JPS58501697A - キャパシタンス式圧力トランスデューサ - Google Patents
キャパシタンス式圧力トランスデューサInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
シリコン−ガラス−シリコン・キャパシタンス威圧力ドランスデューサ
技術分野
本発明は、圧力によりキャパシタンスが変化するキャパシタ板を形成する対向導
電面を有し導電面への電気的接続がシリコンのバルクを通じて行われている排気
されたカプセルを形成するように一対のシリコン片が電界利用接合プロセスによ
りホウケイ酸塩ガラスと接合されている形式のキャパシタンス威圧力ドランスデ
ューサに係る。
背景技術
圧力ドランスデューサとしては種々の形態のものが知られている。一つの形態で
は圧力により薄いダイヤフラムの振れが使用されている。キャパシタンス威圧力
ドランスデューサの場合、ダイヤフラムの振れが、可変キャパシタの板を形成す
る一対の面の間の距離に変化を生じさせる。米国特許第3.634.727号明
細書には、ガラスにより互いに絶縁され且低温ガラスによりまたはガラス上に被
覆された薄い金属箔のろう付けにより互いに接合された二つのシリコンウェーハ
から形成されたキャパシタが開示されている。上記特許に開示されている装置は
、単一の圧力ドランスデューサを形成するために二つのシリコンウェーへの処理
を必要とし、また二つのシリコンウェーハを接合する方法が繁雑である。単一の
対の処理されたウェーハから多数の圧力ドランスデューサを形成するようにウェ
ーハを処理するためには、適当な接合技術が用いられなければならない。その一
つは電界利用接合による方法tであり、この場合、“スパッタされたホウケイ酸
塩ガラスを用いる低温静電シリコン対シリコンシール”という名称の1975年
1月のNASA TechBrief B74−10263に記載されているよ
うに、二つのシリコン片の間のホウケイ酸塩ガラスの層が真空中で約500℃に
於てシリコンとホウケイ酸塩ガラスとの接合を可能とし、シリコン片はそれらの
間に印加される100または200vのオーダの電圧により確立される直流電界
により互いに全体的に吸引される。
また、前記特許による装置は、装置の周縁が@酸の偏倚可能な部分の表面よりも
互いに近接している導電向を有するので、可変キャパシタンスと寄生固定キャパ
シタンスとの比が非常に小さいという欠森を有する。
可変キャパシタンス対固定キャパシタンス比を改善するため、特に寄生固定キャ
パシタンス(圧力変化に応答するダイヤフラム撓みの関数として変化しない部分
)を小さくするためには、相対的に運動可能なキャパシタ板部分を装置の導電ボ
ディの固定部分と比較して互いに近接して位置させるように、堀、ペデスタルま
たはピストンを有する立体的構造に形成する必要がある。加えて、(ウェー八対
当り複数個の装置を形成するべくつI−への大規模東横回路処理による場合のよ
うに)非常に小さな装置が作られる場合には、圧力に対して所望のS度を得るた
めに十分なキャパシタンスが得られるように、対向キャパシタ板の小さな表面積
が僅かな間隔で向い合っている必要がある。
公知のマイクロ@路及び薄膜技術を用いるシリコン・キャパシタンス底圧力ドラ
ンスデューサの量産に当っては、特に小さな装置が望まれ且キャパシタ板面間隔
が非常に小さくなる場合には、寸法精度を非常に正確に制御し得るようなプロセ
スが選択される実行される必要がある。例えば、もしペデスタルまたはピストン
が高過ぎれば、短絡による不良を生じ得る。他方、もしペデスタルまたはピスト
ンが短過ぎれば、圧力の関数として所望のように変化するキャパシタンスが得ら
れない。
発明の開示
本発明の目的は超小型シリコン・キャパシタンス底圧力ドランスデューサを智作
するためのウェーハの処理に於ける寸法制御の改良及び超小型シリコン・キャパ
シタンス底圧力ドランスデューサに於ける寄生固定キャパシタンスの減少を含ん
でいる。
本発明によれば、外部圧力変化に応答しての振れの結果として間隔、従ってまた
その閣のキャパシタンスが変化する対向キャパシタ板への電気的接続がシリコン
を紅で行われるシリコン・キャパシタンス底圧力ドランスデューサに於て、装置
の変化不能部分の寄生固定キャパシタンスが、その導電部分にホウケイ酸塩ガラ
スをおくことにより有意義に減ぜられる
本発明によれば、シリコン・キャパシタンス底圧力ドランスデューサを形成する
べく処理される一つまたはそれ以上のウェーハの立体的構造の寸法の制御が、主
要寸法決定過程として、時開的に制御されるシリコンまたは他の材料のエツチン
グの深さの代りに、スパッタされるホウケイ酸塩ガラスの深さを用いることによ
り達成される。
本発明の第一の特徴によれば、外部圧力と共に間隔が変化するキャパシタの対向
面が僅かなaliで載せられる二つのシリコン片が、ホウケイ酸塩ガラスにより
周縁固定キャパシタンス部分で隔てられている。更に、本発明によれば、シリコ
ンまたは他の材料のエツチングと比較して比較的正確な寸法mi制御を可能とす
るようにホウケイ酸塩ガラスの被覆及びエツチングの過程で二つのシリコン片の
間の主要寸法制御が行われる。
本発明は、寄生キャパシタンスを小さくし且処理中の正確な寸法制御を可能にす
るため、キャパシタ板を形成するホウケイ酸塩ガラスまたはシリコンの金属被覆
ありまたはなしの様々の形式のシリコン圧力ドランスデューサで実施され得る。
本発明は、以下の開示に基いて、当業者に良く知られているマイクロ回路及びS
膜技術を用いて実施され得る。
本発明の上記及び他の目的、特徴及び利点は、以下にその県型的な実施例を図面
により詳細に説明する中で一部明らかになろう。
図面の簡単な説明。
第1図乃至第9図は本発明に従って典型的なシリコン・キャパシタンス底圧力ド
ランスデューサを形成するべく処理されている一つまたはそれ以上のシリコンウ
ェーへの簡単化された側断面図である。
第10図及び第11図は本発明を用いるシリコン圧力ドランスデューサの代替的
な実施例の簡単化された側面図である。
発明を実施するための最良の形態
さて第1図を参照すると、ドープされたシリコンのウェーハ14はその上に被覆
されたホウケイ酸塩ガラスの1116を有する。シリコンは、導電率を10・c
m以下にするように少くとも10 不純物/−を有するN型もしくはP型のシリ
コンであって良い。ホウケイ酸塩ガラス16は、例えば、コーニング7070ガ
ラスまたは“パイレックス″のような他のホウケイ酸塩ガラスであって良い。ガ
ラス16は、2.5μmのA−ダの高さを達成するように、周知の技術を用いて
RFスパッタされて良い。第2図では、シリコンウェーハ14の露出面の複数個
の円形かイト20(その各々に後記のように圧力ドランスデューサが形成される
)を郭定するガラスのマトリックス18を形成するようにガラス1116のエツ
チングを行うのに周知のフォトレジスト及びエツチング技術が用いられている。
第3図に示されているように、次の過程は、追加的なホウケイ酸塩ガラスを6μ
mのオーダの厚みの層22に被覆する過程である。次いで、第4!!Iに示され
ているように、中央に開028を有する環状塩24及び円形ペデスタル26を郭
定する厚みのあるマトリックス18を形成するように■22のエツチングを行う
のに通常のフォトレジスト及びエツチング技術が用いられる。開口28及びii
!24はシリコンウェーハ14の上面を露出させる。ガラス層16及びガラス@
22の被覆深さは、後でm−完全に説明されるように、本発明の一つの特徴に従
って、マトリックス1B、21 (第4図)及び円形ペデスタル26の厚みへの
寸法制御を可能にする。
第5図では後記のようにシリコンのその後のエツチングのためのマスクを形成し
且キャパシタ板を形成するように、5000Aのオーダの厚みにアルミニウムの
−が電気ビームまたは抵抗法を用いてRFスパッタまたは蒸暑される。
第6図では、周知のフォトレジスト及びエツチング技術を用いて、アルミニウム
層30が堀24の各々の底に於てエツチングにより除去される。次いで、シリコ
ン内へ延びる円形の堀24aを形成するようにウェーハのサイトの各々に於て堀
を深くするため、シリコンウェーハ14がプラズマ・エツチングを施される。第
7図に示されているシリコンのエツチングは円形ペデスタル26の高さとマトリ
ックス18.21の^さとの閤の寸法差を変化させない。従つて、エツチングの
深さは、所望の構造的強度を得るため且(または)後記のように所望の肚カー撓
み特性を得るため、堀24aとシリコンウェーハ14の下面との間に十分な材料
を残すような深さであれば良い。第8図に示されているように、ホウケイ酸塩ガ
ラスの円形ペデスタル26の頂に導電性表面を形成するように、第5図に示され
ている過程で被覆されたアルミニウムマスクの一部分のみを除去するのに通常の
フォトレジスト及びエツチング技術が用いられる。この過程で、マトリックス1
8.21内のガラスと環状塩24aの底に於けるシリコンとがエツチングを停止
させるので、望ましくないアルミニウムの除去の帰結として 、の寸法変化は生
じない。第8図には、キャパシタンス底圧力ドランスデューサが形成される複数
個のサイトを形成するように二つのウェーハの一つの処理の完了が示されている
。次の過程は、第8図の処理されたウェーハの上に、第9図に示されているよう
に250μmのオーダの厚みの導電性シリコンのウェーハ32を重ね、且これら
のウェーハを互いに接合する過程である。75〜125vのオーダの電圧の正極
をウェーハ32にまたその負極をウェーハ14に印加して、約500℃で約10
Torrの真空内で電界利用接合が行われ得る。それにより、ガラス18aが
ウェーハ32に接合するにつれて、シリコンウェーハは互いに吸引される。こう
して、処理されたウェーハ14のサイトの各々に於てEカに対して密なシールが
保証される。次いで、複数個の個々の圧力ドランスデューサ34を形成するよう
に、例えばソーインクにより第9図中に鎖線36により示されているように、ウ
ェーハが近似的にダイスされ得る。
第9図を参照すると、装置の周縁のガラス部分21はペデスタル26と同一の被
覆(第3図中のガラス1122の被覆)の間に形成されるので、1122がどの
ような厚みで形成されるかにかかわりなく、ペデスタル26の頂は、層16(第
1図)の厚みにより定められるガラス部分18の厚みによりウェーハ32の底か
ら隔てられることになる。こうして、シリコンペデスタル26とシリコンウェー
ハ32の下面との間の所定の間隔を得るための寸法制御が層16の被覆の正しい
制御により簡単に行われる。勿論、金属層30の厚みにより定められる板と板と
の闇のfilは小さい。
他方、シリコンウェーハ14とシリコンウェーハ32との間の間隔は層22(第
3図)従ってまたガラス部分21及びペデスタル26の厚みにより独立にlll
lID可能である。ガラスのスパッタリングは、大醋生産の場合にも、所望の厚
みの±5%の厚みに制御される。これは、(厚いウェーハから堀24及びペデス
タル26を形成する)シリコンのエツチングに於てエツチングの厚みが(金属1
ツチング停止を用いない場合には)所望の深さの±15%にしか制御され得ない
のと対照的である。この寸法制御は本発明の一つの特徴である。しかし、使用さ
れるガラスのIt(特に層22の厚み)は無分別には増され得ない。何故ならば
、ホウケイ酸塩ガラスの熱膨張係数と導電性単結晶シリコンの熱膨張係数との差
が使用中の装置の温度変化の結果としてひび割れを惹起し得るからである。しか
し、寄生キャパシタンスを最小にするため、ガラス壁構造18.21は板30と
32との闇のll隔の少くとも四倍の厚みでなければならない。
本発明の他の実施例が第10図に示されている。これは、堀31aが下側ウェー
ハ14aのガラス2ia内ではなく上側ウェーハ32aに形成されていることを
除けば、第9図に示されている実施例と実質的に同一である。第1図乃至第9図
に示した過程を変形した過程が第10図の装置を形成するのに用いられ得る。も
つとも大きな相違点は、金属板面及び接触部30aを形成するためにアルミニウ
ムのエツチング・バックを行う過程であり、同様なアルミニウム・マスクがウェ
ーハ32a&:溝31aを形成する過程に用いられる。第10図の実施例は、^
い感度を得るためにピストン26aが高い移動可能性を有することが望ましい場
合に有利であり得る。
第11図に示されているように本発明の一つの特徴を用いる他の実施例では、ガ
ラス材料21bウエーハ14′Dとウェーハ32bとの間の@陽を郭定するのに
用いられているが、ペデスタル26bの上面とウェーハ32bの下面との閣の間
隔は、ガラス2111が被覆され且逆エツチングが行われた後に堀31bとなる
シリコンのエツチングの深さに完全に依存する。従って、第11図の実施例では
、キャパシタ板の間隔の正確な寸法1i11111は行われないが、二つのウェ
ーハがガラス部分21bにより有意義に隔てられ、それにより@1の周縁に於け
る寄生固定キャパシタンスを減するという本発明の特徴が実現されている。
第9図及び第10@の実施例では、キャパシタの板の一つは金属被8130.3
0aにより形成されており、第11図の実施例ではキャパシタの双方の板がシリ
コン片14b132bの表向により形成されている。第10図及び第11図の実
施例では、ペデスタル26a 、26bはシリコンのみにより形成されており、
第9図の実施例ではペデスタル26は少くとも部分的にガラスにより形成されて
いる。しかし、これらの三つの実施例の全てに於て、シリコン片は互いに接合さ
れており、n:つのキャパシタ板の間の間隔よりも実質的に大きい二つのシリコ
ン片間の寸法(図面で見て垂直)を有するガラスにより隔てられている。実際、
二つのシリコン片の間に形成される排気チャンバに対して側壁を形成するガラス
!構造はキャパシタ板のttuiよりも少くとも四倍大きいシリコン片−の−隔
(図面で垂直)を有するべきであることが見出されてる。これは周縁に於ける板
の閤の変化不能な寄生キャパシタンスの実質的な減少を可能とし、他方板の間の
狭い間隔は圧力の関数としてのダイナミックレンジ(全キャパシタンスの変化可
能なキャパシタンス部分)の増大を可能にする。
本発明は、・二重堀または単−堀を有する運動可能若しくは比較的剛固なピスト
ンを用いて、また他の特徴及び種々の形状及び寸法を用いて、広範囲な形態で実
施される得る。
しかし、電界利用接合過程で最良の結果を得るためには、接合中に形成されるシ
ールがシリコ−l/ガラスシールであるように、ガラスが一つのウェーハ上に被
覆されるべきである。同様に、本発明をその典型的な実施例について図示し説明
してきたが、本発明の範囲内で上記及び他の種々の変形、省略及び追加が行われ
得ることは当業者により理解されよう。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 シリコン・キャパシタンス威圧力ドランスデューサに於て、 導電性表面を有するペデスタルの上に配置された第一の導電性シリコン片と、 導電性シリコンを有する第二の導電性シリコン片と、前記第一のシリコン片を前 記第二のシリコン片と接合するガラスの壁とを含んでおり、前記第−及び第二の シリコン片と前記壁との間にチャンバが形成されており、前記ぺ′ デスタルの 導電性表面が前記第二のシリコン片の導電性表面から小さなIl隔をおかれてお り、キャパシタの板を形成しており、前記間隔、従ってまた前記キャパシタのキ ャパシタンスが前記圧力ドランスデューサに外部から与えられる流体圧力の変化 に応答して変化し、また前記シリコン片の間の前記壁の長さが前記キャパシタ板 の間のllwAの少(とも四倍の大きさであることを特徴とするシリコン・キャ パシタンス威圧力ドランスデューサ
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