JPS58500502A - レ−ザ共振器 - Google Patents
レ−ザ共振器Info
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- JPS58500502A JPS58500502A JP57501120A JP50112082A JPS58500502A JP S58500502 A JPS58500502 A JP S58500502A JP 57501120 A JP57501120 A JP 57501120A JP 50112082 A JP50112082 A JP 50112082A JP S58500502 A JPS58500502 A JP S58500502A
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- Japan
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- laser
- prism
- cavity
- axis
- laser cavity
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08059—Constructional details of the reflector, e.g. shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1123—Q-switching
- H01S3/115—Q-switching using intracavity electro-optic devices
Landscapes
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
レーザ共振器
本発明は改良されたレーザに係り、特に、ポロ(porro )プリズムのよう
な全反射型のプリズム反射器を用いる一般型式のレーザに係る。
ポロプリズム反射器を用いたレーザ、例えば交差ポロレーザは、機械的な衝撃に
不感であるという点で好ましいとされている。このようなレーザはFerran
ti のオーストラリア特許第466.196号並びにInternat 1o
−nal La5er Systems Ins、 (l LS ) の米国特
許第s、924,2o:号に開示されている。これらの特許には、レーデ空胴の
各端に全反射器を有していて偏光器から出力を取り出すよう々装置が述べられて
いる。
〃偏光−選択共振器用の複合TIRプリズムIと題するOpt、o−Elect
ronics、第5巻、第255頁(1973年)に述べられた型式のプリズム
を用いた場合には、各端にプリズム型全反射器を使用する型式のレーザを更に効
果的なものにできることが分った。
このようなプリズムは、4つの平らな面より成り、そのうちの6つは互いに90
°の斜面であり、そして第4番目の面は他の6つの面で形成された綾線の1つに
対して45°に傾斜されている。面に入射する光線は各々45’の入射角におい
て4回の反射を受けそしてその最初の経路方向に反射される。プリズムの屈折率
が2より大きいとすれば、各反射は全反射であり、エネルギの損失はない。4回
の反射は、成る反射における平行成分と垂直偏光成分とが次の反射において互い
に入れ代るように構成される。これによシ、成る内部全反射で生じる移相が次の
゛反射で逆転され、反射の回数は偶数回であるから、内部全反射による全移相は
ゼロとなる。然し乍ら、像の逆転によシ、成る成分においては180°の移相が
生じ、従って、このプリズムは半波プレートと等価である。偏光面がX軸に対し
て角度θだけ傾斜された状態でプリズムに入射する平面偏光ビームはその偏光面
が2φだけ回転された状態でプリズムから出て来る。
ポロプリズムは、内部全反射が2回だけであシそして各反射で生じる移相が互い
に打ち消されるのではなく互いに加えられるという点で、複合TIRプリズムと
は異なった働きをする。ポロプリズムからのS成分とP成分との間に生じる全移
相は次式で表わされる。
移相=π+4 tan”−’ (近「;逼扉面璽但し、nはポロプリズムの屈折
率である。移相がπ又はその倍数でないことにより、ポロプリズムを用いたレー
ザには性能に若干の制約がある。
本明細書の一部を形成する添付図面において、第1図は複合TIRプリズムの斜
視図であシ、第2図は本発明による直進レーザを示す概略図であり、そして
第6図1ri屈曲構成を示す同様の図である。
TIRポロプリズムされた第1図より明らかなように、面Aは光線の入射及び出
口面を形成し、この面は使用中レーザ空胴軸に直角にされるので〃直角〃面と称
され、面B及びCは面Aから後方に90°で延びており、面B及びC自体は互い
に90°であり、面りは面Aから後方に45°の角度で延びておシ、面B、C及
びDは綾線Rで合流する、
前記したように、プリズムの屈折率がfiよシ大きいならば、各反射は全反射と
なる。4回の反射は、図示されたように、ビームがプリズム内を進むにつれて、
ビームのS成分とP成分とが互いに入れ代わるように構成される。これにより、
全反射の際にS成分とP成分との間に生じる移相を打ち消して、全反射による移
相が生じないようにすることができる。
移相を生じさせる第2の作用があり、これはプリズムによってビームが反射され
る時に生じる像の逆転である。
これは、Y軸に平行に偏光された放射成分に1800の実効移相を生じさせ、従
ってこのプリズムにより生じる移相は半波プレートによシ生じる移相と同じであ
る。
偏光面が第1図に示されたX軸に対し角度θだけ傾斜された状態でプリズムに入
射する平面偏光ビームは、その偏光面が2θだけ回転されてプリズムから出て来
る。
対応する部分が同じ参照番号で示された第2図及び第6図を説明すれば、共振空
胴の各端に1つずつ配置された1対の複合TIRプリズム2及び3が使用され、
そして交差ボロレーザの場合と同様に、第2図に示されたような直進形態又は第
3図に示されたような屈曲形態のいずれかを用いることができる。レーザのポッ
ケルスセル端にある複合TIRプリズム2は45°の向きにされ、従って、反射
ビームはその偏光面において90°の回転を受ける。Qスイッチが4で示されて
おり、その電圧発生器が5で示されている。上記回転は、ポッケルスセルQスイ
ッチにバイアスをかける必要なく、Qスポイルド状態における完全ホールドオフ
をもたらす。これによシ、特に完全ホールドオフを得るためにバイアスが必要と
されるようなポロ構成と比較すると、ポッケルスセルの1駆動回路を非常に簡単
なものにすることができる。更に、ポッケルスセルからバイアスが除去されるこ
とにより、電気的な漏洩の問題がなくなるので、作動の信頼性が高くなる。
他端の複合TIRプリズムはレーザロッド6に隣接して配置され、このプリズム
はレーザビームに平行な軸に対する回転により出力のカップリングを制御するの
に用いられる。向きφにおける実効反射塵は次式で表わされる。
R=CO52(2φ)
これは0と100係との間で変化し得る。この範囲は、ポロ構成で得られる範囲
より大きく、従って、例えば非常に低い反射塵が所望されたシ或いは空咽内出力
レベルを非常に低く保つことが必要とされるような非常に高利得のレーザにおい
ては、複合TIRプリズムに対し性能が成る程度良くなる。レーザロッド6は、
電源8から給電されるフラッシュランプ7の如きによって通常のやり方で付勢さ
れる。出力け9から取シ出される。
各々の図において、レーザロッドは6で示されておりそして偏光器は10で示さ
れているが、第6図の場合は屈曲式であるため、空胴にミラー11が含まれる。
複合TIRプリズム2及び3の45°面はその反射面を区別し易いように点線で
示されている。
以上の説明より、従来装置のポロプリズムをTIRポロプリズムシ替えることに
よシ、第1に、TIRポロプリズムの内部で4回の反射が必要とされそして第2
に、成る反射における垂直偏光成分が次の反応で入れ代わるようにされるので、
エネルギ損失の低い改良されたレーザが形成されることが明らかであろう。又、
この装置は、プリズムの後方反射面が互いに実質的に垂直に配置されるならば、
共振器が整列エラーに比較的不感であるので、非常に機械的に丈夫な構造をなし
得る。
又、偏光結合レーザに複合丁IRプリズムを用いた場合には、ポロプリズムを用
いた場合よりも更に効果が発揮される。最も重要な効果は、ポッケルスセルをバ
イアスする必要なく完全なホールドオフを得ると共に出力カップリングの範囲を
拡張するとめう性能上の優位性である。更に、性能が屈折率によって左右されな
いということにより別の効果が得られ、即ちポロプリズムの場合のように屈折率
によるのではなく、熱的な安定性や、光学的な質や、低い吸収係数や、高い損傷
スレッシュホールドといったものに基いてプリズム材料を選択できるという特徴
がある。グリズム特性の選択にこのような自由性があることによυ信頼性及び効
率が改善される。
I□t、ノ
ミラー
、FJ#−3
国際調査報告
Claims (1)
- 1. レーザ空胴が、少なくともレーザロツ「と、偏光器と、上記レーザ空胴の 軸に対して配置されたQスイツ型の1対の全反射器間に画成されるレーザ共振器 において、上記プリズムは、それらのl直角〃面が上記レーザ空胴に面している が上記レーザ空胴の軸に対し互いに45°の角度に向き付けされるように配置さ れた複合TIRプリズムであり、そして上記TlR7’リズムの綾線は上記レー ザ空胴軸に平行であることを特徴とするレーザ共振器。 2、 上記レーザ空胴は屈曲されておシ、上記レーザ空胴を屈曲させるミラーを 上記偏光器と共に備えている請求の範囲第1項に記載のレーザ共振器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AU8384GBEJP | 1981-04-08 | ||
AUPE838481 | 1981-04-08 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58500502A true JPS58500502A (ja) | 1983-03-31 |
Family
ID=3769033
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57501120A Pending JPS58500502A (ja) | 1981-04-08 | 1982-03-30 | レ−ザ共振器 |
Country Status (6)
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---|---|
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JP (1) | JPS58500502A (ja) |
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WO (1) | WO1982003503A1 (ja) |
ZA (1) | ZA822384B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US4756622A (en) * | 1986-05-15 | 1988-07-12 | Hibshman Corporation | Compact apparatus for measuring absorption by a gas |
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Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US3924201A (en) * | 1972-10-02 | 1975-12-02 | Int Laser Systems Inc | Laser apparatus employing mechanical stabilization means |
-
1982
- 1982-03-30 CA CA000399881A patent/CA1166735A/en not_active Expired
- 1982-03-30 WO PCT/AU1982/000045 patent/WO1982003503A1/en not_active Application Discontinuation
- 1982-03-30 JP JP57501120A patent/JPS58500502A/ja active Pending
- 1982-03-30 EP EP19820900918 patent/EP0076272A4/en not_active Withdrawn
- 1982-04-07 ZA ZA822384A patent/ZA822384B/xx unknown
- 1982-04-08 IT IT67473/82A patent/IT1191184B/it active
Also Published As
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---|---|
IT1191184B (it) | 1988-02-24 |
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CA1166735A (en) | 1984-05-01 |
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