JPS5828891A - 自動被覆線ボンデイング方法 - Google Patents

自動被覆線ボンデイング方法

Info

Publication number
JPS5828891A
JPS5828891A JP56126707A JP12670781A JPS5828891A JP S5828891 A JPS5828891 A JP S5828891A JP 56126707 A JP56126707 A JP 56126707A JP 12670781 A JP12670781 A JP 12670781A JP S5828891 A JPS5828891 A JP S5828891A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
bonding
coated wire
light beam
covered
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56126707A
Other languages
English (en)
Inventor
薗田　英明
岡田　忠暁
健之 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP56126707A priority Critical patent/JPS5828891A/ja
Publication of JPS5828891A publication Critical patent/JPS5828891A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45565—Single coating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45599—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45599—Material
    • H01L2224/4569—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313—Wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、絶縁樹脂等で被覆された導線を無剥離でセラ
ミック等の基板に目動圧着するに最適な被覆線ホンティ
ング方法に関する。
従来、被覆線ホンティング方法としては、被覆を加熱す
るのに抵抗加熱ヘッド方式と高圧通電方式があった。前
者は抵抗加熱ヘッドが大きく、超音波ホーンと接触して
いる為、高エネルギーの熱が被覆線圧着部に集中せず、
また、ヘッドが重くホーンに熱が伝達する為、熱応答が
悪く、更には超音波発振源に悪い影響を与え、周波数変
動等が発生していた。
その為、高絶縁性の樹脂被覆線を効率よ（１ｌｌ（ｉ）
７波ボンデイングすることが出来なかった。
高圧通電方式は、被覆線の芯線と基板−１−の導体の間
に電圧をかけ、波控を加重と高電圧で破壊して通電溶着
する方法であるが、基板十の導体が列部端子に接続出来
ない場合はボンティングは無１４Ｉ」であり、又セラミ
ック基板がｔｊＩ７い場合、基板が割れ易い等制限が多
く、実用面の欠点があった。
本発明の目的は、高絶縁性の樹脂波罹純のホンティング
部に非接触で高温の光ビーノ、を供給することにより、
効率」：＜被覆を加熱溶解し、芯胚！を基板に超音波エ
ネルギーで圧着するボンティング方法を提供することに
ある。
本発明の要点は、テフロン等の高絶縁性の樹脂被覆線が
面１熱性が良く、抵抗加熱方式でＶＹ数秒以内に溶解し
ないこと確認し、このような高絶縁高耐熱の樹脂被覆線
を溶解超）′６波ボンティングする方法として光ビーム
に」：る加熱方法をノーっているととである。
第１図（Ａ）、［相］に光ビームランプ６を用いた被覆
線ボングーの概略構造を示している。同図（Ａ）は正面
から見た概略構造図、同図０は側面から見た概略構造図
である。
被覆線ボングーには、マニュピレータ３及びコンソール
４で位置合せされる微動テーブル２があり、微動テーブ
ル２上にセラミック等の基板１１を載せ固定する。第２
図にボンディング部の拡大図が示されているように、ス
プールにより繰り出される被覆線７はボンティングソー
ル１の先端に取りつけられているウェッジ９に通され、
ワイヤクランプ１０で佃井れている。第３図（Ａ）に示
すように、モニター５を見ながらウェッジ９の先端と基
板１１上のパッド１２の位置を合せ被覆線のボンディン
グ部に超音波ホーン８により加重と超音波エネルギーが
Ｊｊえられる。又同じく第３図の）に示す如く光ビーム
ランプ６により高エネルギーの光ビーム１５もボンディ
ング部に照射される。第３図（１のにおいて１３は反射
鏡、１４は光ビームの焦点である。
（３） 第４図は作業工程の一例を示すもので、−イずウェッジ
に被胎線がボンティング分たけフィード（供給）され、
ホンディングノールがＩＪ降し、被覆線がウェッジと、
１１（板の間にＵｌさ一＋ｉ加圧される。
次に光ビームランプを発光させ、被玲線のホンティング
部を局所加熱し、被慎を＋１φ（く溶解する。次に超音
波ホルンを伝ってウェッジを超音波加振ｊ〜、軟い被覆
を破壊し、芯線を基板の導体と直接接触するように露出
させ、さらに芯線と導体の間で超音波エネルギーにＪ：
る１、Ｊ１着を行うｏ　Ｌｌ−、着後、光ヒームランプ
及び超音波振動を停止ｌ−，１〜、ホンディングノール
を上列し、第１ボンドを終１１次のパッドまで、微動テ
ーブルを移動させるごとにより、被穆線をフィードしな
がら、第２ボンド（第２１ｅｉ１目）の位置合ぜを行う
。第１ボンドと同様の作業工程で連続的にパッド間を接
続可能と々す、最後のパッドにて、ウェッジの後部につ
い／Ｃギ「ノチンカッターで自動切断を行い元の状態に
もとる。
第５図には、ボンティング終了後の被作線Ｊと１１１状
態を示している。
（４） 本発明の作業条件の一例として、５０〜１００７ｉφの
銅芯線に、３０〜８０　ｔｔの厚みのテフロン等の高絶
縁、高面］熱樹脂被覆線を用いる場合、１００〜３００
ｇのウェッジ加圧で、２０〜３゜Ｗの超音波エネルギー
を用い焦点径約１φで１〜２１（Ｗのり七ノンランプを
約７０ｍｍの焦点距離で７１１１１面４５°の仰角より
焦光し、約１〜２秒間加熱することにより、被覆が瞬間
的に溶融し、超音波エネルギーにより、セラミック基板
上の金と銅芯線が圧着できた。
本発明に」＝れば、高絶縁の被覆線が、導体に電気を通
電しないで、瞬間的に高信頼性で、連続自動ホンティン
グ可能となり、特にセラミック基板へのディスクリート
配線が容易に行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図は１本発明が適用される被覆線ボングーの概略構
成を示す図、第２図は、第１図のボンディング部を側面
から見た拡大図、第３図（５）は、正面拡大図、第３図
のは、゛光ビームランプ加熱状態（５）。 を示す略図、第４１ン１は１本発明に」：る１′］業例
を示す図、第５図は、本発明を用いたボンティング状態
を示す図である。 ６・・・光ビームランプ、８・・超’、：ｆ　波ホーン
、１５第３　図 第　４　図 （Ａ） ／ ／ （８） ／ 第　５　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １゜絶縁樹脂等で被覆された導線を無剥離で基板上導体
    バットに、超音波エネルギーによりボンティングするに
    あたり、該導線の被う部を非接触の高エネルギー光ビー
    ムによって加熱溶解させるようにしたことを特徴とする
    被覆線ボンティング方法Ｏ
JP56126707A 1981-08-14 1981-08-14 自動被覆線ボンデイング方法 Pending JPS5828891A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56126707A JPS5828891A (ja) 1981-08-14 1981-08-14 自動被覆線ボンデイング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56126707A JPS5828891A (ja) 1981-08-14 1981-08-14 自動被覆線ボンデイング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5828891A true JPS5828891A (ja) 1983-02-19

Family

ID=14941860

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56126707A Pending JPS5828891A (ja) 1981-08-14 1981-08-14 自動被覆線ボンデイング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5828891A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03129823U (ja) * 1990-04-09 1991-12-26
US5351884A (en) * 1990-09-27 1994-10-04 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Heating apparatus in cabin

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03129823U (ja) * 1990-04-09 1991-12-26
US5351884A (en) * 1990-09-27 1994-10-04 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Heating apparatus in cabin

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4323759A (en) Electrical inter-connection method
US5298715A (en) Lasersonic soldering of fine insulated wires to heat-sensitive substrates
US4098447A (en) Bonding method and apparatus
JPS60148134A (ja) ボンデイング装置
US5948286A (en) Diffusion bonding of lead interconnections using precise laser-thermosonic energy
US6892927B2 (en) Method and apparatus for bonding a wire to a bond pad on a device
JPH02151047A (ja) ボンデイング装置
WO1998031498A1 (en) Laser-driven microwelding apparatus and process
JPS5828891A (ja) 自動被覆線ボンデイング方法
JPH01501587A (ja) 電子要素の相互接続
JP2740385B2 (ja) 絶縁被覆導体のろう付け方法
US3914850A (en) Bonding of dissimilar workpieces to a substrate
US3444347A (en) Method for solder reflow connection of insulated conductors
JP3243906B2 (ja) 半導体装置と外部端子との接合方法
JPS6037284A (ja) レ−ザ接合方法
JP3560584B2 (ja) 超音波接合装置
JPH10175083A (ja) 超音波溶接方法及び溶接機
JPS60247487A (ja) ワイヤボンデイング装置
JPS6218725A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH07283221A (ja) バンプの形成方法
JPS5823506Y2 (ja) 超音波ワイヤボンダ
JPS63253636A (ja) ワイヤボンデイング装置
JPS5923535A (ja) ワイヤボンデイング装置
JPS58151956A (ja) 高導電性材料の抵抗溶接継手およびその製造方法
JPS6211238A (ja) 金属細線の接続方法