JPS5831689B2 - 接点の製造方法

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【発明の詳細な説明】この発明は接点の製造方法に関するものである。

従来のある種の接点は、銅等の基材の上にロジウム等の
高硬度高融点金属をめっきし、その上に銀等の低硬度高
導電率耐腐蝕性金属をめっきしている。

そして、後者の金属で小電流の開閉釦よび腐蝕防止を行
なうが、大電流開閉では後者の金属が消耗してし１うの
でこれを前者の金属で行なう。

このようにして小電流から大電流までの開閉が可能とな
るが、基材の上に２層の金属を形成するために２工程が
必要となり製造が容易でない。

曾た、第１の金属層から第２の金属層への急激な特性変
化があるため好１しくない。

したがって、この発明の目的は、急激な特性変化がなく
、しかも小電流から大電流１での開閉が可能な接点を簡
単に得ることができる接点の製造方法を提供することで
ある。

要約すれば、この発明では必要な複数種類の金属を同時
に導電性基村上にスパッタして混合層を形成する。

この場合、混合層の基材に近い部分は高融点高硬度すな
わち大電流開閉に適した金属材料の配合度合を多くし、
接点表面に近づくにしたがって高導電率低硬度耐腐蝕性
すなわち小電流開閉に適しれ金属材料の配合度合を多く
する。

前者の金属材料としてはタングステン、モリブデン、ロ
ジウム、ルテニウム、パラジウム等であり、後者の金属
材料は金於よび銀である。

例えば、第１図に示すようにパーマロイの基材１上にモ
リブデンおよび金を同時にスパッタする場合、スパッタ
初期はモリブデン２０％および金８０饅の割合でスパッ
タし、この配合比を連続的または微小段階的に変化して
スパッタ終期はモリブデン５％釦よび金９５優として３
〜５μｍの混合層２を得る。

な釦、高価な耐腐蝕性金属（金寸たは白金等）と安価な
腐蝕性金属（銀）との組合せも考えられる。

つぎに、金（小電流開閉用金属）釦よび金属Ｘ（大電流
開閉用金属）の混合層を得る具体例について説明する。

（１）金属Ｘが高融点金属で単一ターゲットによる場合
：第２図１こ示すように、金属Ｘで作ったターゲットＴ
上に適当なパターンの金を載置し、直流または高周波ス
パッタを行なう。

このとき、スパック電圧卦よび電流を加減することによ
り、スパック速度を制御することによって基材Ｓ上のス
パッタ混合層の厚み方向の成分比を変える。

すなわち、金に比べて高融点金属Ｘのスパッタ送度は低
く、基材Ｓ、！、−よびターゲツＩ−Ｔ間の印加電圧が
低い場合にはスパッタ混合層のＸの含有率が小さいが、
印加電圧の上昇とともにＸの含有率が増大する。

（２）金属Ｘが高融点金属で複数ターゲットを用いる場
合：第３図に示すように、あらかじめ金属Ｘで作ったタ
ーゲットＴ１〜Ｔ３の上に面積の異なる金を載置し、一
定のスパッタ条件でこれらのターゲットＴ１〜Ｔ３を順
次切替えることにより、基材Ｓ上の混合層の金属Ｘの含
有率を段階的に変える。

（１）、（２）に釦いて、金属Ｘのターゲットの上面
の表面積（実効表面積）をＳＴとし、金の上面の表面積
（実効表面積）をｓＡとし、印加電圧をＥとすると、い
ずれの場合もＥ／（ＳＡ／ＳＴ）はスパッタ工程中減少
することとなる。

すなわち、（１）の場合はＳＡ／ＳＴが一定でＥが時間
の経過とともに減少し、（２）の場合はＥが一定でＳＡ
／ＳＴか時間の経過とともに増加（段階的増加）するか
らである。

以上のように、この発明によれば、急激な特性変化がな
く、小電流から大電流１での開閉が可能な接点をきわめ
て簡単に得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明による接点の構成説明図、第２図計よ
び第３図はその製造方法の説明図である。１・・・・・・基材、２・・・・・・混合層、Ｔ、Ｔ１
〜Ｔ３・・・・・・ターゲット、Ｓ・・・・・・基材。

【特許請求の範囲】