JPS5846788B2 - Kiokusouchi - Google Patents

Kiokusouchi

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Publication number
JPS5846788B2
JPS5846788B2 JP50105388A JP10538875A JPS5846788B2 JP S5846788 B2 JPS5846788 B2 JP S5846788B2 JP 50105388 A JP50105388 A JP 50105388A JP 10538875 A JP10538875 A JP 10538875A JP S5846788 B2 JPS5846788 B2 JP S5846788B2
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JP
Japan
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information
minor loop
loop
minor
storage
Prior art date
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Expired
Application number
JP50105388A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5228830A (en
Inventor
恒介 高橋
坦 村上
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
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Publication of JPS5228830A publication Critical patent/JPS5228830A/en
Publication of JPS5846788B2 publication Critical patent/JPS5846788B2/en
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/28Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
    • G11C19/287Organisation of a multiplicity of shift registers

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブル素子や半導体素子などのシフトレジ
スタ型記憶素子で形成される循環型シフトレジスタを含
む記憶装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a storage device including a cyclic shift register formed of a shift register storage element such as a magnetic bubble element or a semiconductor element.

そのうちの特に読取りあるいは書込み動作時に循環型シ
フトレジスタ内の記憶位置に存在する情報の番地を検出
して動作する記憶装置に関するものである。
In particular, the present invention relates to a storage device that operates by detecting the address of information existing at a storage location in a circular shift register during a read or write operation.

従来磁気バブル素子で構成されるメイジャ、マイナ・ル
ープ方式チップ構成のチップを用いた記憶装置では、マ
イナ・ループに格納されている基準情報を利用して、マ
イナ・ループの記憶位置に存在する蓄積情報の番地を検
出するためのカウンタを初期設定していた。
Conventional storage devices using majors made of magnetic bubble elements and chips with a minor loop type chip configuration utilize the reference information stored in the minor loop to detect the accumulation existing at the storage location of the minor loop. A counter was initially set to detect the address of the information.

しかし、このような記憶装置では、電源投入時に基準情
報を読取ってカウンタを初期設定するという動作に要す
る時間は、マイナ・ループ内情報を繰返して読取る回数
に比例する。
However, in such a storage device, the time required to read the reference information and initialize the counter when the power is turned on is proportional to the number of times the minor loop information is repeatedly read.

この記憶装置で磁気バブル素子モジュールの各々で選択
的に情報の移動を行なわしめる場合には、モジュール毎
に設げられているカウンタを初期設定しなげればならな
いので、記憶装置としての初期設定に要する時間は増大
し操作上無視できなくなるという欠点が生じてくる。
When selectively moving information in each of the magnetic bubble element modules in this storage device, it is necessary to initialize the counter provided for each module. The disadvantage is that the time required increases and cannot be ignored in terms of operation.

また、マイナ・ループに存在する基準情報が1個である
ため、記憶装置の動作が異常時に基準情報が一旦消失し
てしまうと、その後の動作は不可能になるという欠点も
あった。
Furthermore, since only one piece of reference information exists in the minor loop, once the reference information is lost when the operation of the storage device is abnormal, there is a drawback that subsequent operation becomes impossible.

本発明の目的は、循環型シフトレジスタを含む記憶装置
の初期設定時間を短縮し、記憶装置の信頼性を向上せし
めることにある。
An object of the present invention is to shorten the initial setting time of a storage device including a circular shift register and improve the reliability of the storage device.

本発明によると、複数個の循環型シフトレジスタを含む
記憶装置において、定められた間隔の複数記憶位置にア
ドレス情報を含む第1の循環型シフトレジスタと、前記
情報を識別するためのマーク情報を含む第2の循環型シ
フトレジスタと、前記アドレス情報と前記マーク情報に
基づいて初期設定され、前記複数個の循環型シフトレジ
スタ内の情報が移動するにつれて内容が変化するアドレ
スカウンタと、外部から与えられるアドレス情報と前記
アドレスカウンタの内容に基づいて前記複数個の循環型
シフトレジスタ内の情報をアクセスする手段とを備えて
いることを特徴とする記憶装置が得られる。
According to the present invention, in a storage device including a plurality of cyclic shift registers, a first cyclic shift register containing address information in a plurality of storage locations at predetermined intervals, and mark information for identifying the information are provided. a second circular shift register including a second circular shift register; an address counter that is initialized based on the address information and the mark information and whose contents change as information in the plurality of circular shift registers moves; According to the present invention, there is provided a storage device comprising means for accessing information in the plurality of circular shift registers based on the address information stored in the address counter and the contents of the address counter.

本発明の記憶装置に使用される記憶素子の種類には何ら
の制約が存在しない。
There are no restrictions on the type of memory element used in the memory device of the present invention.

しかし、本発明の実施例として磁気バブル素子を使用し
た記憶装置を示すこととする。
However, as an embodiment of the present invention, a storage device using a magnetic bubble element will be shown.

次にこの発明について図面を参照して説明する。Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は従来から提案されている磁気バブル素子のメイ
ジャ・マイナ・ループ方式メモリ・チップ構成である。
FIG. 1 shows a major minor loop type memory chip configuration of a magnetic bubble element that has been proposed in the past.

このチップ構成の原形は、1971年6月に発行された
雑誌「サイエンティフィック・アメリカンj (5ci
entific American )、第224巻、
第6号、第90頁に提案されている。
The original form of this chip configuration was published in the magazine "Scientific American J (5ci)" published in June 1971.
entific American), Volume 224,
No. 6, p. 90.

矢印の付された実線はバブル磁区の移動路を表わしてい
る。
The solid line with an arrow represents the path of movement of the bubble magnetic domain.

複数個の循環型シフトレジスタとしてのマイナ・ループ
1〜6には情報が記憶されている。
Information is stored in minor loops 1-6 as a plurality of circular shift registers.

マイナ・ループ1〜6はトランスファ・ゲート11〜1
6を介して入出力部の配置されているメイジャ・ループ
17に連結されている。
Minor loops 1-6 are transfer gates 11-1
6 to a major loop 17 in which an input/output section is arranged.

入出力部には、メイジャ・ループ17に転送された情報
を検出するための磁区検出器18−1.メイジャ・ルー
プ17に書込み情報に応じて情報を挿入するための磁区
入力器、18−2およびメイジャ・ループ17の磁区を
選択的に消去するための磁区消去器18−3が含まれて
いる。
The input/output section includes magnetic domain detectors 18-1 for detecting information transferred to the major loop 17. A magnetic domain input device 18-2 for inserting information into the major loop 17 according to write information and a magnetic domain eraser 18-3 for selectively erasing magnetic domains of the major loop 17 are included.

動作の詳細は前記文献に示されているものに準するので
省略する。
The details of the operation are similar to those shown in the above-mentioned document and will therefore be omitted.

なお、第1図に示したチップ構成をとる部分は、機能的
に独立し得る最小の単位なので、チップ・ユニットと称
することとする。
Note that the portion having the chip configuration shown in FIG. 1 is the smallest unit that can be functionally independent, so it will be referred to as a chip unit.

なお、チップ・ユニットは混同のおそれがない場合には
、単にチップと称せられる。
Note that a chip unit is simply referred to as a chip unless there is a risk of confusion.

第2図は磁気バブル素子を用いた本発明による記憶装置
のブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram of a storage device according to the present invention using a magnetic bubble element.

記憶装置20と外部回路との間には、アドレス信号線2
1−L人カデータ線21−2、出力データ線21−3、
および制御信号線21−4がある。
An address signal line 2 is connected between the storage device 20 and the external circuit.
1-L person data line 21-2, output data line 21-3,
and a control signal line 21-4.

記憶本体22には第1図に示したチップ構成をとる多数
の磁気バブル素子チップが配置されている。
A large number of magnetic bubble element chips having the chip configuration shown in FIG. 1 are arranged in the storage main body 22.

直接周辺回路としては、バブル磁区な安定に存在せしめ
るためのバイアス磁界装置23、バブル磁区を移動せし
めるための回転磁界装置24、ならびに磁区検出器18
−1に接続されている読取り回路、磁区入力器18−2
に接続されている書込み回路、磁区消去器18−3に接
続されている消去回路、トランスファ・ゲート11〜1
6に接続されているゲート駆動回路などを含む回路25
が配置されている。
Direct peripheral circuits include a bias magnetic field device 23 for making bubble magnetic domains exist stably, a rotating magnetic field device 24 for moving bubble magnetic domains, and a magnetic domain detector 18.
-1 reading circuit connected to magnetic domain input device 18-2
a write circuit connected to the magnetic domain eraser 18-3, an erase circuit connected to the magnetic domain eraser 18-3, and a transfer gate 11-1.
A circuit 25 including a gate drive circuit connected to 6
is located.

さらにこれら直接周辺回路の動作を制御する制御回路2
6がある。
Furthermore, a control circuit 2 that directly controls the operation of these peripheral circuits
There are 6.

記憶本体22内のチップのマイナ・ループには、蓄積す
べき情報を記憶しているマイナ・ループと、マイナ・ル
ープ内の記憶位置に存在する蓄積情報の番地を検出する
のに利用する制御情報を記憶しているマイナ・ループが
存在している。
The minor loop of the chip in the memory main body 22 includes a minor loop that stores information to be stored, and control information that is used to detect the address of the stored information that exists at a storage location within the minor loop. There is a minor loop that remembers.

この制御情報を利用できるように、回路25からの出力
データは制御回路26に入力されている。
Output data from the circuit 25 is input to a control circuit 26 so that this control information can be used.

次に第3図〜第5図を用いて磁気バブル素子チップ内の
マイナ・ループに記憶されている制御情報の記憶状態を
示すこととする。
Next, the storage state of the control information stored in the minor loop in the magnetic bubble element chip will be shown using FIGS. 3 to 5.

記憶位置に黒丸が記入されていればそこに磁区があり、
白丸が記入されていればそこに磁区がなく、黒丸も白丸
も記入されていなければ磁区がないとする。
If a black circle is written in the memory position, there is a magnetic domain there.
If a white circle is filled in, there is no magnetic domain, and if neither a black circle nor a white circle is filled in, it is assumed that there is no magnetic domain.

なお、以下の図でメイジャ・マイナ・ループ方式のチッ
プ構成は第1図のものより、さらに簡略化されている。
Note that the chip configuration of the major minor loop method in the following figures is more simplified than that in FIG. 1.

メイジャ・ループとマイナ・ループのビット数はそれぞ
れ35ビツトと36ピツトであるとする。
It is assumed that the number of bits of the major loop and the minor loop are 35 bits and 36 pits, respectively.

第3図は記憶本体22内のチップにおいて制御情報を記
憶しているマイナ・ループのある時刻におげろ状態を示
している。
FIG. 3 shows a state in which the minor loop storing control information in the chip in the storage main body 22 is closed at a certain time.

マイナ・ループ321の記憶位置PO,P8.P16、
およびP24のみに磁区で表わされているマーク情報1
11″が存在している。
Storage location PO, P8 of minor loop 321. P16,
And mark information 1 represented by magnetic domains only on P24
11'' is present.

これらのマーク情報Jllを識別するためのアドレス情
報がマイナ・ループ322および32−3の対応する記
憶位置に存在している。
Address information for identifying these mark information Jll exists in corresponding storage locations of minor loops 322 and 32-3.

すなわちマイナ・ループ32−1の記憶位置POのマー
ク情報に対してマイナ・ループ323およびマイナ・ル
ープ32−2の記憶位置POのアドレス情報II o
o°′が存在し、マイナ・ループ32−1の記憶位置P
8のマーク情報に対してマイナ・ループ32−3および
マイナ・ループ32−2の記憶位置P8のアドレス情報
+01nが存在し、マイナ・ループ32−1の記憶位置
P16のマーク情報に対してマイナ・ループ323およ
びマイナ・ループ32−2の記憶位置P16のアドレス
情報1110 ”が存在し、マイナ・ループ32−1の
記憶位置P24の基準情報に対してマイナ・ループ32
−3およびマイナ・ループ32−2の記憶位置P24の
アドレス情報11111′が存在している。
That is, the address information II o of the storage position PO of the minor loop 323 and the minor loop 32-2 is set to the mark information of the storage position PO of the minor loop 32-1.
o°' exists, and the memory location P of the minor loop 32-1
Address information +01n of the storage position P8 of the minor loop 32-3 and the minor loop 32-2 exists for the mark information of 8, and the address information +01n of the storage position P16 of the minor loop 32-1 exists. The address information 1110'' of the storage location P16 of the loop 323 and the minor loop 32-2 exists, and the minor loop 32
-3 and address information 11111' of storage location P24 of minor loop 32-2 exist.

これらマイナ・ループ32−1のマーク情報、ならびに
マイナ・ループ32−2およびマイナ・ループ32−3
のアドレス情報が制御情報を構成する。
Mark information of these minor loops 32-1, minor loops 32-2 and minor loops 32-3
The address information constitutes control information.

第4図は記憶本体22内のチップにおいて制御情報を記
憶しているマイナ・ループのある時刻における状態を示
している。
FIG. 4 shows the state of the minor loop storing control information in a chip within the storage main body 22 at a certain time.

マイナ・ループ421では記憶位置PO,P8.P16
、およびP24のみに磁区で表わされるマーク情報″1
″が存在している。
In the minor loop 421, storage positions PO, P8. P16
, and mark information “1” represented by magnetic domains only on P24.
” exists.

これらのマーク情報+111を識別するためのアドレス
情報がマイナ・ループ42−2に存在している。
Address information for identifying these mark information +111 exists in the minor loop 42-2.

すなわちマイナ・ループ42−1の記憶位置POのマー
ク情報に対してマイナ・ループ42−2の記憶位置P1
およびPOの情報”00″が存在し、マイナ・ループ4
2−1の記憶位置P8のマーク情報に対してマイナ・ル
ープ42−2の記憶位置P9およびP8の情報1011
が存在し、マイナ・ループ42−1の記憶位置P16の
マーク情報に対してマイナ・ループ42−2の記憶位置
P17およびPI3の情報111011が存在し、マイ
ナ・ループ42−1の記憶位置P24のマーク情報に対
してマイナ・ループ42−2の記憶位置P25およびP
24の情報1111′が存在している。
That is, for the mark information at the storage position PO of the minor loop 42-1, the storage position P1 of the minor loop 42-2 is
and PO information “00” exists, minor loop 4
Information 1011 of storage positions P9 and P8 of minor loop 42-2 for mark information of storage position P8 of 2-1
exists, and information 111011 exists in storage position P17 and PI3 of minor loop 42-2 for mark information in storage position P16 of minor loop 42-1, and information 111011 exists in storage position P24 of minor loop 42-1. Storage positions P25 and P of the minor loop 42-2 for mark information
There are 24 pieces of information 1111'.

以上説明したようにマイナ・ループ42−1および42
−2の情報が制御情報を構成する。
As explained above, the minor loops 42-1 and 42
-2 information constitutes control information.

第5図は記憶本体22内のチップにおいて制御情報を記
憶しているマイナ・ループのある時刻におげろ状態を示
している。
FIG. 5 shows a state in which the minor loop storing control information in the chip in the storage main body 22 is closed at a certain time.

ここでは第3図のマイナ・ループ32−1〜32−3に
記憶されている制御情報が異なるチップユニットに分散
されている。
Here, the control information stored in the minor loops 32-1 to 32-3 in FIG. 3 is distributed to different chip units.

すなわち、マイナ・ループ32−1.32−2、および
32−3に記憶されている制御情報がそれぞれ、メイジ
ャ・ループ51に属するマイナ・ループ52、メイジャ
・ループ53に属するマイナ・ループ54、およびメイ
ジャ・ループ55に属するマイナ・ループ56に記憶さ
れている。
That is, the control information stored in minor loops 32-1, 32-2 and 32-3 is stored in minor loop 52 belonging to major loop 51, minor loop 54 belonging to major loop 53, and It is stored in a minor loop 56 belonging to the major loop 55.

第3図〜第5図では、制御情報を記憶、しているマイナ
・ループのみが示されていて、これらマイナ・ループの
上部に存在する蓄積情報用マイナ・ループは省略されて
いる。
In FIGS. 3 to 5, only minor loops storing control information are shown, and minor loops for stored information existing above these minor loops are omitted.

マイナ・ループに記憶されている蓄積情報の番号付けは
、制御情報に基づいてなされる。
The numbering of accumulated information stored in the minor loop is done based on control information.

たとえば、第3図〜第5図の状態でマイナ・ループの記
憶位置POにある蓄積情報の番号を0とする。
For example, in the states shown in FIGS. 3 to 5, the number of accumulated information in the storage position PO of the minor loop is set to 0.

いいかえると1100L1の値を有するアドレス情報に
対応したマーク情報の存在している記憶位置と相対的に
同じ記憶位置にある蓄積情報の番号を0とするのである
In other words, the number of accumulated information located at the same storage location relative to the storage location where the mark information corresponding to the address information having the value of 1100L1 exists is set to 0.

そして番号Oの蓄積情報の存在している記憶位置から時
計方向にある記憶位置pLp2.・・・・・・、P35
の蓄積情報の番号を順次1.2、・・・・・・、35′
となる。
Then, the storage position pLp2. is located clockwise from the storage position where the accumulated information with number O exists.・・・・・・P35
The stored information numbers are sequentially 1.2, ..., 35'
becomes.

なお、@ o o Wの値を有するアドレス情報に対応
するマーク情報の存在している記憶位置から相対的に一
定記憶位置離れた記憶位置にある蓄積情報の番号を0と
してもよい。
Note that the number of accumulated information located at a storage location relatively a fixed storage location away from the storage location where mark information corresponding to address information having the value of @ o o W exists may be set to 0.

通常、アドレス信号で指定される情報は各マイナ・ルー
プの隣接した記憶位置に存在する2ビツトの情報から構
成される。
Typically, the information specified by the address signal consists of 2 bits of information located in adjacent storage locations in each minor loop.

この場合には、番号Oと番号1の蓄積情報がアドレス0
の情報となり、一般には番号2(n−1)と番号(2n
−1)の蓄積情報がアドレスnの情報となる。
In this case, the accumulated information of numbers O and 1 is at address 0.
The information is generally number 2 (n-1) and number (2n
The accumulated information of -1) becomes the information of address n.

1個の磁気バブル素子モジュール内では情報の移動が均
一に行なわれているとしているので、第3図〜第5図に
示したような制御情報を含むチップ、あるいはチップ群
は、モジュール内に少くとも1個存在すればよい。
Since it is assumed that information is transferred uniformly within one magnetic bubble element module, the number of chips or chip groups containing control information as shown in Figures 3 to 5 is small within the module. It is sufficient that one of each exists.

第3図では制御情報用マイナ・ループは3個必要である
のに対し、第4図では制御情報用マイナ・ループは2個
あればよい。
In FIG. 3, three minor loops for control information are required, whereas in FIG. 4, two minor loops for control information are required.

マイナ・ループとメイジャ・ループ間の1回の転送動作
で2ビツトの情報が転送されるとした場合、第3図のよ
うに記憶されている制御情報は1回の転送動作でメイジ
ャ・ループに転送されるのに対し、第4図のように記憶
されている制御情報は1回あるいは2回の転送動作でメ
イジャ・ループに転送される。
If 2 bits of information are transferred in one transfer operation between the minor loop and the major loop, the control information stored as shown in Figure 3 is transferred to the major loop in one transfer operation. In contrast, the control information stored as shown in FIG. 4 is transferred to the major loop in one or two transfer operations.

第5図のように記憶されている制御情報が、1回の転送
動作でメイジャ・ループに転送されるのは第3図の場合
と同じであるが、各チップ・ユニットの磁区検出器から
並列に読取られる必要があるのは第3図と異なる点であ
る。
The stored control information as shown in Fig. 5 is transferred to the major loop in one transfer operation, which is the same as in Fig. 3, but from the magnetic domain detector of each chip unit in parallel. This differs from FIG. 3 in that it needs to be read exactly.

第5図のように制御情報が記憶されている場合、モジュ
ール内で少くとも制御情報を記憶しているチップ・ユニ
ットが同時に読取り状態にあることが必要であることは
、バブル・メモリ装置構成に制約を与える。
When control information is stored as shown in FIG. 5, the bubble memory device configuration requires that at least the chip units storing the control information in the module be in the read state at the same time. Give constraints.

しかし、制御情報が並列に読取られるので制御回路を構
成するのに都合がよい。
However, since the control information is read in parallel, it is convenient for configuring a control circuit.

第6図は磁気バブル素子チップに記憶されている制御情
報に基づいて動作する第2図に示されているバブル・メ
モリの制御回路26の一部および回路25の一部を示し
ている。
FIG. 6 shows a portion of the control circuit 26 and a portion of the circuit 25 of the bubble memory shown in FIG. 2, which operate based on control information stored in the magnetic bubble element chip.

バブル・メモリでは、制御情報は第5図のように記憶さ
れているものとし、第5図のようにメイジャ・ループが
35ビツトでマイナ・ループが36ビツトであるような
チップ構成を採用しているものとする。
In the bubble memory, control information is stored as shown in Figure 5, and a chip configuration is adopted in which the major loop is 35 bits and the minor loop is 36 bits as shown in Figure 5. It is assumed that there is

また、マイナ・ループ内の制御情報を基準にした蓄積情
報の番号の決定法、および蓄積情報の番号とアドレスと
の対応は前述した通りであるとする。
It is also assumed that the method of determining the stored information number based on the control information in the minor loop and the correspondence between the stored information number and address are as described above.

回路25内にある増巾整形回路61.増巾整形回路63
、および増巾整形回路65のそれぞれの入力端子には、
メイジャ・ループ51に実装された磁区検出器、メイジ
ャ・ループ53に実装された磁区検出器、メイジャ・ル
ープ55に実装された磁区検出器が接続されている。
Amplifying width shaping circuit 61 within circuit 25. Width shaping circuit 63
, and the respective input terminals of the width shaping circuit 65,
A magnetic domain detector mounted on the major loop 51, a magnetic domain detector mounted on the major loop 53, and a magnetic domain detector mounted on the major loop 55 are connected.

なお、磁区検出器はメイジャ・ループの磁区位置POに
存在するものとする。
It is assumed that the magnetic domain detector exists at the magnetic domain position PO of the major loop.

マイナ・ループのビット数が36ビツトであるから、カ
ウンタ60は36進の6ビツトバイナリ・カウンタであ
る。
Since the number of bits in the minor loop is 36 bits, counter 60 is a 36-bit binary counter.

カウンタ60の入力端子60には、マイナ・ループ内で
情報が1記憶位置分だけ移動するごとに、カウンタの内
容を1だけ増加させるカウント・アップ・パルスが入力
される。
An input terminal 60 of the counter 60 receives a count up pulse that increments the contents of the counter by one each time the information moves one storage position within the minor loop.

カウンタ60は後で詳述するように初期設定されるので
、取決めた蓄積情報の番号とアドレスとの対応から、カ
ウンタ60の内容の上位の5桁がマイナ・ループの記憶
位置POに存在する情報のアドレスを示している。
Since the counter 60 is initialized as described in detail later, based on the correspondence between the agreed storage information number and the address, the upper five digits of the contents of the counter 60 are the information that exists in the storage location PO of the minor loop. It shows the address of.

したがって、カウンタ60の内容の上位5桁の出力と、
アドレス信号詳しくはそのうちのチップ内アドレス信号
とを5ビツトのコンパレータ66の入力に印加すれば、
コンパレータ66の出力にヨッて、蓄積情報をアクセス
することが可能トする。
Therefore, the output of the top five digits of the contents of the counter 60,
More specifically, if the address signal and the in-chip address signal are applied to the input of the 5-bit comparator 66,
The output of the comparator 66 allows access to the stored information.

具体的にはコンパレータの出力に基づいてトランスファ
・ゲート用のゲート駆動回路からゲート電流を供給して
、指定されたアドレスの蓄積情報をマイナ・ループから
メイジャ・ループに転送するのである。
Specifically, a gate current is supplied from a gate drive circuit for the transfer gate based on the output of the comparator, and the stored information at the designated address is transferred from the minor loop to the major loop.

チップのマイナ・ループ内の制御情報に基づいて初期設
定されるカウンタ60の動作について説明する。
The operation of the counter 60, which is initialized based on control information in the minor loop of the chip, will be described.

ここで、マイナ・ループとメイジャ・ループ間の情報の
転送単位を2ビツトとし、各チップ・ユニットのトラン
スファ・ゲートに電流を供給してマイナ・ループの記憶
位置POおよびPlの情報なメイン々・ループに転送す
るものとする。
Here, the unit of information transfer between the minor loop and the major loop is set to 2 bits, and current is supplied to the transfer gate of each chip unit to transfer the information at the storage locations PO and Pl of the minor loop to the main units. shall be forwarded to the loop.

メイジャ・ループの記憶位置POに磁区検出器が存在す
るとしているので、マイナ・ループの記憶位置PO(P
l )の情報が磁区検出器に達するまでの回転磁界の周
期は4(5)周期と一義的に定まっている。
Since it is assumed that the magnetic domain detector exists at the storage position PO of the minor loop, the storage position PO (P
The period of the rotating magnetic field until the information of 1) reaches the magnetic domain detector is uniquely determined to be 4 (5) periods.

転送すべき2ビツトの情報がマイナ・ループの記憶位置
POとPlに存在しているときから4周期後および5周
期後の2ビツト転送時間だげII I Ifとなる信号
が端子64から印加される。
When the 2-bit information to be transferred exists in the storage locations PO and PI of the minor loop, a signal that becomes II I If is applied from the terminal 64 at the 2-bit transfer time of 4 cycles and 5 cycles after the 2-bit information to be transferred exists in the storage locations PO and PI of the minor loop. Ru.

各チップのマイナ・ループから2ピツトスつ順次読取り
動作を繰返し、第5図のような状態になったものとする
Assume that the reading operation of two pits from the minor loop of each chip is repeated in sequence, and a state as shown in FIG. 5 is obtained.

次にマイナ・ループの記憶位置POおよびPlから2ビ
ツトの情報をメイジャ・ループに転送すると、第5図の
状態から4周期後にマイナ・ループ52の記憶位置PO
にあった磁区がメイジャ・ループ51の記憶位置POに
達するので、増巾整形回路61の出力は′″1′1とな
る。
Next, when 2 bits of information are transferred from the storage locations PO and Pl of the minor loop to the major loop, the information will be transferred to the storage location PO of the minor loop 52 after 4 cycles from the state shown in FIG.
Since the magnetic domain located at 2 reaches the storage location PO of the major loop 51, the output of the amplifying and shaping circuit 61 becomes ``1''1.

このとき端子64からの信号も111″となっているの
で、アンド・ゲート68のII I If出力はカウン
タ60のLOAD 端子に印加される。
At this time, since the signal from the terminal 64 is also 111'', the II I If output of the AND gate 68 is applied to the LOAD terminal of the counter 60.

この時、増巾整形回路63と増巾整形回路65の出力の
それぞれには、第5図の状態でマイナ・ループ54とマ
イナ・ループ56の記憶位置POにあった情報“oo”
が発生する。
At this time, the outputs of the amplifying width shaping circuit 63 and the amplifying width shaping circuit 65 contain the information "oo" that was in the storage position PO of the minor loop 54 and the minor loop 56 in the state shown in FIG.
occurs.

カウンタ60の第1段から第3段のデータ入力には、そ
れぞれOIl、O″、′lI″の固定信号が入力されて
おり、第4段と第5段のデータ入力には、それぞれ増巾
整形回路63と65の出力信号I+ 01、It □
Itが入力されており、第6段のデータ入力には0″の
固定信号が入力されている。
Fixed signals OIl, O'', and 'lI'' are input to the data inputs of the first to third stages of the counter 60, respectively, and amplified signals are input to the data inputs of the fourth and fifth stages, respectively. Output signals of shaping circuits 63 and 65 I+ 01, It □
It is input, and a fixed signal of 0'' is input to the data input of the sixth stage.

したがって、カウンタ60のLOAD 端子にIf 1
1信号が印加されると、カウンタ60は000100と
初期設定される。
Therefore, if 1 is applied to the LOAD terminal of the counter 60.
When the 1 signal is applied, the counter 60 is initialized to 000100.

この時刻に蓄積情報を記憶しているマイナ・ループの記
憶位置POには、番号4の蓄積情報が存在している。
Accumulated information with number 4 exists in the storage position PO of the minor loop that stores accumulated information at this time.

カウンタ60の内容は、マイナ・ループの情報力1ビツ
ト移動するごとに1だげ増加するので、マイナ・ループ
の記憶位置POに存在する蓄積情報の番号を示している
ことになる。
Since the contents of the counter 60 are incremented by 1 each time the information power of the minor loop moves by 1 bit, it indicates the number of stored information existing in the storage location PO of the minor loop.

また、カウンタの内容の上位5桁は記憶位置POに存在
する蓄積情報のアドレスを示していることになる。
Furthermore, the upper five digits of the contents of the counter indicate the address of the stored information existing at the storage location PO.

第5図において、記憶位置POに存在している制御情報
が記憶位置P1に存在している状態から、記憶位置PO
およびPlから2ビツトの情報をメイジャ・ループに転
送したとしても、端子64から加えられる信号は5周期
後にも111nとなるので、そのときカウンタ60はo
ooiooに設定される。
In FIG. 5, the control information existing in the storage position PO is changed from the state in which the control information exists in the storage position P1 to the storage position PO.
Even if 2-bit information is transferred from Pl to the major loop, the signal applied from terminal 64 will still be 111n after 5 cycles, so counter 60 will be o
Set to ooiooo.

第5図において記憶位置P8に存在している制御情報が
記憶位置POあるいはPlに存在している状態から、記
憶位置POとPlとから2ビツトの情報をメイジャ・ル
ープに転送した場合には、4周期後あるいは5周期後に
増巾整形回路63の出力は1″となり、増巾整形回路6
5の出力は”0″となる。
In FIG. 5, when control information existing at storage location P8 is present at storage location PO or Pl, and 2-bit information is transferred from storage locations PO and Pl to the major loop, After 4 cycles or 5 cycles, the output of the width shaping circuit 63 becomes 1'', and the width shaping circuit 6
The output of 5 is "0".

この結果、カウンタ60の内容は001100に初期設
定される。
As a result, the contents of the counter 60 are initialized to 001100.

この値はこのときマイナ・ループの記憶位置POに存在
している蓄積情報の番号に一致している。
This value corresponds to the number of stored information existing in the storage location PO of the minor loop at this time.

他の制御情報によってカウンタ60を初期設定した場合
でも、カウンタ60の内容とこのときマイナ・ループの
記憶位置POO中に存在している蓄積情報の番号は一致
する。
Even if the counter 60 is initialized using other control information, the contents of the counter 60 and the number of accumulated information existing in the storage location POO of the minor loop at this time match.

磁気バブル素子モジュール内に制御情報を記憶していな
いチップ・ユニットが存在し、制御情報を記憶している
チップ・ユニットと同時に動作する場合には、回路25
には第6図に示した増巾整形回路61.63および65
以外にも増巾整形回路が存在する。
If there is a chip unit in the magnetic bubble element module that does not store control information and operates simultaneously with a chip unit that stores control information, the circuit 25
The width shaping circuits 61, 63 and 65 shown in FIG.
There are other width-enhancing shaping circuits.

バブル・メモリが複数個のモジュールからなり、しかも
全てのモジュールで情報の移動を一斉に行なわない場合
には、各モジュールごとに第6図に示したような制御回
路を必要とする。
If the bubble memory consists of a plurality of modules and information is not transferred in all the modules at the same time, a control circuit as shown in FIG. 6 is required for each module.

なお、バブル・メモリにおける情報の移動が両方向であ
る場合には、カウンタ60はアップ/ダウン・カウンタ
となる。
Note that if information moves in the bubble memory in both directions, counter 60 becomes an up/down counter.

以上本発明の記憶装置を特定のチップ構成の磁気バブル
素子チップを用いた場合について説明してきた。
The storage device of the present invention has been described above using a magnetic bubble element chip having a specific chip configuration.

第3図〜第5図に示したように制御情報がマイナ・ルー
プ内に4組記憶されているので、記憶装置の初期設定に
要する時間は従来のものに比し4分の1になる。
Since four sets of control information are stored in the minor loop as shown in FIGS. 3 to 5, the time required for initializing the storage device is reduced to one quarter of that of the conventional method.

また4組の制御情報の一部の組が何らかの原因で消失し
ても、残りの組で記憶装置内のカウンタを初期設定する
ことができるのである。
Furthermore, even if some of the four sets of control information are lost for some reason, the counters in the storage device can be initialized with the remaining sets.

本発明の実施例では、磁気バブル素子チップのチップ構
成は特定のものを用いているが、チップ構成が変ればそ
れに応じて制御回路、制御回路に与えられる信号なども
変更しなげればならないのは以上の説明から明らかであ
ろう。
In the embodiment of the present invention, a specific chip configuration is used for the magnetic bubble element chip, but if the chip configuration changes, the control circuit and the signals given to the control circuit must also be changed accordingly. should be clear from the above explanation.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来から提案されている磁気バブル素子のメイ
ジャ・マイナ・ループ方式メモリ・チップ構成である。 第2図は本発明によるバブル・メモリのブロック図であ
る。 第3図〜第5図は本発明によるバブル・メモリに用いら
れているチップ内の循環型シフト・レジスタとしてのマ
イナ・ループに記憶されている制御情報のある時刻にお
げろ状態を示している。 第6図は第2図に示したバブル・メモリの制御回路を示
したものである。 なお図において、32−1.421,52はマーク情報
を記憶しているマイナ・ループ、32−2゜32−3,
42−2,54.56はアドレス情報を記憶しているマ
イナ・ループ、60は制御情報に基づいて初期設定され
、マイナ・ループ内の情報が移動するにつれて内容が変
化するカウンタ、69はアドレス信号入力端子、66は
コンパレータである。
FIG. 1 shows a major minor loop type memory chip configuration of a magnetic bubble element that has been proposed in the past. FIG. 2 is a block diagram of a bubble memory according to the present invention. Figures 3 to 5 show a state in which the control information stored in the minor loop as a circular shift register in the chip used in the bubble memory according to the present invention is in a down state at a certain time. . FIG. 6 shows a control circuit for the bubble memory shown in FIG. In the figure, 32-1, 421, 52 is a minor loop that stores mark information, 32-2, 32-3,
42-2, 54, and 56 are minor loops that store address information; 60 is a counter that is initialized based on control information and whose contents change as the information in the minor loop moves; and 69 is an address signal. The input terminal 66 is a comparator.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 複数個の循環型シフトレジスタを含む記憶装置にお
いて、定められた間隔の複数記憶位置にアドレス情報を
含む第1の循環型シフトレジスタと、前記アドレス情報
を識別するためのマーク情報を含む第2の循環型シフト
レジストと、前記アドレス情報と前記マーク情報に基づ
いて初期設定され、前記複数個の循環型シフトレジスタ
内の情報が移動するにつれて内容が変化するアドレスカ
ウンタと、外部から与えられるアドレス情報と前記アド
レスカウンタの内容に基づいて前記複数個の循環型シフ
トレジスタ内の情報をアクセスする手段とを備えている
ことを特徴とする記憶装置。
1 In a storage device including a plurality of cyclic shift registers, a first cyclic shift register includes address information in a plurality of storage locations at predetermined intervals, and a second cyclic shift register includes mark information for identifying the address information. a circular shift register, an address counter that is initialized based on the address information and the mark information and whose contents change as information in the plurality of circular shift registers moves, and address information given from the outside. and means for accessing information in the plurality of circular shift registers based on the contents of the address counter.
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Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63202680U (en) * 1987-06-19 1988-12-27

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