JPS5833727A - 温度補償回路 - Google Patents
温度補償回路Info
- Publication number
- JPS5833727A JPS5833727A JP56131911A JP13191181A JPS5833727A JP S5833727 A JPS5833727 A JP S5833727A JP 56131911 A JP56131911 A JP 56131911A JP 13191181 A JP13191181 A JP 13191181A JP S5833727 A JPS5833727 A JP S5833727A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- resistor
- base
- emitter
- level
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/565—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
- G05F1/567—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for temperature compensation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Processing Of Color Television Signals (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
カラービデオカメラのホワイトバランス自動調整回路は
、例えば81図に示すように構成専れている。
、例えば81図に示すように構成専れている。
すなわち、第15りkおいて、撮像素子の撮像出力を処
理することkより三原色信号Q、R,Bが取り出され、
その緑の色信号Gが端子(1G)を通じ、さらにアンプ
(2G)を通じてアナログゲート回路(3G) k供給
される。
理することkより三原色信号Q、R,Bが取り出され、
その緑の色信号Gが端子(1G)を通じ、さらにアンプ
(2G)を通じてアナログゲート回路(3G) k供給
される。
このゲート回路(3G)は、鎖−で囲った部分がIC化
されている・そして、トランジスタQ1・。
されている・そして、トランジスタQ1・。
Q1@により一定のバイアス電圧Tloが形成され、こ
の電圧■1oがトランジスタQ1s〜Qtsicベース
バイアスとして供給されてこれらトランジス7IQ。
の電圧■1oがトランジスタQ1s〜Qtsicベース
バイアスとして供給されてこれらトランジス7IQ。
〜Q1gは定電流源とされ、また、これkよりトランジ
スタQ1〜Q4tQ!IIQ!雪は工電ツメフォロワと
される。なお、このとき、 Vcc :電源電圧 vl:トランジスタQ10ベース電位 Vat : )ランジスメQ!1のペース電位とすれば
、−例として VCC冑8.5(V) Vl 麿J、3(V) Vat膓4.6 CV ) とされる。
スタQ1〜Q4tQ!IIQ!雪は工電ツメフォロワと
される。なお、このとき、 Vcc :電源電圧 vl:トランジスタQ10ベース電位 Vat : )ランジスメQ!1のペース電位とすれば
、−例として VCC冑8.5(V) Vl 麿J、3(V) Vat膓4.6 CV ) とされる。
そして、通常の撮像時には、トランジスタφ。
Q@がオフとされ、従って、アンプ(2G)からの緑色
信号Gは、トランジスタQ1〜Q4を順次通じて端子(
4G)に取り出される。
信号Gは、トランジスタQ1〜Q4を順次通じて端子(
4G)に取り出される。
なお、このとき、トランジスタQs 、Q! 意の工2
ツタは、トランジスタQ1〜Qsを通じて電圧■1によ
りプルアップされて(Vl −3Vnz)とされている
と共に、)ランジスpQ*sのベース電位は、(■!!
−Wig)とされているので、トランジスタQ=意は逆
バイアスされていることkなり、オフである。
ツタは、トランジスタQ1〜Qsを通じて電圧■1によ
りプルアップされて(Vl −3Vnz)とされている
と共に、)ランジスpQ*sのベース電位は、(■!!
−Wig)とされているので、トランジスタQ=意は逆
バイアスされていることkなり、オフである。
さらに、赤色信号凡及び青色信号Bも同様に処理される
もので、緑色信号系と対応する回jlKは、参照符号の
ずフィックスGをサフィックス8及びBk代えて説明は
省略する。
もので、緑色信号系と対応する回jlKは、参照符号の
ずフィックスGをサフィックス8及びBk代えて説明は
省略する。
ζうして、通常の撮像時には、三原色信号G。
R,Bが端子(4G)、 (4B)、 (4B) k取
り出される。
り出される。
一方、ホワイトバランスの自動調整時には、少なくとも
中央部分に一様な明るさの白色部分のある被写体が撮像
されると共に1第2図に示すよ5に1画面(撮像範囲)
(9)の中央部分において@01となる垂直周期のウィ
ンドウ信号8v及び同様の水平周期のウィンドウ信号s
hが用意され、これら信号sy、shがトランジスタQ
s、Q@に供給される。
中央部分に一様な明るさの白色部分のある被写体が撮像
されると共に1第2図に示すよ5に1画面(撮像範囲)
(9)の中央部分において@01となる垂直周期のウィ
ンドウ信号8v及び同様の水平周期のウィンドウ信号s
hが用意され、これら信号sy、shがトランジスタQ
s、Q@に供給される。
従って、sy、@o″、かつ、8h = ”Q”ノドき
には(画面(9)の中央部分では)、トランジスタ偽。
には(画面(9)の中央部分では)、トランジスタ偽。
Q@がオフであるから、通常の撮像時と同様、端子(4
G)〜(4B) k三原色信号G、Bが得られると共に
、その信号レベルは画面(9)の白色部分に対応した一
定のレベルとなる。
G)〜(4B) k三原色信号G、Bが得られると共に
、その信号レベルは画面(9)の白色部分に対応した一
定のレベルとなる。
また、Sy=”l”あるいは8h=、@l”#)ときk
は(画面(9)の周辺部分では)、トランジスタQs
eQ6の少なくとも一方がオンになるので、トランジス
タQ3はオフとなり、端子(IG)〜(”IB)の信号
G〜Bは、端子(4G)〜(4B) k取り出されない
。
は(画面(9)の周辺部分では)、トランジスタQs
eQ6の少なくとも一方がオンになるので、トランジス
タQ3はオフとなり、端子(IG)〜(”IB)の信号
G〜Bは、端子(4G)〜(4B) k取り出されない
。
しかし、このとき、トランジスタQ!3が能動状態とな
るので、電圧VatがトランジスタQ意t、Qu、Q4
を通じて端子(4G)〜(4B) K儒号G〜Bとして
取り出される。
るので、電圧VatがトランジスタQ意t、Qu、Q4
を通じて端子(4G)〜(4B) K儒号G〜Bとして
取り出される。
従ッテ、II 子(4G) 〜(4B) Kは、第2図
に示すよ5に信号sy、sh #IC対応してレベルが
変化する信号Q、Bが取り出されると共に、この信号G
〜Bの高レベル部分のレベルlhは画面(9)の白色部
分の明るさに対応し、低レベル部分のレベルElは電圧
VztK対応することkなる。
に示すよ5に信号sy、sh #IC対応してレベルが
変化する信号Q、Bが取り出されると共に、この信号G
〜Bの高レベル部分のレベルlhは画面(9)の白色部
分の明るさに対応し、低レベル部分のレベルElは電圧
VztK対応することkなる。
そして、この矩形状の信号G−Bが、直流化回路(5G
)〜(5B)に供給され、平均化及びレベル検出されて
レベルBh k対応したレベルの直流電圧Vg〜vbと
され、その電圧Vgが電圧比較回路(6凡)。
)〜(5B)に供給され、平均化及びレベル検出されて
レベルBh k対応したレベルの直流電圧Vg〜vbと
され、その電圧Vgが電圧比較回路(6凡)。
(5B) K基準電圧として供給されると共に、電圧E
r、Ebが比較回路(6K)、(6B)に比較電圧とし
て供給され、比較出力Sらsbが取り出される。tた、
アンプ(2R)、(2B)が可変利得アンプとされると
共に、信号Sr、8bがメモリ回路(7R)、(7B)
を通じてアンプ(2B)、(2B)に利得の制御信号と
して供給される。
r、Ebが比較回路(6K)、(6B)に比較電圧とし
て供給され、比較出力Sらsbが取り出される。tた、
アンプ(2R)、(2B)が可変利得アンプとされると
共に、信号Sr、8bがメモリ回路(7R)、(7B)
を通じてアンプ(2B)、(2B)に利得の制御信号と
して供給される。
従って、信号8r、8bは、緑色の信号Vgのレベルを
基準とした信号Vr、Wbのレベルの誤差を示すと共に
、このとき、信号vg 、 vbは端子(1G)〜(I
B)の三原色信号G〜BのそれぞれのレベルBbに対応
しているので、信号8r、8bは端子(1G)の信号G
のレベルを基準として端子(IR)、(IB)の信号R
,Bのレベルの誤差を示すととkなる。そして、仁ノ誤
差信号Sr、Sbにより7yプ(IR)、(2B)の利
得が制御されるので、端子(4R)、(4B)の信号I
Bは、端子(4G)の信号GK対して所定のレベルにな
り、従って、ホワイトノ(ランスが自動的にとれたこと
kなる。
基準とした信号Vr、Wbのレベルの誤差を示すと共に
、このとき、信号vg 、 vbは端子(1G)〜(I
B)の三原色信号G〜BのそれぞれのレベルBbに対応
しているので、信号8r、8bは端子(1G)の信号G
のレベルを基準として端子(IR)、(IB)の信号R
,Bのレベルの誤差を示すととkなる。そして、仁ノ誤
差信号Sr、Sbにより7yプ(IR)、(2B)の利
得が制御されるので、端子(4R)、(4B)の信号I
Bは、端子(4G)の信号GK対して所定のレベルにな
り、従って、ホワイトノ(ランスが自動的にとれたこと
kなる。
そして、ホワイトバランスの自動調整後は、メ′モ9
回II (7R)、 (7B) <記憶されティる信号
Sr、8bにより引き続きアンプ(2R)、(2B)の
利得が制御されるので、端子(4G)〜(4B) kホ
ワイトバランスのとれた撮像出力R−Bが得られる。
回II (7R)、 (7B) <記憶されティる信号
Sr、8bにより引き続きアンプ(2R)、(2B)の
利得が制御されるので、端子(4G)〜(4B) kホ
ワイトバランスのとれた撮像出力R−Bが得られる。
こうして、第1図の回路では、ホワイトバランスの自動
調整を行うことができる・ ところで、一般に、)ランジスタのVBEは、温度によ
って変化するので、広い温度範囲にわたって信号の直流
レベルを安定化することは困−である、特&(、ICに
おいては、IC化にあたって外部ビンや;ンデンサを滅
らすためにトランジスタの数が増えたり、トランジスタ
が直結接続とされているので、温度変化による直流レベ
ルの変化は大きくなりやすい。
調整を行うことができる・ ところで、一般に、)ランジスタのVBEは、温度によ
って変化するので、広い温度範囲にわたって信号の直流
レベルを安定化することは困−である、特&(、ICに
おいては、IC化にあたって外部ビンや;ンデンサを滅
らすためにトランジスタの数が増えたり、トランジスタ
が直結接続とされているので、温度変化による直流レベ
ルの変化は大きくなりやすい。
例えば、第11Qのホワイトバランスの自動調整回路に
おいては f3v冨@o”、かつ、8h謳”Q”のとき
kは、端子(4G)の直流レベkvO・は、トランジス
タQ1〜Q4 Kより Woo z Vt −4VBE であり、SV−”1”または8h■″11”のときkは
、端子(4G)の直流レベルVttは、トランジスタQ
xt。
おいては f3v冨@o”、かつ、8h謳”Q”のとき
kは、端子(4G)の直流レベkvO・は、トランジス
タQ1〜Q4 Kより Woo z Vt −4VBE であり、SV−”1”または8h■″11”のときkは
、端子(4G)の直流レベルVttは、トランジスタQ
xt。
Qz*、Qa Kより
Vtt z Vsl−5vlE
である、従って、この回路では、温度変化により端子(
4q)〜(4B)の直流レベルが変化してし1・そして
、この回路では、仁のような直流レベルの変化があると
、調整時KKR化回路(5G)、(SR)。
4q)〜(4B)の直流レベルが変化してし1・そして
、この回路では、仁のような直流レベルの変化があると
、調整時KKR化回路(5G)、(SR)。
(5B) IC供給される矩形状の信号G、R,Bのレ
ベルRhが被写体の明るさだけでなく、温度変化によっ
て変化すると共に、レベルE!も温度変化によって変化
するので、温度により信号V7.Vらvbのレベルが変
化し、従って、ホワイトノ(ランスは、これがくずれた
状1111に*ットされてしまう。
ベルRhが被写体の明るさだけでなく、温度変化によっ
て変化すると共に、レベルE!も温度変化によって変化
するので、温度により信号V7.Vらvbのレベルが変
化し、従って、ホワイトノ(ランスは、これがくずれた
状1111に*ットされてしまう。
また、ホワイトバランスが正しくセットされて−1ても
、通常の撮像時、端子(4G)〜(4B)の信号G〜B
の直流レベルが温度によって変化するので、ホワイトバ
ランスがくずれてし15゜ 因みに1電圧Vs、Vltを第1図に示すように抵抗分
割で形成した場合における。端子(4G)〜(4B)の
直流レベルの変化を測定したとζろ、第3図のようkな
った。そして、このような状態では、実用に遣さない。
、通常の撮像時、端子(4G)〜(4B)の信号G〜B
の直流レベルが温度によって変化するので、ホワイトバ
ランスがくずれてし15゜ 因みに1電圧Vs、Vltを第1図に示すように抵抗分
割で形成した場合における。端子(4G)〜(4B)の
直流レベルの変化を測定したとζろ、第3図のようkな
った。そして、このような状態では、実用に遣さない。
この発明は、仁のような問題点を解決しようとするもの
である。
である。
以下その一例について説明しよう。
第5図において、tteはこの発W14VCよる温度補
償回路を示し、これは第1図に示すアナログゲート回路
(3G) (及び(SR)、(8B) ) K追加して
一体kIC化されている。
償回路を示し、これは第1図に示すアナログゲート回路
(3G) (及び(SR)、(8B) ) K追加して
一体kIC化されている。
すなわち、電源端子T1と共通端子(接地端子)T茸と
の間に、)ランジスzQssのコレクタ・エヤツメ間と
、所定の数のダイオード接続されたトランジスタQmt
〜Q34のベース・工電ツタ間と、トランジスタQ3s
のコレクタ・工電ツタ間とカ直列接続されると共に、抵
抗器Rat〜R1が直列接aされ、トランジスタQts
のベースが抵抗1町とRssとの接続点に接続され、ト
ランジスタQmiのベースに電圧Vloが供給される。
の間に、)ランジスzQssのコレクタ・エヤツメ間と
、所定の数のダイオード接続されたトランジスタQmt
〜Q34のベース・工電ツタ間と、トランジスタQ3s
のコレクタ・工電ツタ間とカ直列接続されると共に、抵
抗器Rat〜R1が直列接aされ、トランジスタQts
のベースが抵抗1町とRssとの接続点に接続され、ト
ランジスタQmiのベースに電圧Vloが供給される。
さらに、端子TlとT!との間に、ダイオード接続され
たトランジスタQ36のベース・エヤツメ間と、抵抗器
R84と、トランジスタQsyのコレクターエンツタ間
と、抵抗器Ramとが直列接続されると共に、)ランジ
スタQ38のコレクタ・エンツメ間と、抵抗5Rssと
、トランジスタQss tQ :lvクメ喝工エヤメ間
と、抵抗器B3γとが直列接続される。
たトランジスタQ36のベース・エヤツメ間と、抵抗器
R84と、トランジスタQsyのコレクターエンツタ間
と、抵抗器Ramとが直列接続されると共に、)ランジ
スタQ38のコレクタ・エンツメ間と、抵抗5Rssと
、トランジスタQss tQ :lvクメ喝工エヤメ間
と、抵抗器B3γとが直列接続される。
そして、トランジスタQsyのベースがトランジスタQ
B4の工電ツタに接続され、トランジスタQmsのベー
スが抵抗器RhとRssとの接続点に接続され、トラン
ジスタQ39のベースがトランジスタQs+の工電ツタ
に接続される。
B4の工電ツタに接続され、トランジスタQmsのベー
スが抵抗器RhとRssとの接続点に接続され、トラン
ジスタQ39のベースがトランジスタQs+の工電ツタ
に接続される。
また、トランジスタQs v 、Qs・のコレクタ電圧
が電圧Vl、V11として取り出され、トランジスタQ
t eQssのベースに供給される。さらに、IL14
■几15゜Rss m R3? トされる・ 仁のよ5な構成によれば、トランジスタQss&家定電
流源として働き、トランジスタQ)1〜Qma Vcは
一定の電流が流れる。そして、このときva:抵抗器8
31とR3!との接続点の電位■b=抵抗器RagとR
isとの接続点の電位It : )ランジスタQs@〜
抵抗器3ssl流れる電流I*t:)ランジスタQss
−抵抗器Rsyを流れる電流とすると、 V1= VCC−VBg −IxRsavb 5VB
g−11励!1 Rsa=Rss であるから V1= VCC−Wb + 4V1鳶 となる。
が電圧Vl、V11として取り出され、トランジスタQ
t eQssのベースに供給される。さらに、IL14
■几15゜Rss m R3? トされる・ 仁のよ5な構成によれば、トランジスタQss&家定電
流源として働き、トランジスタQ)1〜Qma Vcは
一定の電流が流れる。そして、このときva:抵抗器8
31とR3!との接続点の電位■b=抵抗器RagとR
isとの接続点の電位It : )ランジスタQs@〜
抵抗器3ssl流れる電流I*t:)ランジスタQss
−抵抗器Rsyを流れる電流とすると、 V1= VCC−VBg −IxRsavb 5VB
g−11励!1 Rsa=Rss であるから V1= VCC−Wb + 4V1鳶 となる。
1 そして、sy = @o” 、かつ、sh −
@o’のとき(トランジスタQs 、Qsがオフのとき
)の端子(4G)の直流レベルWooは、 Voo−Vt −4VBIC であるから上式を代入して Woo −Vcc −Wb となる、すなわち、端子(1G)の信号G力1端子(4
G)に取り出されるとき、その直流レベルWooは電圧
VK量関係ず、従って、温度変イしにより変イヒすE ることがない。
@o’のとき(トランジスタQs 、Qsがオフのとき
)の端子(4G)の直流レベルWooは、 Voo−Vt −4VBIC であるから上式を代入して Woo −Vcc −Wb となる、すなわち、端子(1G)の信号G力1端子(4
G)に取り出されるとき、その直流レベルWooは電圧
VK量関係ず、従って、温度変イしにより変イヒすE ることがない。
また、
Vat =s Vm −VBI −IttRs番Wb
−4Vlll =IztRsy R+36コRsy であるから Wit = Va −Vb + 3VBRとなる。
−4Vlll =IztRsy R+36コRsy であるから Wit = Va −Vb + 3VBRとなる。
ソシテ、sy−@1”tた618h −”1″のとき(
トランジスタQsまたはQ6がオンのと會)の端子(4
G)の直流レベルV1t%!、 Vll = Wit
−3VBg であるから上式を代入して V11= Va −Vb 圧Vatが信号Gに代わって端子(、aG)kl+り出
されるとき、その直rILノベルが温度変化により変化
することがない。
トランジスタQsまたはQ6がオンのと會)の端子(4
G)の直流レベルV1t%!、 Vll = Wit
−3VBg であるから上式を代入して V11= Va −Vb 圧Vatが信号Gに代わって端子(、aG)kl+り出
されるとき、その直rILノベルが温度変化により変化
することがない。
第4図は、この発明を適用した場合における。
端子(4G)〜(4B)の直流レベルの変化を測定した
もので、第3図の適用前の場合に比べ、はるかに直fi
vベルの変化が少ない。
もので、第3図の適用前の場合に比べ、はるかに直fi
vベルの変化が少ない。
こうして、この発明によれば、温度変化による直fiv
ベルの変化を補償できる。しかも、その場合、トランジ
スタQix〜QssをすべてNPN型とすることができ
るので、IC化したとぎ、占有面積が小さくなり、IC
化に有利である。
ベルの変化を補償できる。しかも、その場合、トランジ
スタQix〜QssをすべてNPN型とすることができ
るので、IC化したとぎ、占有面積が小さくなり、IC
化に有利である。
さらに、この補償回路は被補償回路と同一のチップkI
C化できるので、 VBEのばらつきも少なく、十分な
補償かできる。tた、補償用のトランジスタQst〜Q
$4の数を、補償した゛いVIKの数にあわせることが
できると共に1それだけで補償ができるので、適用範囲
が広い。
C化できるので、 VBEのばらつきも少なく、十分な
補償かできる。tた、補償用のトランジスタQst〜Q
$4の数を、補償した゛いVIKの数にあわせることが
できると共に1それだけで補償ができるので、適用範囲
が広い。
第1図〜第4図はこの発明を説明するための図。
第5図はこの発明の一例の接続図である。
(3G)〜(3B)はアナログゲート回路である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第1のトランジスタの工電ツタkcN偏(N≧1)のダ
イオードと定電rILIIIとが直列接続され、第2の
トランジスタの工電ツIk、第1の抵抗器と、Wc3の
トランジスタのコレクタ・工ζツー間と、第2の抵抗器
とが直列接続され、上記第3のトランジスタのペースが
上記8個のダイオードと上記定電流源との接続点に接続
され、上記第1及び第2のトランジスタのベースに所定
の直流電圧Vm。 Vnが供給されて上記第3のトランジスタのコレクタか
ら To =x Vn −Vm + (N + 1 )VB
Iで示される直流電圧が取り出されるようにした温度補
償回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56131911A JPS5833727A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 温度補償回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56131911A JPS5833727A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 温度補償回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5833727A true JPS5833727A (ja) | 1983-02-28 |
Family
ID=15069057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56131911A Pending JPS5833727A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 温度補償回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5833727A (ja) |
-
1981
- 1981-08-21 JP JP56131911A patent/JPS5833727A/ja active Pending
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