JPS5843584A - 発光ダイオ−ド - Google Patents

発光ダイオ−ド

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Publication number
JPS5843584A
JPS5843584A JP56141971A JP14197181A JPS5843584A JP S5843584 A JPS5843584 A JP S5843584A JP 56141971 A JP56141971 A JP 56141971A JP 14197181 A JP14197181 A JP 14197181A JP S5843584 A JPS5843584 A JP S5843584A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
light
diffusion
casing
emitting diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56141971A
Other languages
English (en)
Inventor
Shunzo Inoue
俊三 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP56141971A priority Critical patent/JPS5843584A/ja
Publication of JPS5843584A publication Critical patent/JPS5843584A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/508Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、指向性の少ない配光特性を有・する発光ダイ
オードに関するものである。X゛従来発光ダイオ−Vを
表沃゛灯゛として用いる・場合、表示灯としての慢能を
増すために種々の工夫がなされて・いる、    ・ 
   5表示灯′はt・・点灯したとき、・消えている
場合に比較して明るく、・か゛つ広範囲からこの点灯を
確認出来なければならない。
一會九、発光ダイオードは、半導体のP−N@合一から
光が発せられ、その配光特性は非常に狭い指向性の強い
ものであ〕、その光をよシ明る・〈感じさせ、ま九その
点灯を広範囲から確認できる様にするため、従来次の様
な諸方法が提案されてiる。   。
0)P−・N接合−1部を固定しケージ4.ングの役割
をするプラスチックモールド部分4(接、台面からケー
シング外面まで)を乳白色のプラスチック材で成型し・
、一種の拡散部の役、割をはたす乳白色の部分によって
、接合面か・ら発せ、=れた光を拡散し、拡散された光
が外面、から各方向に放射される、ζζ、に。
よって、広い範・囲から発光ダイオード、の点灯2が、
確認でき゛・るようにする・、  、  。
また、発光ダイオード、が消えているとき、ケーシン夛
の色社乳白色のため、発光〜〆ダイオード点灯゛したと
きの色・(例えば・赤または緑)ti−1非点灯時の色
と容易に区別でき、る。
しかしこの方法によると、接合面から外面までの部分は
すべて乳白色のプラスチ0.りの拡散部のため、最終的
に表面より出て来る光は途中で減衰されて暗くな9、実
際には点灯した事を容−に確認出来な、いという欠点が
あった。
←)P−N−接合部を固一定するプラ不チック■モ−ル
ド部分を無色透@5な材料にし、発光部外面の外周にり
ンダ状の反射板を設け、この反射板からの゛反射光で指
先性を弱め、まえ、点灯部分が小さくても反射板からの
反射光を1でlることによって□見かけ上の点灯部□分
が大きくなゐようにしたものがある。
仁の様な発光ダイオードFi(4)の場合と異な)、無
色透明のプラスチック材を用いているため、途中の減衰
はなく明るい・しかじ、この方法では反射板となるもの
が必要で、低価格を要求されている発光ダイオード表示
灯のコストを上昇させることに&る。
また、仁の反射板自身によって他の面からの反射光が鐘
断されるとともあ〕、成る範囲外からは点灯の確認がで
きない欠点がある− また、プラスチック材が無色7s明のため、発光ダイオ
ードが消えているとき蕗・1′・::、、この部分は必
ずしも白色には見えず、むしろ黒色に近い感じになる良
め、点灯時(通常、赤とか緑)と非点灯時の色の区別は
、0)の方法に比較して明確でない。
(→ P−N接合部を固定するプラスチック働モールド
材を無色透明した点はに)0方法と同じであ、、!!が
、←)の様な反射板を設けな゛い、この方法では、発光
ダイオードから指向性の強い光束が発せられるため、広
い範四からの点灯の確認は困難である。
に) P−N9合部を固定するプラスチック働モールド
材を、その発光ダイオードの発光色と同じ色の透明プラ
スチック材で成型する。仁の発光ダイオードは、プラス
チック材9部分が色フィルターになるので発色光が鮮や
かKなる。
しかしこの方法でも配光特性が指向性をもっていること
には変夛なく、また発光ダイオ−Vが消えているとき、
このグラスチック材の色が外光で色識別できるの7、点
灯時と非点灯時の色の区別は0)の場合に比較して困難
である。
本発明は、従−0発光ダイオードの欠点を除去し、指向
性がIsン□輪広い範囲から点灯の確認ができ、点灯時
と非点灯時の色の識別が明確にでき、特に点灯表示素子
として適轟な小型、低価格の発   ゛光ダイオードを
提供する仁とを目的とするものである。
このような目的で本発明は%P−N層を封じ九ケ“−シ
ングが透明層と拡散層を積層した構造を有することを4
I像とする尭光メイオ゛−ドを提供するの□である。
以下、本発明の一実施例を図面に′よ、って説明する。
WJにおいて、1は例えば81−GaAg・よシなるp
形層であ夛、2は例えば810aム一よ゛)な“る゛n
形層゛で゛あ゛ゐ、3はp−n層か:ら電荷の′注入に
よって発生する不可視光を可視光に変換する゛けい光層
であシ、4はこれを支持する一板、5−6は1−2のシ
ーn層から外部に出ているリード線であるφ゛7はこれ
らをパ固定し′、光を外部に導く透明プラスチック材の
ケーシングである、8は、ケーシン・ダ7の表面のうち
けい光体か・ら・の光が当る部分を拡散面にした部分°
である。 ゛      、−いま、す’−1’l15
・6よシ1・2□のシー1層に電゛荷が注入されるとs
 1t)p層から2のn層に向って発光し、辷れがけい
光層3に当り、とのけい光層3によシ可視光に変換され
て、謔1図の上方に光を投射する。この光拡、透明プラ
スチック部材7の中を、拡散などによ〉減衰するヒとな
く進行し、この表面8に達する。
表面8に達した光は、j!面8の拡散面に、よって散乱
させら、れる・この拡散面は、ケ、−シンダ7をfラス
チ、り・、モールドによる成型をすると、き、金型の表
面を粗にしておくととKより、成型したときに表面を拡
散面にすることが出、来・る。
拡散面の形状、Ilcついては、種々あるが1.例え、
5ば、いわゆるダイヤカットのようなも・のでもよく、
壕。
九通常の細かい粗面で・もよい・ また、デ、ラスチックのケ一、シンダの9の部分にコー
ティングを施すヒとによシ反射1面を形成し、けい光体
;よシ反射119に轟り、外光を拡散1i8に1導くこ
とができ・、よシ明る・・い1表示灯とすることが可能
である。
また、ケーシング材料に、発光ダイオードの発光色と同
色の透明材料を使用することにより、発色光をさらに鮮
明にすることも可能である。因においてケーシング7を
透t14fラスチック材で構成し、仁の表面に成る厚さ
をもった拡散層を設けることによシ、透明ケーシング7
を透過して来た光をamの拡散層によ〕、よシ広い範1
1に拡散することができる。との場合ケーシングγを発
光ダイオードの発光色と同じ色の透明部材とし、表面拡
散層を無色拡散層にすることによ〕発光色がよ〕鮮やか
に且つ広い範囲に拡散されることは今迄述べて来九のと
同様である。なお拡散層の表NK透明層或いは保譲層な
どを設けてち構わない。
以iの様に本発明は1発光ダイオード自身のケーシング
を1.透明層と拡散層を積層した構造を有するものとす
る事によ〕、発光ダイオードを表示灯として用いる時、
従来の発光ダイオードに比べて広範囲からその点灯番確
認出来、且つ従来と同程度の明るさを保つと共に消また
時Ka白色で点灯し九時は発光ダイオードの:、?::
光色になる為1点滅による色の識別も容品なものである
【図面の簡単な説明】
図面は、本発明の発光〆イオーVの一例の縦断面図であ
る・ 1・・・p形層      2・・・n形層3・・・け
い光体     4−・基板5・・・リード$16−・
リード線 7・・・デツスチック・ケーシング 8・・・拡散面      9・・・反射面、上 1N−一一一。 ゝ6 7 /3 q 2 ′−4。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. P−N層を封゛じ九ケーシングが透明層と拡散層を積層
    し゛た構造を有することを”特徴とする発光ダイオード
    、             ・
JP56141971A 1981-09-09 1981-09-09 発光ダイオ−ド Pending JPS5843584A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56141971A JPS5843584A (ja) 1981-09-09 1981-09-09 発光ダイオ−ド

Applications Claiming Priority (1)

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JP56141971A JPS5843584A (ja) 1981-09-09 1981-09-09 発光ダイオ−ド

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JPS5843584A true JPS5843584A (ja) 1983-03-14

Family

ID=15304380

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56141971A Pending JPS5843584A (ja) 1981-09-09 1981-09-09 発光ダイオ−ド

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JP (1) JPS5843584A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
US6878971B2 (en) 1998-08-03 2005-04-12 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting apparatus
EP1434279A3 (de) * 1996-06-26 2005-07-06 Osram Opto Semiconductors GmbH Lichtabstrahlender Halbleiterchip und Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1434279A3 (de) * 1996-06-26 2005-07-06 Osram Opto Semiconductors GmbH Lichtabstrahlender Halbleiterchip und Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
US6878971B2 (en) 1998-08-03 2005-04-12 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting apparatus

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