JPS584945A - 定電圧回路の製造方法および装置 - Google Patents
定電圧回路の製造方法および装置Info
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- JPS584945A JPS584945A JP57106067A JP10606782A JPS584945A JP S584945 A JPS584945 A JP S584945A JP 57106067 A JP57106067 A JP 57106067A JP 10606782 A JP10606782 A JP 10606782A JP S584945 A JPS584945 A JP S584945A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/2633—Bombardment with radiation with high-energy radiation for etching, e.g. sputteretching
-
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- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/76224—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials
- H01L21/76237—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials introducing impurities in trench side or bottom walls, e.g. for forming channel stoppers or alter isolation behavior
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/735—Lateral transistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は内時に多数の装置を製造するためにＶＬＳＩ
チップの製造ステップを利用する、サブ４２０２寸法の
誘電的に分離された定電圧回路の新ｍな構造と製造方法
とに関する。
チップの製造ステップを利用する、サブ４２０２寸法の
誘電的に分離された定電圧回路の新ｍな構造と製造方法
とに関する。
先行技術から引出される技法はサブミクロンフアプリケ
ーション技術の分野からきており、そこでは寸法的な解
析度は現在シリコン上に熱生成されるシリコン酸化−■
の厚さと同等かまたはこれより幾分小さい。またその寸
法は現在２朧拡散トランジスタに用いられるベースの幅
、すなわち０゜４から１．０ミクロンと同等かまたはこ
れより幾分小さい。これらの技法から、ブレークダウン
電圧の制御を大幅に増大した定電圧回路のための新規な
構造と製造方法とが、独特の組合せおよびシーケンスで
達成される。
ーション技術の分野からきており、そこでは寸法的な解
析度は現在シリコン上に熱生成されるシリコン酸化−■
の厚さと同等かまたはこれより幾分小さい。またその寸
法は現在２朧拡散トランジスタに用いられるベースの幅
、すなわち０゜４から１．０ミクロンと同等かまたはこ
れより幾分小さい。これらの技法から、ブレークダウン
電圧の制御を大幅に増大した定電圧回路のための新規な
構造と製造方法とが、独特の組合せおよびシーケンスで
達成される。
この発明は、サブストレートに凹所を設けて定電圧回路
のための活性領域を境界づけ、凹所を通じてそのよう−
な領域の離れて配置された部分をドーピングし、その後
凹所をフィールド酸化物で充填することによってサブス
トレート上に形成される新規なラテラルＮＰＮまたはＰ
ＮＰバンチスル一定電圧回路に関する。従来の電気的接
続は、定電圧回路のための鐘れて配置されたＮ＋および
、ＰまたはＰ＋領域の各々に対して形成される。
のための活性領域を境界づけ、凹所を通じてそのよう−
な領域の離れて配置された部分をドーピングし、その後
凹所をフィールド酸化物で充填することによってサブス
トレート上に形成される新規なラテラルＮＰＮまたはＰ
ＮＰバンチスル一定電圧回路に関する。従来の電気的接
続は、定電圧回路のための鐘れて配置されたＮ＋および
、ＰまたはＰ＋領域の各々に対して形成される。
ブレークダウン電圧（すなわちバンチスルー）は、サブ
ストレートドーピングによってそしてより重点的にはベ
ースの幅によってコント０−ルされ、それは、順次、ラ
テラル構造によってコントロールされる。バンチスルー
電圧は、製造が完了した後にイオン注入を用いることに
よって調節され得る。
ストレートドーピングによってそしてより重点的にはベ
ースの幅によってコント０−ルされ、それは、順次、ラ
テラル構造によってコントロールされる。バンチスルー
電圧は、製造が完了した後にイオン注入を用いることに
よって調節され得る。
ブレークダウン電圧の広い範囲が、１ボルト足らずの値
よりも低くても達成可能である。また低ノイズはこの装
置本来のものであり、またおそらく低濃度係数について
も同様であろう。
よりも低くても達成可能である。また低ノイズはこの装
置本来のものであり、またおそらく低濃度係数について
も同様であろう。
第１図から第６図を含む図面は、ステップが好ましい順
序に並べられて、第６図に示す構造のための好ましい製
造方法を示しており、各構造は詳細に記載された好まし
い製造ステップによって達成される。
序に並べられて、第６図に示す構造のための好ましい製
造方法を示しており、各構造は詳細に記載された好まし
い製造ステップによって達成される。
第１図において、ＮまたはＰタイプのサブストレート１
１は、シリコンまたはシリ自ン・オン・サフアイヤを含
む。これはマスクされたフォトレジスト■１３（任意的
シリコン酸化物−１６上）で複重され、化学線に照射さ
れ、そしてフォトレジスト１３−によりて■われた領域
で示されるような、単一の定電圧回路のための活性領域
１９の境界を取囲んでスロットが形成されまたは凹所が
設けられるサブストレートの部分の輪郭を描く領域１５
および１７内の溶解した所で、フォトにシストは除去さ
れる。
１は、シリコンまたはシリ自ン・オン・サフアイヤを含
む。これはマスクされたフォトレジスト■１３（任意的
シリコン酸化物−１６上）で複重され、化学線に照射さ
れ、そしてフォトレジスト１３−によりて■われた領域
で示されるような、単一の定電圧回路のための活性領域
１９の境界を取囲んでスロットが形成されまたは凹所が
設けられるサブストレートの部分の輪郭を描く領域１５
および１７内の溶解した所で、フォトにシストは除去さ
れる。
第２図において、スロット２１および２３は領域１７お
よび１５内においてサブストレート１１内へとミリング
されているが、他の領域はフォトレジスト１３によって
保護されている。スロットまたは凹所２１および２３は
、第２図に示されるように、活性領域１９を２つの側面
においてのみ境界づけているが、現実にはこの境界づけ
のために凹所を設けることまたはスロットを形成するこ
とは第７図に示すように定電圧回路活性領域１９に関し
て完全に拡張され、そこではスロット領域２１および２
３は領域１９９２つの側面を境界づけるように見えるが
、スロット２５および２７が全活性領域１９が凹所また
はスロットによって境界づけられるように他の２つの側
面を境界づけることが理解されるであろう。
よび１５内においてサブストレート１１内へとミリング
されているが、他の領域はフォトレジスト１３によって
保護されている。スロットまたは凹所２１および２３は
、第２図に示されるように、活性領域１９を２つの側面
においてのみ境界づけているが、現実にはこの境界づけ
のために凹所を設けることまたはスロットを形成するこ
とは第７図に示すように定電圧回路活性領域１９に関し
て完全に拡張され、そこではスロット領域２１および２
３は領域１９９２つの側面を境界づけるように見えるが
、スロット２５および２７が全活性領域１９が凹所また
はスロットによって境界づけられるように他の２つの側
面を境界づけることが理解されるであろう。
第２図に戻って、ＮＰＮ定電圧回路のための好ましいプ
ロセスにおける次のステップは、スロット２１および２
３内へヒ素を付着して、サブストレート１１内にスロッ
ト２１および２３に隣接するＮ＋ドープ領域３１および
３３を形成することである。サブストレート１１がＰド
ープされたものならば、Ｎ＋ＰＮ十定電圧定電圧回路構
造ド纏を除いて完成される。しかしサブストレートがＮ
ドープされたものであるならば、次のステップの活性鋼
域内でＰドープされたものに転換され得る。
ロセスにおける次のステップは、スロット２１および２
３内へヒ素を付着して、サブストレート１１内にスロッ
ト２１および２３に隣接するＮ＋ドープ領域３１および
３３を形成することである。サブストレート１１がＰド
ープされたものならば、Ｎ＋ＰＮ十定電圧定電圧回路構
造ド纏を除いて完成される。しかしサブストレートがＮ
ドープされたものであるならば、次のステップの活性鋼
域内でＰドープされたものに転換され得る。
Ｎ＋トド−ングステップに続いて、シリコン酸化物が１
６および１６−で示されるように、マスキングの前に、
サブストレート１１の全露出表面上に生成される。
６および１６−で示されるように、マスキングの前に、
サブストレート１１の全露出表面上に生成される。
第３図に移ると、スロット２１および２３は、Ｎ＋ドー
プ領域３１および３３よりも深くサブストレート１１を
貫通する拡張領域２１′および２３−によって示される
ように、より深くミリングされる。また第４１ＰＩＩに
よく示されているように、ホウ素の拡散ステップの準備
のための従来の手法に従って、深められたスロット２１
および２３に沿りたマスクおよびいかなるシリコン酸化
物も除去される。ここでホウ素が供給するＰタイプ領域
は、３５．３５”、３５”および３５“′で示されてい
る。サブストレート１１のＮタイプ領域は、ライン３７
によプて概略的に制定されている。Ｐ領域がスロット２
１の拡張領域２１′およびスロット２３の拡張領域２３
′の下にあり、かつまたＮ十活性領域３１および３３の
閣の製減を占めていることが見られるであろう。
プ領域３１および３３よりも深くサブストレート１１を
貫通する拡張領域２１′および２３−によって示される
ように、より深くミリングされる。また第４１ＰＩＩに
よく示されているように、ホウ素の拡散ステップの準備
のための従来の手法に従って、深められたスロット２１
および２３に沿りたマスクおよびいかなるシリコン酸化
物も除去される。ここでホウ素が供給するＰタイプ領域
は、３５．３５”、３５”および３５“′で示されてい
る。サブストレート１１のＮタイプ領域は、ライン３７
によプて概略的に制定されている。Ｐ領域がスロット２
１の拡張領域２１′およびスロット２３の拡張領域２３
′の下にあり、かつまたＮ十活性領域３１および３３の
閣の製減を占めていることが見られるであろう。
第５＠において、再び好ましくはイオンミリングによっ
て、−三痩目のスロット２１および２３の８Ｉさを深め
ることが行なわれ、今度はカーフ３７の下にあるＮ領域
を貫通するそれらの底ｓ２１”および２３＃までスロッ
トを拡張する。サブストレート１１は今度は十分に酸化
されてスロット２１および２３をシリコン酸化物で完全
に充填し、かつサブストレート１１をシリコン酸化物の
表面１１５１で被覆する。この段階において、凹所また
はスロットのシリコン酸化物は、この絶縁−域内の活性
領域において形成されている定電圧回路輪習のＮ＋ＰＮ
＋活性領域を、完全に誘電灼に９峻することが認識され
得る。
て、−三痩目のスロット２１および２３の８Ｉさを深め
ることが行なわれ、今度はカーフ３７の下にあるＮ領域
を貫通するそれらの底ｓ２１”および２３＃までスロッ
トを拡張する。サブストレート１１は今度は十分に酸化
されてスロット２１および２３をシリコン酸化物で完全
に充填し、かつサブストレート１１をシリコン酸化物の
表面１１５１で被覆する。この段階において、凹所また
はスロットのシリコン酸化物は、この絶縁−域内の活性
領域において形成されている定電圧回路輪習のＮ＋ＰＮ
＋活性領域を、完全に誘電灼に９峻することが認識され
得る。
また第６図において、メタライゼーションの腸がサブス
トレート１１の上部表面に対して施され、フォトレジス
トによって被−されかつパターン化され、それから溶解
したところが除去され、モしてメタライゼーションがエ
ツチングされて、Ｎ＋―域３１およびＮ十輌域３３と接
続して示される特別の金属導体５５および５′７が残さ
れる。
トレート１１の上部表面に対して施され、フォトレジス
トによって被−されかつパターン化され、それから溶解
したところが除去され、モしてメタライゼーションがエ
ツチングされて、Ｎ＋―域３１およびＮ十輌域３３と接
続して示される特別の金属導体５５および５′７が残さ
れる。
第６図のための断面図が平１１ｉ５−５に沿って得られ
るものであることが、第７図からＩ！厳されるであろう
。また第７図の定電圧回路は、１２ｄ平方の面積を占め
る３ｄｘ４ｄの大きさであり、ここでｄは０．４から１
ミクロンの寸法である。要約すると、これらのバイポー
ラ定電圧回路は極めて小さな山積をもち、かつ定電圧回
路の全体的な大きさはその活性領域よりもそれ程大きい
ことはない。
るものであることが、第７図からＩ！厳されるであろう
。また第７図の定電圧回路は、１２ｄ平方の面積を占め
る３ｄｘ４ｄの大きさであり、ここでｄは０．４から１
ミクロンの寸法である。要約すると、これらのバイポー
ラ定電圧回路は極めて小さな山積をもち、かつ定電圧回
路の全体的な大きさはその活性領域よりもそれ程大きい
ことはない。
ＰＮＰ定電圧回路は、単にＮドープされたサブストレー
トから出発しかつ図示されたＮまたはＮ＋トド−ングの
代わりにＰまたはＰ＋ドーピング（ホウＩＩ）を用いる
ことによって、同様の方法により形成され得る。またＰ
ＮＰ定電圧回路は、Ｎドープされたサブストレート１１
および電極な―えた第２図の原Ｐ＋ホウ素ドーピングを
用いることによって−単に形成され得る。
トから出発しかつ図示されたＮまたはＮ＋トド−ングの
代わりにＰまたはＰ＋ドーピング（ホウＩＩ）を用いる
ことによって、同様の方法により形成され得る。またＰ
ＮＰ定電圧回路は、Ｎドープされたサブストレート１１
および電極な―えた第２図の原Ｐ＋ホウ素ドーピングを
用いることによって−単に形成され得る。
ここに明らかにされた４つの手法が、以下のテーブルに
おいて篩単に示されている。
おいて篩単に示されている。
Ｐドープサブストレート
（Ｎ＋ＰＮ十定電圧定電圧
回路マスク
２、スロット
３、Ｎ（ヒ素）ドープ
４．１１化
５、電極
Ｐドープサブストレート
（Ｐ＋ＮＰ十定電圧定電圧
回路マスク
２、スロット
３、Ｎ（ヒ素）ドープ
４、深められたスロット
５、Ｐ＋（ホウｌＡ）ドープ
６、Ｐ−域内に深められたスロット
７、酸化
８、電極
Ｎドープサブストレート
１、マスク
２、スロット
３、Ｎ＋（ヒ素）ドープ
４．８Ｉめられたスロット
５、Ｐ（ホウ素）ドープ
６、Ｎ領域内において深められたスロット７、酸化
８、電極
Ｎドープサブストレート
１、マスク
２、スロット
３、Ｐ＋（ホウｌ１ｌ）ドープ
４、酸化
５、電極
任意的Ｐ＋ドーピング（Ｎ＋）（第６図）は、その表面
に１ｌＩＩＩシたサブストレート１１内へかつ電極領域
の間において拡散または密植されて、電流をその表面か
ら下方へ遍ざけて、それよってより定常的な特性を確立
し得る。
に１ｌＩＩＩシたサブストレート１１内へかつ電極領域
の間において拡散または密植されて、電流をその表面か
ら下方へ遍ざけて、それよってより定常的な特性を確立
し得る。
第１図は単一の定電圧回路が形成されるサブストレート
の領域の断面図であり、サブストレート内へと凹所が設
けられる領域の輪郭を描きかつまた定電圧回路の活性鎖
線を保護するフォトレジストを示している。 第２図は、Ｎ＋トド−ングが完成され続いて酸化物が生
成された境界づけのための凹所領域においてスロットさ
れたサブストレートを示しており、（Ｐ＋）ドーピング
はＰＮＰを形成するためのＮ十ドーピングに対する選択
的ドーピングを示している。 第３図は、Ｎ＋ドープ領域を越えて深められた境界づけ
のための凹所を示している。 第４ＩＩＩは、スロットを通じるかつまたＮ十領域の間
の拡散によって形成されるＰ領域を示している。 第５図は、Ｐドープ領域を越えてＮドープされたサブス
トレート内へと拡張した凹所領域および酸化物で充填さ
れた境界づけのための凹所な示している。 第６図は、パターン化およびメタライゼーションステッ
プの結果を示している。 第７図は、単一のラテラルＮＰＮ定電圧回路の平面図で
あり、酸化物で充填された境界づけのための凹所および
電気的接＠を備えた電極を示している。 図において、１１はサブストレート、２１．２３．２５
．２７はスロット又は凹所、１６．５１はシリコン酸化
物層、１３はフォトレジスト層、７５５．５７は特別な
金属導体をそれぞれ示す。 特許出願人 ロックウェル・インター ナショナルφコーポレーション １７− ＦＩＧ、 １ 日０．２ 日０．３ ９′ ＦＩＧ、５ 手続補正− 昭和５７年７月２７日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願第１０６０６７１！ ２、発明の名称 定電圧１回路 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 アメリカ合衆国、カリフォルニア州、エル・
セグンドイースト・イムベリフル・ヘイウエイ、２２３
０名 称 ロックウェル・インターナショナルΦコー
ポレーシ１ン代表者 エイチ・エフ・ヘイマン ４、代１人 住 所 大阪市ｔｒｉｉ天神橋２丁＠３薯９１！ 八
千代第一ピル電話 大阪（０６）３５１−６２３９ （
代）６、補正の対象 明細−の発明の名称の−および特許請求のＩＩＩＩの― ７、補正の肉寄 テイデン （１）明細書の１、発明の名称の―の「定 電７ツカイ
ロ セイゾウ本つ本つ ソウチ圧 ｌ 路
の ｌｌ１ｌ！ｉ１ 方 法および装 置
」テイデンアツカイロ を「定 電 圧 ＩＩ ｓ４に訂正致します。 （２）明細−の２０ｗ＃許曹求の範■の−を別紙のとお
り補正致します。 以上 ２、特許請求の範回 （１） ドープされたサブストレート上に形成されるサ
ブミクロン寸法のＮＰＮまたはＰＮＰラテラル定電圧回
路の７レイであって、 ドーピングが隣接したサブストレート内へ導入される、
サブストレート内に離れて配置されたスロットを備え、 前記スロットは、フィールド酸化１で充填されかつ定電
圧ｉｍｉ＊が形成される各領域を取■み、前記領域内に
おける離れて配置されたスロットの内側面上の前記ドー
ピングは、１対の電極領域な―え、 各電極領域に対するメタライゼーション接続をさらに備
える定電圧ａｍ。 （２） 前記領域は、実質的に４ｄの長さおよｔＦ３ｄ
の暢（ｄは０．４から１ミクロン）を有する長四角形で
ある、特許請求のＩｉ＠第１項記載の定電圧回路。 （３） 前記最初に述べたドーピングに対する逆ドーピ
ングが、その逆ドーピングが原サブストレートドーピン
グの下に存在するように前記ドーピングに続いて深さが
深められた俵の前記スロットを通じて拡散され、 前記逆ドーピングは、少なくともドープされた原サブス
トレート領域の鯛の前記領域内にサブストレート表面を
通じて拡散される、−許曹求の範囲第１項記載の定電圧
回路。
の領域の断面図であり、サブストレート内へと凹所が設
けられる領域の輪郭を描きかつまた定電圧回路の活性鎖
線を保護するフォトレジストを示している。 第２図は、Ｎ＋トド−ングが完成され続いて酸化物が生
成された境界づけのための凹所領域においてスロットさ
れたサブストレートを示しており、（Ｐ＋）ドーピング
はＰＮＰを形成するためのＮ十ドーピングに対する選択
的ドーピングを示している。 第３図は、Ｎ＋ドープ領域を越えて深められた境界づけ
のための凹所を示している。 第４ＩＩＩは、スロットを通じるかつまたＮ十領域の間
の拡散によって形成されるＰ領域を示している。 第５図は、Ｐドープ領域を越えてＮドープされたサブス
トレート内へと拡張した凹所領域および酸化物で充填さ
れた境界づけのための凹所な示している。 第６図は、パターン化およびメタライゼーションステッ
プの結果を示している。 第７図は、単一のラテラルＮＰＮ定電圧回路の平面図で
あり、酸化物で充填された境界づけのための凹所および
電気的接＠を備えた電極を示している。 図において、１１はサブストレート、２１．２３．２５
．２７はスロット又は凹所、１６．５１はシリコン酸化
物層、１３はフォトレジスト層、７５５．５７は特別な
金属導体をそれぞれ示す。 特許出願人 ロックウェル・インター ナショナルφコーポレーション １７− ＦＩＧ、 １ 日０．２ 日０．３ ９′ ＦＩＧ、５ 手続補正− 昭和５７年７月２７日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願第１０６０６７１！ ２、発明の名称 定電圧１回路 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 アメリカ合衆国、カリフォルニア州、エル・
セグンドイースト・イムベリフル・ヘイウエイ、２２３
０名 称 ロックウェル・インターナショナルΦコー
ポレーシ１ン代表者 エイチ・エフ・ヘイマン ４、代１人 住 所 大阪市ｔｒｉｉ天神橋２丁＠３薯９１！ 八
千代第一ピル電話 大阪（０６）３５１−６２３９ （
代）６、補正の対象 明細−の発明の名称の−および特許請求のＩＩＩＩの― ７、補正の肉寄 テイデン （１）明細書の１、発明の名称の―の「定 電７ツカイ
ロ セイゾウ本つ本つ ソウチ圧 ｌ 路
の ｌｌ１ｌ！ｉ１ 方 法および装 置
」テイデンアツカイロ を「定 電 圧 ＩＩ ｓ４に訂正致します。 （２）明細−の２０ｗ＃許曹求の範■の−を別紙のとお
り補正致します。 以上 ２、特許請求の範回 （１） ドープされたサブストレート上に形成されるサ
ブミクロン寸法のＮＰＮまたはＰＮＰラテラル定電圧回
路の７レイであって、 ドーピングが隣接したサブストレート内へ導入される、
サブストレート内に離れて配置されたスロットを備え、 前記スロットは、フィールド酸化１で充填されかつ定電
圧ｉｍｉ＊が形成される各領域を取■み、前記領域内に
おける離れて配置されたスロットの内側面上の前記ドー
ピングは、１対の電極領域な―え、 各電極領域に対するメタライゼーション接続をさらに備
える定電圧ａｍ。 （２） 前記領域は、実質的に４ｄの長さおよｔＦ３ｄ
の暢（ｄは０．４から１ミクロン）を有する長四角形で
ある、特許請求のＩｉ＠第１項記載の定電圧回路。 （３） 前記最初に述べたドーピングに対する逆ドーピ
ングが、その逆ドーピングが原サブストレートドーピン
グの下に存在するように前記ドーピングに続いて深さが
深められた俵の前記スロットを通じて拡散され、 前記逆ドーピングは、少なくともドープされた原サブス
トレート領域の鯛の前記領域内にサブストレート表面を
通じて拡散される、−許曹求の範囲第１項記載の定電圧
回路。
Claims (13)
- （１） ドープされたサブストレート上に形成されるサ
ブミクロン寸法のＮＰＮまたはＰＮＰラテラル定電圧回
路の７レイであって、 ドーピングが隣接したサブストレート内へ導入されるＪ
サブストレート内に−れて配置されたスロットを備え、 前記スロットは、フィールド酸化物で充填されかつ定電
圧１路が形成される各領域を取−み、前記領域内におけ
る離れて配置されたスロットの内側山上の前記ドーピン
グは、１対の電極領域を備え、 各電極領域に対するメタライゼーション接続をさらに備
える定電圧回路。 - （２） 前記領域は、実質的に４６の長さおよび３ｄの
暢（ｄは０．４から１ミクロン）を有する長四角形であ
る、特許請求の範囲第１項記載の定電圧回路。 - （３） 前記最初に述べたドーピングに対する逆ドーピ
ングが、その逆ドーピングが類サブストレートドーピン
グの下に存在するように前記ドーピングに続いて深さが
深められた後の前記スロットを通じて拡散され、 前記逆ドーピングは、少なくともドープされた原サブス
トレート領域の閣の前記領域内にサブストレート表面を
通じて拡散される、特許請求の範囲第１項記載の定電圧
回路。 - （４） 一方のタイプにドープされたサブストレート上
にサブミクロン寸法のＮＰＮまたはＰＮＰラテラル定電
圧回路の７レイを製造する方法であって、 サブストレートをマスクして、定電圧回路を構成する各
活性領域のための境界領域の輪郭を描くステップと、 前記境界領域においてサブストレートにスロットを形成
するステップと、 スロットが形成された境界領域を通じてサブストレード
をドープして、前記一方のタイプにドープされた境界領
域に隣接するサブストレートの領域を設けるステップと
、 スロットが形成された境界領域の深さを深めるステップ
と、 深められた領域を通じてサブストレートをドープして、
他方のタイプにドープされたドープ領域の下側でかつそ
の閤にサブストレートの領域を設けるステップと、 深くスロットされた境界領域をフィールド酸化物で充填
するステップと、 前記サブストレート表面をメタライゼーシジンおよびパ
ターン化して、前記一方のタイプの領域の各々に対して
電気的接続を設けるステップとを―える定電圧回路の製
造方法。 - （５） 前記スロットを形成しかつ深さを深めることは
イオンミリングによって行なわれる、特許請求の範囲第
４項記載の定電圧回路の製造方法。 - （６） 前記一方のタイプのドーピングは、サブストレ
ートを酸化し、スロットの形成された境界領域から酸化
物を除去し続いて拡散によって達成される、特許請求の
範囲第５墳記載の定電圧回路の製造方法。 - （７） Ｎドープされたサブストレート上にＮＰＮタイ
プのラテラル定電圧回路を製造する方法であって、 サブストレート内に凹所を形成して定電圧回路のための
領域に境界をつけるステップと、前記領域の離れて配置
された部分をＮ＋ドープするステップと、 凹所の深さを深めるステップと、 前記領域のＮ＋ドープされていない部分なＰドープする
ステップと、 前記凹所をフィールド酸化物で充填するステップと、 前記離れて配置されたへ十領域の各々に対して電気的接
続を形成するステップとを備える定電圧回路の製造方法
。 - （８） Ｐドープされたサブストレート上にＰＮＰタイ
プの定電圧回路を製造プる方法であって、サブストレー
ト内に凹所を形成して、定電圧回路のための領域に境界
をつけるステップと、スロットを通じてサブストレート
の活性領域をＮドープするステップと、 前記領域の離れて配置された部分をＰ＋ドープするステ
ップと、 ―記凹所の深さを深めるステップと、 前記凹所をフィールド酸化物で充填するステップと、 前記多錐されて配置されたＰ十領域に対して電気的接続
を形成するステップとを備える定電圧回路の製造方法。 - （９） サブストレート上に形成される活性領域を有す
るパンチスル一定電圧回路であって、定電圧回路活性領
域の表面に沿って、実質的にサブストレートに凹所を設
けるステップと、艙紀凹所を設けることによって形成さ
れた凹所部分を通じて、定電圧回路活性領域を選択的に
ドープするステップと、 前記凹所なサブストレート鹸化物で充填して、活性領域
を前記サブストレートから絶縁するステップと、 前記活性領域の選択的にドープされた領域に対して導体
を形成して、電気的接続を設けるステップとを働える定
電圧回路の製造方法。 - （１０） 前記サブストレートはＰ°ドープされたもの
であり、 前記凹所を通じて導入される前記ドーピングはＮタイプ
であ・る、特許請求の範囲第９項記載の定電圧回路の製
造方法。 - （１１） 前記凹所の深さが深められ、Ｐタイプドーピ
ングが前記深められた凹所を通じてサブストレート内へ
導入される、特許請求の範囲第１０項記載の定電圧回路
の製造方法。 - （１２） 前記サブストレートはＮドープされたもので
あり、 前記凹所を通じて導入される前記ドーピングはＰタイプ
である、特許請求の範囲第９項記載の定電圧回路の製造
方法。 - （１３） 前記凹所の深さが深められ、Ｎタイプドーピ
ングが前記深められた凹所を通じてサブストレート内へ
導入される、特許請求のｌ１ＩＩ第１２項記載の定電圧
回路の製造方法。 〈１４） ドーピングがその表面を通じてサブストレー
ト内へとかつその隣接領域に対して導入されて、電流の
流れを表面から内側へ強制し、前記ドーピングは活性領
域の原ドーピングに対して反対のタイプである、特許請
求の範囲第９項、第１０項、第１１項、第１２項または
第１３項記載の定電圧回路の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US277464 | 1981-06-25 | ||
| US06/277,464 US4466180A (en) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | Method of manufacturing punch through voltage regulator diodes utilizing shaping and selective doping |
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|---|---|
| JPS584945A true JPS584945A (ja) | 1983-01-12 |
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Family Applications (1)
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| JP57106067A Pending JPS584945A (ja) | 1981-06-25 | 1982-06-17 | 定電圧回路の製造方法および装置 |
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| JP (1) | JPS584945A (ja) |
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- 1982-06-17 JP JP57106067A patent/JPS584945A/ja active Pending
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