JPS5829496B2 - エキシヨウソシ - Google Patents

エキシヨウソシ

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JPS5829496B2
JPS5829496B2 JP50122898A JP12289875A JPS5829496B2 JP S5829496 B2 JPS5829496 B2 JP S5829496B2 JP 50122898 A JP50122898 A JP 50122898A JP 12289875 A JP12289875 A JP 12289875A JP S5829496 B2 JPS5829496 B2 JP S5829496B2
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JP
Japan
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liquid crystal
substrate
orientation
complex compound
chromium
Prior art date
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Expired
Application number
JP50122898A
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English (en)
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JPS5247747A (en
Inventor
長雄 金子
正一 松本
清 水野谷
大介 中川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、表示装置、光変調装置などの各種光学装置に
有用な液晶素子に関し、詳しくは、充填された液晶を基
板の面に対し一定方向に配向させた液晶素子に関する。
一般に、光学装置用の液晶素子の動作原理は、平行に配
置された2枚の基板の間で形成される液晶層に、電場、
磁場、超音波、熱などの外部場を印加する際に生じる液
晶の光学的緒特性の変化に基づくものであり、この光学
的緒特性の変化は、外部場の無印加時の液晶の特定な配
向(初期配向)が外部場の印加で変形、ないしは乱され
ることにより生じる。
この事情を、現在実用化の段階に入りつつある外部場と
して電場を用いる光学装置、いわゆる電気光学装置にお
ける液晶素子について、更に具体的に以下に述べる。
液晶素子を用いる電気光学装置の主要な方式には、 D
S (Dynamic Scattering)方式、
DAP (Deformation of Verti
callyAligned Phases)方式、TN
(Twi s t edNematic)方式、PC
(Phase Change)方式などがあり、いずれ
の方式の液晶素子においても、電場の無印加時における
液晶の特定配向が原理的、ないしは性能的に必要となる
特にTN方式の液晶素子におい才は、ホモヂニアス(h
omogeneous)配向といわれるネマチック液晶
の分子長軸が基板の面に平行になるような配向つけが原
理上必要となる。
このような液晶のホモヂニアス配向方法として、今次に
いくつか発表されており、代表的なものとして、たとえ
ば、綿布や研摩剤などで基板面を研摩する方法、ある種
の界面活性剤や有機シラン化合物などで基板面を処理す
る方法などがあるが、いづれも何らかの欠点を有し、実
用的な液晶配向法とは言えない。
すなわち、研摩法では、基板面の比較的大きな而積にわ
たっての均一な配向づけを実現することは甚だ困難であ
るし、界面活性剤や有機シラン化合物などの処理では永
続性、耐久性や信頼性のある安定な配向づけは不可能で
ある。
本発明は、上記のような欠点を解消したもので、カルボ
キシル酸クロム錯化合物で処理した基板と、この基板の
前記処理面に接触させた液晶とで構成することによって
ガラス板、金属板、ガラス板上に酸化スズ、酸化インジ
ュウムなどを施したネサガラス板、アルミニウム、クロ
ム、金などを蒸着した金属蒸着ガラス板などどのような
基板面に対しても適用でき、且つ基板面の大きな面積に
わたって均一な配向づけが比較的簡単に実現でき、しか
も一旦実現された液晶の配向性は極めて安定で永続性耐
久性信頼性にすぐれた液晶素子を提供することを目的と
する。
以下本実施例について詳細に説明すると、第1図は本発
明に係わる液晶素子の断面構造を示すもので、少なくと
も1枚は透明である2枚の基板1゜2が平行に配置され
ており、基板1,2を所定間隔に保持するようにスペー
サー3が挿入され、外部周辺部は接着剤4で固定され、
一方の基板上に設けた注入孔5から液晶を充填し、この
液晶6に接触する基板面にカルボキシル酸クロム錯化合
物のカップリング処理により形成された配向賦与層7.
7が施されている。
この配向賦与層7によって、ネマチック液晶、スメクチ
ック液晶ではホモシニアス配向が得られ、lたコレステ
リンク液晶にはグランジェン(Grand jean
)配向が得られる。
本発明で言うカルボキシル酸クロム錯化合物は一般構造
式 %式%( OHあるいはN H2z n s n ’は1以上の整
数で、n’<2 n−4−1である。
)で、Xは陰イオンである。〕で示されるもので具体的
には例えば、グリコール酸、3−ヒドロキシプロピオン
酸、グルクロン酸、D−グルコン酸、D−マンノン酸、
D−−xラクトン酸、D−グルクロン酸、L−アラポン
酸、グリシン、β−アラニン、γ−アミノ酪酸、セリン
、L−トレオニン、オルニチン、リシン等のクロム錯化
合物が挙げられる。
勿論これらに限定されるものではなく、また必要に応じ
て2種以上を混合してもよい。
このカルボキシル酸クロム錯化合物を基板上にカップリ
ング処理を施すには、カルボキシル酸クロム錯化合物を
水や適当な有機溶剤によって0.01〜10重量%の溶
液とし、この溶液を処理液として浸漬法、スプレー法、
ブラッシング法、スピンナー法、引き上げ法、ロール法
などの公知の方法によって塗布し、乾燥することによっ
て、基板とカルボキシル酸クロム錯化合物とのカップリ
ングとこのカルボキシル酸クロム錯化合物の自己架橋が
達成され、極めて容易にかつ一様に配向賦与層7を形成
することができる。
尚、必要に応じて、上記処理液は酸性を中和するために
アンモニア、苛性ソーダ−、ヘキサメチレンテトラミン
、尿素などのアルカリ性物質を加えてpH調整をしても
その効果は変らない。
また塗布した処理液の乾燥は常温による自然乾燥のみで
あってもカップリング効果は充分に得られるが、必要に
応じて加熱乾燥すれば短時間に配向賦与層7を形成でき
る。
更にカルボキシル酸クロム錯化合物の基板処理効果を最
大とするには、カップリング処理基板を水や適当な有機
溶剤で洗滌することが望ましい。
しかしながら、基板処理工程上、あるいは液晶素子の構
造上、洗滌できない場合には、省略しても良い。
本発明に係る液晶は、特に限定されるものではなく、あ
らゆるものが使用できる。
たとえば、ネマチック液晶としては、 p−(N−(p’−メトキシベンジリデン)アミノ)−
n−ブチルベンゼン(以下MBBAと略記する) p−(N−(p’−エトキシベンジリデン)アミン)−
n−ブチルベンゼン p−(N−(p’−メトキシベンジリデン)アミノコフ
ェニルブチレート n−ブチル−p−(p’−エトキシフェノキンカルボニ
ル)フェニルカルホネート p−メトキシ−p′−n−ブチルアゾキシベンゼン p−エトキシ−p/ n−ブチルアゾキシベンゼン p−(N−(p’−メトキシベンジリデン)アミン〕ベ
ンゾニ) IJル(以下BBCAと略記する)p−CN
−(p’−へキシルベンジリデン)アミン〕ベンゾニト
リル p−n−へキシル−p′−シアノビフェニル、p−n−
へブチル−p′−シアノビフェニル、コレステリック液
晶としては、 コレステリルクロライド、 コレステリルノナノエート、 コレステリルオレート、 コレステリル−2−エチルヘキサノエート、コレステリ
ルベンゾエート、 コレステリルアセテート、 スメクチック液晶としては、 N−(p−シアノベンジリデン) p/ n−オク
チルアニリン、 エチル−p−アゾキシベンゾエート、 アンモニウムオレエート、 などが挙げられる。
また、上記液晶の混合物であっても良い。
次に本発明の具体的実施例について液晶素子を用いて説
明する。
実施例 1 この実施例で示す液晶素子はたて40mvt、よこ80
mrtt、厚さL5mvn基板を平行配置して両基板間
に液晶を封入したものである。
ここで用いた基板はその作用効果を比較するために、■
液晶と接触する面がガラスであるような単なるガラス板
、■電極板として作動させるために酸化錫の透明導電膜
を液晶と接触する面に施しであるネサガラス板、■金属
反射電極板として作動させるために液晶と接触する面に
アルミニウムを蒸着したアルミ蒸着ガラス板、■液晶と
接触する面を鏡面研磨したクロム金属板の4種類につい
てそれぞれの組合せも含めて実施した。
この基板はそれぞれD−グルコン酸クロム錯化合物溶液
に更に水を加え、10重量%、1重量%、0.1重量%
とした3種類の処理液に10分間浸漬塗布した。
浸漬塗布後、150°Cの雰囲気で1時間の加熱により
乾燥処理をして、該クロム錯化合物と基板とのカップリ
ング、並びに該クロム錯化合物の自己架橋を行ない、基
板とのカップリングを完全なものとした。
さらにこの基板を流水で洗滌し乾燥させた後、基板表面
を綿布(ガーゼ)で一定方向に2〜3回軽く摩擦研磨し
た。
得られた各基板はガラス板とガラス板、ネサガラス板と
ネサガラス板、ネサガラス板とアルミ蒸着ガラス板、ネ
サガラス板とクロム金属板の4種に組合わせ、摩擦研磨
方向を直交するように配置し、12μのマイラスペーサ
と更に基板を融着するために、封着用ナイロン接着シー
トを所定の位置に挾んで均一に加圧しながら140℃の
温度雰囲気で10分間加圧する事により融着し液晶素子
構造体を構成した。
その中にMBBA80重量%、BBCA20重量%の混
合液晶を注入して液晶素子を完成した。
この液晶素子の液晶の配向性はすぐれたTwi −8t
配向されていることが、偏光顕微鏡によって色調の一様
性の検査、並びに直交ニコル、並行ニコル間における明
視野、暗視野の検査から確認された。
この液晶素子でTN方式表示動作試験を行なった結果、
交流5V、50Hzで連続通電9000時間経果後にお
いても良好の表示特性を保っており、ライス)(Twi
st)配向は全くそこなわれず、永続性、耐久性、安定
性の優秀さを呈している。
実施例 2 L−トレオニン酸クロム錯化合物の各2.5゜1.0,
0.5重量%水溶液を用いて、実施例1と同様に液晶素
子構造体を構成した。
これにMBBA80重量%、BBCA20重量%からな
る混合液晶を注入した所、室温で6ケ月後においても安
定なツイスト構造を示していた。
なお比較例として、綿布で摩擦研磨した無処理基板より
構成した液晶素子構造体に上記混合液晶を注入した所均
−なツイスト配向が得られず、放置しておくとツイスト
配向の乱れが大きくなる傾向にあり、室温2ケ月後にお
いては、全面のほぼ50%以下の部分しかツイスト配向
しなかった。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による液晶素子の一実施例を示す一部切
欠断面図である。 1.2・・・・・・基板、3・・・・・・スペーサー
4・・・・・・接着前IJ、 5・・・・・・注入L
6・・・・・・液晶、7・・・・・・配向賦4層。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1一般構造式 %式%( はOH,NH2より選択され、n、n’ は1以上の整
    数でかつn’< 2 n + 1である)で示される置
    換アルキル基であり、Xは陰イオンである。 〕で示されるカルボキシル酸クロム錯化合物で処理した
    基板と、この基板の前記処理面に接触させた液晶とから
    なることを特徴とする液晶素子。
JP50122898A 1975-10-14 1975-10-14 エキシヨウソシ Expired JPS5829496B2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP50122898A JPS5829496B2 (ja) 1975-10-14 1975-10-14 エキシヨウソシ

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JP50122898A JPS5829496B2 (ja) 1975-10-14 1975-10-14 エキシヨウソシ

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JPS5247747A JPS5247747A (en) 1977-04-15
JPS5829496B2 true JPS5829496B2 (ja) 1983-06-23

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ID=14847339

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JP50122898A Expired JPS5829496B2 (ja) 1975-10-14 1975-10-14 エキシヨウソシ

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5551432A (en) * 1978-10-12 1980-04-15 Nisshin Kogyo Kk Blasting and removing method of solid adhered to inside wall of cylinder
NL8502177A (nl) * 1984-08-02 1986-03-03 Nippon Mining Co Werkwijze voor het verwijderen van aaneengekoekte, afgewerkte katalysator.

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JPS5247747A (en) 1977-04-15

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