JPS5831625A - 光ヘテロダイン通信用光源 - Google Patents
光ヘテロダイン通信用光源Info
- Publication number
- JPS5831625A JPS5831625A JP56129543A JP12954381A JPS5831625A JP S5831625 A JPS5831625 A JP S5831625A JP 56129543 A JP56129543 A JP 56129543A JP 12954381 A JP12954381 A JP 12954381A JP S5831625 A JPS5831625 A JP S5831625A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lasers
- light source
- semiconductor lasers
- orthogonal
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光ヘテロゲイン通信における光源装置に関する
ものである 発振波長を異にする信号用レーザー先縁と参照用レーザ
ー先縁の光を重ねて伝送を行なう光ヘテロダイン通信法
は検知できる信号レベルの限界値が低く、すぐれた通信
法であるとされ、在来二個の半導体レーザーの温度を極
めて厳密に制御してそれぞれをわずかに異なる波長で・
発振せしめ一方を信号光源、他方を参照光源として合波
伝送を行なうことにより実現の試みがなされていた。こ
の在来の試みにおいては発振波長あ差は周波数差に換算
して１ＧＨｚ程度であるが、発振波長はそれ以上に変動
し実用化の見通しを得るに致っていない。
ものである 発振波長を異にする信号用レーザー先縁と参照用レーザ
ー先縁の光を重ねて伝送を行なう光ヘテロダイン通信法
は検知できる信号レベルの限界値が低く、すぐれた通信
法であるとされ、在来二個の半導体レーザーの温度を極
めて厳密に制御してそれぞれをわずかに異なる波長で・
発振せしめ一方を信号光源、他方を参照光源として合波
伝送を行なうことにより実現の試みがなされていた。こ
の在来の試みにおいては発振波長あ差は周波数差に換算
して１ＧＨｚ程度であるが、発振波長はそれ以上に変動
し実用化の見通しを得るに致っていない。
本発明は７個あるいはそれ以上の個数の半導体レーザー
を相互に干渉しないという条件のもとて共通の共振器で
発振せしめることにより発振波長の絶対値は仮に変化し
たとしても、発振波長差を安定化するもので、本発明に
より光へテロダイン通信の実用化が可能となるものであ
る。
を相互に干渉しないという条件のもとて共通の共振器で
発振せしめることにより発振波長の絶対値は仮に変化し
たとしても、発振波長差を安定化するもので、本発明に
より光へテロダイン通信の実用化が可能となるものであ
る。
以下本発明の説明を図面によって行なう。
第１図は本発明の実施例である。第１図において、□半
導体レーザー１の反射防止層を有する端面より出た光は
コリメーター３で平行光線となり、回折格子４と１回折
格子４の刻線方向と法線方向が一致するごとく直交せし
められた反射面５からなる直交回折反射面に入射し回折
１反射され□た分散光はコリメーターにより半導体レー
ザー１に帰還される。つま゛す、直交回折反射面４．５
を分散素子としてコリメーター３によね構成されたりド
ロー配置分光器の焦点面ｘ−ｙ面におかれた半導体レー
ザーには特定の波長の光が帰還され、発振波長の固定が
行なわれる仁とになる。今、半導体レーザーの光が〒折
格子４に対しインプレイン角α。
導体レーザー１の反射防止層を有する端面より出た光は
コリメーター３で平行光線となり、回折格子４と１回折
格子４の刻線方向と法線方向が一致するごとく直交せし
められた反射面５からなる直交回折反射面に入射し回折
１反射され□た分散光はコリメーターにより半導体レー
ザー１に帰還される。つま゛す、直交回折反射面４．５
を分散素子としてコリメーター３によね構成されたりド
ロー配置分光器の焦点面ｘ−ｙ面におかれた半導体レー
ザーには特定の波長の光が帰還され、発振波長の固定が
行なわれる仁とになる。今、半導体レーザーの光が〒折
格子４に対しインプレイン角α。
オフプレイン角φで入射したとすると波長λ＝２ｄｅｏ
ｓφ−ｉｎα の光が光源点に帰還され光源点の半導体レーザーの発振
波長はλに固定される。インプレイン角αは焦点面にお
ける分散方向すなわちＸ座標で決〜オフプレイン角、φ
はＸ軸と直交したｙ座標で決る。
ｓφ−ｉｎα の光が光源点に帰還され光源点の半導体レーザーの発振
波長はλに固定される。インプレイン角αは焦点面にお
ける分散方向すなわちＸ座標で決〜オフプレイン角、φ
はＸ軸と直交したｙ座標で決る。
つまり本実施例においては帰還光の波長はＸ座標とｙ座
標という二つのパラメーターで決へ、その結果ｘ−ｙ面
において等波長線が存在する。第２図は等波長線（２０
，２１）を模式的に示す、半導体レーザーを等波長線に
沿って移動させても発振波長は変化しない。従って半導
体レーザー１を等波長線２０上に配置し、他の半導体レ
ーザー２を同し等波長１ｉａ２０上に配置すれば１両レ
ーザーの距離間隔は有限であっても１発振波長の差は無
限小となる。配置を変化すれば発振波長の差を任意に変
化させることができる。二つの半導体レーザーを分散方
向すなわちＸ軸と平行に並べて配置すれば相互干渉がお
こるが、仁の方向をさければ相互干渉はおζらない。以
上は二個の半導体レーザーの場 １合であるが、個数は
二個とは限らず、有限の距離間隔を有する複数個の半導
体レーザーの配列方向をＸ軸に対して適当に傾ける仁と
により発振波長差を無限小を含めて任意の値とするｔと
ができる。
標という二つのパラメーターで決へ、その結果ｘ−ｙ面
において等波長線が存在する。第２図は等波長線（２０
，２１）を模式的に示す、半導体レーザーを等波長線に
沿って移動させても発振波長は変化しない。従って半導
体レーザー１を等波長線２０上に配置し、他の半導体レ
ーザー２を同し等波長１ｉａ２０上に配置すれば１両レ
ーザーの距離間隔は有限であっても１発振波長の差は無
限小となる。配置を変化すれば発振波長の差を任意に変
化させることができる。二つの半導体レーザーを分散方
向すなわちＸ軸と平行に並べて配置すれば相互干渉がお
こるが、仁の方向をさければ相互干渉はおζらない。以
上は二個の半導体レーザーの場 １合であるが、個数は
二個とは限らず、有限の距離間隔を有する複数個の半導
体レーザーの配列方向をＸ軸に対して適当に傾ける仁と
により発振波長差を無限小を含めて任意の値とするｔと
ができる。
、また半導体レーザー間の相互位置が変化しない限ね発
振波長差は変化しない。以上のごとき手法により発振波
長が固定された半導体レーザー１．２のうち一方を信号
用光源、他方を参照用光源として第３図に示すごとく両
光源の光を合波器８で合波して光ファイバー９で伝送し
、検知１１１０においてヘテロダイン検波を行なえば光
ヘテロダイン通信が行なわれることとなる。
振波長差は変化しない。以上のごとき手法により発振波
長が固定された半導体レーザー１．２のうち一方を信号
用光源、他方を参照用光源として第３図に示すごとく両
光源の光を合波器８で合波して光ファイバー９で伝送し
、検知１１１０においてヘテロダイン検波を行なえば光
ヘテロダイン通信が行なわれることとなる。
第１図は本発明の実施例（ａ）は側面図、（ｂ）ｌ虚平
面図□、第２図は等ｉ長線の説明図、第３図Ｉｔ光ヘテ
ロゲイン通信系の説、明図である。 １１２・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー
３ ・・・・・・・・・・・・ コ リ メ
− タ −４・・・・・・・・・・・・・・・回折格
子５・・・・・・・・・・・・・・・反射面７・・・・
・・・・・・・・・・他の半導体レーザー８・・・・・
・・・・・・合波器 ９・・・・・・・・・・・・・・光ファイバー１０・・
・・・・・・・・・・・・・検波（知）器′Ｉｈｌ咽 妬ｚ１ワ 拓３図
面図□、第２図は等ｉ長線の説明図、第３図Ｉｔ光ヘテ
ロゲイン通信系の説、明図である。 １１２・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー
３ ・・・・・・・・・・・・ コ リ メ
− タ −４・・・・・・・・・・・・・・・回折格
子５・・・・・・・・・・・・・・・反射面７・・・・
・・・・・・・・・・他の半導体レーザー８・・・・・
・・・・・・合波器 ９・・・・・・・・・・・・・・光ファイバー１０・・
・・・・・・・・・・・・・検波（知）器′Ｉｈｌ咽 妬ｚ１ワ 拓３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 回折格子と反射面を該回折格子の刻線方向と該反射面の
法線方向が一致するごとく直交せしめて直交回折反射面
を構成し該直交回折反射面を分散素子としてリトロ−配
置分光器を構成し、構成されたリトロ−配置分光器の焦
点面に、端面に反射防止層を有する複数個の半導体レー
ザーを配置し隨 それぞれの半導体レーザーの発振−長をそれぞれ異なっ
た値に固定し、該複数個の半導体レーザーのうち一部の
半導体レーザーを参照光源、他の半導体レーザーを信号
光源として合成、伝送を行なうことを特徴とする光ヘテ
ロゲイン通信用光源装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56129543A JPS5831625A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 光ヘテロダイン通信用光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56129543A JPS5831625A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 光ヘテロダイン通信用光源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5831625A true JPS5831625A (ja) | 1983-02-24 |
Family
ID=15012111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56129543A Pending JPS5831625A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 光ヘテロダイン通信用光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5831625A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0392172A2 (de) * | 1989-03-04 | 1990-10-17 | Firma Carl Zeiss | Laser-Radar-System |
-
1981
- 1981-08-19 JP JP56129543A patent/JPS5831625A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0392172A2 (de) * | 1989-03-04 | 1990-10-17 | Firma Carl Zeiss | Laser-Radar-System |
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