JPS5843078A - メモリカ−ド - Google Patents
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- JPS5843078A JPS5843078A JP56142157A JP14215781A JPS5843078A JP S5843078 A JPS5843078 A JP S5843078A JP 56142157 A JP56142157 A JP 56142157A JP 14215781 A JP14215781 A JP 14215781A JP S5843078 A JPS5843078 A JP S5843078A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/02—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the selection of materials, e.g. to avoid wear during transport through the machine
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
こ0発−はメモリカードに関し、不変情報およ。
び可変情報を同時に保有するメモリカードに関するもO
″esる。
″esる。
先行接衝O説明
従来よシ用いられていた銀行預金カードやクレジットカ
ード中自動販売機カード中、身分証明書のカードなどの
メモリカードは、塩化ビニールなどの会虞樹11製基板
上に’T −F・s01+”0廊などの磁性粉末をバイ
ンダと混合して塗布し、この磁気記録薄膜媒体にメモリ
情報を記録していた。このようなメモリカードへの情報
の書き込みあるいはメモリ情報O読み出しは磁気ヘッド
を使用して行なわれてiた。
ード中自動販売機カード中、身分証明書のカードなどの
メモリカードは、塩化ビニールなどの会虞樹11製基板
上に’T −F・s01+”0廊などの磁性粉末をバイ
ンダと混合して塗布し、この磁気記録薄膜媒体にメモリ
情報を記録していた。このようなメモリカードへの情報
の書き込みあるいはメモリ情報O読み出しは磁気ヘッド
を使用して行なわれてiた。
しかしながら、従来のメモリカードの磁気、記録薄膜媒
体は、上述し良磁性粉末で構成されている丸めに、そO
記録容量を大きくすることに限界があ〕、’e−O1e
lIk密度ハlo k7 )/d@度テ6ツた。加え
て、メモリ情報が外部磁界の影響を受けやすく、そのメ
モリ情報に変化をおよぼすという問題点があった。
体は、上述し良磁性粉末で構成されている丸めに、そO
記録容量を大きくすることに限界があ〕、’e−O1e
lIk密度ハlo k7 )/d@度テ6ツた。加え
て、メモリ情報が外部磁界の影響を受けやすく、そのメ
モリ情報に変化をおよぼすという問題点があった。
その丸め、カード所有者の顔画儂パターン、氏名、印鑑
パターン、カード利用履歴、預金残高などを記録してお
くには種々の不都合があシ、その改善が望まれていた。
パターン、カード利用履歴、預金残高などを記録してお
くには種々の不都合があシ、その改善が望まれていた。
発明の概要
この発明は、メモリ情報の内容の変更が可能であるが外
部磁界によってはその内容が容易に変更されない光磁気
記録薄膜媒体部と、メモリ情報の内容の変更が不可能な
光記録薄膜媒体部とを、共通の基板上に形成し九もので
ある。
部磁界によってはその内容が容易に変更されない光磁気
記録薄膜媒体部と、メモリ情報の内容の変更が不可能な
光記録薄膜媒体部とを、共通の基板上に形成し九もので
ある。
この発明にしたがえば、カード所有者の氏名、印鑑パタ
ーン、顔画偉パターンおよびカードl−1tなどの変更
を要しない事項を光記録薄膜媒体部に記録でき、ま九カ
ード利用履ai、預金総額および預金残高などの変更を
要する事項を光磁気記録薄膜媒体部に記録することがで
きる。
ーン、顔画偉パターンおよびカードl−1tなどの変更
を要しない事項を光記録薄膜媒体部に記録でき、ま九カ
ード利用履ai、預金総額および預金残高などの変更を
要する事項を光磁気記録薄膜媒体部に記録することがで
きる。
この発明の好ましい実施例では、上記し九ような変更を
要しない事項および変更を要する事項0記碌が光学的パ
ターンによってなされるので、よp多くの情報を記録し
ておくことができる。
要しない事項および変更を要する事項0記碌が光学的パ
ターンによってなされるので、よp多くの情報を記録し
ておくことができる。
7eの発明の他の好ましい実施例では、光磁気記録薄膜
媒体部がアモルファス合金などの非晶質磁性材料で構成
され、また光記録薄膜媒体部がTo低酸化物材料でIl
*される。
媒体部がアモルファス合金などの非晶質磁性材料で構成
され、また光記録薄膜媒体部がTo低酸化物材料でIl
*される。
さらに他の好ましい実施例では、光磁気記録薄膜媒体部
および光記録薄膜媒体部に透光性を有す−る保護膜が形
成されゐ。
および光記録薄膜媒体部に透光性を有す−る保護膜が形
成されゐ。
それゆえに、この発明の主たる目的は1.メモリ情報の
記録容量が大暑<、外部磁界によって内容に変動を生じ
ず、しかも変更を要しない事項と変更を要する事項とを
同時に記録しておくことのできるメモリカードを提供す
ることにある。
記録容量が大暑<、外部磁界によって内容に変動を生じ
ず、しかも変更を要しない事項と変更を要する事項とを
同時に記録しておくことのできるメモリカードを提供す
ることにある。
つぎに、図面に示す実施例とともにこO発明の詳細な説
明する。
明する。
第1mlはこの発□明の実施例を示す平面図、@2図は
七〇@造を示す説明図である。
七〇@造を示す説明図である。
基板lは九とえば合成樹脂、金属などによってカード状
に形成される。この基板l上にメモリ情−報の内容の変
更が可能な光磁気記録−躾媒体s!!と、メモリ情報の
内容の変更が不可能な光i録薄膜媒一部3とが形成“i
れる。これらO光゛磁゛気記録薄膜−媒体部2゛お′よ
び光記録薄膜一体部3を覆うよ5に、透光性を有する保
護1114が形成される。この保護膜4は、酸化防止膜
あるいは反射i上膜として役立つ、 ゛ 光−気記録簿膜“媒体部2およ応光記録薄膜媒体部3は
、基板′lをターゲットとして、真空蒸′着方法や一ス
パッタリング方法などによって基板l上に形成される。
に形成される。この基板l上にメモリ情−報の内容の変
更が可能な光磁気記録−躾媒体s!!と、メモリ情報の
内容の変更が不可能な光i録薄膜媒一部3とが形成“i
れる。これらO光゛磁゛気記録薄膜−媒体部2゛お′よ
び光記録薄膜一体部3を覆うよ5に、透光性を有する保
護1114が形成される。この保護膜4は、酸化防止膜
あるいは反射i上膜として役立つ、 ゛ 光−気記録簿膜“媒体部2およ応光記録薄膜媒体部3は
、基板′lをターゲットとして、真空蒸′着方法や一ス
パッタリング方法などによって基板l上に形成される。
保護膜4についても同様である。
第3wJないしjlI5−は゛、光磁気記録薄膜媒体部
2へのメモリ情報の記録手順を示したものである。
2へのメモリ情報の記録手順を示したものである。
すなiち、光磁気記録薄膜媒体部2は、7モルグア ス
ッtJ) GdJe、 ClTblPe、 G(IcO
などの非晶質の希土類′金属−遷移金属合金の薄膜から
なシ、これを、アモルファス合金磁性体の磁気転移温度
(キヱリ一点および補償温度)を利用し是記録方弐によ
って、九とえば図中、上から下へ向く方向に磁化力を加
えて定着させておく−・そして、第3gのように、その
逆方向KIIvhil界5を加え、さらに第4図のよう
に、レーダ光など0党ビーム6を記録面に照射してその
保持力が小さくな・る壕で加熱する。
ッtJ) GdJe、 ClTblPe、 G(IcO
などの非晶質の希土類′金属−遷移金属合金の薄膜から
なシ、これを、アモルファス合金磁性体の磁気転移温度
(キヱリ一点および補償温度)を利用し是記録方弐によ
って、九とえば図中、上から下へ向く方向に磁化力を加
えて定着させておく−・そして、第3gのように、その
逆方向KIIvhil界5を加え、さらに第4図のよう
に、レーダ光など0党ビーム6を記録面に照射してその
保持力が小さくな・る壕で加熱する。
これにより、加熱され九部分7における磁化方向が反転
し、この状態・で社、単に外部から磁界を与えても状m
が変化す′ることはない、記録′後の状態が第5図に示
される。
し、この状態・で社、単に外部から磁界を与えても状m
が変化す′ることはない、記録′後の状態が第5図に示
される。
つぎ“に、′g6wAおよび第7図祉、光記録薄膜媒体
部3へのメモリ情報O記録手順を示したも゛のである。
部3へのメモリ情報O記録手順を示したも゛のである。
すなわち、光記録薄膜媒体部3はたとえば〒8低酸化物
材料で構成される。この光記録薄膜媒体113に、第6
図の−ように、半“導体レーザビーム8を照射して、T
e低酸化物薄膜をスポット状に溶・融させる・・港融部
が符号9で示される・ζうして記録された情報紘責更が
不可能である・第8図はこの発明の一実施例としてのメ
モ・リカードのメモリ、−情報を′読み出す読出し装置
の概略ブロック図であるsgs図・から明らかなように
、光磁気記録薄膜媒体部2および光記録薄膜媒体部3の
メモリ情報の読み取)は光学的に行なわれる。
材料で構成される。この光記録薄膜媒体113に、第6
図の−ように、半“導体レーザビーム8を照射して、T
e低酸化物薄膜をスポット状に溶・融させる・・港融部
が符号9で示される・ζうして記録された情報紘責更が
不可能である・第8図はこの発明の一実施例としてのメ
モ・リカードのメモリ、−情報を′読み出す読出し装置
の概略ブロック図であるsgs図・から明らかなように
、光磁気記録薄膜媒体部2および光記録薄膜媒体部3の
メモリ情報の読み取)は光学的に行なわれる。
この丸めに、レーザ光源1Gからのレーザ光がスキャナ
11によって上記媒体部2.3を順次スキャンする。C
Oとき、記録時に光照射された部分とそれ以外の部分と
では、通過あるいは反射する光が磁気光学的なファ2デ
ィ効果あるいはカー効果を介して異なる偏波面を受ける
から、これをセンサ12で検出する。センサ12の検出
信号は増幅優13で増幅されたあと、比較器14に入力
され、ここで基準信号発生器15からの基準信号と比較
、照合されて出力信号が導出される。
11によって上記媒体部2.3を順次スキャンする。C
Oとき、記録時に光照射された部分とそれ以外の部分と
では、通過あるいは反射する光が磁気光学的なファ2デ
ィ効果あるいはカー効果を介して異なる偏波面を受ける
から、これをセンサ12で検出する。センサ12の検出
信号は増幅優13で増幅されたあと、比較器14に入力
され、ここで基準信号発生器15からの基準信号と比較
、照合されて出力信号が導出される。
以上のように、この発明によれば、メモリ情報の内容の
変更を要しない事項、たとえばメモリカード利用者の氏
名、カード番号、印鎌パターンおよびm1ii像パター
ンなどの多量の情報を元記録薄膜媒体部に記録する一方
、メモリー情報の内容の変更を要する事項、たとえばメ
モリカード利用履歴、預金残高シよび預金総額などの多
量の情報を光磁気記録薄膜媒体部に光学的パターンで記
録しておくことができるので、記鋒密度(10ビット/
d)が高くかつ信頼性のある多機能のメモリカードを得
ることができる。
変更を要しない事項、たとえばメモリカード利用者の氏
名、カード番号、印鎌パターンおよびm1ii像パター
ンなどの多量の情報を元記録薄膜媒体部に記録する一方
、メモリー情報の内容の変更を要する事項、たとえばメ
モリカード利用履歴、預金残高シよび預金総額などの多
量の情報を光磁気記録薄膜媒体部に光学的パターンで記
録しておくことができるので、記鋒密度(10ビット/
d)が高くかつ信頼性のある多機能のメモリカードを得
ることができる。
第1図はこの発明の!l!施例を示す平面図、第2図は
その構造を示す説明図、第3図ないし第5図は光磁気記
録薄膜媒体部へのメモリ情報の記録手順を示した説明図
、第6図および第7図は光記録薄膜媒体部へのメモリ情
報の記録手順を示した説明図、第8”図は情報読堆装置
の概略ブロック図である。 l・・・基板、2・・・光磁気記録薄膜媒体、3・・・
光記録薄膜媒体、4・・・保護膜、5・・・磁界、6.
8・・・レーザビーム、7・・・加熱部、9・・・溶融
部。 第1図 第2図 第7図 第3図 ダヘ4図 第5図
その構造を示す説明図、第3図ないし第5図は光磁気記
録薄膜媒体部へのメモリ情報の記録手順を示した説明図
、第6図および第7図は光記録薄膜媒体部へのメモリ情
報の記録手順を示した説明図、第8”図は情報読堆装置
の概略ブロック図である。 l・・・基板、2・・・光磁気記録薄膜媒体、3・・・
光記録薄膜媒体、4・・・保護膜、5・・・磁界、6.
8・・・レーザビーム、7・・・加熱部、9・・・溶融
部。 第1図 第2図 第7図 第3図 ダヘ4図 第5図
Claims (1)
- (1)メモリ情報の内容の変更が可fi!な光磁気記録
薄膜媒体部と、メモリ情報の内容の変更が不可能な光記
録薄膜媒体部・とを、共通の基板上に形成したメモリカ
ード。 錦)米磁気記録薄膜媒体部および光記録薄膜媒体sの情
報が光学的パターンによって記録されている特許請求の
Iil!l第1項記載のメモリカ、−ド。 e)光磁気配―薄膜媒体部が非晶質磁性材料で構成され
ている特許請求の範囲第1項または第2項記載のメモリ
カード。 ■光記録薄膜媒体部がTo低酸化物材料で構成されてi
る特許請求(D@H第1項、第2項ま九は嬉3項記載の
メモリカード。 缶)光磁気紀鍮薄膜媒体部および光記録薄膜媒体部に透
光性を有する保S*が形成されている特許請求の範囲第
1項、第2項、第3項tたは第4項記載のメモリカード
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56142157A JPS5843078A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | メモリカ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56142157A JPS5843078A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | メモリカ−ド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5843078A true JPS5843078A (ja) | 1983-03-12 |
Family
ID=15308681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56142157A Pending JPS5843078A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | メモリカ−ド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5843078A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS608993A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-17 | Fujitsu Ltd | 取引カ−ド |
JPS61950A (ja) * | 1984-06-13 | 1986-01-06 | Hitachi Ltd | 光磁気情報記憶方法及び装置 |
JPH01180515A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-18 | Tome Sangyo Kk | コンタクトレンズ用洗浄液及び洗浄方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5437740A (en) * | 1977-08-29 | 1979-03-20 | Rca Corp | Laser beam recording media |
JPS5518702A (en) * | 1978-07-24 | 1980-02-09 | Tokyo Shibaura Electric Co | Automatic dispenser ticket recording medium |
JPS5538616A (en) * | 1978-09-04 | 1980-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical recording medium |
JPS55122244A (en) * | 1979-03-07 | 1980-09-19 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Photomagnetic recording and reproducing method |
JPS5734065B2 (ja) * | 1973-07-25 | 1982-07-21 |
-
1981
- 1981-09-08 JP JP56142157A patent/JPS5843078A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5734065B2 (ja) * | 1973-07-25 | 1982-07-21 | ||
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH01180515A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-18 | Tome Sangyo Kk | コンタクトレンズ用洗浄液及び洗浄方法 |
JPH0577047B2 (ja) * | 1988-01-13 | 1993-10-25 | Tome Sangyo Kk |
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