JPS58293Y2 - 半導体熱処理炉芯管 - Google Patents
半導体熱処理炉芯管Info
- Publication number
- JPS58293Y2 JPS58293Y2 JP1976040313U JP4031376U JPS58293Y2 JP S58293 Y2 JPS58293 Y2 JP S58293Y2 JP 1976040313 U JP1976040313 U JP 1976040313U JP 4031376 U JP4031376 U JP 4031376U JP S58293 Y2 JPS58293 Y2 JP S58293Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core tube
- furnace core
- gas
- heat treatment
- gas introduction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、半導体素子製造に於ける半導体ウェハーの熱
処理炉芯管に関する。
処理炉芯管に関する。
半導体ウェハー（以下単にウエノ・−と呼ぶ）の熱処理
工程には、ウエノ・−表面より内部に不純物拡散を行な
う工程と、ウエノ・−表面に酸化膜をつける工程がある
が、いずれも炉芯管内にガスを送気し、送気されたガス
雰囲気にてウエノ・〒熱処理を行なうものである。
工程には、ウエノ・−表面より内部に不純物拡散を行な
う工程と、ウエノ・−表面に酸化膜をつける工程がある
が、いずれも炉芯管内にガスを送気し、送気されたガス
雰囲気にてウエノ・〒熱処理を行なうものである。
この場合、炉芯管内に流すガスの温度は室温に左右され
、またガスの流量を５００ ｌ／Ｈ−１ｍ’／Ｈと大流
量を流した場合、炉内温度分布が乱れて炉内温度管理あ
るいは炉内温度制御が困難となり、その結果ウェハー内
の表面層抵抗ρＳのバラツキが犬となり、また、炉芯管
内横断面方向の温度分布が大巾にばらつく等問題を有し
ていた。
、またガスの流量を５００ ｌ／Ｈ−１ｍ’／Ｈと大流
量を流した場合、炉内温度分布が乱れて炉内温度管理あ
るいは炉内温度制御が困難となり、その結果ウェハー内
の表面層抵抗ρＳのバラツキが犬となり、また、炉芯管
内横断面方向の温度分布が大巾にばらつく等問題を有し
ていた。
本願考案の目的は上記のような欠点を解決した簡単な構
造の半導体熱処理炉芯管を提供することにある。
造の半導体熱処理炉芯管を提供することにある。
本願考案によれば、耐熱性円筒型炉芯管において、一端
は開放され、他端は先細のガス導入管部となり、このガ
ス導入管を耐熱性円筒型炉芯管内に延長し、炉芯管内壁
に螺旋状に形成固定して炉体加熱部付近迄挿入し、ガス
導入管先端部を前記螺旋内に折り返してガス導入部方向
に向は直配管させることにより、雰囲気ガスを充分予熱
でき、更にガス導入管先端部には、吹き出されたガスを
炉芯管内のウェハーに均一に当てることができるように
反射板を設けたことを特徴とする。
は開放され、他端は先細のガス導入管部となり、このガ
ス導入管を耐熱性円筒型炉芯管内に延長し、炉芯管内壁
に螺旋状に形成固定して炉体加熱部付近迄挿入し、ガス
導入管先端部を前記螺旋内に折り返してガス導入部方向
に向は直配管させることにより、雰囲気ガスを充分予熱
でき、更にガス導入管先端部には、吹き出されたガスを
炉芯管内のウェハーに均一に当てることができるように
反射板を設けたことを特徴とする。
本願考案によれば、大流量の雰囲気ガスを流した場合で
も、あるいは他のガス予熱装置がなくても、現状の１１
の炉で充分ガスを予熱できるので前記欠点を補える利点
がある。
も、あるいは他のガス予熱装置がなくても、現状の１１
の炉で充分ガスを予熱できるので前記欠点を補える利点
がある。
次に本願考案を図面を参照して詳細に説明する。
第１図により従来の炉芯管について説明する。
１はガス導入管、２は炉芯管、１，２は共通材、例えば
石英材を使用して融着加工されたものを使用する。
石英材を使用して融着加工されたものを使用する。
５はガス導入管より炉芯管内部に送気された雰囲気ガス
、６はウェハー７を保持する耐熱性サセプターであり、
サセプター６上にウェハー７を載置して加熱炉体９によ
り加熱されている状態を示す。
、６はウェハー７を保持する耐熱性サセプターであり、
サセプター６上にウェハー７を載置して加熱炉体９によ
り加熱されている状態を示す。
炉内に送気されるガス８は、急に高温部に高速で送り込
１れるため、ウエノ・−７とガス５が接触するときに充
分加熱されない状態で接触することになる。
１れるため、ウエノ・−７とガス５が接触するときに充
分加熱されない状態で接触することになる。
従ってウェハー内温度あるいは炉芯管Ａ−Ａ断面の温度
、更には第２図に示すように炉芯管長手方向の温度分布
のバラツキが大きくなり、Ｃの如くガス入口側の温度の
立ち上りが悪くなる。
、更には第２図に示すように炉芯管長手方向の温度分布
のバラツキが大きくなり、Ｃの如くガス入口側の温度の
立ち上りが悪くなる。
これらの欠点をなくするためには、送気されるガス８を
充分子熱し、炉芯管の横断面方向における温度分布が均
一な流れになるような構造にしなければならない。
充分子熱し、炉芯管の横断面方向における温度分布が均
一な流れになるような構造にしなければならない。
このため第３図に示すようにすれば、ガス導入管１より
炉芯管内に送気されたガス５は、炉芯管内に設置された
邪魔板１１に当り、ここを通過したガス５′は炉芯管内
の横断面方向にある程度均一に送気される。
炉芯管内に送気されたガス５は、炉芯管内に設置された
邪魔板１１に当り、ここを通過したガス５′は炉芯管内
の横断面方向にある程度均一に送気される。
しかし、これも第１図の炉芯管より少し改善された構造
にすぎず、炉芯管長手方向の温度分布は第４図に示すよ
うに未だ不安定なものである。
にすぎず、炉芯管長手方向の温度分布は第４図に示すよ
うに未だ不安定なものである。
筐た炉芯管内面を洗浄する時、邪魔板１１の洗浄がしに
くい等実用上、材質上程々の欠点を有している。
くい等実用上、材質上程々の欠点を有している。
次に本願考案の一実施例につき図面を参照して説明する
。
。
第５図の１はガス導入管、８はガス導入管内に送り込筐
れるガスでその温度は室温の渣１である。
れるガスでその温度は室温の渣１である。
ガス導入管１は、炉芯管２と共通材、例えば石英ガラス
管等耐熱性高純度材質を使用し、炉芯管２の内壁に沿っ
て螺旋状に巻きつけて融着固定されている。
管等耐熱性高純度材質を使用し、炉芯管２の内壁に沿っ
て螺旋状に巻きつけて融着固定されている。
ガス導入管１は、炉体加熱部つ１リウエハーの近傍咬で
複数巻きとし、ガス８の予熱経路を長くとり充分加熱で
きる状態にし、炉芯管中央部Ｂよりその先端部３をガス
導入管１の方向に折り曲げる。
複数巻きとし、ガス８の予熱経路を長くとり充分加熱で
きる状態にし、炉芯管中央部Ｂよりその先端部３をガス
導入管１の方向に折り曲げる。
渣た球面形反射板４ば、ガス導入管先端部３にすき間を
設けて取りつけられ、球面凹部にガスがぶつかり、反射
して反対方向に流れる場合均一な流れになるようにした
ものである。
設けて取りつけられ、球面凹部にガスがぶつかり、反射
して反対方向に流れる場合均一な流れになるようにした
ものである。
この反射板の反射面は凹面に限らず、平面でも凸面でも
よく、炉芯管の形状に最も適した反射板を選定すればよ
い。
よく、炉芯管の形状に最も適した反射板を選定すればよ
い。
このようにして充分子熱されたガスは球面形反射板４に
ぶつかり、均一なガスフロー５としてウェハー７の方向
に送気され、ウェハー７と接触するガス１０は充分加熱
されてウェハーの熱処理上必要な安定した条件を得るこ
とができる。
ぶつかり、均一なガスフロー５としてウェハー７の方向
に送気され、ウェハー７と接触するガス１０は充分加熱
されてウェハーの熱処理上必要な安定した条件を得るこ
とができる。
この様に、本願考案による簡単な構造を有する熱処理炉
芯管を半導体装置の生産に使用すれば、歩留り向上に大
いに貢献することは勿論、ガス予熱設備を付属させるこ
となく多大な効果を発揮することができる。
芯管を半導体装置の生産に使用すれば、歩留り向上に大
いに貢献することは勿論、ガス予熱設備を付属させるこ
となく多大な効果を発揮することができる。
第１図は従来の炉芯管の断面図、第２図はその温度分布
の説明図、第３図は従来の他の炉芯管の断面図、第４図
はその温度分布の説明図、第５図は本考案の炉芯管を示
す断面図。 １・・・・・・ガス導入管、２・・・・・・炉芯管、３
・・・・・・ガス導入管先端部、４・・・・・・球面形
反射板、５，５１・・・・・炉内に送気されたガス、６
・・・・・・サセプター、７・・・・・・ウェハー、８
・・・・・・送気ガス、９・・・・・・加熱炉体、１０
・・・・・・ウェハーに接触するガス、１１・・・・・
・邪魔板。
の説明図、第３図は従来の他の炉芯管の断面図、第４図
はその温度分布の説明図、第５図は本考案の炉芯管を示
す断面図。 １・・・・・・ガス導入管、２・・・・・・炉芯管、３
・・・・・・ガス導入管先端部、４・・・・・・球面形
反射板、５，５１・・・・・炉内に送気されたガス、６
・・・・・・サセプター、７・・・・・・ウェハー、８
・・・・・・送気ガス、９・・・・・・加熱炉体、１０
・・・・・・ウェハーに接触するガス、１１・・・・・
・邪魔板。
Claims (1)
- 一端がガス導入部となり、他端がガス導出部となる半導
体熱処理炉芯管において、前記ガス導入部から炉芯管内
部へ導入されたガス導入細管が一旦ガス導入側へ折り曲
げられ、その先端部開口に近接して反射板を配置するこ
とによって、１回の反射で導入ガスを前記ガス導出部方
向に均一に供給するようにしたことを特徴とする半導体
熱処理炉芯管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1976040313U JPS58293Y2 (ja) | 1976-04-01 | 1976-04-01 | 半導体熱処理炉芯管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1976040313U JPS58293Y2 (ja) | 1976-04-01 | 1976-04-01 | 半導体熱処理炉芯管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52131959U JPS52131959U (ja) | 1977-10-06 |
| JPS58293Y2 true JPS58293Y2 (ja) | 1983-01-06 |
Family
ID=28499443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1976040313U Expired JPS58293Y2 (ja) | 1976-04-01 | 1976-04-01 | 半導体熱処理炉芯管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58293Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5149878U (ja) * | 1974-10-15 | 1976-04-15 |
-
1976
- 1976-04-01 JP JP1976040313U patent/JPS58293Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5149878U (ja) * | 1974-10-15 | 1976-04-15 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52131959U (ja) | 1977-10-06 |
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