JPS5828834A - フオトリソグラフイ−における現像装置 - Google Patents
フオトリソグラフイ−における現像装置Info
- Publication number
- JPS5828834A JPS5828834A JP12634881A JP12634881A JPS5828834A JP S5828834 A JPS5828834 A JP S5828834A JP 12634881 A JP12634881 A JP 12634881A JP 12634881 A JP12634881 A JP 12634881A JP S5828834 A JPS5828834 A JP S5828834A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cup
- air
- cover
- route
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造に多用されるフォトリソグラ
フィーにおける現像装置に関する。
フィーにおける現像装置に関する。
半導体装置の製造に際しては、半導体ウエハ−中に不純
物を選択的に拡散する上程や、半導体ウェハー表面ある
いはその上に被着された金属層を選択的にエツチングす
る所謂フォトリソグラフィー上程が繰り返し行なわれる
。このフォトリソグラフィーはウニへ−表向に形成され
た所定のレジストパターンをマスクとして行なわれるの
が普通であり、該レジストパターンはウエハー表面に塗
布されたフォトレジスト膜にフォトマスクの所定パター
ンを紫外線露光等により転写した後、これを現像するこ
とにより形成されている。
物を選択的に拡散する上程や、半導体ウェハー表面ある
いはその上に被着された金属層を選択的にエツチングす
る所謂フォトリソグラフィー上程が繰り返し行なわれる
。このフォトリソグラフィーはウニへ−表向に形成され
た所定のレジストパターンをマスクとして行なわれるの
が普通であり、該レジストパターンはウエハー表面に塗
布されたフォトレジスト膜にフォトマスクの所定パター
ンを紫外線露光等により転写した後、これを現像するこ
とにより形成されている。
上記フォトリソグラフィーにおける現像工程には従来第
１図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す現像装置が使用され
ている。第１図（Ａ）は現像装置に用いられるカップの
平面図であり、第１図（Ｂ）は同図（Ａ）のＢ−Ｂ線に
沿う断面図である。これらの図に示すように、カップ１
は上方に拡開した皿状の形状を有し、その底部にはウェ
ハー固定用のチャックを製布するための開孔部２が形成
されている。また底部周縁には複数の小孔３が形成され
ている。そして、このカップＪは第１図（Ｃつに示すよ
うに七の開化部２に真空チャック４を嵌装した状態で現
像装置として用いられる。該真空チャック４の内部（二
は頁空吸引用の吸引路５が設けられており、この吸引路
５は分岐して真空チャック５の表面に開口している。ま
た、カップ１の外側には図示しない更に大きな第２のカ
ップが設けられていて、その底部に設けられた吸引ダク
トから真空吸引されるようになっている。
１図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す現像装置が使用され
ている。第１図（Ａ）は現像装置に用いられるカップの
平面図であり、第１図（Ｂ）は同図（Ａ）のＢ−Ｂ線に
沿う断面図である。これらの図に示すように、カップ１
は上方に拡開した皿状の形状を有し、その底部にはウェ
ハー固定用のチャックを製布するための開孔部２が形成
されている。また底部周縁には複数の小孔３が形成され
ている。そして、このカップＪは第１図（Ｃつに示すよ
うに七の開化部２に真空チャック４を嵌装した状態で現
像装置として用いられる。該真空チャック４の内部（二
は頁空吸引用の吸引路５が設けられており、この吸引路
５は分岐して真空チャック５の表面に開口している。ま
た、カップ１の外側には図示しない更に大きな第２のカ
ップが設けられていて、その底部に設けられた吸引ダク
トから真空吸引されるようになっている。
上記現像装置を用いてウェハー表面のフォトレジスト膜
に転写された潜像を現像するに際しては、第１１図に（
Ｃ）に想像線で示すようにウエハ−５を真吸チャック４
に吸引固定し、その上から現像液をスプレーする。この
とき、前記図示しない第２のカップの底面からは真空吸
引されているためウエハーの裏面側か表面側よりも減少
となる。従って、ウエハー周囲の雰囲気と共に現像液が
ウエバー表面から裏面に廻り込んで付着し、その後の工
程に悪影脅を及ぼすという問題があった。
に転写された潜像を現像するに際しては、第１１図に（
Ｃ）に想像線で示すようにウエハ−５を真吸チャック４
に吸引固定し、その上から現像液をスプレーする。この
とき、前記図示しない第２のカップの底面からは真空吸
引されているためウエハーの裏面側か表面側よりも減少
となる。従って、ウエハー周囲の雰囲気と共に現像液が
ウエバー表面から裏面に廻り込んで付着し、その後の工
程に悪影脅を及ぼすという問題があった。
なお、カップ１に受けられた現像液は、複数の小孔３を
通して七の外側の第２のカップに排出される。
通して七の外側の第２のカップに排出される。
不発ヅ」は上述の事情に鑑みてなされたもので、フォト
リソグラフィーの視像上程において、現像液かウェハー
の裏面に廼り込むＵ〕を防＋ｌ−することができる現像
装置を提供するものである。
リソグラフィーの視像上程において、現像液かウェハー
の裏面に廼り込むＵ〕を防＋ｌ−することができる現像
装置を提供するものである。
以上、第２図（Ａ）〜（Ｃ）を参照して本発明の１実施
例を説明する。
例を説明する。
第２図（Ａ）は本発明の１実施になる現像装置に用いる
カップの平面図であり、第２図（Ｂ）は同図（Ａ）のＢ
−Ｈ線に沿う断面図である。これらの図に示すように
、カップ１１は上方に拡開した皿形の外形を有するカッ
プ本体１２と、その上部（二設けられた。に体１３とか
らな−っている。カップ本体１２の底面および蓋体）３
にはウェハー固定用チャックを嵌装するための開孔部１
４゜１５が形成されている。また、蓋体１４には複数の
空気噴出孔１６が形成されている。
カップの平面図であり、第２図（Ｂ）は同図（Ａ）のＢ
−Ｈ線に沿う断面図である。これらの図に示すように
、カップ１１は上方に拡開した皿形の外形を有するカッ
プ本体１２と、その上部（二設けられた。に体１３とか
らな−っている。カップ本体１２の底面および蓋体）３
にはウェハー固定用チャックを嵌装するための開孔部１
４゜１５が形成されている。また、蓋体１４には複数の
空気噴出孔１６が形成されている。
上記カツブ１１は第２図（Ｃ）に示すように、その開孔
部１４、１５に真空チャック１７を嵌装した状態で現像
装置として用いられる。該真空チャック１７の内部には
真空吸引用の吸引路１８か設けられており、この吸引路
１８は分岐して真空チャック１７のウニへ−固定面に開
口している。また、真空チャック１７の内８１日：は吸
引路１８とは別に、空気供給路１９が設けられており、
この空気供給１９はカップ１１の内部に開口している。
部１４、１５に真空チャック１７を嵌装した状態で現像
装置として用いられる。該真空チャック１７の内部には
真空吸引用の吸引路１８か設けられており、この吸引路
１８は分岐して真空チャック１７のウニへ−固定面に開
口している。また、真空チャック１７の内８１日：は吸
引路１８とは別に、空気供給路１９が設けられており、
この空気供給１９はカップ１１の内部に開口している。
なお、この現像装置では、カップ１１の外側に、図示し
ない更に大きな第２のカップが設けられていて、七の底
部に設けられた１間引ダクトからの吸引により、該第２
−のカップに受けられた現像液を排出するようになって
いる。
ない更に大きな第２のカップが設けられていて、七の底
部に設けられた１間引ダクトからの吸引により、該第２
−のカップに受けられた現像液を排出するようになって
いる。
上記現像装置を用いてウエハー表面のフォトレジスト膜
に転写された潜像を現像するに際しては、吸引路１８を
曲しての真空吸引により。
に転写された潜像を現像するに際しては、吸引路１８を
曲しての真空吸引により。
図中想像線で示すようにウエハー２０を真空チャック１
７のウエハ−固定面に吸引固定する。
７のウエハ−固定面に吸引固定する。
そして、空気供給路１９から図中矢印で示すように空気
を供給しながらウエハー２０に現像液をスプレーして現
像を行なう。このとき、カップ１１内に送り込まれた空
気は蓋体１３に設けられた空気噴出孔１６から噴出し、
ウエハーの裏面に沿ってその半径方向外方に流れる空気
流を生じる。従って、この空気流により、スプレーされ
た現像液がウェハー２０の裏面に廻り込んで付着するの
を防止することができる。
を供給しながらウエハー２０に現像液をスプレーして現
像を行なう。このとき、カップ１１内に送り込まれた空
気は蓋体１３に設けられた空気噴出孔１６から噴出し、
ウエハーの裏面に沿ってその半径方向外方に流れる空気
流を生じる。従って、この空気流により、スプレーされ
た現像液がウェハー２０の裏面に廻り込んで付着するの
を防止することができる。
なお、」−記実旋例では、カップ１〕内に空気を送り込
むための供給路１９を真空チャック１７の内部（二設け
ているが、これは真空チャックとは＞Ｊ１１個に設けて
もよい。例えば、カップ１１に空気の原反［１を設け、
該流入口（二空気の送給管を収り付けてもよい。
むための供給路１９を真空チャック１７の内部（二設け
ているが、これは真空チャックとは＞Ｊ１１個に設けて
もよい。例えば、カップ１１に空気の原反［１を設け、
該流入口（二空気の送給管を収り付けてもよい。
また、真空チャック１−７の代わりにウェハー２０を機
械的に孫子固定する方式のウェハーチャックを用いるこ
ともできる。
械的に孫子固定する方式のウェハーチャックを用いるこ
ともできる。
更に、空気の代わりに♀素ガス、不活性カス−１とを用
いてもよいことは占°うまでもない。
いてもよいことは占°うまでもない。
以−１−詳述したように１本発明の現像装置（二よれば
、現像液がウェハーの裏面に廻り込んで付］ｋｆするの
を防止し、もって以後の製造工程を良好に実施できる等
、顕著な効果な萎するものである。
、現像液がウェハーの裏面に廻り込んで付］ｋｆするの
を防止し、もって以後の製造工程を良好に実施できる等
、顕著な効果な萎するものである。
第１図（Ａ）は従来の現像装置におけるカップの平面
図、第１図（Ｂ）は同図（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図
、第１図（Ｃ）は同図（Ａ）、（Ｂ）のカップと真空チ
ヤックを組み合わせた従来の現像装置の断面図、第２図
（Ａ）はホン発明の１実施例になる現像装置におけるカ
ップの平面図、第２図（Ｂ）は同図（Ａ）のＢーＢに沿
う断面図、第２図（Ｃ）は同図（Ａ）、（Ｂ）のカップ
と真空チャックとを組み合わせた本発明の１実施例にな
る現像装置の断面図である。 １１ ・・カツフ゛、１２・・・カップ本体、１３・・
・蓋体、１４．１５・・・開孔部、１６・・・空気噴出
孔。 １７・・・真空チャック、１８・・・吸引路、１９・・
・空気供給路、２０・・・ウェハー。
図、第１図（Ｂ）は同図（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図
、第１図（Ｃ）は同図（Ａ）、（Ｂ）のカップと真空チ
ヤックを組み合わせた従来の現像装置の断面図、第２図
（Ａ）はホン発明の１実施例になる現像装置におけるカ
ップの平面図、第２図（Ｂ）は同図（Ａ）のＢーＢに沿
う断面図、第２図（Ｃ）は同図（Ａ）、（Ｂ）のカップ
と真空チャックとを組み合わせた本発明の１実施例にな
る現像装置の断面図である。 １１ ・・カツフ゛、１２・・・カップ本体、１３・・
・蓋体、１４．１５・・・開孔部、１６・・・空気噴出
孔。 １７・・・真空チャック、１８・・・吸引路、１９・・
・空気供給路、２０・・・ウェハー。
Claims (1)
- ウェハー固定用チャックの周囲にカップを嵌装したフォ
トリソグラフィーにおける現像装置において、前記カッ
プに複数の気イオ噴出孔を有する環状の蓋体を設ける共
に、このカップ内に連通した気体供給路を設けたことを
特徴とするるフォトリングラフィーにおける現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12634881A JPS5828834A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | フオトリソグラフイ−における現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12634881A JPS5828834A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | フオトリソグラフイ−における現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5828834A true JPS5828834A (ja) | 1983-02-19 |
Family
ID=14932940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12634881A Pending JPS5828834A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | フオトリソグラフイ−における現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5828834A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02303047A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-17 | Shioya Seisakusho:Kk | ウエハチヤツク方法及び装置 |
-
1981
- 1981-08-12 JP JP12634881A patent/JPS5828834A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02303047A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-17 | Shioya Seisakusho:Kk | ウエハチヤツク方法及び装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20070184392A1 (en) | Coating and developing method, coating and developing system and storage medium | |
| US6053977A (en) | Coating apparatus | |
| KR20090131257A (ko) | 현상 처리 방법 및 현상 처리 장치 | |
| TW201824348A (zh) | 塗布顯影方法及塗布顯影裝置 | |
| JP2006080404A (ja) | 塗布、現像装置、露光装置及びレジストパターン形成方法。 | |
| JPH113850A (ja) | 処理システム | |
| JP2003124108A (ja) | 現像装置及び現像方法 | |
| JP4748683B2 (ja) | 液処理装置 | |
| JPS5828834A (ja) | フオトリソグラフイ−における現像装置 | |
| JPH06104167A (ja) | 露光装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2005328083A (ja) | 現像装置及び現像方法 | |
| JPH10208997A (ja) | レジスト膜のパターン形成方法及びパターン形成装置 | |
| US6289550B1 (en) | Jet cleaning device for developing station | |
| JP2002164277A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH07249559A (ja) | 回転処理装置 | |
| JP2010040747A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPS58159535A (ja) | 感光性樹脂塗布装置 | |
| JP2964113B2 (ja) | 処理装置 | |
| KR20200065543A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| JP3421557B2 (ja) | 塗布処理方法および塗布処理装置 | |
| US10168627B2 (en) | Exposure apparatus and method for cleaning the same | |
| JPH02284415A (ja) | 半導体ウェハー周縁部レジスト除去装置 | |
| JPH04162513A (ja) | フォトレジスト膜現像ノズル | |
| JPH02250309A (ja) | 露光装置 | |
| JP5925940B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |