JPS5854612A - インダクタンス素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は千行２導体とこれを挾む畠性体とからなるイン
ダクタンス素子に関する。

従来より電子針算装置あるい社通信用電子機器等に祉、
その回路の配線の長さの違いによる信号伝達早さの違い
を補償するための遅延素子とか、共振回路用９Ｋインダ
クタンス素子が用いられている。このインダクタンス素
子の一つに第１１ｌＩＫ示す如き素子が用いられている
。これは図の如く平行表２つの導体１を磁性体２て包囲
したものであり、構造が簡単であるためコイルを用いた
インダクタンス素子に比して特性のばらつきがなく良好
であるが、その磁性体の性質上、第２図の特性図に示す
如く高周波になるほどインダクタンスの低下が大になる
欠点がある。本発明はこの欠点を改嵐するために案出さ
れたものである。

この丸め本発明においては、千行２導体と、これを包囲
する磁性体とよシなるインダクタンス素子κおいて、前
記磁性体管２導体の中心會通る平面で２分割し、この２
分割された磁性体間に、２４体１４の距離の２〜１０％
のギャップを設けたことを特徴とするものである。

以下添付図面に基づいて本発明の実施例につき一細に説
明する。

第３図に実施例を斜視図により示す。図において符号３
は平行２導体、４及び５は磁性体である。

この磁性体４．５は平行２導体３を挾んで配置されてお
り、２つの磁性体間にはギャップＧが設けられている。

ｔＡ４図及び第５図はギャップＧを変えて、それぞれの
周波数特性を実験によシ求めた結果を示したもので、第
４図は第３図の実施例の平行２導体間の距離りが１０鱈
の場合、第５図はＤが２０１１１の場合である。図はそ
れぞれ縦軸にインダクタンスを、横軸に周波数をと９、
ギャップＧをパラメータとして曲線イ〜トによシその特
性を示した。

なおキャップＧは平行２導体間の距離の百分率で示した
。

第４図、第５図は同一傾向を示し、ギャップが大になる
ほど周波数特性曲線は平坦になるがインダクタンスは減
少する。両図より実用範囲としては、特性かはぼ平坦と
なるＧ＝２％からインダクタンスの減少がＧ＝２％の場
合の約１／３となるＧ＝１０％程度が妥当である。従り
て本発明においてはその請求範囲を２〜１０％とした。

以上説明した如く本発明のインダクタンス素子は、平行
２導体を挾む２個の磁性体間にギャップを設けることに
よりその高周波特性の改善を可能としたものである。

【図面の簡単な説明】

インダクタンス素子の斜視図、第２図は第１図に示すイ
ンダクタンス素子の高周波特性図、第３図は本発明にか
かる実施例のインダクタンス素子の斜視図、第４図及び
第５図は第３５ｉ１１の実施例においてギャップを変え
た場合の高周波特性図である。 ３・・・平行２導体、４．５・・・磁性体、Ｇ・・・ギ
ャップ。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士青水　朗 弁理士　西　舘　和　之 弁理士内田幸男 弁理士　山　口　昭　之 第２図 ０．５　　１　　　２　　　　５　　　１０　　２０　
　　５０周波数（ＭＨｚ　） 第４図 周波数（ＭＨｚ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．平行２導体線路と、これを包囲する磁性体とよりな
   るインダクタンス素子において、前記磁性体を２導体の
   中心を通る平面で２分割し、この２分割された磁性体間
   に、２導体間の距離の２〜１０％のギャップを設けたこ
   とを特徴とするインダクタンス素子。