JPH0582882A - 光波長制御装置及び波長制御型レーザ光発生装置 - Google Patents
光波長制御装置及び波長制御型レーザ光発生装置Info
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- JPH0582882A JPH0582882A JP27053391A JP27053391A JPH0582882A JP H0582882 A JPH0582882 A JP H0582882A JP 27053391 A JP27053391 A JP 27053391A JP 27053391 A JP27053391 A JP 27053391A JP H0582882 A JPH0582882 A JP H0582882A
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- Japan
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- light
- reflecting mirror
- control device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低価格の比較的低性能のエタロンを反射鏡と
併用することにより、高価で高性能のエタロンと同等か
それ以上の波長制御能を発揮できるようにした光波長制
御装置を提供することを目的とするものである。 【構成】 入射光３に対してエタロン１を上流側に、反
射鏡２を下流側にして配置し、かつ反射鏡２をエタロン
１に対して傾斜させ、第１の透過点Ａでエタロン１を通
過した光線を反射鏡により再び異なる入射角度で同一エ
タロン１に入射して第２の透過点Ｂにて透過するように
した構成となっている。
併用することにより、高価で高性能のエタロンと同等か
それ以上の波長制御能を発揮できるようにした光波長制
御装置を提供することを目的とするものである。 【構成】 入射光３に対してエタロン１を上流側に、反
射鏡２を下流側にして配置し、かつ反射鏡２をエタロン
１に対して傾斜させ、第１の透過点Ａでエタロン１を通
過した光線を反射鏡により再び異なる入射角度で同一エ
タロン１に入射して第２の透過点Ｂにて透過するように
した構成となっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エタロンを使用してレ
ーザ光等の光の波長を制御する光波長制御装置及び波長
制御型レーザ光発生装置に関するものである。
ーザ光等の光の波長を制御する光波長制御装置及び波長
制御型レーザ光発生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】エタロンは２鏡面間での光の干渉を利用
して光の波長を制御する透過光学素子である。エタロン
の基本パラメータとしてはフリースペクトルレンジ（以
下ＦＳＲと略す）、フィネス（以下Ｆと略す）があり、
ＦＳＲはエタロンの向き合う２鏡面間間隔でＦは反射面
の反射率とその面の平面度により、主に規定される量で
下記の式により概算される。 ＦＳＲ＝λ2 ／（２×Ｎ×Ｌ×ＣＯＳθ）、 Ｆ＝（１／ＦR 2 ＋１／ＦM 2 ）-1/2 λ：使用する光の波長、Ｎ：面間の物質の屈折率、Ｌ：
エタロンの向き合う２鏡面間間隔、θ：エタロンへの光
の入射角、ＦR ：反射率フィネス（ＦR ＝π（Ｒ）1/2
／（１−Ｒ）、Ｒ：反射率）ＦM ：平面度フィネス（Ｆ
M ＝Ｍ／２、Ｍ：λ／Ｍで示される平面度）例えば、２
鏡面間間隔５００μｍ、反射率０．８、平面度λ／５０
のエタロンを製作するとＦＳＲ＝１０cm-1（１９３ｎｍ
においては３７ｐｍ）、Ｆ＝１２の特性を有するエタロ
ンが得られる（単純化のためθ＝０°として計算）。従
って高性能のエタロン動作を得るには、Ｌを小さくＲを
大きくＭを大きくした高性能エタロンを製作するか、複
数のエタロンを組合わせて使用する方法がある。
して光の波長を制御する透過光学素子である。エタロン
の基本パラメータとしてはフリースペクトルレンジ（以
下ＦＳＲと略す）、フィネス（以下Ｆと略す）があり、
ＦＳＲはエタロンの向き合う２鏡面間間隔でＦは反射面
の反射率とその面の平面度により、主に規定される量で
下記の式により概算される。 ＦＳＲ＝λ2 ／（２×Ｎ×Ｌ×ＣＯＳθ）、 Ｆ＝（１／ＦR 2 ＋１／ＦM 2 ）-1/2 λ：使用する光の波長、Ｎ：面間の物質の屈折率、Ｌ：
エタロンの向き合う２鏡面間間隔、θ：エタロンへの光
の入射角、ＦR ：反射率フィネス（ＦR ＝π（Ｒ）1/2
／（１−Ｒ）、Ｒ：反射率）ＦM ：平面度フィネス（Ｆ
M ＝Ｍ／２、Ｍ：λ／Ｍで示される平面度）例えば、２
鏡面間間隔５００μｍ、反射率０．８、平面度λ／５０
のエタロンを製作するとＦＳＲ＝１０cm-1（１９３ｎｍ
においては３７ｐｍ）、Ｆ＝１２の特性を有するエタロ
ンが得られる（単純化のためθ＝０°として計算）。従
って高性能のエタロン動作を得るには、Ｌを小さくＲを
大きくＭを大きくした高性能エタロンを製作するか、複
数のエタロンを組合わせて使用する方法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術中、単体の
高性能エタロン製作の場合は、より狭い面間隔をより高
精度に加工することで達成されるが、現実には加工限界
が存在し達成性能にも限界がある。特に短波長領域にな
ると同程度の加工精度で製作してもλ／Ｍで示される平
面度が小さくなり相対的な加工精度は低下し、単体の高
性能エタロンの製作は困難となる。後者の複数のエタロ
ンの組合わせは確かに有効であるが、複数のエタロン間
の特性を目的の波長が得られるようにうまく設定し製作
しなければならず、加工限界に近い領域ではその調整が
困難である。またそのようなエタロンは非常に高価であ
りそれを複数個使用することは経済的にも不利である。
高性能エタロン製作の場合は、より狭い面間隔をより高
精度に加工することで達成されるが、現実には加工限界
が存在し達成性能にも限界がある。特に短波長領域にな
ると同程度の加工精度で製作してもλ／Ｍで示される平
面度が小さくなり相対的な加工精度は低下し、単体の高
性能エタロンの製作は困難となる。後者の複数のエタロ
ンの組合わせは確かに有効であるが、複数のエタロン間
の特性を目的の波長が得られるようにうまく設定し製作
しなければならず、加工限界に近い領域ではその調整が
困難である。またそのようなエタロンは非常に高価であ
りそれを複数個使用することは経済的にも不利である。
【０００４】本発明は上記のことにかんがみなされたも
ので、低価格の比較的低性能のエタロンを反射鏡と併用
することにより、高価で高性能のエタロンと同等かそれ
以上の波長制御能を発揮できるようにした光波長制御装
置及び波長制御型レーザ光発生装置を提供することを目
的とするものである。
ので、低価格の比較的低性能のエタロンを反射鏡と併用
することにより、高価で高性能のエタロンと同等かそれ
以上の波長制御能を発揮できるようにした光波長制御装
置及び波長制御型レーザ光発生装置を提供することを目
的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る光波長制御装置は、入射光３に対して
エタロン１を上流側に、反射鏡２を下流側にして配置
し、かつ反射鏡２をエタロン１に対して傾斜させ、第１
の透過点Ａでエタロン１を透過した光線を反射鏡により
再び異なる入射角度で同一エタロン１に入射して第２の
透過点Ｂにて透過するようにした構成となっている。ま
た、上記構成において、第２の透過点Ｂの下流側に、こ
の透過光と直角にして第２の反射鏡４を配置した構成と
なっている。また上記構成において、第２の透過点Ｂの
下流側に、この透過がエタロンをジグザグ状に透過する
ようにして、エタロン１の両側に反射鏡を配置した構成
となっている。また上記第２の反射鏡４の替りに回析格
子を配置する。さらに本発明に係る波長制御型レーザ光
発生装置は、入射光３に対してエタロン１を上流側に、
反射鏡２を下流側にして配置し、かつ反射鏡２をエタロ
ン１に対して傾斜させ、さらに反射鏡２で反射してエタ
ロン１を透過した反射透過光に対して直角にして第２の
反射鏡４、あるいは反射透過光を反射する回析格子７を
配置し、上記入射光３の光路上にレーザ発振器５を、こ
れのリヤ側をエタロン１に対向させて配置した構成とな
っている。
に、本発明に係る光波長制御装置は、入射光３に対して
エタロン１を上流側に、反射鏡２を下流側にして配置
し、かつ反射鏡２をエタロン１に対して傾斜させ、第１
の透過点Ａでエタロン１を透過した光線を反射鏡により
再び異なる入射角度で同一エタロン１に入射して第２の
透過点Ｂにて透過するようにした構成となっている。ま
た、上記構成において、第２の透過点Ｂの下流側に、こ
の透過光と直角にして第２の反射鏡４を配置した構成と
なっている。また上記構成において、第２の透過点Ｂの
下流側に、この透過がエタロンをジグザグ状に透過する
ようにして、エタロン１の両側に反射鏡を配置した構成
となっている。また上記第２の反射鏡４の替りに回析格
子を配置する。さらに本発明に係る波長制御型レーザ光
発生装置は、入射光３に対してエタロン１を上流側に、
反射鏡２を下流側にして配置し、かつ反射鏡２をエタロ
ン１に対して傾斜させ、さらに反射鏡２で反射してエタ
ロン１を透過した反射透過光に対して直角にして第２の
反射鏡４、あるいは反射透過光を反射する回析格子７を
配置し、上記入射光３の光路上にレーザ発振器５を、こ
れのリヤ側をエタロン１に対向させて配置した構成とな
っている。
【０００６】
【作 用】入射光３はエタロン１を第１の透過点Ａで
透過した後、反射鏡２に反射し、再びエタロン１を透過
する。このとき、反射鏡２で反射した光は上記入射光３
と異なる入射角度で入射し、第１の透過点Ａと異なる位
置の第２の透過点Ｂを透過する。そして上記第２の透過
点Ｂに対向する位置に、これと直角にして第２の反射鏡
４、あるいは回析格子７がある構成では、第２の透過点
Ｂを透過した光はこの第２の反射鏡４に反射して往路と
同一光路を通過して戻される。またエタロン１の両側に
反射鏡を配置したものにあっては、透過光はエタロンを
ジグザグに透過してより一層狭帯域化される。また上記
作用を行なう光波長制御装置のエタロンにレーザ発振器
５のリヤ側を対向させたことにより、レーザ発振器より
のレーザ光が狹帯域化される。
透過した後、反射鏡２に反射し、再びエタロン１を透過
する。このとき、反射鏡２で反射した光は上記入射光３
と異なる入射角度で入射し、第１の透過点Ａと異なる位
置の第２の透過点Ｂを透過する。そして上記第２の透過
点Ｂに対向する位置に、これと直角にして第２の反射鏡
４、あるいは回析格子７がある構成では、第２の透過点
Ｂを透過した光はこの第２の反射鏡４に反射して往路と
同一光路を通過して戻される。またエタロン１の両側に
反射鏡を配置したものにあっては、透過光はエタロンを
ジグザグに透過してより一層狭帯域化される。また上記
作用を行なう光波長制御装置のエタロンにレーザ発振器
５のリヤ側を対向させたことにより、レーザ発振器より
のレーザ光が狹帯域化される。
【０００７】
【実 施 例】本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。図１は本発明の第１の実施例を示すもので、図中１
はエタロン、２は反射鏡であり、入射光３に対してエタ
ロン１が上流側に、反射鏡２が下流側に配置してあり、
かつ反射鏡２はエタロン１に対して傾斜している。
る。図１は本発明の第１の実施例を示すもので、図中１
はエタロン、２は反射鏡であり、入射光３に対してエタ
ロン１が上流側に、反射鏡２が下流側に配置してあり、
かつ反射鏡２はエタロン１に対して傾斜している。
【０００８】上記構成において、入射光３はエタロン１
に第１の透過点Ａより入射されてこれを透過し、その後
反射鏡２に反射されて再び同一のエタロンに後側から入
射し、第２の透過点Ｂより出射する。このとき、第１、
第２の透過点Ａ，Ｂはエタロン１に対して反射鏡２が傾
斜していることによりずれる。ここにおいて、エタロン
１の第１の透過点Ａより光が入射すると、その透過光は
図９中の実線で示すスペクトル特性を有する。そしてそ
の透過光が反射鏡２により再び同一のエタロン１へ異な
る入射角度で入射されてこれを透過する光は図９中点線
で示すスペクトル特性を示す。このため、エタロン１の
第２の透過点Ｂを出射する光は図１０に示されるスペク
トル特性、すなわち、図９の実線と点線が重なり合った
領域のスペクトル特性となり、元のエタロン１よりも高
性能のエタロン特性を発揮されたことになる。これは、
同一のエタロンを入射角のみ異ならせて使用することに
よって生じる効果である。
に第１の透過点Ａより入射されてこれを透過し、その後
反射鏡２に反射されて再び同一のエタロンに後側から入
射し、第２の透過点Ｂより出射する。このとき、第１、
第２の透過点Ａ，Ｂはエタロン１に対して反射鏡２が傾
斜していることによりずれる。ここにおいて、エタロン
１の第１の透過点Ａより光が入射すると、その透過光は
図９中の実線で示すスペクトル特性を有する。そしてそ
の透過光が反射鏡２により再び同一のエタロン１へ異な
る入射角度で入射されてこれを透過する光は図９中点線
で示すスペクトル特性を示す。このため、エタロン１の
第２の透過点Ｂを出射する光は図１０に示されるスペク
トル特性、すなわち、図９の実線と点線が重なり合った
領域のスペクトル特性となり、元のエタロン１よりも高
性能のエタロン特性を発揮されたことになる。これは、
同一のエタロンを入射角のみ異ならせて使用することに
よって生じる効果である。
【０００９】上記作用における実際の様子を具体的に示
すと以下のようになる。エタロン１の透過波長はｍλ＝
２・Ｎ・Ｌ・ｃｏｓθで規定される。そして図１におい
て、第１の透過点Ａでの入射角度をθ1 ＝０°、Ｎ＝
１．０００３２４、Ｌ＝１００μｍ、ｍ＝１０３６次
（１９３ｎｍ付近の波長に対して考える）と設定する
と、λ＝１９３．１１３ｎｍとなる。そして反射率０．
８、平面度λ／５０のエタロンとすれば、ＦＳＲ＝５０
cm-1（１８６ｐｍ）、Ｆ＝１２より、スペクトルの半値
幅は４．２cm-1（１５．５ｐｍ）の光が透過する。次に
反射鏡２で反射した反射光は入射角θ＝１°で第２の透
過点Ｂに再入射し、上記と同様の計算により透過波長の
算出を行なうと、ｍ＝１０３６次の光はλ＝１９３．０
８３ｎｍにピーク波長を有し、この両者を透過してくる
光はλ＝１９２．０９８ｎｍにピーク波長をもち、Ａ，
Ｂの２点の透過特性を掛けあわせたスペクトルで、元の
スペクトルより狹い半値幅を持つ光となる。元のスペク
トルを二等辺三角形（半値幅を１５．５ｐｍ）とする
と、第２の透過点Ｂからの透過光は半値幅１２ｐｍ以下
のスペクトルとなり、Ｆ＝１５．５以上のエタロンを使
用した場合と同等となる。
すと以下のようになる。エタロン１の透過波長はｍλ＝
２・Ｎ・Ｌ・ｃｏｓθで規定される。そして図１におい
て、第１の透過点Ａでの入射角度をθ1 ＝０°、Ｎ＝
１．０００３２４、Ｌ＝１００μｍ、ｍ＝１０３６次
（１９３ｎｍ付近の波長に対して考える）と設定する
と、λ＝１９３．１１３ｎｍとなる。そして反射率０．
８、平面度λ／５０のエタロンとすれば、ＦＳＲ＝５０
cm-1（１８６ｐｍ）、Ｆ＝１２より、スペクトルの半値
幅は４．２cm-1（１５．５ｐｍ）の光が透過する。次に
反射鏡２で反射した反射光は入射角θ＝１°で第２の透
過点Ｂに再入射し、上記と同様の計算により透過波長の
算出を行なうと、ｍ＝１０３６次の光はλ＝１９３．０
８３ｎｍにピーク波長を有し、この両者を透過してくる
光はλ＝１９２．０９８ｎｍにピーク波長をもち、Ａ，
Ｂの２点の透過特性を掛けあわせたスペクトルで、元の
スペクトルより狹い半値幅を持つ光となる。元のスペク
トルを二等辺三角形（半値幅を１５．５ｐｍ）とする
と、第２の透過点Ｂからの透過光は半値幅１２ｐｍ以下
のスペクトルとなり、Ｆ＝１５．５以上のエタロンを使
用した場合と同等となる。
【００１０】図２は本発明の第２の実施例を示すもの
で、第１の実施例における第２の透過点Ｂの下流側に、
この透過光と直角にして第２の反射鏡４を配置する。こ
れにより、第２の透過点Ｂからの透過光がこの第２の反
射鏡４に反射して往路と同一光路を透過して戻り、狹帯
域化能がさらに強化される。
で、第１の実施例における第２の透過点Ｂの下流側に、
この透過光と直角にして第２の反射鏡４を配置する。こ
れにより、第２の透過点Ｂからの透過光がこの第２の反
射鏡４に反射して往路と同一光路を透過して戻り、狹帯
域化能がさらに強化される。
【００１１】図３から図６は第３の実施例（マルチパス
型）を示すもので、図３に示すものは、エタロン１の透
過点Ｂの下流側に、この透過光に対して傾斜して第２の
反射鏡４を配置してこの反射鏡４に反射した光がエタロ
ン１を再び透過するようになっている。図５に示すもの
はエタロン１の両側に複数個の反射鏡４ａ，４ｂ，…を
配置して上記第２の反射鏡４に反射してエタロン１を透
過した光をジグザグ状にエタロン１を透過するようにな
っている。図４と図６は図３、図５に示すそれぞれの実
施例における透過光の最下流側に、この透過と直角状に
して他の反射鏡４’を設け、この反射鏡４’によりエタ
ロン１を透過してきた透過光を往路と同一光路で戻すよ
うになっている。
型）を示すもので、図３に示すものは、エタロン１の透
過点Ｂの下流側に、この透過光に対して傾斜して第２の
反射鏡４を配置してこの反射鏡４に反射した光がエタロ
ン１を再び透過するようになっている。図５に示すもの
はエタロン１の両側に複数個の反射鏡４ａ，４ｂ，…を
配置して上記第２の反射鏡４に反射してエタロン１を透
過した光をジグザグ状にエタロン１を透過するようにな
っている。図４と図６は図３、図５に示すそれぞれの実
施例における透過光の最下流側に、この透過と直角状に
して他の反射鏡４’を設け、この反射鏡４’によりエタ
ロン１を透過してきた透過光を往路と同一光路で戻すよ
うになっている。
【００１２】図７は上記第２の実施例の構成をレーザ光
発生装置に応用した例を示すもので、レーザ発振器５の
リヤ側をエタロン１の第１の透過点Ａに対向させてい
る。この構成により、レーザ発振器５にて発振されたレ
ーザ光がそのリヤ側でエタロン１、第１・第２の反射鏡
２，４よりなる光路を往復してその波長が制御されて発
振され、狹帯域発振が可能な波長制御型レーザ光発振装
置が得られる。なお６はフロントミラーである。
発生装置に応用した例を示すもので、レーザ発振器５の
リヤ側をエタロン１の第１の透過点Ａに対向させてい
る。この構成により、レーザ発振器５にて発振されたレ
ーザ光がそのリヤ側でエタロン１、第１・第２の反射鏡
２，４よりなる光路を往復してその波長が制御されて発
振され、狹帯域発振が可能な波長制御型レーザ光発振装
置が得られる。なお６はフロントミラーである。
【００１３】図８は上記波長制御型レーザ光発振装置に
おいて、第２の反射鏡４の替りに回析格子７を第２の透
過点Ｂの下流側に配置した例を示すものである。これに
より、波長選択能がさらに向上される。
おいて、第２の反射鏡４の替りに回析格子７を第２の透
過点Ｂの下流側に配置した例を示すものである。これに
より、波長選択能がさらに向上される。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、低価格の比較的低性能
のエタロンを反射鏡と併用することにより高価な高性能
エタロンと同等かそれ以上の波長制御能を発揮させるこ
とが出来る。従って、本発明の狹帯域発振エキシマレー
ザを微細加工用光源として用いた場合、焦点位置を高精
度に固定でき、焦点付近でのエネルギ密度を高く出来る
為、微細で高度な加工が可能になる。
のエタロンを反射鏡と併用することにより高価な高性能
エタロンと同等かそれ以上の波長制御能を発揮させるこ
とが出来る。従って、本発明の狹帯域発振エキシマレー
ザを微細加工用光源として用いた場合、焦点位置を高精
度に固定でき、焦点付近でのエネルギ密度を高く出来る
為、微細で高度な加工が可能になる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す構成説明図であ
る。
る。
【図２】本発明の第２の実施例を示す構成説明図であ
る。
る。
【図３】本発明の第３の実施例の１番目のものを示す構
成説明図である。
成説明図である。
【図４】本発明の第３の実施例の２番目のものを示す構
成説明図である。
成説明図である。
【図５】本発明の第３の実施例の３番目のものを示す構
成説明図である。
成説明図である。
【図６】本発明の第３の実施例の４番目のものを示す構
成説明図である。
成説明図である。
【図７】波長制御装置とレーザ発振器とを組合わせた波
長制御型レーザの一例を示す構成説明図である。
長制御型レーザの一例を示す構成説明図である。
【図８】波長制御装置とレーザ発振器とを組合わせた波
長制御型レーザ光発生装置の他例を示す構成説明図であ
る。
長制御型レーザ光発生装置の他例を示す構成説明図であ
る。
【図９】図１に示す実施例における透過点Ａ，Ｂでのエ
タロン透過特性を示す線図である。
タロン透過特性を示す線図である。
【図１０】図１に示す実施例における透過点Ｂからの透
過スペクトル特性を示す線図である。
過スペクトル特性を示す線図である。
１…エタロン、２，４，４’，４ａ，４ｂ，４ｃ…反射
鏡、３…入射鏡、５…レーザ発振器、６…フロントミラ
ー、７…回析格子、Ａ，Ｂ…透過点。
鏡、３…入射鏡、５…レーザ発振器、６…フロントミラ
ー、７…回析格子、Ａ，Ｂ…透過点。
Claims (8)
- 【請求項１】 入射光３に対してエタロン１を上流側
に、反射鏡２を下流側にして配置し、かつ反射鏡２をエ
タロン１に対して傾斜させ、第１の透過点Ａでエタロン
１を透過した光線を反射鏡により再び異なる入射角度で
同一エタロン１に入射して第２の透過点Ｂにて透過する
ようにしたことを特徴とする光波長制御装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の光波長制御装置におい
て、エタロン１の第２の透過点Ｂの下流側に、この透過
光と直角にして第２の反射鏡４を配置したことを特徴と
する光波長制御装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の光波長制御装置におい
て、エタロン１の第２の透過点Ｂの下流側に、この透過
光に対して傾斜して第２の反射鏡を配置してこの第２の
反射鏡の反射光が再びエタロン１を透過するようにした
ことを特徴とする光波長制御装置。 - 【請求項４】 請求項３記載の光波長制御装置におい
て、第２の反射鏡よりの反射光の径路内に、この反射光
がエタロン１をジグザグ状に透過するための複数個の反
射鏡をエタロン１の両側に配置したことを特徴とする光
波長制御装置。 - 【請求項５】 請求項３記載の光波長制御装置におい
て、第２の反射鏡４よりの反射光と直角にしてエタロン
１を透過した光を反射する第３の反射鏡を配置したこと
を特徴とする光波長制御装置。 - 【請求項６】 請求項５記載の光波長制御装置におい
て、第２の反射鏡４よりの反射光を反射してエタロン１
をジグザグ状に透過させる複数個の反射鏡を配置すると
共に、最下流の反射鏡を透過光と直角に配置したことを
特徴とする光波長制御装置。 - 【請求項７】 請求項１から６記載の光波長制御装置に
おいて、エタロン１の透過点の下流側に回析格子７を配
置したことを特徴とする光波長制御装置。 - 【請求項８】 入射光３に対してエタロン１を上流側
に、反射鏡２を下流側にして配置し、かつ反射鏡２をエ
タロン１に対して傾斜させ、さらに反射鏡２で反射して
エタロン１を透過した反射透過光に対して直角にして第
２の反射鏡４、あるいは反射透過光を反射する回析格子
７を配置し、上記入射光３の光路上にレーザ発振器５
を、これのリヤ側をエタロン１に対向させて配置したこ
とを特徴とする波長制御型レーザ光発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27053391A JPH0582882A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 光波長制御装置及び波長制御型レーザ光発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27053391A JPH0582882A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 光波長制御装置及び波長制御型レーザ光発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582882A true JPH0582882A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17487541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27053391A Pending JPH0582882A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 光波長制御装置及び波長制御型レーザ光発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582882A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02105565A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| WO2012131812A1 (ja) * | 2011-03-31 | 2012-10-04 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | 分光器 |
| JP2014035307A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-02-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置、及び欠陥検査方法 |
| WO2024095424A1 (ja) * | 2022-11-02 | 2024-05-10 | 三菱電機株式会社 | 波長ロッカー及び波長ロッカー内蔵型波長可変光源 |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP27053391A patent/JPH0582882A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02105565A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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| WO2024095424A1 (ja) * | 2022-11-02 | 2024-05-10 | 三菱電機株式会社 | 波長ロッカー及び波長ロッカー内蔵型波長可変光源 |
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