이거나, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)의 적어도 일면에 폴리불화비닐리덴(poly vinylidene fluoride, PVDF) 수지 등이 형성된 구조일 수 있다. 폴리불화비닐리덴은 (CH2CF2)n의 구조를 지닌 고분자로서, 더블(Double)불소분자 구조를 가지기 때문에, 기계적 성질, 내후성, 내자외선성이 우수하다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 후면 시트(200)가 다른 물질 등으로 이루어질 수 있다. 이때, 후면 시트(200)는 전면 기판(110) 측으로부터 입사된 태양광을 반사하여 재이용될 수 있도록 반사율이 우수한 재질일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 후면 시트(200)가 태양광이 입사될 수 있는 투명 재질로 형성되어 양면 수광형 태양 전지 모듈(100)을 구현할 수도 있다.
이와 같이 본 실시예에 따른 태양 전지 모듈(100)에서는, 전면 기판(110)에 인접하여 위치하는 제1 밀봉재(131)와, 이의 반대편에 위치한 제2 밀봉재(132)의 특성을 다르게 하여, 다양한 특성을 향상할 수 있다. 즉, PID 현상을 일으킬 수 있는 물질을 포함할 수 있는 전면 기판(110)에 인접하여 위치하는 제1 밀봉재(131)는 온도 상승에 따른 비저항 감소분이 상대적으로 작은 물질을 사용하여 온도가 상승하여도 제1 밀봉재(131)의 비저항이 상대적으로 높은 값을 유지할 수 있도록 한다. 반대로, 제2 밀봉재(132)는 온도 상승에 따른 비저항 감소분이 상대적으로 큰 물질을 사용할 수 있다. 이에 따라 제1 조건에서는 제1 밀봉재(131)의 비저항이 제2 밀봉재(132)의 비저항과 같거나 이보다 작아 비용을 절감할 수 있고, PID 현상이 쉽게 일어날 수 있는 고온 다습한 제2 조건에서는 제1 밀봉재(131)의 비저항이 제2 밀봉재(132)의 비저항보다 커져서 PID 현상을 방지할 수 있다. 그리고 제1 밀봉재(131)의 수분 투습도는 제2 밀봉재(132)의 수분 투습도보다 작게 하여 PID 현상을 크게 감소할 수 있다. 이에 따라 태양 전지 모듈(100)의 비용을 절감할 수 있고, PID 현상을 방지하여 장기 신뢰성을 향상할 수 있다.
이때, 베이스 영역(10)이 n형을 가지는 양면 수광형 태양 전지(150)를 구비하는 태양 전지 모듈(100)에서 PID 현상이 더 쉽게 발생할 수 있다. 이에 따라 본 실시예에는 베이스 영역(10)이 n형을 가지는 양면 수광형 태양 전지(150)를 구비하는 태양 전지 모듈(100)에 적용되어 PID 현상을 좀더 효과적으로 방지할 수 있다.
상술한 바에 따른 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 태양 전지 모듈
110: 전면 기판
131: 제1 밀봉재
132: 제2 밀봉재
150: 태양 전지
200: 후면 시트

Claims (20)

  1. 태양 전지;
    상기 태양 전지의 전면에 위치하는 제1 밀봉재; 및
    상기 태양 전지의 후면에 위치하는 제2 밀봉재
    를 포함하고,
    제1 조건에서 상기 제1 밀봉재의 비저항이 상기 제2 밀봉재의 비저항과 같거나 그보다 작은 태양 전지 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 조건의 온도가 20 내지 30℃이고,
    20 내지 30℃보다 높은 온도의 제2 조건에서 상기 제1 밀봉재의 비저항이 상기 제2 밀봉재의 비저항과 같거나 그보다 큰 태양 전지 모듈.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 조건보다 상기 제2 조건의 습도가 더 높고,
    상기 제2 조건의 온도가 60℃ 이상이고 습도가 50% 이상인 태양 전지 모듈.
  4. 제1항에 있어서,
    온도 증가에 따른 상기 제1 밀봉재의 비저항의 감소분보다 상기 제2 밀봉재의 비저항의 감소분이 더 큰 태양 전지 모듈.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 밀봉재의 비저항이 1 X 1014 Ωcm 내지 1 X 1015 Ωcm이고,
    상기 제2 밀봉재의 비저항이 1 X 1014 Ωcm 내지 1 X 1016 Ωcm인 태양 전지 모듈.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 밀봉재의 수분 투습도가 상기 제2 밀봉재의 수분 투습도와 같거나 그보다 작은 태양 전지 모듈.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 밀봉재 위에 위치하는 전면 기판; 및
    상기 제2 밀봉재 위에 위치하는 후면 기판
    을 더 포함하는 태양 전지 모듈.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 전면 기판이 나트륨을 포함하지 않는 유리 또는 아크릴 수지를 포함하는 태양 전지 모듈.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 밀봉재의 두께가 상기 제2 밀봉재의 두께와 같거나 이보다 큰 태양 전지 모듈.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 밀봉재의 녹는점이 상기 제2 밀봉재의 녹는점보다 낮은 태양 전지 모듈.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 밀봉재가 상기 태양 전지의 전면 및 측면을 덮으면서 형성되고,
    상기 제2 밀봉재가 상기 태양 전지의 후면을 덮으면서 형성되는 태양 전지.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1 밀봉재와 상기 제2 밀봉재의 경계면이 상기 태양 전지의 전면보다 상기 태양 전지의 후면에 가깝게 위치하는 태양 전지 모듈.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1 밀봉재가 열가소성 물질을 포함하는 태양 전지 모듈.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 밀봉재가 아이오노머, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리올레핀, 폴리비닐부티랄, 열가소성 풀리우레탄, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리스티롤, 실록산 도는 이들의 코폴리머 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 물질 또는 이들의 조합을 포함하는 태양 전지 모듈.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 밀봉재가 폴리올레핀을 포함하는 태양 전지 모듈.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 제2 밀봉재가 가교 결합된 물질을 포함하는 태양 전지 모듈.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제2 밀봉재가 에폭시 수지, 에틸렌비닐아세테이트, 가교 결합된 폴리메탄, 폴리실리콘, 폴리아르가노실록산, 가교 결합된 폴리아크릴레이트에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 이들의 조합을 포함하는 태양 전지 모듈.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제2 밀봉재가 에틸렌비닐아세테이트를 포함하는 태양 전지 모듈.
  19. 태양 전지;
    상기 태양 전지의 전면에 위치하는 제1 밀봉재; 및
    상기 태양 전지의 후면에 위치하는 제2 밀봉재
    를 포함하고,
    온도 증가에 따른 상기 제1 밀봉재의 비저항의 감소분보다 상기 제2 밀봉재의 비저항의 감소분이 더 큰 태양 전지 모듈.
  20. 제19항에 있어서,
    제1 온도에서 상기 제1 밀봉재의 비저항이 상기 제2 밀봉재의 비저항과 같거나 그보다 작고, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에서 상기 제1 밀봉재의 비저항이 상기 제2 밀봉재의 비저항보다 크며,
    상기 제1 밀봉재의 수분 투습도가 상기 제2 밀봉재의 수분 투습도보다 크고,
    상기 제1 밀봉재가 폴리올레핀을 포함하고,
    상기 제2 밀봉재가 에틸렌비닐아세테이트를 포함하는 태양 전지 모듈.
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