JPS5848742Y2 - 壁貫ブツシング - Google Patents
壁貫ブツシングInfo
- Publication number
- JPS5848742Y2 JPS5848742Y2 JP2418278U JP2418278U JPS5848742Y2 JP S5848742 Y2 JPS5848742 Y2 JP S5848742Y2 JP 2418278 U JP2418278 U JP 2418278U JP 2418278 U JP2418278 U JP 2418278U JP S5848742 Y2 JPS5848742 Y2 JP S5848742Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal cylinder
- connection bus
- bus bar
- wall
- tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Insulators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は汚損等の外部状況に影響されない高精度、高負
担のコンデンサ型計器用変圧器（以下ＰＤという）をそ
なえた高電圧の壁貫ブッシングに関する。
担のコンデンサ型計器用変圧器（以下ＰＤという）をそ
なえた高電圧の壁貫ブッシングに関する。
従来のＰＤをそなえた高電圧用の壁貫ブッシングは第１
図に示すように建屋の壁１を貫通し内部に絶縁媒体を充
填したタンク２の両端にコンテ゛ンサ形ブッシング３及
び４を取付け、このブッシング３及び４のもつキャパシ
タンスを高圧側コンデンサとして利用し、これにＰＤ５
を接続した構成となっている。
図に示すように建屋の壁１を貫通し内部に絶縁媒体を充
填したタンク２の両端にコンテ゛ンサ形ブッシング３及
び４を取付け、このブッシング３及び４のもつキャパシ
タンスを高圧側コンデンサとして利用し、これにＰＤ５
を接続した構成となっている。
しかしながら、上記従来の壁貫ブッシングにおいて、ブ
ッシング３及び４のかい管表面が清浄なときはＰＤ５は
正常な誤差特性を示すが、気中がい管が注水時や汚損時
にはかい管表面に生じるリーク電流によって誤差が大幅
に変化することがある。
ッシング３及び４のかい管表面が清浄なときはＰＤ５は
正常な誤差特性を示すが、気中がい管が注水時や汚損時
にはかい管表面に生じるリーク電流によって誤差が大幅
に変化することがある。
例えば汚損時には誤差が１０〜３０％に達することがあ
る。
る。
この原因は高圧コンデンサがかい管内に収められている
ためで、このような構造であるかぎり誤差特性の悪化は
さけられない。
ためで、このような構造であるかぎり誤差特性の悪化は
さけられない。
またＰＤ５の負担もこれに接続される保護装置の要求か
ら高負担のものが必要であるが、従来のブッシング形Ｐ
Ｄでは高圧コンデンサのキャパシタンスが小さく通常要
求される１０００ ＰＦ組以上キャパシタンスを得るこ
とは困難である。
ら高負担のものが必要であるが、従来のブッシング形Ｐ
Ｄでは高圧コンデンサのキャパシタンスが小さく通常要
求される１０００ ＰＦ組以上キャパシタンスを得るこ
とは困難である。
そのため高精度、高負担のＰＤが得ることができない。
本考案は上記の点にかんがみ、高精度、高負担のＰＤを
そなえた壁貫ブッシングを提供することを目的とする。
そなえた壁貫ブッシングを提供することを目的とする。
以下本考案の一実施例を図面を参照して説明する。
第２図において、建屋の壁１１を貫通し、内部に絶縁油
、絶縁ガス等の絶縁媒体３０を充填したタンク１２の両
端にはブッシング１３及び１４が取付けられる。
、絶縁ガス等の絶縁媒体３０を充填したタンク１２の両
端にはブッシング１３及び１４が取付けられる。
この両ブッシング１３及び１４の内端間はタンク１２内
に配設された接続母線１５により接続される。
に配設された接続母線１５により接続される。
この接続母線１５の外周には支持部材１５Ａにより支持
された金属円筒１６が接続母線１５に同心状に設けられ
ている。
された金属円筒１６が接続母線１５に同心状に設けられ
ている。
この金属円筒１６は支持部材１５Ａにより電気的に接続
されて接続母線１５と同電位にあり、またその両端部に
電界を緩和するために内側に湾曲する曲率がつけられて
いる。
されて接続母線１５と同電位にあり、またその両端部に
電界を緩和するために内側に湾曲する曲率がつけられて
いる。
この金属円筒１６の外周にはプレスポードあるいはＦＲ
Ｐ等により形成された固体絶縁物シリンダー１８が配設
されている。
Ｐ等により形成された固体絶縁物シリンダー１８が配設
されている。
更にその外周には円筒状のＰＤＤタツプ電極１７がタン
ク１２に対して絶縁して配設されている。
ク１２に対して絶縁して配設されている。
ＰＤＤタツプ電極１７はタンク１２に取付けられた低圧
ブッシング１９によってタンク１２外部に導かれ、周知
のＰＤ ２７のブッシング２０に接続される。
ブッシング１９によってタンク１２外部に導かれ、周知
のＰＤ ２７のブッシング２０に接続される。
尚、金属円筒１６は発熱を防止するため支持部材１５Ａ
により一個所で接続母線１５に電気的に接続され、接続
母線１５の電流が金属円筒１６に分流しないようになっ
ている。
により一個所で接続母線１５に電気的に接続され、接続
母線１５の電流が金属円筒１６に分流しないようになっ
ている。
また図示しないが金属円筒１６を円周方向に分割してｌ
ターンを形成しないようにして渦電流による発熱も防止
されている。
ターンを形成しないようにして渦電流による発熱も防止
されている。
このように構成された壁貫ブッシングにおいて、金属円
筒１６とＰＤＤタツプ電極１７間のキャパシタンスＣは
次式で表わされる。
筒１６とＰＤＤタツプ電極１７間のキャパシタンスＣは
次式で表わされる。
ここで゛、
ｒ２：ＰＤＤタツプ電極の内半径
ｒｌ：金属円筒の外半径
ｌ：金属円筒の長さ
ε：金属円筒とＰＤタップ用電電極間絶縁物の誘電率
一般に、ｒ２は構造的制約からおおよそな寸法が決まる
が、上式から明らかなように本発明による壁貫ブッシン
グにおいてはｒｌを大きくすればＣを大きくすることが
できる。
が、上式から明らかなように本発明による壁貫ブッシン
グにおいてはｒｌを大きくすればＣを大きくすることが
できる。
従って、例えば５００ＫＶ系統用油入壁貫ブッシングで
、十分な絶縁距離（ｒ２−ｒｌ）を確保し金属円筒の長
さｌが３〜４ｍ程度でも金属円筒１６Ａ、１６Ｂの半径
ｒ１を大きくすることによって通常要求される１０００
ＰＦ組以上キャパシタンスを容易に得ることができる
。
、十分な絶縁距離（ｒ２−ｒｌ）を確保し金属円筒の長
さｌが３〜４ｍ程度でも金属円筒１６Ａ、１６Ｂの半径
ｒ１を大きくすることによって通常要求される１０００
ＰＦ組以上キャパシタンスを容易に得ることができる
。
またタンク１２の両端に取付けられたブッシング１３及
び１４の内端間を接続する接続母線１５の外周にコンテ
゛ンサを形成し、このコンデンサを計器用変圧器２７に
接続するものであるから、ブッシング１３及び１４のか
い管の汚損等の外部状況によって特性が影響されること
がない。
び１４の内端間を接続する接続母線１５の外周にコンテ
゛ンサを形成し、このコンデンサを計器用変圧器２７に
接続するものであるから、ブッシング１３及び１４のか
い管の汚損等の外部状況によって特性が影響されること
がない。
更に金属円筒１６と接続母線１５との間には絶縁媒体３
０が介在するため接続母線１５の冷却が絶縁媒体３０に
よって良好に行なわれることになる。
０が介在するため接続母線１５の冷却が絶縁媒体３０に
よって良好に行なわれることになる。
このように本考案による壁貫ブッシングにおいては、１
０００ＰＦ以上のキャパシタンスを容易に得ることがで
き、またブッシングのかい管の汚損等の外部状況によっ
て特性が影響されない高精度、高負担のコンデンサ型計
器用変圧器を備えることができる。
０００ＰＦ以上のキャパシタンスを容易に得ることがで
き、またブッシングのかい管の汚損等の外部状況によっ
て特性が影響されない高精度、高負担のコンデンサ型計
器用変圧器を備えることができる。
尚、上記実施例においては１個の金属円筒でコンデンサ
を形成した場合について説明したが、金属円筒を接続母
線の長平方向に複数個に分割して少なくとも１個のコン
テ゛ンサを形成することができる。
を形成した場合について説明したが、金属円筒を接続母
線の長平方向に複数個に分割して少なくとも１個のコン
テ゛ンサを形成することができる。
第１図は従来の壁貫ブッシングを示す概略図、第２図は
本考案による壁貫ブッシングを一部断面して示した正面
図である。 １１・・・・・・建屋、１２・・・・・・タンク、１３
及び１４・・・・・・ブッシング、１５・・・・・・接
続母線、１６・・・・・・金属円筒、１７・・・・・・
電極、２７・・・・・・コンデンサ型計器用変圧器、３
０・・・・・・絶縁媒体。
本考案による壁貫ブッシングを一部断面して示した正面
図である。 １１・・・・・・建屋、１２・・・・・・タンク、１３
及び１４・・・・・・ブッシング、１５・・・・・・接
続母線、１６・・・・・・金属円筒、１７・・・・・・
電極、２７・・・・・・コンデンサ型計器用変圧器、３
０・・・・・・絶縁媒体。
Claims (2)
- （１）建屋の壁を貫通し内部に絶縁媒体を充填したタン
クの両端にブッシングを取付け、この両ブッシングの内
端間を前記タンク内に配設された接続母線により接続し
た壁貫ブッシングにおいて、前記接続母線の外周に、こ
の接続母線と同電位の金属円筒を接続母線に同心状に配
設し、この金属円筒の外周に固体絶縁物を配設し、その
外周にコンデンサ型計器用変圧器に接続される電極を設
けたことを特徴とする壁貫ブッシング。 - （２）金属円筒を接続母線に１個所で電気的に接続した
ことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項記載の
壁貫ブッシング。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2418278U JPS5848742Y2 (ja) | 1978-02-28 | 1978-02-28 | 壁貫ブツシング |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2418278U JPS5848742Y2 (ja) | 1978-02-28 | 1978-02-28 | 壁貫ブツシング |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54128100U JPS54128100U (ja) | 1979-09-06 |
| JPS5848742Y2 true JPS5848742Y2 (ja) | 1983-11-08 |
Family
ID=28862175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2418278U Expired JPS5848742Y2 (ja) | 1978-02-28 | 1978-02-28 | 壁貫ブツシング |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848742Y2 (ja) |
-
1978
- 1978-02-28 JP JP2418278U patent/JPS5848742Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54128100U (ja) | 1979-09-06 |
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