JPS5853931B2 - 高ダスト用反応器 - Google Patents

高ダスト用反応器

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Publication number
JPS5853931B2
JPS5853931B2 JP55170232A JP17023280A JPS5853931B2 JP S5853931 B2 JPS5853931 B2 JP S5853931B2 JP 55170232 A JP55170232 A JP 55170232A JP 17023280 A JP17023280 A JP 17023280A JP S5853931 B2 JPS5853931 B2 JP S5853931B2
Authority
JP
Japan
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dust
reactor
catalyst layer
catalyst
gas
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Expired
Application number
JP55170232A
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English (en)
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JPS5794330A (en
Inventor
正人 向井
成夫 渡辺
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Mitsubishi Power Ltd
Original Assignee
Babcock Hitachi KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Babcock Hitachi KK filed Critical Babcock Hitachi KK
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Publication of JPS5794330A publication Critical patent/JPS5794330A/ja
Publication of JPS5853931B2 publication Critical patent/JPS5853931B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/02Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds
    • B01J8/04Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds the fluid passing successively through two or more beds

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
  • Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高ダスト用反応器に関し、さらに詳しくは、石
炭焚ボイラ等の高ダスト含有ガスのような排ガスを処理
する多段触媒層を備えた反応器の構造に関する。
石炭焚ボイラ排ガスのような高ダスト含有ガスから窒素
酸化物を除去するための従来の反応器の概略構造を第1
図に示す。
図に示すように、高ダスト含有排ガス処理の場合には、
ダスト堆積の点から反応器内のガス流れは下降流が利用
される。
すなわち、排ガスの入口ダクト1には、後流の触媒層2
内でのガスの偏流を防止するために整流板3が取り付け
られ、この整流板3を通って整流されたガスは下方の触
媒層2に入り、ここで脱硝処理された後、下方から排出
される。
上記触媒としては、ダスト堆積による性能低下、圧力損
失が小さいパラレルフロー用触媒が使用される。
しかしながら、上記装置においては、ガス中のダストが
入口ダクトコーナ部1、整流板3、反応器内壁4等に付
着堆積し、堆積したダストがある程度成長すると、自重
により下側の触媒層2上へ落下し、触媒層のガス流路を
閉塞するという欠点がある。
この落下ダストは塊となったまま落下するため、目開き
の比較的大きいパラレルフロー型触媒を使用しても、そ
の目開き以上のダスト塊が落下する場合には、同様に触
媒層を閉塞し、また排ガス上流から混入するタリンカ等
の大型固形物も触媒層を閉塞する原因となる。
この落下ダストによる閉塞を防止するため、従来は、第
2図に示すように、触媒層2の上部にダスト捕集手段5
、例えば金網などを設け、触媒層に直接、ダスト塊が落
下するのを防止していた。
ところがこのような触媒層2の触媒は一般にガス上流側
から劣化するため、触媒交換はガス上流側から部分交換
する方が触媒の寿命を活かす上で有効であり、このため
、触媒層を第3図に示すように多段に配置することが望
ましいが、このような場合には、最上段の触媒層上部に
のみダスト捕集手段を設けても、触媒層間の反応器にダ
ストが付着堆積し、その成長ダスト塊の落下による2段
目以下の触媒層の閉塞が問題となる。
すなわち、多段触媒層に対して触媒層入口部にのみダス
ト捕集手段を設けても、触媒層閉塞の問題は解決されな
いことが判明した。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくシ、多
段触媒層の触媒層間の堆積ダスト塊の落下による触媒層
閉塞を防止した高ダスト用反応器を提供することにある
上記目的を達成するため、本発明者らは触媒層間のダス
トの付着堆積状況について種々検討したところ、これら
のダストは特に反応器の内壁に堆積し、ダスト塊はほと
んど反応の内壁からその直下に剥離、落下することを確
認した。
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、多段触媒層の
各段の触媒層のガス入口側にダスト捕集手段を設け、特
に二段目以降のダスト捕集手段として網状体(例えば金
網)を反応器の内周壁に沿って落下ダストを捕集するよ
うに所定の幅で取り付けたことを特徴とする。
以下、本発明を図面によりさらに詳細に説明する。
第4図は、本発明の一実施例を示す反応器の断面図、第
5図は、第4図の■−■線に沿った断面図、第6図は、
第5図のVI−VI線に沿った断面図である。
図において、反応器内には多段の触媒層2A、2Bおよ
び2Cが設けられ、各触媒層の上部にはそれぞれ金網、
多孔板等のようなダスト捕集手段(以下、網状体と総称
する)5A、5Bおよび5Cが設置される。
上記網状体の目開きは触媒層の目開きと同程度か、また
はこれよりや5/J・さいことが望ましい。
最上段の網状体5Aは、従来と同様に反応器(ガス流路
)断面の全面にわたって設けられているが、第2段以降
の網状体5Bおよび5Cは、第5図および第6図に示す
ように、反応器の内周壁から所定の幅で棚状に設けられ
、さらにこの網状体5Bの内周は捕集ダストの落下を防
止するために上方に折り曲げられて内縁部を形成してい
る。
上記網状体の幅は反応器内壁からのダストの落下状況に
応じて適宜定められる。
上記構成において、第2段目以降の触媒層および反応器
の器壁4等に付着、堆積したダストは、自重により下方
に落下するが、その際、網状体5Bまたは5Cにより捕
集され、この捕集ダスト塊は反応器の点検時等に外部に
取り出される。
上記実施例によれば、第1段目の触媒層への落下ダスト
は従来のように最上部の網状体5Aにより捕集されるが
、さらに第2段以降の触媒層および反応器内壁からの落
下ダストも網状体5Bおよび5Cにより良好に捕集され
、各触媒層の閉塞を防止することができる。
また網状体5Bおよび5Cは中央部が開口した形状であ
るので、圧力損失が小さく、また網状体と触媒層との間
にある程度の距離があるため、触媒層内へのガス通過は
充分に行なわれ、触媒層のデッドスペースは生じない。
本発明の反応器は、排ガス脱硝のみならず、乾式排ガス
脱硫等の他のガス処理にも適用することができる。
以上、本発明によれば、高ダスト含有排ガスを多段触媒
層を用いて処理する場合の触媒層の閉塞、それに伴なう
触媒性能の低下および圧力損失増加等の問題が解決され
、長期間の安定した運転が可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図および第3図は、それぞれ従来の脱硝反
応器の構造を示す断面図、第4図は、本発明の一実施例
を示す脱硝反応器の断面図、第5図は、第4図の■−v
線に沿った矢視断面図、第6図は、第5図のVI−W線
に沿った矢視断面図である。 2.2A、2B、2C・・・・・・触媒層、4・・・・
・・反応器内壁、5,5A、5B、5C・・・・・・ダ
スト捕集手段(網状体)。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 高ダスト含有排ガスを多段触媒層に通過させて処理
    する反応器において、各段の触媒層のガス入口側にダス
    ト捕集手段を設け、かつ二段目以降のダスト捕集手段は
    反応器の内周壁から所定の幅で設けられた網状体である
    ことを特徴とする高ダスト用反応器。 2、特許請求の範囲第1項において、ガス入口側から第
    1段目のダスト捕集手段はガス流路の全面にわたって設
    けられた網状体であり、また該網状体の目開きは触媒層
    の目開きと同程度か、またはこれより小さいことを特徴
    とする高ダスト用反応器。
JP55170232A 1980-12-04 1980-12-04 高ダスト用反応器 Expired JPS5853931B2 (ja)

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JPS5794330A JPS5794330A (en) 1982-06-11
JPS5853931B2 true JPS5853931B2 (ja) 1983-12-02

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58143827A (ja) * 1982-02-19 1983-08-26 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 排ガスの浄化方法および排ガス浄化装置
JP2637119B2 (ja) * 1987-11-12 1997-08-06 バブコツク日立株式会社 脱硝反応装置
JP5141199B2 (ja) * 2007-11-15 2013-02-13 株式会社Ihi 排煙脱硝装置

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