JPS5840249B2 - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPS5840249B2 JPS5840249B2 JP5861876A JP5861876A JPS5840249B2 JP S5840249 B2 JPS5840249 B2 JP S5840249B2 JP 5861876 A JP5861876 A JP 5861876A JP 5861876 A JP5861876 A JP 5861876A JP S5840249 B2 JPS5840249 B2 JP S5840249B2
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高い飽和磁化をもち高い保磁力をもつ磁気記
録媒体及びその製造方法に関するものである。
録媒体及びその製造方法に関するものである。
磁気記録媒体に用いられている磁性材料としては、高い
残留磁化と大きな抗磁力や良好な角形比などを有する磁
性材料が選択使用されてきているが、近年になって磁気
記録の高密度化に伴ない、従来の酸化物強磁性体の代わ
りに、本質的に残留磁化が大きくかつ保持力を大きくす
ることのできる金属あるいは合金の磁性微粒子が注目さ
れてきた。
残留磁化と大きな抗磁力や良好な角形比などを有する磁
性材料が選択使用されてきているが、近年になって磁気
記録の高密度化に伴ない、従来の酸化物強磁性体の代わ
りに、本質的に残留磁化が大きくかつ保持力を大きくす
ることのできる金属あるいは合金の磁性微粒子が注目さ
れてきた。
この目的に用いられる金属としては主として鉄、コバル
ト、ニッケルがあり、その他必要に応じてクロム、マン
ガン、亜鉛などが加えられる。
ト、ニッケルがあり、その他必要に応じてクロム、マン
ガン、亜鉛などが加えられる。
この他にスカンジウム、イツトリウム、ランタン系列元
素の希土類元素が加えられる場合もある。
素の希土類元素が加えられる場合もある。
かかる合金磁性微粒子の製造法としては、たとえば、(
イ珈磁性金属の有機酸塩を還元性気体で還元する方法、
(0産化鉄微粒子を還元性気体で還元する方法、←蟻磁
性金属を不活性ガス中で蒸発させる方法、(−防磁柱体
金属塩の液相還元による方法、(ホ冷属カルボニル化合
物の熱分解による方法、ト泳銀陰極による金属塩の電気
分解による方法、等が知られている。
イ珈磁性金属の有機酸塩を還元性気体で還元する方法、
(0産化鉄微粒子を還元性気体で還元する方法、←蟻磁
性金属を不活性ガス中で蒸発させる方法、(−防磁柱体
金属塩の液相還元による方法、(ホ冷属カルボニル化合
物の熱分解による方法、ト泳銀陰極による金属塩の電気
分解による方法、等が知られている。
しかしながら、合金磁性体微粒子は優れた素質を持って
いるにもかかわらず、粒子をテープバインタ沖に均一に
分散させることが酸化物磁性体微粒子に比べて難しく、
角形比やテープの表面性が悪いためにS/N特性が低い
という電気磁気特性で劣る問題がある。
いるにもかかわらず、粒子をテープバインタ沖に均一に
分散させることが酸化物磁性体微粒子に比べて難しく、
角形比やテープの表面性が悪いためにS/N特性が低い
という電気磁気特性で劣る問題がある。
また粒子表面の活性度が強いため反応性に富み、酸化さ
れやすいという欠点がある。
れやすいという欠点がある。
従来一般に行なわれてきた磁性合金微粒子に対する酸化
防止手段としては、生成した磁性合金微粒子を冷却後に
ベンジンやトルエンなどの有機溶媒に浸漬し自然に合金
微粒子表面へ酸化被膜を形威させる方法、あるいは、マ
イクロカプセル法により合金微粒子表面を有機高分子物
質で包む方法、さらには還元性又は不活性雰囲気中に除
々に酸素を混入して、合金微粒子表面に酸化被膜を形成
させる方法などがあるが、上記の諸方法のうちで表面に
酸化被膜を形成させる方法においては内部の合金を保護
するために形成させる酸化被膜の厚さの制御が難かしく
、マイクロカプセル法においては個々の単一粒子を均一
に分散させた状態で合金微粒子の表面を有機高分子物質
で包むことが難かしい等の問題があり、倒れの方法を採
用しても最終的に得られる合金微粒子としては、生成さ
れた合金微粒子が本来有する磁気諸特性よりも大きく特
性の劣化した磁気諸特性を示すものになりやすいという
欠点があった。
防止手段としては、生成した磁性合金微粒子を冷却後に
ベンジンやトルエンなどの有機溶媒に浸漬し自然に合金
微粒子表面へ酸化被膜を形威させる方法、あるいは、マ
イクロカプセル法により合金微粒子表面を有機高分子物
質で包む方法、さらには還元性又は不活性雰囲気中に除
々に酸素を混入して、合金微粒子表面に酸化被膜を形成
させる方法などがあるが、上記の諸方法のうちで表面に
酸化被膜を形成させる方法においては内部の合金を保護
するために形成させる酸化被膜の厚さの制御が難かしく
、マイクロカプセル法においては個々の単一粒子を均一
に分散させた状態で合金微粒子の表面を有機高分子物質
で包むことが難かしい等の問題があり、倒れの方法を採
用しても最終的に得られる合金微粒子としては、生成さ
れた合金微粒子が本来有する磁気諸特性よりも大きく特
性の劣化した磁気諸特性を示すものになりやすいという
欠点があった。
また磁場をかけて配列させたガス中蒸発法による磁性微
粒子膜 蒸着で磁性膜を形成する磁気記録媒体も考えられている
が、この場合にも非常に密着性が悪くて機械的特性が悪
く、そのままでは使用できないという不都合がある。
粒子膜 蒸着で磁性膜を形成する磁気記録媒体も考えられている
が、この場合にも非常に密着性が悪くて機械的特性が悪
く、そのままでは使用できないという不都合がある。
そこで本発明はかかる従来の欠点を解消して、電気磁気
特性および機械特性の優れた磁気記録媒体およびその製
造方法を提供し、またテープ等のバインダ中への磁性微
粒子の分散工程や塗布工程を不必要にできる簡便な製造
方法を提供することを目的とする。
特性および機械特性の優れた磁気記録媒体およびその製
造方法を提供し、またテープ等のバインダ中への磁性微
粒子の分散工程や塗布工程を不必要にできる簡便な製造
方法を提供することを目的とする。
このため、本発明では、バインダとしての高分子材料の
表面に配夕1ルて付着させた磁性体の微粒子上に、イオ
ンブレーティングもしくはスパッタリングにより形成し
た磁性膜を設けたことを特徴とする。
表面に配夕1ルて付着させた磁性体の微粒子上に、イオ
ンブレーティングもしくはスパッタリングにより形成し
た磁性膜を設けたことを特徴とする。
すなわち、低圧ガス雰囲気中で蒸発させる等した磁性微
粒子を磁場または電場等により配夕1ルて作成した大き
な磁気異方性を持つ磁性微粒子膜と、イオンブレーティ
ングあるいはスパッタリングにより作成した磁性膜との
二重層を構成することを特徴とする。
粒子を磁場または電場等により配夕1ルて作成した大き
な磁気異方性を持つ磁性微粒子膜と、イオンブレーティ
ングあるいはスパッタリングにより作成した磁性膜との
二重層を構成することを特徴とする。
以下、本発明の実施例につき第1図〜第3図とともに説
明する。
明する。
図において、1は気密外被を形成するペルジャー、2は
ペルジャー1により遮断された空間で、排気系3によっ
て真空に排気される。
ペルジャー1により遮断された空間で、排気系3によっ
て真空に排気される。
4はガス雰囲気を提供するガス導入バルブ、5及び5′
は磁性材料、6及び6′は低圧電源7及び7′によって
加熱され磁性材料5及び5′を蒸発させるヒータ、8は
過渡期の蒸発の際に生じる磁性微粒子を遮断するシャッ
ター、9は磁性微粒子を遮断する板、10は磁性材料5
からの磁性微粒子を磁場配列するための磁場を提供する
磁石、12は高圧電源11によって負電圧になされ高圧
電極、13はバインダとしての高分子材料14はヒータ
6および6′相互の微粒子の付着を遮断するシャッター
である。
は磁性材料、6及び6′は低圧電源7及び7′によって
加熱され磁性材料5及び5′を蒸発させるヒータ、8は
過渡期の蒸発の際に生じる磁性微粒子を遮断するシャッ
ター、9は磁性微粒子を遮断する板、10は磁性材料5
からの磁性微粒子を磁場配列するための磁場を提供する
磁石、12は高圧電源11によって負電圧になされ高圧
電極、13はバインダとしての高分子材料14はヒータ
6および6′相互の微粒子の付着を遮断するシャッター
である。
まず、磁性微粒子の原料となる磁性材料5をヒーター6
に装てんする。
に装てんする。
ここでイオンブレーティング膜を生成するための磁性材
料5′が磁性材料5と異なるときは新たにもう一つのヒ
ーターCを装備してそのヒーター6′に装てんする。
料5′が磁性材料5と異なるときは新たにもう一つのヒ
ーターCを装備してそのヒーター6′に装てんする。
その後、ペルジャー1内を排気系3により排気し、任意
の不活性ガスを所定のガス圧になるようにガス導入バル
ブ4からペルジャー1内に導入する。
の不活性ガスを所定のガス圧になるようにガス導入バル
ブ4からペルジャー1内に導入する。
この時純度99.99%程度の不活性ガスを導入する場
合はI X 10−5Torrに排気すればよく純度9
9.9999%の不活性ガスを導入する場合はI X
10”−7Torrに排気する必要がある。
合はI X 10−5Torrに排気すればよく純度9
9.9999%の不活性ガスを導入する場合はI X
10”−7Torrに排気する必要がある。
次に、磁性材料5をヒーター7で加熱する。
磁性材料5は温度が上昇すると蒸発を始めるが、蒸発初
期の過渡期には蒸発微粒子の粒径がそろっていないので
、付着させる粒径の分布の広がりを狭くするために初期
過渡期にはシャッター8を閉じる。
期の過渡期には蒸発微粒子の粒径がそろっていないので
、付着させる粒径の分布の広がりを狭くするために初期
過渡期にはシャッター8を閉じる。
蒸発温度が安定し定常状態になってからシャッター8を
開き、高分子材料13上に磁性微粒子を到達させ、かつ
磁石10による磁場で配列させて、第2図のように磁性
微粒子膜15を形成する。
開き、高分子材料13上に磁性微粒子を到達させ、かつ
磁石10による磁場で配列させて、第2図のように磁性
微粒子膜15を形成する。
この時周囲のガス圧が低いと蒸発微粒子の粒径は小さく
なり、ガス圧が高いと大きくなる。
なり、ガス圧が高いと大きくなる。
つまり蒸発微粒子の粒径はガス圧に依存する。
この他に粒径はガスの種類、蒸発温度、ペルジャー1の
大きさ、ヒーター6からの距離、ヒーター6の形状など
にも依存する。
大きさ、ヒーター6からの距離、ヒーター6の形状など
にも依存する。
たとえば磁性材料5がニッケルの場合、アルゴンガスの
ガス圧が4Torrで平均粒径は250人であり、10
Torrでは400人であった。
ガス圧が4Torrで平均粒径は250人であり、10
Torrでは400人であった。
アルゴンガスの0.1Torr以下のガス圧では蒸着と
同じ現象になり、逆にアルゴンガスの40 Torr以
上のガス圧力になると相当加熱しなければ蒸発しないこ
とになる。
同じ現象になり、逆にアルゴンガスの40 Torr以
上のガス圧力になると相当加熱しなければ蒸発しないこ
とになる。
また磁性微粒子の流れもガス圧により変化するのでヒー
ター6と高分子材料13との距離および相対的位置を調
整する必要がある。
ター6と高分子材料13との距離および相対的位置を調
整する必要がある。
次に、ペルジャー1に空気を導入することなく連続して
排気系3によりイオンプレーディングもしくはスパッタ
リングに適正した所定のガス圧にまで排気するかもしく
はいったん排気系3により完全に排気行なってからガス
導入バルブ4よりガスを導入して所定のガス圧にする。
排気系3によりイオンプレーディングもしくはスパッタ
リングに適正した所定のガス圧にまで排気するかもしく
はいったん排気系3により完全に排気行なってからガス
導入バルブ4よりガスを導入して所定のガス圧にする。
しかる後、ヒーター7あるいは新たに装備したもう1つ
のヒーターTと高圧電極13との間に電源11から高電
界を印加し放電を起こす。
のヒーターTと高圧電極13との間に電源11から高電
界を印加し放電を起こす。
その状態でヒーター7あるいはγに電流を流して磁性材
料5または5′を加熱し蒸発させて、第2図のように磁
性膜16を高分子材料13上に形成する。
料5または5′を加熱し蒸発させて、第2図のように磁
性膜16を高分子材料13上に形成する。
膜形成過程の1つとして次のことが考えられる。
蒸発した磁性材料5または5′の一部分はイオン化し電
界により加速されて、磁性微粒子15の付着されている
高分子材料13の上に被着する。
界により加速されて、磁性微粒子15の付着されている
高分子材料13の上に被着する。
またイオン化しないものでも放電中のガスプラズマに衝
突されてエネルギーを獲得し加速されるものもある。
突されてエネルギーを獲得し加速されるものもある。
要するに通常の真空蒸着よりも大きなエネルギーを持っ
た原子によってイオンブレーティングもしくはスパッタ
リングがなされることにより磁性膜16の形成を行なっ
て高分子材料13との密着性のよい磁性膜16が得られ
る。
た原子によってイオンブレーティングもしくはスパッタ
リングがなされることにより磁性膜16の形成を行なっ
て高分子材料13との密着性のよい磁性膜16が得られ
る。
第2図は本発明による磁気記録媒体の構成国で第3図は
本発明による磁気記録媒体の平面図、断正面図及び断側
面図である。
本発明による磁気記録媒体の平面図、断正面図及び断側
面図である。
高分子材料13上に磁場をかけて配列させた磁性微粒子
の膜15上にイオンブレーティングあるいはスパッタリ
ングにより磁性膜16が被着して、磁性微粒子膜15と
磁性膜16との二層構造を形成している。
の膜15上にイオンブレーティングあるいはスパッタリ
ングにより磁性膜16が被着して、磁性微粒子膜15と
磁性膜16との二層構造を形成している。
この場合、磁性微粒子膜15の微粒子の間隙はイオンブ
レーティングあるいはスパッタリングによって被着した
磁性体で埋められている。
レーティングあるいはスパッタリングによって被着した
磁性体で埋められている。
このような構成の磁気記録媒体では、高分子材料13に
付着された磁性微粒子膜15の磁気異方性と同じ向きに
磁性膜16が磁化容易軸を持つ。
付着された磁性微粒子膜15の磁気異方性と同じ向きに
磁性膜16が磁化容易軸を持つ。
そしてこの磁性微粒子膜15は大きな磁気異方性を持つ
が、磁化反転の速度では磁性膜16に及ばない。
が、磁化反転の速度では磁性膜16に及ばない。
しかしながらこの磁性膜16との2層構造をもつように
したことにより大きな磁気異方性と高速な磁化反転をと
もに利用できることになり電気磁性特性を良好にできる
こととなった。
したことにより大きな磁気異方性と高速な磁化反転をと
もに利用できることになり電気磁性特性を良好にできる
こととなった。
また磁性微粒子膜15を磁性膜16コーテイングするこ
とになり、犬なる抗酸化性を得ることができる。
とになり、犬なる抗酸化性を得ることができる。
このようにして得られた磁気記録媒体は大きな保磁力と
高い飽和磁化特性を有している。
高い飽和磁化特性を有している。
また保磁力は不活性ガスのガス圧と膜厚を選ぶことによ
り150エルステツドから1000エルステッド以上に
自由に制御することが可能である。
り150エルステツドから1000エルステッド以上に
自由に制御することが可能である。
さらに、従来の製造方法で必要であった磁性微粒子の分
散工程や塗布工程を用いなくても製造できるので、簡単
に製造することができる利点も有するものである。
散工程や塗布工程を用いなくても製造できるので、簡単
に製造することができる利点も有するものである。
なお、以上の説明では磁性微粒子を配夕1ルて付着させ
る手段として磁石10を用いたが、この磁石10の代り
に第1図中に2点鎖線で示したように一対の電極17と
高圧電源18とを用いて電界で配列させるようにしても
よい。
る手段として磁石10を用いたが、この磁石10の代り
に第1図中に2点鎖線で示したように一対の電極17と
高圧電源18とを用いて電界で配列させるようにしても
よい。
次に、本発明の具体的な実施例を示す。
実施例 1
ペルジャー内を1 x 10”−7Torrの真空に排
気した後、純度99゜9999%のアルゴンガスを4T
orrまで導入し、磁性材料としての Fe82□Nio、78合金を加熱蒸発させ、1分間シ
ャッターを開き、500エルステツドの磁場で磁性微粒
子を配列させて高分子材料としてのポリカーボネートに
付着させた。
気した後、純度99゜9999%のアルゴンガスを4T
orrまで導入し、磁性材料としての Fe82□Nio、78合金を加熱蒸発させ、1分間シ
ャッターを開き、500エルステツドの磁場で磁性微粒
子を配列させて高分子材料としてのポリカーボネートに
付着させた。
続いて0.01 Torrに排気して、高圧電極とヒー
ターの間に100V/cIrLの電界を印加し、ただち
に同じF’eO−2□Ni□、73合金を加熱蒸発させ
、2分間シャッターを開いて3000人の磁性膜を形成
した。
ターの間に100V/cIrLの電界を印加し、ただち
に同じF’eO−2□Ni□、73合金を加熱蒸発させ
、2分間シャッターを開いて3000人の磁性膜を形成
した。
このときのFeo、2□N;oyBの磁性微粒子の粒径
は250人であった。
は250人であった。
またこの磁気記録媒体の保磁力は500エルステツドで
あった。
あった。
実施例 2
実施例1と同じ条件でFeの磁性微粒子をポリカーボネ
ートに磁場配夕1ルて付着させ、さらに3000人の磁
性膜をイオンブレーティングにより形成した。
ートに磁場配夕1ルて付着させ、さらに3000人の磁
性膜をイオンブレーティングにより形成した。
Feの磁性微粒子の粒径は250Aであり、1000エ
ルステツドの保磁力が得られた。
ルステツドの保磁力が得られた。
実施例、3
実施例1と同じアルゴンガス圧のもとで
pe9ONilOの合金を蒸発させ、シャッターを2分
間開き、1キロエルステツドの磁場で配列させてポリイ
ミドに付着させた。
間開き、1キロエルステツドの磁場で配列させてポリイ
ミドに付着させた。
続いて0.02Torrに排気して100V/CrrL
の電界を印加し、ただちにFe 50 Co 50の合
金を蒸発させ、シャッターを1分間開いて1500人の
磁性膜を形成した。
の電界を印加し、ただちにFe 50 Co 50の合
金を蒸発させ、シャッターを1分間開いて1500人の
磁性膜を形成した。
この場合には300エルステツドの保磁力が得られた。
以上の如く本発明の磁気記録媒体によれば高保磁力およ
び高飽和磁化の優れた電気磁気特性を有し、また機械的
化学的な安定性を有した高密度磁気記録媒体としての優
れたものを得ることができる。
び高飽和磁化の優れた電気磁気特性を有し、また機械的
化学的な安定性を有した高密度磁気記録媒体としての優
れたものを得ることができる。
また、テープ等のバインダ中への分散工程や塗布工程を
不必要ならしめ簡便な磁気記録媒体の製造方法を得るこ
とができる。
不必要ならしめ簡便な磁気記録媒体の製造方法を得るこ
とができる。
第1図は本発明の磁気記録媒体の製造に使用する一例の
製造装置の断正面図、第2図は本発明の一実施例におけ
る磁気記録媒体の一部破断斜視図、第3図A、B、Cは
同磁気記録媒体の平面図、断正面図および断側面図であ
る。 1・・・・・・ペルジャー、2・・・・・・気密な空間
、6,6′・・・・・・ヒーター、7 、7’・・・・
・・電源、8,9,14・・・・・・シャッター、10
・・・・・・磁石、11・・・・・・高圧電源、12・
・・・・・高圧電極、13・・・・・・高分子材料、1
5・・・・・・磁性微粒子の膜、16・・・・・・磁性
膜。
製造装置の断正面図、第2図は本発明の一実施例におけ
る磁気記録媒体の一部破断斜視図、第3図A、B、Cは
同磁気記録媒体の平面図、断正面図および断側面図であ
る。 1・・・・・・ペルジャー、2・・・・・・気密な空間
、6,6′・・・・・・ヒーター、7 、7’・・・・
・・電源、8,9,14・・・・・・シャッター、10
・・・・・・磁石、11・・・・・・高圧電源、12・
・・・・・高圧電極、13・・・・・・高分子材料、1
5・・・・・・磁性微粒子の膜、16・・・・・・磁性
膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 高分子材料の表面に配夕1ルて付着された磁性微粒
子と、上記磁性微粒子の上にイオンブレーティングもし
くはスパッタリングにより形成された磁性膜とを有する
ことを特徴とする磁気記録媒体。 2 高分子材料の表面に磁性微粒子を配夕1ルて付着さ
せる工程と、上記磁性微粒子上にイオンブレーティング
もしくはスパッタリングにより磁性膜を形成させる工程
とを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 3 不活性ガス中で磁性材料を蒸発させることにより上
記磁性微粒子を作成することを特徴とする特許請求の範
囲第2項記載の磁気記録媒体の製造方法。 4 上記高分子材料の近傍に設けた磁石により作成した
磁場で上記磁性微粒子を配列させることを特徴とする特
許請求の範囲第2項または第3項記載の磁気記録媒体の
製造方法。 5 上記高分子材料の近傍に設けた電極により作成した
電場で上記磁性微粒子を配列させることを特徴とする特
許請求の範囲第2項または第3項記載の磁気記録媒体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5861876A JPS5840249B2 (ja) | 1976-05-20 | 1976-05-20 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5861876A JPS5840249B2 (ja) | 1976-05-20 | 1976-05-20 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52141610A JPS52141610A (en) | 1977-11-26 |
| JPS5840249B2 true JPS5840249B2 (ja) | 1983-09-05 |
Family
ID=13089539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5861876A Expired JPS5840249B2 (ja) | 1976-05-20 | 1976-05-20 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5840249B2 (ja) |
-
1976
- 1976-05-20 JP JP5861876A patent/JPS5840249B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52141610A (en) | 1977-11-26 |
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