JPS5843583A - 発光ダイオ−ド - Google Patents

発光ダイオ−ド

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Publication number
JPS5843583A
JPS5843583A JP56141970A JP14197081A JPS5843583A JP S5843583 A JPS5843583 A JP S5843583A JP 56141970 A JP56141970 A JP 56141970A JP 14197081 A JP14197081 A JP 14197081A JP S5843583 A JPS5843583 A JP S5843583A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
emitting diode
light emitting
layer
refracted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56141970A
Other languages
English (en)
Inventor
Shunzo Inoue
俊三 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP56141970A priority Critical patent/JPS5843583A/ja
Publication of JPS5843583A publication Critical patent/JPS5843583A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、指向性の少ない配光特性を有する発光iイ誓
−ドに関するものヤある。   。
従来、尭光ンイオードを表示灯として用いる場合、表示
灯としての機能を増すために種々の工夫がなされ′て−
る。     ・        ・ ・表示灯は、点
灯し九とき、゛消えてい、る場合に比較し”七明為く、
かつ広範囲゛からこの点灯を確認゛出来なければならな
い、          ′★た、発光′ダイ老=pは
、半導体のP−N接−合□面から光が発せらilその配
光特性は非゛常に狭い指向性の強いものであシ、その光
をよ〕明るく感′じさせ、またそめ点灯を広範囲から確
認できる様にするため、従来次の様な諸方法が提案され
工いる。    ゛      ・ ←)  P−N9合部を固定しケーシングの役割をする
lラスチック毫−ルド部分(接合面からケーシング外面
まで)を乳白色のlラステラり材で成型し、一種の拡散
部の役割をはえず乳白色の部分によって、接合面から発
せられた光を拡散し、拡散され九光が外面から各方向に
放射されるととKよって、広い範囲から発光ダイオード
の点灯が―認できるようにす゛る。
また、発光ダイオードが消えている。とき、ケーシング
の色祉乳白色のため、発光ダイオードが点灯tたとき0
色(例えけ赤オた祉、縁)は、非点灯時の色と容易に区
別できる。・ しか”しこの方法によると、接合面から外面までの部分
けす゛ベオ乳、白色のfラスチックの拡散部のため・、
最終的、に表面よシ田て来る光は途中で減衰されて暗。
−くなシ、実際には点灯した事を容易、に確認出来ない
という欠点μあうた。
←)P−・N接合部を固定するプラスチック・モ−ルド
部分を無色透明な材料にし、発光部外面の外周にりンダ
状の反射板を設け、この反射板からの反射光で指先性を
弱め、また、点灯部分が小声〈ても反射板からの反射光
を目で見ることによって見かけ上の点灯部分が大きくな
るようにしたものがある。
この様な発光ダイオードはり)の場4合と、異な)、無
色透明の!ラスチック材を用いているため、途中の減衰
はなく明るい、しかし、この方法で紘反射板となるtの
が必要で、低価格を要求されている発光ダイオード表示
灯のコストを上昇させるととになる。
また、この反射板自身によって他の面からの反射光が線
断されること%あル、成る範囲外からは点灯の確認がで
きない欠点がある。
ま九、ノツスチック材が1.色透明のため、発光ダイオ
ードが消えていると111、この部分は必ずしも白色に
は見えず、むしろ黒色に近い感じになるため11点灯時
(通常、赤とか緑)と非点灯時の色の区別は、(へ)の
方法に比較して明確でない。
(ハ) P−N接合部を固定するグラスチック・モール
ド材を無色透明した点は←)の方法と同じであるが、(
ロ)の様な反射板を設けない、この方法では、発光ダイ
゛オードから指向性の強い光束が発せられるため、広い
範囲からの点灯の確認は困難である。
に) P−N@合部を固定するfラスチック・モールド
材を、その発光ダイオードの発光色と同じ色の透明グラ
スチック材で成型する。この発光ダイオードは、ノラス
チツタ材の部分が色フィルターになるので発色光が鮮や
かになる。
しかしこの方法でも配光特性が指向性をもっていること
には変シなく、′を九発光ダイオードが消えているとき
゛、このデツスチック材の色が外光で色識別できるので
、点灯−と非点灯時の□色の区別はげ)の場合Km較し
て困難である。
本発明は、−来の発光ダイオードの欠点を除去し、指向
性が一′−・(、広い範囲から点灯の確認ができ、点灯
時と非点灯時の色の識別が明確にでき、特に点灯表示素
子として適轟な小型、低価格の発光ダイオードを提供す
る仁とを目的とするものである。
ζやような目的で本発明はP−N層を封じたケーシング
に射出光を直進する場合よシ外側方向に進行させるよう
に屈折させる藺を設けたことを特徴とする発光ダイオー
ドを提供するのである。
以下、本発明の実施の1例を図面によって説明する。
第1図は、発光ダイオードの1例を示す縦断面図である
第1図において、1は例えば8l−GaAsよ〕なゐν
形層であシ、2は例えばl1l−GaAsよ)なる!形
層である。3はp−m層から電荷の注入に−よって発生
する不可視光を可視光に変換するけい光層であ〕、4は
これを支持する基板、5− * iJ s −2op−
1層から外部に出て−るリード線である。
7はこれらを固定し、光を外部に導く透明fラスナック
材のケーシングである。8は、けい光体3よ〕発生する
可視光線が轟る部分を凹面にしである状態を示している
いま、リード線5,6よ)1,2のp’−m層に電荷が
注入されると、loP層から2の麿層に向って発光し、
これがけい光層3に轟シ、このけい光層3によシ可視光
に変換されて、第1図O上方に光を投射する。この光拡
、透明ノラステシ、夕部材7の中を、拡散などくよ〕減
衰することなく進行し、表面の凹部8に達する。
第2図紘、従来の発光ダイオードのケーシング、部分の
縦断面図で、発光ダイオードの表面11が凸部になって
馳る。
第2図で、けい光層3よシ発し外光9は、透明 □グラ
スチック部材7を通プ、表面の凸部11に達する。透明
グラスチック部材7の光の屈折率が、空気のそれよシも
大きiため、9の進路を通るべき光1!ll1lGの光
線の進路のように凸部110面で屈折し、9の光線が直
進O径路よシも内側を進行する。従って、凸部11に入
射して来た光9は全て凸部11で屈折して内側に進行す
ることになシ、凸部11よル出、てきた光10は配光特
性に指向性をもったものとなる。
第3図紘、本発明の1実施例によるケーシンダ部の縦断
面図であシ、表面を凹面にし九ときの光の進行を説明す
るものである。
第3図において、けい光層3より発し九光9は透明プラ
スチック材7を通過し、凹部面8に達する。この面は凹
面になっているので、第2図の場合とは逆に、光9は凹
部面8で屈折され、本来直進する場合よ〕も外側方向に
進行する。従って凹部8に入射してくる光9はすべて進
行してき九光路よシも外側に屈折されると−とKなシ、
凹面慕よシ出てきた光は配光特性が指向性の少なく、従
来の発光ダイオードによるものよ〕も広い範囲からその
点灯を確認することができる。
以上は、表面を凹面にした場合について説明したが、他
の実施の態様として、第4図O11に表面は平面である
が、指向性の少な1発光ダイオードをも得ることができ
る。
第4図は、本発明の他の実−:・:、、例の発光ダイオ
−1111 rのケーシング部分の縦断面図である。
814図、の発光ダイオードは、第3図の発光ダイオー
ドの凹部8上に透明プラスチック材13を貢ね、この光
の屈折率を透@lツスチック部材7の屈折率よシ小さく
、かつ空気の屈折率よルも大きくしておくと、けい光体
3から発した光9は凹面8で外側に屈折され、透明グラ
スナック13中を、14で示す通路を通過し、透明!ラ
メチック13の表面16においてさらに外側へ屈折され
、1sの方向に進行し、前述の表面を凹部にした実施例
と全く同様の効果を示す。
以上の様に本発明によれば、発光ダイオード自身のケー
シングの表面に射出光を直進する場合よシ外側方向に進
行させるように屈折させる面を設げたので、発光ダイオ
ードを表示灯として用いる時従来の発光iイオードに比
較し広範囲からその点灯を確認することができ、し−か
も、これによシ従来の発光ダイオード素子の特徴の小型
で低価格な表示素子である:事は何ら変る事がない。
【図面の簡単な説明】
): 第1図は発光ダイオードの縦断面図、#I2図は従来の
発光ダイオー,ドのケーシングの断面図、第3図は本発
明の一実施例による発光ダイオードのケーシングの断面
図、第4図は本発明の他の実施例のケーシングの断面図
である。 1−・・p形層     2 ・・・n形層3・・・け
い光体    4・・・基板5 + 6 ”・p s 
h層ヨシノ外部ヘ(D IJ−1’ sI7・・・透明
f2ステツクのケーシング8・・・ケーシング上部の凹

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. □P−N層を−B九ケーシングに、射出光を直進−する
    場合よ〕外側方向に゛進行させるように屈折させる面を
    設けたことを特徴と゛す為発光ダイオード。
JP56141970A 1981-09-09 1981-09-09 発光ダイオ−ド Pending JPS5843583A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56141970A JPS5843583A (ja) 1981-09-09 1981-09-09 発光ダイオ−ド

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56141970A JPS5843583A (ja) 1981-09-09 1981-09-09 発光ダイオ−ド

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5843583A true JPS5843583A (ja) 1983-03-14

Family

ID=15304356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56141970A Pending JPS5843583A (ja) 1981-09-09 1981-09-09 発光ダイオ−ド

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5843583A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6025163U (ja) * 1983-07-25 1985-02-20 スタンレー電気株式会社 発光ダイオ−ド

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6025163U (ja) * 1983-07-25 1985-02-20 スタンレー電気株式会社 発光ダイオ−ド

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