JPS5849033B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPS5849033B2 JPS5849033B2 JP56172639A JP17263981A JPS5849033B2 JP S5849033 B2 JPS5849033 B2 JP S5849033B2 JP 56172639 A JP56172639 A JP 56172639A JP 17263981 A JP17263981 A JP 17263981A JP S5849033 B2 JPS5849033 B2 JP S5849033B2
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- JP
- Japan
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- resistor
- integrated circuit
- semiconductor integrated
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- resistance
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は特に半導体集積回路における抵抗に関する。
半導体集積回路において、例えばある所定の電圧を発生
させるためには、簡単には抵抗分圧回路を用いること７
ｌ１；考えられる。
させるためには、簡単には抵抗分圧回路を用いること７
ｌ１；考えられる。
しかしながら、この場合、使用される抵抗に拡散抵抗を
使うと、この拡散抵抗は、第３図の線Ａでその電圧電流
特性を示すように、電圧変動に伴なって一様な電流変動
を有するため、電源電圧の変動により上記の所定雷圧亦
変動してしまうことになる。
使うと、この拡散抵抗は、第３図の線Ａでその電圧電流
特性を示すように、電圧変動に伴なって一様な電流変動
を有するため、電源電圧の変動により上記の所定雷圧亦
変動してしまうことになる。
本発明の目的は、かかる欠点を除去して電源電圧等の変
動に強い半導体集積回路を提供することにある。
動に強い半導体集積回路を提供することにある。
本発明による半導体集積回路は、定電流素子としてのエ
ビタキシャル層と不純物濃度勾配を有する抵抗（例えば
拡散抵抗）とを有するものである。
ビタキシャル層と不純物濃度勾配を有する抵抗（例えば
拡散抵抗）とを有するものである。
以下、図面により本発明をより詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す等価回路図である。
すなわち、電源Ｅ１−Ｅ１′間にエビタキシャル抵抗Ｒ
１ と拡散抵抗Ｒ２ とを直列接続し、その接続点から
トランジスタＱ１へ電圧を供給している。
１ と拡散抵抗Ｒ２ とを直列接続し、その接続点から
トランジスタＱ１へ電圧を供給している。
トランジスＪＱ１はエミツタ抵抗Ｒ３を有する。
第２図は第１図の回路の素子構造を示すものである。
すなわち、Ｐ型基板１上に分離領域４で複数の島状領域
に分離されたエビタキシャル層３を有する。
に分離されたエビタキシャル層３を有する。
それらの界面には、所定部にＮ十型埋込み層４が形成さ
れている。
れている。
一つの島状領域６にトランジスタＱ１が形戒され、他の
島状領域にはＰ型領域５による拡散抵抗Ｒ２． Ｒ３Ａ
二形或され、さらに他の島状領域はそのまま電極力＝設
けられてエビ汐キシャル抵抗Ｒ１ となっている。
島状領域にはＰ型領域５による拡散抵抗Ｒ２． Ｒ３Ａ
二形或され、さらに他の島状領域はそのまま電極力＝設
けられてエビ汐キシャル抵抗Ｒ１ となっている。
さらに他の島状領域にはダイオードＤ １ ｄｈ形成さ
れている。
れている。
ダイオードＤ１ は、トランジスタ構造であり、そのベ
ースとコレクタとを短絡することによって得られる。
ースとコレクタとを短絡することによって得られる。
これらの素子力：第１図のように、結線される。
同、ダイオードＤ１ は第１図の回路には示されていな
い。
い。
かかる構成において、エビタキシャル抵抗Ｒ１は第３図
の曲線Ｂで示す電流電圧特性を有する。
の曲線Ｂで示す電流電圧特性を有する。
すなわち、エビメキシャル抵抗Ｒ１では、分離領域４が
接地電位に接続されるため抵抗の降下電圧に対応してエ
ビ汐キシャル層３内に空乏層がのびる。
接地電位に接続されるため抵抗の降下電圧に対応してエ
ビ汐キシャル層３内に空乏層がのびる。
それ故、拡散抵抗Ｒ２．Ｒ３の特性φ：Ａのように線形
であるのに対し、曲線Ｂのような電圧依存性をエビタキ
シャル抵抗Ｒ１に持たせることカニできる。
であるのに対し、曲線Ｂのような電圧依存性をエビタキ
シャル抵抗Ｒ１に持たせることカニできる。
従って、数１ ００ＫΩの交流インピーダンスとするこ
とぷ可能である。
とぷ可能である。
第３図で降下電圧変動分△■に対するエビメキシャル抵
抗Ｒ１ の電流変動分を△■１、拡散抵抗のそれを△■
ｌ′で表わしている。
抗Ｒ１ の電流変動分を△■１、拡散抵抗のそれを△■
ｌ′で表わしている。
このように、エビタキシャル抵抗ＲＩは電圧変動による
電流変動作少ない定電流素子となる。
電流変動作少ない定電流素子となる。
従って、拡散抵抗Ｒ２の両端には、電源Ｅ１′の変動に
よらない所定の電圧を得ること布できる。
よらない所定の電圧を得ること布できる。
同、本発明は上記実施例に限られず、他にも応用できる
ものである。
ものである。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図は第１
図の回路を含む素子構造断面図、第３図はエビタキシャ
ル抵抗と拡散抵抗の電流電圧特性図である。 Ｒ１ ・・・エビタキシャル抵抗， Ｒ２ − Ｒｓ・
・・拡散抵抗、Ｑｌ ・・・トランジス汐、１・・・Ｐ
型基板、２・・・Ｎ＋埋込み層、３・・・Ｎ型エビタキ
シャル層、４・・・分離領域。
図の回路を含む素子構造断面図、第３図はエビタキシャ
ル抵抗と拡散抵抗の電流電圧特性図である。 Ｒ１ ・・・エビタキシャル抵抗， Ｒ２ − Ｒｓ・
・・拡散抵抗、Ｑｌ ・・・トランジス汐、１・・・Ｐ
型基板、２・・・Ｎ＋埋込み層、３・・・Ｎ型エビタキ
シャル層、４・・・分離領域。
Claims (1)
- １ 半導体基板上に形或されたー導電型の半導体エビタ
キシャル層を抵抗領域とする第１の抵抗素子と、該エビ
タキシャル層内に形成された他の導電型の領域を抵抗領
域とする第２の抵抗素子とを直列に接綬し、もって前記
第２の抵抗素子に、前記直列接続に印加される電圧の変
動にかかわりなく、ほとんど一定の電圧降下を生ぜしめ
たことを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56172639A JPS5849033B2 (ja) | 1981-10-27 | 1981-10-27 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56172639A JPS5849033B2 (ja) | 1981-10-27 | 1981-10-27 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57141951A JPS57141951A (en) | 1982-09-02 |
| JPS5849033B2 true JPS5849033B2 (ja) | 1983-11-01 |
Family
ID=15945605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56172639A Expired JPS5849033B2 (ja) | 1981-10-27 | 1981-10-27 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5849033B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0740549B2 (ja) * | 1985-05-28 | 1995-05-01 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| DE19917370C1 (de) * | 1999-04-16 | 2000-10-05 | St Microelectronics Gmbh | In einer integrierten halbleiterschaltung gebildeter weitgehend spannungsunabhängiger elektrischer Widerstand |
-
1981
- 1981-10-27 JP JP56172639A patent/JPS5849033B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57141951A (en) | 1982-09-02 |
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