JPS585245Y2 - イオンセンサ用電界効果トランジスタ - Google Patents
イオンセンサ用電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPS585245Y2 JPS585245Y2 JP15175078U JP15175078U JPS585245Y2 JP S585245 Y2 JPS585245 Y2 JP S585245Y2 JP 15175078 U JP15175078 U JP 15175078U JP 15175078 U JP15175078 U JP 15175078U JP S585245 Y2 JPS585245 Y2 JP S585245Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- island
- field effect
- effect transistor
- ion sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はイオンセンサ用ＭＯＳ電界効果トランジスタ（
以下ｌ５ＦＥＴと称す。
以下ｌ５ＦＥＴと称す。
）の構造に関するものである。
ｌ５ＦＥＴはゲート絶縁膜上にゲート電極（金属）を設
けることなく、これを第１図の如く電解液５（例えば血
液）に浸漬することにより電界液５と絶縁膜との界面に
生ずる電位の変化によって、ゲート絶縁膜下の半導体表
面の導電率が変わることを利用し、電界液中のイオン活
量を検出するように構成されている。
けることなく、これを第１図の如く電解液５（例えば血
液）に浸漬することにより電界液５と絶縁膜との界面に
生ずる電位の変化によって、ゲート絶縁膜下の半導体表
面の導電率が変わることを利用し、電界液中のイオン活
量を検出するように構成されている。
所で係、ルｌ５ＦＥＴは電界液中で電気的に絶縁されて
いなければならないが、従来第２図に示すように該ＦＥ
Ｔの電解液浸漬部を絶縁膜（窒化シリクン膜３．及び酸
化シリコン膜４）で被覆するようにしたもの、或は第３
図に示す如くセラミック絶縁板６に電極性７まで完成し
たチップを接着し、ゲート絶縁膜ＧＳを除いた全面にＲ
ＴＶ或はエポキシ等の絶縁樹脂８を被着するもの等が採
用されている。
いなければならないが、従来第２図に示すように該ＦＥ
Ｔの電解液浸漬部を絶縁膜（窒化シリクン膜３．及び酸
化シリコン膜４）で被覆するようにしたもの、或は第３
図に示す如くセラミック絶縁板６に電極性７まで完成し
たチップを接着し、ゲート絶縁膜ＧＳを除いた全面にＲ
ＴＶ或はエポキシ等の絶縁樹脂８を被着するもの等が採
用されている。
乍しながら前者はシリコン基板１をエツチングした後の
写真工程が困難であるばかりでなく、素子側面の絶縁膜
３’、４’は十分に厚く、シかもピンホール等のない良
質な膜が形成し難いためにその絶縁強度が弱く、特に電
界液５の電位がシリコン基板１に対し正電位になると該
絶縁膜３’、４’は所謂陽極酸現象により電解エッチさ
れてシリコン基板１が露出する。
写真工程が困難であるばかりでなく、素子側面の絶縁膜
３’、４’は十分に厚く、シかもピンホール等のない良
質な膜が形成し難いためにその絶縁強度が弱く、特に電
界液５の電位がシリコン基板１に対し正電位になると該
絶縁膜３’、４’は所謂陽極酸現象により電解エッチさ
れてシリコン基板１が露出する。
このために最単、電解液５との絶縁が保てず該ＦＥＴの
イオンセンサ機能を消失する欠点がある。
イオンセンサ機能を消失する欠点がある。
又、後者の場合は、絶縁樹脂８の被着に工数を要し、更
に形状が大型になる為に血管等を介して体内に注入せし
める如き微細化には不向きな構造であるばがっでなく、
該樹脂８とセラミック基板６との接着が十分になされな
いために、この境界面より電解液が浸み込み特性が不安
定になる等の欠点がある。
に形状が大型になる為に血管等を介して体内に注入せし
める如き微細化には不向きな構造であるばがっでなく、
該樹脂８とセラミック基板６との接着が十分になされな
いために、この境界面より電解液が浸み込み特性が不安
定になる等の欠点がある。
本考案は半導体基板内に絶縁物又はＰＮ接合により囲ま
れた島状領域を設は該島状領域内にＦＥＴを構成するよ
うにして上述の欠点の一挙に排除したｌ５ＦＥＴを提供
するようにしたもので以下図面を用いて本考案を詳細に
説明する。
れた島状領域を設は該島状領域内にＦＥＴを構成するよ
うにして上述の欠点の一挙に排除したｌ５ＦＥＴを提供
するようにしたもので以下図面を用いて本考案を詳細に
説明する。
第４図は本考案の一実施例を示すｌ５ＦＥＴの断面図で
従来例と同一符号は同等部分を示す。
従来例と同一符号は同等部分を示す。
図において１はＮ型シリコン基板、２は前記基板に形成
した絶縁層、９は絶縁層２により囲まれた島状領域、Ｄ
及びＳは島状領域９内に拡散等より形成されたドレイン
領域及びソース領域である。
した絶縁層、９は絶縁層２により囲まれた島状領域、Ｄ
及びＳは島状領域９内に拡散等より形成されたドレイン
領域及びソース領域である。
このような構成を持つ本案のｌ５ＦＥＴはシリコン基板
内で絶縁層２に囲まれた島状部分９に形成されているの
で、■ 素子の側面に絶縁膜等を形成することなく、・
、、・・コ 電解液に浸漬してこれとの絶縁が完全に保てる。
内で絶縁層２に囲まれた島状部分９に形成されているの
で、■ 素子の側面に絶縁膜等を形成することなく、・
、、・・コ 電解液に浸漬してこれとの絶縁が完全に保てる。
■ 電解液は絶縁層の外側のシリコン基板と接するため
側面の電解エッチが発生しない。
側面の電解エッチが発生しない。
■ シリコン面が平担であるので写真工程が容易であり
、量産に好適である。
、量産に好適である。
■ 絶縁樹脂（エポキシ、ＲＴＶ等）を被着する必要が
ないので、微細化に適している。
ないので、微細化に適している。
等の効果がある。
因みに絶縁層９はシリコン基板１の所要部を周知の陽極
酸化法或はポリシリコン酸化法等を用いて絶縁層に変換
せしめることにより容易に形成できる。
酸化法或はポリシリコン酸化法等を用いて絶縁層に変換
せしめることにより容易に形成できる。
第５図、第６図は本考案の他の実施例図で第５図はシリ
コン基板１にこれと反対の導電型領域２ａを形威し、該
領域２ａに囲まれた島状領域９にＦＥＴを形成するよう
にしたものである。
コン基板１にこれと反対の導電型領域２ａを形威し、該
領域２ａに囲まれた島状領域９にＦＥＴを形成するよう
にしたものである。
このように形成すればシリコン基板１と領域２ａの境界
にＰ−Ｎ接合Ｊが形成されて上記と同様に電解液との絶
縁ができる。
にＰ−Ｎ接合Ｊが形成されて上記と同様に電解液との絶
縁ができる。
又、第６図はシリコン基板１の所要部に該基板１と反対
の導電型の埋込み層２ａと酸化膜２ｂによりなる絶縁層
２を形成するようにしたものである。
の導電型の埋込み層２ａと酸化膜２ｂによりなる絶縁層
２を形成するようにしたものである。
以上要するに本考案は一導電型半導体基板内に絶縁分離
又はＰ−Ｎ接合等の絶縁層に囲まれた島状領域を設は該
領域内にソース及びドレイン領域を形成すると共に該ソ
ース領域Ｓ及びドレイン領域り間の島状領域表面にゲー
ト用絶縁膜のみを形威し、ゲート電極（金属）を形成し
ないようにしたことを特徴とする。
又はＰ−Ｎ接合等の絶縁層に囲まれた島状領域を設は該
領域内にソース及びドレイン領域を形成すると共に該ソ
ース領域Ｓ及びドレイン領域り間の島状領域表面にゲー
ト用絶縁膜のみを形威し、ゲート電極（金属）を形成し
ないようにしたことを特徴とする。
なお、上記実施例においては島状領域内に単一のＦＥＴ
を形成した例について説明したが必要に応じて複数個の
半導体デバイスで構成されている半導体集積回路を設け
るようにしてもよい。
を形成した例について説明したが必要に応じて複数個の
半導体デバイスで構成されている半導体集積回路を設け
るようにしてもよい。
又、上記実施例においては、Ｐチャンネルｌ５ＦＥＴの
場合であるが、Ｐ型シリコン基板を用いることにより、
ｎチャンネルｌ５ＦＥＴにも適用できる。
場合であるが、Ｐ型シリコン基板を用いることにより、
ｎチャンネルｌ５ＦＥＴにも適用できる。
以上の説明から明らかなように、本考案によれば簡単な
構成により電解液と素子の絶縁が可能であり、しかも素
子の小型化が達成し得るのでイオンセンサ用としてその
効果は大きい。
構成により電解液と素子の絶縁が可能であり、しかも素
子の小型化が達成し得るのでイオンセンサ用としてその
効果は大きい。
第１図はイオンセンサ用ＭＯ８ＦＥＴの動作説明図、第
２図、第３図は従米の構成例図、第４図、第５図、第６
図は本考案の実施例構造図である。 図において、１は半導体基板、２は絶縁層、３は窒化シ
リコン膜、４は酸化シリコン膜、５は電解液、６はセラ
ミック絶縁板、７は電極、８は絶縁樹脂、９は島状領域
、Ｄはドレイン領域、Ｓはソース領域、Ｇｓはゲート用
絶縁膜である。
２図、第３図は従米の構成例図、第４図、第５図、第６
図は本考案の実施例構造図である。 図において、１は半導体基板、２は絶縁層、３は窒化シ
リコン膜、４は酸化シリコン膜、５は電解液、６はセラ
ミック絶縁板、７は電極、８は絶縁樹脂、９は島状領域
、Ｄはドレイン領域、Ｓはソース領域、Ｇｓはゲート用
絶縁膜である。
Claims (1)
- 一導電型半導体基板内に絶縁層に囲まれた島状領域を設
け、該島状領域にソース及びドレイン領域を形成すると
共に前記ソース領域及びドレイン領域間の島状領域表面
にゲート用絶縁膜を形成し、前記ゲート用絶縁膜上にケ
Ｌト電極″〈金属）を形成しないように構成したことを
特徴とするイオンセンサ用電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15175078U JPS585245Y2 (ja) | 1978-11-02 | 1978-11-02 | イオンセンサ用電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15175078U JPS585245Y2 (ja) | 1978-11-02 | 1978-11-02 | イオンセンサ用電界効果トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5568046U JPS5568046U (ja) | 1980-05-10 |
| JPS585245Y2 true JPS585245Y2 (ja) | 1983-01-28 |
Family
ID=29137313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15175078U Expired JPS585245Y2 (ja) | 1978-11-02 | 1978-11-02 | イオンセンサ用電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS585245Y2 (ja) |
-
1978
- 1978-11-02 JP JP15175078U patent/JPS585245Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5568046U (ja) | 1980-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5870155A (ja) | イオンに応答する半導体装置 | |
| JPS61258468A (ja) | 半導体記憶装置およびその製造方法 | |
| EP0510604A3 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| KR960002748A (ko) | 반도체 집적회로장치의 제조방법 | |
| US5021846A (en) | MOS semiconductor device with an inverted U-shaped gate | |
| JPS585245Y2 (ja) | イオンセンサ用電界効果トランジスタ | |
| GB2016803A (en) | Thin film transistor construction and manufacturing method of the same | |
| US4903099A (en) | Field effect transistor for use as ion sensor | |
| JPS61120958A (ja) | ガラス応答膜を有するイオンセンサ | |
| JP2988020B2 (ja) | 半導体イオンセンサ | |
| JPH0429974B2 (ja) | ||
| JP2938152B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS59225344A (ja) | イオンセンサ−用絶縁ゲ−ト電界効果トランジスタ | |
| JPS5830141A (ja) | 集積化半導体装置 | |
| JPS62135760A (ja) | 半導体イオンセンサの製造方法 | |
| JP2532471B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0241581Y2 (ja) | ||
| JPH0476059U (ja) | ||
| JPS6397237U (ja) | ||
| JPH04217347A (ja) | 薄膜装置 | |
| JPH0165155U (ja) | ||
| JPS6019667B2 (ja) | 集積回路半導体装置 | |
| JPS57210672A (en) | Semiconductor device | |
| JPH02146458U (ja) | ||
| JPS60230048A (ja) | 電界効果型半導体センサ |