JPS60247487A - ワイヤボンデイング装置 - Google Patents
ワイヤボンデイング装置Info
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- JPS60247487A JPS60247487A JP59103864A JP10386484A JPS60247487A JP S60247487 A JPS60247487 A JP S60247487A JP 59103864 A JP59103864 A JP 59103864A JP 10386484 A JP10386484 A JP 10386484A JP S60247487 A JPS60247487 A JP S60247487A
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- JP
- Japan
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- capillary
- bonding
- tip
- laser beam
- wire
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/20—Bonding
- B23K26/21—Bonding by welding
- B23K26/22—Spot welding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
- B23K20/004—Wire welding
- B23K20/005—Capillary welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
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- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
この発明はTOヘッダに実装されたハイブリッド集積回
路などの組立に使用するワイヤボンティング装置に関す
る。
路などの組立に使用するワイヤボンティング装置に関す
る。
(従来技術)
一般に、金細線のワイヤボンディング方法としては、熱
圧着および超音波熱圧着が利用されている。しかし、低
温ろう材で電気・電子部品等の搭載部品をダイボンドし
たハイブリッド集積回路の組立には、ハイブリッド集積
回路全体をボンディング温度(一般に300°C81度
)に加熱できないため、キャピラリーを加熱するパルス
ヒート方式あるいはハイブリッド集積回路全比較的低い
温度(一般に150〜200°C)に加熱し同時に超音
波を併用する超音波熱圧着方式を利用しなけれはならな
かった。
圧着および超音波熱圧着が利用されている。しかし、低
温ろう材で電気・電子部品等の搭載部品をダイボンドし
たハイブリッド集積回路の組立には、ハイブリッド集積
回路全体をボンディング温度(一般に300°C81度
)に加熱できないため、キャピラリーを加熱するパルス
ヒート方式あるいはハイブリッド集積回路全比較的低い
温度(一般に150〜200°C)に加熱し同時に超音
波を併用する超音波熱圧着方式を利用しなけれはならな
かった。
第1図はこのパルスヒート方式の一例を示す構成図であ
る。この構成は、電極lの先端にアーム2を圧入し、こ
のアーム2の先端にはタングステン製キャピラリ3がろ
う付されておシ、このキャピラリ3に金細線4が通され
る構造となっている。
る。この構成は、電極lの先端にアーム2を圧入し、こ
のアーム2の先端にはタングステン製キャピラリ3がろ
う付されておシ、このキャピラリ3に金細線4が通され
る構造となっている。
ここでキャピラリ3を加熱する場合、電極10両端に電
圧を印加することによフ、発熱して熱圧着することが出
来る。しかし、この方式においては、金とタングステン
とが合金をつくるため、長期間使用するとキャピラリ3
0貫通穴に合金が成長し、貫通穴が狭まシ、ワイヤが通
夛難くなるのでワイヤ4が切れ易くなるという問題があ
り、また、この方式に用いるキャピラリ3は、製作が難
しく高価であるという問題もある。
圧を印加することによフ、発熱して熱圧着することが出
来る。しかし、この方式においては、金とタングステン
とが合金をつくるため、長期間使用するとキャピラリ3
0貫通穴に合金が成長し、貫通穴が狭まシ、ワイヤが通
夛難くなるのでワイヤ4が切れ易くなるという問題があ
り、また、この方式に用いるキャピラリ3は、製作が難
しく高価であるという問題もある。
第2図は従来の超音波熱圧着方式の一例を示す正面図で
ある。この場合、超音波ホーン11の先端にキャピラリ
3t−取付け、このキャピラリ3に金細線4t−通し、
ヘッダのベース14は加熱テーブル12上に置かれ、ク
ランパ13で固定されている。このヘッダのベース14
には基板15が搭載されヘッダのリード線16との間の
配線を行う。
ある。この場合、超音波ホーン11の先端にキャピラリ
3t−取付け、このキャピラリ3に金細線4t−通し、
ヘッダのベース14は加熱テーブル12上に置かれ、ク
ランパ13で固定されている。このヘッダのベース14
には基板15が搭載されヘッダのリード線16との間の
配線を行う。
このヘッダのリード線16か細くて長い場合には、超音
波がリード線16に吸収されボンディングが不安定とな
シ信頼性に欠ける欠点がある。この様に高温に加熱でき
ず、かつ超音波の伝達が不安定なTOヘッダに実装され
たハイブリッド集積回路へワイヤボンドを行うには従来
のワイヤボンディング装置では種々の欠点があった。
波がリード線16に吸収されボンディングが不安定とな
シ信頼性に欠ける欠点がある。この様に高温に加熱でき
ず、かつ超音波の伝達が不安定なTOヘッダに実装され
たハイブリッド集積回路へワイヤボンドを行うには従来
のワイヤボンディング装置では種々の欠点があった。
(発明の目的)
本発明の目的は、このような欠点を除き、長寿命のセラ
ミックキャピラリを使用して、レーザ光をこのセラミッ
クキャピラリに直接照射する構造によシ、ボンディング
する時のみレーザ光を照射して加熱できるようにしたパ
ルス・ヒート型のワイヤボンディング装置を提供する仁
とにある。
ミックキャピラリを使用して、レーザ光をこのセラミッ
クキャピラリに直接照射する構造によシ、ボンディング
する時のみレーザ光を照射して加熱できるようにしたパ
ルス・ヒート型のワイヤボンディング装置を提供する仁
とにある。
(発明の構成)
本発明のワイヤボンディング装置は、ボンディングすべ
きワイヤを通して保持するキャピラリと、このキャピラ
リの先端にレーザ光を導くガラスファイバと、このガラ
スファイバを支持しかつ前記キャピラリを先端に保持し
たアームと、前記キャピラリに前記レーザ光を前記ガラ
スファイバを介してボンディング時のみ照射して前記ワ
イヤを加熱するレーザ光源とを含み構成される。
きワイヤを通して保持するキャピラリと、このキャピラ
リの先端にレーザ光を導くガラスファイバと、このガラ
スファイバを支持しかつ前記キャピラリを先端に保持し
たアームと、前記キャピラリに前記レーザ光を前記ガラ
スファイバを介してボンディング時のみ照射して前記ワ
イヤを加熱するレーザ光源とを含み構成される。
(実施例)
第3図は本発明の一実施例の正面図である。本実施例は
、アーム21の先端にセラミックキャピラリ3′を固定
し、このキャピラリ3′の先端付近を照射する位置にガ
ラス7フイパ22を固定する。
、アーム21の先端にセラミックキャピラリ3′を固定
し、このキャピラリ3′の先端付近を照射する位置にガ
ラス7フイパ22を固定する。
このガラス7フイパ22の中にレーザ発振器23が発振
したレーザ光を通す。このレーザ発振器23としてYA
Gレーザを用いた場合、約30Wでボンディングするに
必要な熱量を供給することが出来る構造になっている。
したレーザ光を通す。このレーザ発振器23としてYA
Gレーザを用いた場合、約30Wでボンディングするに
必要な熱量を供給することが出来る構造になっている。
により、通常の状態ではレーザ光の発振を停止させてお
き、ボンディング時のみレーザ光が発振させてセラミッ
クキャビ2す3′を照射させる。このセラミックキャピ
ラリ3′が瞬時に加熱することが出来るので、安定した
パルスヒート型のワイヤボンディング装置を得ることが
出来る。
き、ボンディング時のみレーザ光が発振させてセラミッ
クキャビ2す3′を照射させる。このセラミックキャピ
ラリ3′が瞬時に加熱することが出来るので、安定した
パルスヒート型のワイヤボンディング装置を得ることが
出来る。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれに1常時キャピラリ
が加熱されることがないので、金細線が焼鈍されないの
で、引張強度の劣化がなく、また超音波エネルギを利用
していないので、Toヘッダのリード線上のワイヤボン
ドも安定した品質で行うことが出来る。
が加熱されることがないので、金細線が焼鈍されないの
で、引張強度の劣化がなく、また超音波エネルギを利用
していないので、Toヘッダのリード線上のワイヤボン
ドも安定した品質で行うことが出来る。
第1図は従来のパルスヒート型ワイヤボンティング装置
のキャピラリ部の斜視図、第2図はTOヘッダ上への従
来の超音波熱圧着を行う場合の側面図、第3図は本発明
の一実施例の側面図である。 図において、1・・・電極、2・アーム、3・・・キャ
ピラリ、3′・・・セラミックキャピラリ、4・・・金
細線、11・・超音波ホーン、12・加熱テーブル、1
3・・・クランパ、14・・・ヘッダのベース、15・
・・基板、16・ヘッダのリード線、21・・アーム、
22・・・ガラス7了イバ、23・・・レーザ発振器で
ある。 代理人 弁理士 内 原 晋、−′ す1
のキャピラリ部の斜視図、第2図はTOヘッダ上への従
来の超音波熱圧着を行う場合の側面図、第3図は本発明
の一実施例の側面図である。 図において、1・・・電極、2・アーム、3・・・キャ
ピラリ、3′・・・セラミックキャピラリ、4・・・金
細線、11・・超音波ホーン、12・加熱テーブル、1
3・・・クランパ、14・・・ヘッダのベース、15・
・・基板、16・ヘッダのリード線、21・・アーム、
22・・・ガラス7了イバ、23・・・レーザ発振器で
ある。 代理人 弁理士 内 原 晋、−′ す1
Claims (1)
- ボンディングすべきワイヤを通して保持するキャピラリ
と、このキャビ2りの先端にレーザ光を導くガラス7ア
イバと、このガラスファイバを支持しかつ前記キャピラ
リを先端に保持したアームと、前記キャピラリに前記レ
ーザ光を前記ガラスファイバを介してボンディング時の
み熱料して前記ワイヤを加熱するレーザ光源とを含むワ
イヤボンディング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59103864A JPS60247487A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | ワイヤボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59103864A JPS60247487A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | ワイヤボンデイング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60247487A true JPS60247487A (ja) | 1985-12-07 |
Family
ID=14365307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59103864A Pending JPS60247487A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | ワイヤボンデイング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60247487A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2605176A1 (fr) * | 1986-10-09 | 1988-04-15 | Peugeot | Procede de cablage filaire et outil pour la mise en oeuvre de ce procede |
WO2003103039A1 (fr) * | 2002-05-31 | 2003-12-11 | Renesas Technology Corp. | Procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur |
WO2004084296A1 (en) * | 2003-03-17 | 2004-09-30 | Phicom Corporation | Probe positioning and bonding device and probe bonding method |
CN111546520A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-08-18 | 深圳市商德先进陶瓷股份有限公司 | 陶瓷劈刀及其制作方法和半导体封装方法 |
-
1984
- 1984-05-23 JP JP59103864A patent/JPS60247487A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2605176A1 (fr) * | 1986-10-09 | 1988-04-15 | Peugeot | Procede de cablage filaire et outil pour la mise en oeuvre de ce procede |
WO2003103039A1 (fr) * | 2002-05-31 | 2003-12-11 | Renesas Technology Corp. | Procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur |
US7226815B2 (en) | 2002-05-31 | 2007-06-05 | Renesas Technology Corp. | Method for manufacturing semiconductor device |
US7416970B2 (en) | 2002-05-31 | 2008-08-26 | Renesas Technology Corp. | Method for manufacturing semiconductor device |
WO2004084296A1 (en) * | 2003-03-17 | 2004-09-30 | Phicom Corporation | Probe positioning and bonding device and probe bonding method |
CN100403506C (zh) * | 2003-03-17 | 2008-07-16 | 飞而康公司 | 探针定位和连结设备以及探针连结方法 |
CN111546520A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-08-18 | 深圳市商德先进陶瓷股份有限公司 | 陶瓷劈刀及其制作方法和半导体封装方法 |
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