JPS5843575A - 電界効果型トランジスタ活性層の形成法 - Google Patents
電界効果型トランジスタ活性層の形成法Info
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- JPS5843575A JPS5843575A JP14117681A JP14117681A JPS5843575A JP S5843575 A JPS5843575 A JP S5843575A JP 14117681 A JP14117681 A JP 14117681A JP 14117681 A JP14117681 A JP 14117681A JP S5843575 A JPS5843575 A JP S5843575A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発−は新規な構成を有す一電界効装置トランジスタ（
ＦＥＴ）活性層の形成法に関する。
ＦＥＴ）活性層の形成法に関する。
Ｇ、Ａ、あるいはそれと類縁の■−ｖ族化−物半導体を
利用し九ＦＥＴは、いちぢるしく高い周波１、−−６ したいわゆゐＦＥＴＩＣＫ関心が集ｔ−ｐている。
利用し九ＦＥＴは、いちぢるしく高い周波１、−−６ したいわゆゐＦＥＴＩＣＫ関心が集ｔ−ｐている。
かかるＦＥＴＩＣ“を製作するためＫは、通常中絶縁性
の基板結晶の表面からイオン注入によって選択的にドナ
ー原子を注入し、活性層を形成することが行なわれてい
る。現在かかる目的に最も多く用いられてａる原子はＳ
ｌであるが、８１門注入し産湯合にはｉ１原子の相蟲部
分がムＳ格子点に置Ｘ１′ 換してアクセプタとな）、−誓約な活性化率を低下せし
めることが避誇られず、を庭注入時に生じ九損傷をアニ
ールによりて充分回復することが困難であり１電子異動
度において気相あるいは液相−ビタキシ１＝法で製作し
た結晶と比較して一段に低いという欠点を有していえ。
の基板結晶の表面からイオン注入によって選択的にドナ
ー原子を注入し、活性層を形成することが行なわれてい
る。現在かかる目的に最も多く用いられてａる原子はＳ
ｌであるが、８１門注入し産湯合にはｉ１原子の相蟲部
分がムＳ格子点に置Ｘ１′ 換してアクセプタとな）、−誓約な活性化率を低下せし
めることが避誇られず、を庭注入時に生じ九損傷をアニ
ールによりて充分回復することが困難であり１電子異動
度において気相あるいは液相−ビタキシ１＝法で製作し
た結晶と比較して一段に低いという欠点を有していえ。
このような欠点は８１Ｋかえて注入原子をＧｔあるいは
Ｃなど他の■族原子−代えても同様に観察される。
Ｃなど他の■族原子−代えても同様に観察される。
本発明はＦＥＴ活性層形成の際のこのような欠点を除去
し、活性化率が高く、格子欠陥が少なく、従って電子易
動度が大きくしかもアニール温度の低い形成法を与える
ことを目的とする。−″ １本発明はＧ、ム畠ならびＫ
それと類縁の性質をｔつ■−ｖ族化合物およびそれらの
混晶において、１００℃以上に加熱した基板結晶の表面
から一種類の原子をＧｔとし他種類の原子をＳｔたはＳ
・として、両者の原子を加熱後の濃度ならびに原子分布
が、その主要部にお！て一致する如く注入を行ない、周
知の方法によって炉と−ザビームあるいは電子ビームに
、よるア、ニールを行なりて格子欠陥を箒復するととＫ
よって実現され為。
し、活性化率が高く、格子欠陥が少なく、従って電子易
動度が大きくしかもアニール温度の低い形成法を与える
ことを目的とする。−″ １本発明はＧ、ム畠ならびＫ
それと類縁の性質をｔつ■−ｖ族化合物およびそれらの
混晶において、１００℃以上に加熱した基板結晶の表面
から一種類の原子をＧｔとし他種類の原子をＳｔたはＳ
・として、両者の原子を加熱後の濃度ならびに原子分布
が、その主要部にお！て一致する如く注入を行ない、周
知の方法によって炉と−ザビームあるいは電子ビームに
、よるア、ニールを行なりて格子欠陥を箒復するととＫ
よって実現され為。
本発明の特徴ならびに生簀な利点を二層明らかＫするた
め以下本発明の一実施例について説明する。
め以下本発明の一実施例について説明する。
１１１図１６示す如く、１０ｊＨ”のＣｒｌｌＩｌ度を
有すゐ牛絶縁性のＧ、Ａ、基板結゛晶（１）の表面よ如
チャネリング効果を避けうる方向（飴から１６０℃附近
に加熱した状態で１０”ｊの表面濃度のＧＡおよびＳｔ
原子をそれぞれ２００に・マおよび２００ Ｋ＠Ｖの、
加速電圧で注入を行ない、周知の方法によ）表面に窒化
シリコン保護膜を耐着せしめて、水素杼流“ 中で７０
０℃、２ｏ乃至３０分間の熱処理Ｋｌアニールを行なう
と、表面の＃ｔばｚｏｏｏＸの厚さの部分がＮｌｌｌ導
電をもつ活性層を形成しＧ・およびＳ・原子はそれぞれ
ｔ１埋第２図１１，１２の曲線に示す如く分布をもつ。
有すゐ牛絶縁性のＧ、Ａ、基板結゛晶（１）の表面よ如
チャネリング効果を避けうる方向（飴から１６０℃附近
に加熱した状態で１０”ｊの表面濃度のＧＡおよびＳｔ
原子をそれぞれ２００に・マおよび２００ Ｋ＠Ｖの、
加速電圧で注入を行ない、周知の方法によ）表面に窒化
シリコン保護膜を耐着せしめて、水素杼流“ 中で７０
０℃、２ｏ乃至３０分間の熱処理Ｋｌアニールを行なう
と、表面の＃ｔばｚｏｏｏＸの厚さの部分がＮｌｌｌ導
電をもつ活性層を形成しＧ・およびＳ・原子はそれぞれ
ｔ１埋第２図１１，１２の曲線に示す如く分布をもつ。
かかる方法の特徴の第１はＧ・あるいはＳ・を単独悴上
記実、施例と同量あるいは２倍量注入、した場合と比較
してよシ高い活性化率を実現しりる点にある。すなわち
、８１ｔｉ？’！とんど全量がＧａ 格子点に置換して
ドナーとして働らき；またＳ・原子の活性比率も高くな
る。また注入の一生成される格子欠陥の量が減少するた
め電子の易動度は増大し、アニール−、ｌ！する温度は
低下するための結晶表面の変質等−１［・・よる好１１
．＜ない効果も少ない。
記実、施例と同量あるいは２倍量注入、した場合と比較
してよシ高い活性化率を実現しりる点にある。すなわち
、８１ｔｉ？’！とんど全量がＧａ 格子点に置換して
ドナーとして働らき；またＳ・原子の活性比率も高くな
る。また注入の一生成される格子欠陥の量が減少するた
め電子の易動度は増大し、アニール−、ｌ！する温度は
低下するための結晶表面の変質等−１［・・よる好１１
．＜ない効果も少ない。
なお、上記の実−例において、Ｓ・のかわ）Ｋ８を注入
原子としてもはソ同様の効果が得られた。
原子としてもはソ同様の効果が得られた。
九ソし、この場合は両種類の原子の分布をほぼ一致せし
めるため、後者に１１５に＠Ｖの加圧電圧が必要である
。
めるため、後者に１１５に＠Ｖの加圧電圧が必要である
。
なお、注λにあたって畔、基板結晶を一００℃単式によ
って説明される。
って説明される。
？・−Ｇｏ、＋ｎ ＋ Ｇｌｏ−７ｙ、 、＋１）点
Ｋｌｌ換したＧ・、Ｓ＝−子で息シード、ナーとして働
の如くムＳ格子点千置換されアタセプタとなり、。
Ｋｌｌ換したＧ・、Ｓ＝−子で息シード、ナーとして働
の如くムＳ格子点千置換されアタセプタとなり、。
活性層形成の上に好ましからせる効、呆ｔ、ｔ７ｂｔ。
両者を共注入した時Ｏ効−は（１）＋−を変形し、Ｇ・
＋ｇ＠−＋Ｑ・ｏ、 ＋ Ｓ・ム、＋２ｉ°°°°°°
（４）の形となプ両種の原子は固有の格子Ｊ！！−置轡
され子欠陥の含有量線大巾に低下する。
＋ｇ＠−＋Ｑ・ｏ、 ＋ Ｓ・ム、＋２ｉ°°°°°°
（４）の形となプ両種の原子は固有の格子Ｊ！！−置轡
され子欠陥の含有量線大巾に低下する。
このような共享入の効果を顕著に、するへめＫは、両１
１ｊヤ、原子の分声プロフィルを可能なかぎｂ 一致こ
の千？な竺性層、の、！牢法は単Ｖｃｑａム−１９みて
えｇＩｎＰ、あるい、はそれむ？−晶さとえばＧ、ＡＡ
Ａｌ２４ζゝへ □ −１４・ 図
面０簡単な竺竺、２、 で、１１１’基板結晶、２ ｔｌ−ｑ原Ｑ入方向を示し
、８２図は本！ｉ＠の一実施例における原子分布の一例
の説１１図で、ｌｌｔ？・かＧ・の分布、１２ひ＋８・
の傘布を示九寮１ １’、ｌ ｔ）、２ ０３ ％ａｙｔｒ＝ｔｙ＞’ｔｌｌｌＬｃｐｔｎ）蓼Ｚ父
１ｊヤ、原子の分声プロフィルを可能なかぎｂ 一致こ
の千？な竺性層、の、！牢法は単Ｖｃｑａム−１９みて
えｇＩｎＰ、あるい、はそれむ？−晶さとえばＧ、ＡＡ
Ａｌ２４ζゝへ □ −１４・ 図
面０簡単な竺竺、２、 で、１１１’基板結晶、２ ｔｌ−ｑ原Ｑ入方向を示し
、８２図は本！ｉ＠の一実施例における原子分布の一例
の説１１図で、ｌｌｔ？・かＧ・の分布、１２ひ＋８・
の傘布を示九寮１ １’、ｌ ｔ）、２ ０３ ％ａｙｔｒ＝ｔｙ＞’ｔｌｌｌＬｃｐｔｎ）蓼Ｚ父
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ガリ□ウム砒素（ａｍＡｍ）ならびＩＩｃ七れと類縁の
性状を有する■−ｖ族化番物−導体ならびｋそれ−）１ らの混晶において、半絶縁性め単艙蟲基板上に表面１゛
イオシ桂入によって電界効果−トラ゛９ジス１ （ＰＥ
Ｔ）活性層を形成するー、二種類の原子をＧｔとし他種
類の原子をＳまたはａｇとし、−着の濃度ならびに分布
が熱Ｊ６１１後においてｉの主要部が一致する如く注入
を行ない、周知の方法によ如、炉、レーずビームあるい
は電子ビームによ〉アニ」ルを行なうこと誓轡徹とす石
電界効果霞トランジスｊ活性層の形成法。 、 ′
□
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14117681A JPS5843575A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 電界効果型トランジスタ活性層の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14117681A JPS5843575A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 電界効果型トランジスタ活性層の形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5843575A true JPS5843575A (ja) | 1983-03-14 |
Family
ID=15285905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14117681A Pending JPS5843575A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 電界効果型トランジスタ活性層の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5843575A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0586901A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-06 | Hitachi Ltd | ガスタービン |
| US10669941B2 (en) | 2015-12-24 | 2020-06-02 | Mitsubishi Hitachi Power Systems, Ltd. | Gas turbine cooling system, gas turbine facility including the same, and control device and control method of gas turbine cooling system |
-
1981
- 1981-09-08 JP JP14117681A patent/JPS5843575A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0586901A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-06 | Hitachi Ltd | ガスタービン |
| US10669941B2 (en) | 2015-12-24 | 2020-06-02 | Mitsubishi Hitachi Power Systems, Ltd. | Gas turbine cooling system, gas turbine facility including the same, and control device and control method of gas turbine cooling system |
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