JPS5856219B2 - 撮像管のフェ−スプレ−ト構体組立方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は撮像管のフェースプレート構体組立方法に関す
るものである。

撮像管のフェースプレート構体に於て、その組立工程の
一部に加熱処理工程を要するために不良を生ずる場合が
ある。

例えば第１図はストライプフィルター内蔵型の単管カラ
ー撮像管の要部を示す断面図で、フェースプレート２を
基体とするフェースプレート構体１と円筒状外囲器７が
インジウム８により冷圧着されて真空気密を構成してい
る。

円筒状外囲器Ｔ内には電子ビームを発生制御するための
電子銃構体１０が配設され（図では詳細は省略）信号は
信号電極環９から取り出される。

フェースプレート構体１はその真空気密側内面にストラ
イプフィルター３、保護層４、透明導電層５及び光導電
層６が順次形成されてお・す、このうち透明導電層５と
インジウム８とは電気的接触が保たれている。

このようなフェースプレート構体１は以下のようにして
組立てられる。

フェースプレート２０所定域に所要のストライプフィル
タ３が形成され、このストライプフィルタ３全面を保護
層４で被覆し、保護層４０表面を研磨して平滑な面とし
、さらにこの上の所定域に透明導電層５及び光導電層６
を被着形成する。

ここで保護層４はストライプに対応する凸凹が透明導電
層５及び光導電層に波及せず無影響とするために設けら
れ酸化硅素等の透明ガラス状層が用いられる。

しかし乍ら透明導電層は酸化錫や酸化インジウム等が主
として用いられ、之等の形成にはスパッタリング法にせ
よ蒸着法にせよ或は吹付法にせよ２００℃〜６００℃の
程度の基板或は雰囲気の加熱を必要とする、また光導電
層に於ても結晶質を主体とするもの例えばセレン化亜鉛
、テルル化亜鉛、セレン化カドミウム等の光導電層は結
晶化させるための３００℃〜６００℃程度の熱処理を要
する。

之等の場合、例えば第１図に示すフェースプレート構体
では、熱膨張係数の違いから保護層４のクラックがしば
しば生ずる欠点がある。

またフェースプレート構体組立方法は１つ１つの工程の
積み重ねとなるため最終的な不良率は非常に高くなる。

またこれとは別に基板自体が加熱処理によって影響を受
ける場合は通常のフェースプレート構体組立方法は行な
えない等の問題がある。

本発明は加熱処理に影響を受けないフェースプレート構
体組立方法を提供せんとするものである。

第２図ａ−ｇは本発明のフェースプレート構体組立方法
を説明するための分解図である。

第２図ｇ［示すように透明なガラスからなる第１の基板
上１１Ｖｃ約５５０℃の酸化雰囲気中で吹付法により酸
化錫の透明導電層１２が形成される。

次いで第２図すに示すように透明導電層１２０所定域に
セレン化亜鉛、テルル化亜鉛或はセレン化カドミウム等
の一種又は絹み合わせからなる材料が蒸着又はスパッタ
法で形成され、特定雰囲気中で３００℃〜６００℃で熱
処理され結晶質の光導電体層１３が形成される。

場合によってはこの上にさらに三硫化アｙ−ｆ−ｅン、
三セレン化砒素或は三硫化砒素等の非晶質素を積層する
こともある。

透明導電層１２及び光導電体層１３が順次形成された第
１の基板１１は第２図Ｃに示すようにその光導電体層１
３側に円環状のスペーサ１５を介して第２の基板１４と
パラフィン等で接着される。

第１の基板１１と第２の基板１４が完全に固着して後、
第２図ｄに示すように第２の基板１４を支持台として第
１の基板１１０基板露出面側を研磨する。

フェースプレーＩ・構体ば光学的にも重要な影響を及ぼ
す部分であるので、基板１１の研磨は最終的には光学研
磨面を有し厚さが０．１７ｎｍ以下、好１しくは３０μ
瓶〜５０μｍで、その最大と最小の板厚の差が５μｍ以
内となる蛮行なわれる。

また基板１１の少く共透明導電層１２の形成される面は
光学研磨され且つ平行度のすぐれたものである必要があ
る。

基板１４は光学研磨の必要は特にないが平行度のすぐれ
たものである必要がある。

一方策２図ａ−ｄとは別に第２図８に示す如く一面にス
トライプフィルタ１７の設けられた第３の基板１６が用
意される。

すなわち、光学研磨され平坦度のすぐれた第３の基板の
一面に無機質又は有機質の材料からなるフィルタを形成
し、所定のサイズと精度を有するようにエツチングする
。

無機質の材料としては例えば酸化チタンと二酸化シリコ
ンの交互積層膜を基板加熱２００ ”Ｃ〜３００℃程度
で蒸着法により形成し、フォトエツチング又はスパッタ
エッチ等で所定のストライプ状に形成される。

有機質の材料としてはゼラチン質の材料により、直接ス
トライプ状に印刷する方法もとられるが、何れにせよゼ
ラチン等の熱に弱い材料からなるストライプフィルタで
あっても本発明のフェースプレート構体組立方法によれ
ば充分保証することができる。

さてこのようにしてストライプフィルタ１７の形成され
た第３の基板１６と第２の基板１４を固定台として研磨
された第１の基板１１は第２図ｆに示す如く、ストライ
プフィルタ面１６と第１の基板１１の研磨面とが対向す
るように例えばエポキシ系の接着材１８で接着される。

装着材１８は透明で粘度が低く、また撮像管の排気工程
で行なわれる電極からのガス出しの為のベーキングに耐
えるために少く共１５０℃程度の耐熱性が必要であり、
之等の点からエポキシ系の接着材が好ましい。

そして最後に６０’Ｃ〜８０℃程厳に加温して第２の基
板１４及びスペーサ１５を除去して、第２図ｇに示すよ
うなフェースプレート構体が完成する。

次に本発明の実施例としてＸ線用撮像管に適用し７た場
合について説明する。

Ｘ線を吸収し光電変換する光導電体層として一酸化鉛や
セレン化カドミウムを主構成材料とする光導電体層が知
られている。

しかし乍らビジコン型撮像管に於て、第１図１／ζ示す
フェースプレート２として通常のガラス系材料ではＸ線
の透過度が悪く、Ｘ線を良く透過する材料として金属ベ
リリウム板からなるフェースプレートが適している。

この金属ベリリウムは非常に活性であり、熱処理工程を
介した場合均一なＸ線感光面を形成し気密に封着するた
めに種々の障害がある。

第２図ｇ −ｄ及びｈ−ｉはＸ線用撮像管としてのフェ
ースプレート構体に本発明のフェースプレート構体組立
方法を適用した場合の各工程の分解図である。

このうち第２図ａ〜ｄ咬での工程は前述Ｇ実施例と全く
同一であるので説明は省略する。

さてＸ線透過用フェースプレートとしての金属ベリリウ
ム板は第２図りに示すように第３の基板２０としてＱ、
５ ｍｕ〜ｌ、Ｑｍｍ程度の厚さに研磨される。

研磨面は光学研磨として平坦度平行度は５μ以内とする
ことが好ましい。

Ｘ線透過率としてはＸ線管電圧２０ＫＶで約６０φ程度
であれば実用的には充分である。

この金属ベリラム板からなる第３の基板２０は第２図ｇ
−ｄの工程で準備されたフェースプレート構体の第１
の基板１１の研磨面と対向１−で第２図ｉに示すように
接着し、次いで第２図ｊに示す如く第２の基板１４及び
スペーサ１５を除去してフェースプレート構体が完成す
る。

以上のように本発明のフェースプレート構体組立方法に
よれば、加熱により変質を米たしたり特性に影響を受け
る材料と逆に加熱処理を要する材料とは全く無関係に相
互に影響させることなく安定して組み立てることができ
る。

また一つ一つの工程の積み重ねによる方法ではないので
途中工程でのチェックも可能となり最終的な不良率を減
少させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はビジコン型撮像管のフェースプレート構体を示
す要部の概略断面図、第２図ａ −ｊは本発明のフェー
スプレート構体組立方法を説明するための各工程の分解
図である。 １１・・・第１の基板、１２・・・透明導電層、１３・
・・光導電体層、１４・・・第２の基板、１５・・・ス
ペーサ１６．２０・・・第３の基板、１７・・・’ｖド
ライブフィルタ、１８・・・接着材。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 第１の基板面に透明導電層を形成し該透明導電層上
   に光導電層材料を被着したうえ高温熱処理して光導電体
   層を形成する工程と、しかるのち前記第１の基板の光導
   電体層形成面側に該基板の外周部のみにスペーサを接着
   し該スペーサを介して第２の基板を接着する工程と、し
   かるのち前記第２の基板を支持台として前記第１の基板
   を所定の厚さ１で研磨する工程と、しかるのち前記第１
   の基板の研磨面側に、あらかじめストライプフィルタが
   形成されたガラス又は金属ベリラム板からなるフェース
   プレート（第３基板）を接着する工程と、しかるのち前
   記スペーサおよび第２基板を低温加熱で除去する工程と
   を具備することを特徴とする撮像管のフェースプレート
   構体組立方法。