JPS5827754B2 - electronic clock - Google Patents

electronic clock

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JPS5827754B2
JPS5827754B2 JP51123336A JP12333676A JPS5827754B2 JP S5827754 B2 JPS5827754 B2 JP S5827754B2 JP 51123336 A JP51123336 A JP 51123336A JP 12333676 A JP12333676 A JP 12333676A JP S5827754 B2 JPS5827754 B2 JP S5827754B2
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JP
Japan
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capacitor
battery
diode
circuit
voltage
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JP51123336A
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伸一 永嶋
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Suwa Seikosha KK
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Suwa Seikosha KK
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    • GPHYSICS
    • G04HOROLOGY
    • G04GELECTRONIC TIME-PIECES
    • G04G5/00Setting, i.e. correcting or changing, the time-indication

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electric Clocks (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、′電子時計の昇圧回路に関する。[Detailed description of the invention] The present invention relates to a booster circuit for an electronic watch.

液晶表示又は発光ダイオード等の表示を持つ全電子時計
において、電池1つで上記電子時計を動作させる場合、
表示等の制約により少なくとも電池電圧の2倍の電圧が
必要であり、昇圧回路が必要となる。
In a fully electronic watch with a display such as a liquid crystal display or a light emitting diode, when operating the above electronic watch with a single battery,
Due to display constraints, a voltage at least twice the battery voltage is required, and a booster circuit is required.

又、電池交換時等における電源投入時においては、回路
の、状態が定まらず、通常状態以外の表示が出る可能性
かあり、好ましくない。
Furthermore, when the power is turned on when replacing batteries, etc., the state of the circuit is not determined and there is a possibility that a display other than the normal state may appear, which is not preferable.

従って、電源投入時にリセツl−信号を作り、ある一足
の状態に回路を強制的にリセットする必要がある。
Therefore, it is necessary to generate a reset l- signal when the power is turned on to forcibly reset the circuit to a certain state.

上記のりセツHm号を作り出す方法としては、電池電源
の投入信号を微分する方法があるが、上記電子時計を落
下した場合に、電池が瞬間的に離れても信号が出力され
る可能性があり、好ましくない。
One way to generate the above-mentioned Norisetsu Hm is to differentiate the battery power supply signal, but if the electronic clock is dropped, there is a possibility that a signal will be output even if the battery is momentarily separated. , undesirable.

従って、昇圧電源を微分してリセット信号を暇り出す方
式が、最も適した構、戎である。
Therefore, the most suitable structure is to differentiate the boosted power supply and generate the reset signal.

本発明は、昇圧電圧の立上りが早く、また上記リセット
信号を作るに適した昇圧回路を実現するものである。
The present invention realizes a booster circuit in which a boosted voltage rises quickly and is suitable for generating the above-mentioned reset signal.

昇圧回路の代表的なものとしては、トランスを利用した
もの、コンデンサーとダイオードを用いたジエンケル形
昇圧回路、MOSトランジスタとコンデンサーを用いた
もの等がある。
Typical booster circuits include one using a transformer, a Jenkel type booster circuit using a capacitor and a diode, and one using a MOS transistor and a capacitor.

トランスを利用したもの、ジエンケル形昇圧回路は部品
が多く、又、昇圧効率が悪い。
Dienkel type booster circuits that use transformers have many parts and have poor boosting efficiency.

従って、MO8I−ランジスタとコンデンサーを利用し
た昇圧回路が、外付は部品が少なく、又昇圧効率が良い
ので、電子時計の昇圧回路としては最も適している。
Therefore, a booster circuit using an MO8I transistor and a capacitor is most suitable as a booster circuit for electronic watches because it requires fewer external components and has good boosting efficiency.

しかしながら、この昇圧回路は昇圧電圧の立上りが遅く
、またこのことは、リセット信号を作る際にも問題とな
る。
However, in this booster circuit, the boosted voltage rises slowly, and this also poses a problem when generating a reset signal.

従って本発明においては、電池と昇圧電源間に、通常@
作詩には逆バイアスになる方向にダイオードを1つ設け
る事により、最も簡単な昇圧回路でありながら立上りの
早い、電子時計用の昇圧回路を提供するものである。
Therefore, in the present invention, between the battery and the boost power supply,
By installing one diode in the direction of reverse bias, we provide a booster circuit for electronic watches that is the simplest booster circuit but has a quick rise time.

以下、図面に従って本発明の詳細な説明を行なつ。The present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第1図は、本発明に使用するMOSトランジスタとコン
デンサーによる昇圧回路の実施例、第2図は、A、B、
C信号のタイミングチャートで、1は電池、5,11は
コンデンサー、3,6゜10はPチャンネルのMOSト
ランジスタ、2゜4.7,8,9はnチャンネルのMO
Sトランジスタ、12〜16はMO8I−ランジスタに
よって構成されているインバータである。
Figure 1 shows an example of a booster circuit using MOS transistors and capacitors used in the present invention, and Figure 2 shows A, B,
In the timing chart of the C signal, 1 is a battery, 5 and 11 are capacitors, 3 and 6 degrees 10 are P-channel MOS transistors, and 2 degrees 4.7, 8 and 9 are n-channel MOS transistors.
S transistors 12-16 are inverters constituted by MO8I-transistors.

ここで、トランジスタ6,8,9,10は低電圧系と高
電圧系のインターフェイス回路であり、昇圧回路はコン
デンサ5,11、トランジスタ2,3,4,7によって
構成されている。
Here, transistors 6, 8, 9, and 10 are an interface circuit between a low voltage system and a high voltage system, and the booster circuit is comprised of capacitors 5, 11, and transistors 2, 3, 4, and 7.

まず信号Aがバイレベルになると、MOSトランジスタ
2がONL、コンデンサ5の一端は電池1の負電圧とな
る。
First, when the signal A becomes bi-level, the MOS transistor 2 becomes ONL, and one end of the capacitor 5 becomes the negative voltage of the battery 1.

このとき、コンデンサ5の他端には信号Bによりバイレ
ベルの信号が印力目されて、コンデンサー5は充電され
、次に信号Aかローレベルになり、MO8I−ランジス
タ2がOFFになり、コンデンサー5の一端が電池と切
離されると共に信号Bもローレベルとなるので、コンデ
ンサー5の他端が電池1の負電位となり、電池1とコン
デンサー5が直列に接続され、電圧が積み上げられた状
態となる。
At this time, a bi-level signal is applied to the other end of the capacitor 5 by the signal B, the capacitor 5 is charged, and then the signal A becomes low level, MO8I-transistor 2 is turned off, and the capacitor 5 is charged. When one end of capacitor 5 is disconnected from the battery, signal B also becomes low level, so the other end of capacitor 5 becomes the negative potential of battery 1, and battery 1 and capacitor 5 are connected in series, and the voltage is accumulated. Become.

この状態で信号CによりMOSトランジスタ7がONに
なって、コンデンサ5と電池1の和の電圧によりコンデ
ンサー11が充電され、電池電圧Vssの2倍の電圧−
VDDを作り出す。
In this state, the MOS transistor 7 is turned ON by the signal C, and the capacitor 11 is charged with the sum of the voltage of the capacitor 5 and the battery 1, and the voltage - twice the battery voltage Vss.
Create VDD.

第3図は、第1図における昇圧回路をモデル化した回路
であり、MOSトランジスタ2はスイッチ29、抵抗1
9、ダイオード24、MO8+−ランジスタフはスイッ
チ30、抵抗21、ダイオード25、およびインバータ
ー13は抵抗18゜20、ダイオード22,23、スイ
ッチ28によりそれぞれ構成されている。
FIG. 3 is a circuit that models the booster circuit in FIG.
9, a diode 24, an MO8+-rangestaff is constituted by a switch 30, a resistor 21, a diode 25, and an inverter 13 is constituted by a resistor 18.20, diodes 22, 23, and a switch 28, respectively.

まず、スイッチ29がON、スイッチ28が抵抗20側
に接続されると、コンデンサ6は電池1によって充電さ
れる。
First, when the switch 29 is turned on and the switch 28 is connected to the resistor 20 side, the capacitor 6 is charged by the battery 1.

次に、スイッチ29がOFF、スイッチ30がON、ス
イッチ28が抵抗18側に接続されると、コンデンサ6
と電池1が直列接続となり、コンデンサ11は電池重置
の2倍の電圧に充電される。
Next, when the switch 29 is turned off, the switch 30 is turned on, and the switch 28 is connected to the resistor 18 side, the capacitor 6
and the battery 1 are connected in series, and the capacitor 11 is charged to twice the voltage as when the batteries are stacked.

ここで、電池1が第3図における回路に接続されてから
昇圧電圧がある一定の電圧に達するまでの時間は、抵抗
18〜21の抵抗値とコンデンサー6 、11の容量値
、及びスイッチ28〜30の開閉のタイミングで決定さ
れるが、抵抗18〜21の抵抗値及びコンデンサー6.
11の容量値の制限より少なくとも数百μs以上の時定
数となる。
Here, the time from when the battery 1 is connected to the circuit shown in FIG. It is determined by the timing of opening and closing of resistors 18 to 21 and the resistance value of capacitor 6.
Due to the capacitance value limit of No. 11, the time constant is at least several hundred μs or more.

一方、電源投入時には、スイッチ28,29゜30の状
態にかかわらずダイオード24.25が順方向になり、
コンデンサー11に充電するループができる。
On the other hand, when the power is turned on, the diodes 24 and 25 are in the forward direction regardless of the states of the switches 28, 29 and 30.
A loop is created to charge the capacitor 11.

この様子を示すのが第4図である。スイッチ32は、電
池の投入を図式化したものである。
FIG. 4 shows this situation. The switch 32 is a diagrammatic representation of battery insertion.

第5図は、ダイオード24.25の順方向V−I特性で
ある。
FIG. 5 shows the forward VI characteristics of the diodes 24 and 25.

第6図は、コンデンサー11の電圧(−VDD)の時間
特性を示している。
FIG. 6 shows the time characteristics of the voltage (-VDD) of the capacitor 11.

−VDDは、電池電圧からダイオードの電圧降下分2■
oを減じた値までは、コンデンサー11が急速に充電さ
れるために、急速に増加する。
-VDD is the voltage drop of the diode from the battery voltage by 2■
Since the capacitor 11 is rapidly charged, the value increases rapidly up to the value obtained by subtracting o.

しかし、その後は昇圧回路の動作に依存するため、増加
がゆるやかになってしまつ。
However, since it depends on the operation of the booster circuit after that, the increase becomes gradual.

第7図は、昇圧電圧を利用して電源投入時にリセット回
路を作り出す回路の一列であり、入力端35には第1図
コンデンサ11の電圧、即ち、昇圧電圧−VDDが印加
され、コンデンサー36及び抵@31によって昇圧電圧
が微分される。
FIG. 7 shows a line of circuits that utilize a boosted voltage to create a reset circuit when the power is turned on.The voltage of the capacitor 11 in FIG. 1, that is, the boosted voltage -VDD, is applied to the input terminal 35, The boosted voltage is differentiated by the resistor @31.

この微分信号は、MOSトランジスタ38.39により
構成されたインバーターに入力され、このインバーター
のスレッショルド電圧を越えたル」間反転パルスが出力
される。
This differential signal is input to an inverter constituted by MOS transistors 38 and 39, and an inverting pulse exceeding the threshold voltage of this inverter is output.

この信号はMO8I−ランジスタ40.41よりなるイ
ンバータによって整形され、端子42にリセット信号が
得られる。
This signal is shaped by an inverter consisting of MO8I transistors 40 and 41, and a reset signal is obtained at terminal 42.

ここでMOSトランジスタ38〜41は、VDDがスレ
ッショルド電圧より高くなければ正常な動作が行なわれ
ず、従って、微分信号は昇圧電圧VDDがMOSトラン
ジスタ38〜41のスレッショルド電圧より高くなった
後に出なけれは、リセット信号−は得られない。
Here, the MOS transistors 38 to 41 cannot operate normally unless VDD is higher than the threshold voltage, so the differential signal must be output after the boosted voltage VDD becomes higher than the threshold voltage of the MOS transistors 38 to 41. A reset signal cannot be obtained.

そのためには、VDDが上記スレッショルド電圧になる
時間より十分長く、微分信号を出力しなけれはならない
For this purpose, the differential signal must be output for a period sufficiently longer than the time when VDD reaches the threshold voltage.

しかしながら、コンデンサー36の容量値は、拡散によ
り作るため数PFのオーダーであり、又、抵抗37も数
MΩオーダーが限度であるため、結局、時定数としては
数μsec〜数十μse4度しか取る事が出来ない。
However, since the capacitance value of the capacitor 36 is made by diffusion, it is on the order of several PF, and the resistor 37 has a limit of several MΩ, so in the end, the time constant can only be taken from a few microseconds to several tens of microseconds and 4 degrees. I can't.

従ってVDDを数μsec以下で、MO8I−ランジス
タ38〜41のスレッショルド以上にしなければならな
い。
Therefore, VDD must be made equal to or higher than the thresholds of the MO8I transistors 38 to 41 within several microseconds.

第1図における昇圧回路においては、昇圧の時定数は数
百μsec以上であり、且つダイオード33.34によ
る電圧降下も2■o値が大きく、条件を満たす事ができ
ない。
In the booster circuit shown in FIG. 1, the time constant for boosting is several hundreds of microseconds or more, and the voltage drop due to the diodes 33 and 34 has a large 2<o> value, so that the conditions cannot be met.

第8図は、本発明による実施例であり、第1図における
昇圧回路のトランジスタ2,7に並列にダイオード58
を挿入したものである。
FIG. 8 shows an embodiment according to the present invention, in which a diode 58 is connected in parallel to transistors 2 and 7 of the booster circuit in FIG.
is inserted.

電池1が回路に接続された時、第9図のようにダイオー
ド58が順方向になり、コンデンサー11に充電され、
VDDが降下する。
When the battery 1 is connected to the circuit, the diode 58 becomes forward direction as shown in FIG. 9, and the capacitor 11 is charged.
VDD drops.

この時のダイオードによる電圧降下は、第4図の場合に
比べ約1/2となる。
The voltage drop due to the diode at this time is approximately 1/2 compared to the case shown in FIG.

第10図は、ダイオード58の順方向V−I特性であり
、第11図は−VDDの時間特性である。
FIG. 10 shows the forward VI characteristic of the diode 58, and FIG. 11 shows the -VDD time characteristic.

このようにダイオード58を設けることにより、第7図
35を第8図−VDDに接続すれば、 VDDは第11
図から明らかな如く、VSSから■9を引いた値まです
みやかに増大し、又、VSSから■。
By providing the diode 58 in this manner, if FIG. 7 35 is connected to FIG. 8 - VDD, VDD becomes the 11th
As is clear from the figure, the value quickly increases to the value obtained by subtracting ■9 from VSS, and also from VSS to ■.

を引いた値を、第7図のトランジスタvthより大きく
とる事は簡単に実現でき、且つダイオード58の順方向
電流を大きくとる事により、 VDDが−vth以下に
なる時間を数μsecに設定する事ができる。
It is easy to make the value obtained by subtracting the value larger than the transistor vth in Fig. 7 by increasing the forward current of the diode 58, and setting the time for VDD to be less than -vth to several μsec. I can do it.

この結果、昇圧電圧の立上がりを早くすることができ、
又、第7図の回路を用いて安定したリセット信号を得る
ことができる。
As a result, the boost voltage can rise quickly,
Furthermore, a stable reset signal can be obtained using the circuit shown in FIG.

尚、ダイオード58を付加しても ダイオード58は電
源投入時以外は逆バイアスとなり、昇圧動作に影響を及
ぼさないことは、第3図からも明らかであろう。
It is clear from FIG. 3 that even if the diode 58 is added, the diode 58 is reverse biased except when the power is turned on, and does not affect the boosting operation.

以上、本発明によれば、外付は部品が少なく、且つ昇圧
効率が良い昇圧回路を提供することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a booster circuit with fewer external components and high boosting efficiency.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明に使用するMOSトランジスタとコン
デンサーにより構成されている昇圧回路の実施例であり
、1・・・・・・電池、2〜4,6〜10・・・・・・
MO8I−ランジスタ、5,11・・・・・・コンデン
サー、12〜16・・・・・・インバーターである。 第2図は、第1回者部のタイミングチャートである。 第3図は、第1図をモデル化した回路で、18〜21・
・・・・・抵抗、22〜25・・・・・・ダイオード、
28〜30・・・・・・スイッチである。 第4図は、ダイオードの順方向電流による充電回路で、
1・・・・・・電池、32・・・・・・スイッチ、24
゜25・・・・・・ダイオード、11・・・・・・コン
デンサーである。 第5図は、ダイオードの順方向V−I特性である。 第6図は、 VDDの時間特性である。第7図は、リセ
ット信号回路で、35・・・・・・入力端、36・・・
・・・コンデンサー、37・・・・・・抵抗、38〜4
1・・・・・・MOSトランジスタである。 第8図は、本発明の実施例であり、58・・・・・・ダ
イオードである。 第9図は、ダイオードの順方向の電流による充電回路で
、1・・・・・・電池、32・・・・・・スイッチ、2
4゜25.58・・・・・・ダイオード、11・・・・
・・コンデンサーである。 第10図は、ダイオードの順方向V−I特性である。
FIG. 1 shows an embodiment of a booster circuit constituted by MOS transistors and capacitors used in the present invention. 1...Battery, 2-4, 6-10...
MO8I - transistor, 5, 11... capacitor, 12-16... inverter. FIG. 2 is a timing chart of the first round. Figure 3 is a circuit modeled on Figure 1, with 18 to 21.
...Resistance, 22-25...Diode,
28-30...switches. Figure 4 shows a charging circuit using forward current of a diode.
1...Battery, 32...Switch, 24
゜25...Diode, 11...Capacitor. FIG. 5 shows the forward direction VI characteristics of the diode. Figure 6 shows the time characteristics of VDD. FIG. 7 shows a reset signal circuit, with input terminals 35, 36...
... Capacitor, 37 ... Resistor, 38-4
1... MOS transistor. FIG. 8 shows an embodiment of the present invention, and shows diodes 58. Fig. 9 shows a charging circuit using forward current of a diode. 1...Battery, 32...Switch, 2
4゜25.58...Diode, 11...
...It's a capacitor. FIG. 10 shows the forward direction VI characteristics of the diode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 電源電池、第1のコンデンサ、第1のスイッチング
MOSトランジスタ並びに第2のスイッチングMOSト
ランジスタよりなる閉回路、及び一端が前記第1のスイ
ッチングMO8l−ランジスタと第2のスイッチングM
OSトランジスタの接続点に接続され、他端が前記電源
電池の第1又は第2の電位に交互に接続される第2のコ
ンデンサよりなる時3]用昇圧回路において、@記第1
のスイッチングMOSトランジスタと前記第2のスイッ
チングMOSトランジスタの直列回路に並置1]接続さ
れ、前記電源電池投入時に充電レープを形成するダイオ
ードを設けたことを特徴とする時計用昇圧回路1゜
1 A closed circuit consisting of a power supply battery, a first capacitor, a first switching MOS transistor, and a second switching MOS transistor, and one end of which is connected to the first switching MO8l-transistor and the second switching MOS transistor.
In the step-up circuit for [3], the booster circuit comprises a second capacitor connected to the connection point of the OS transistor and whose other end is alternately connected to the first or second potential of the power supply battery.
A step-up circuit for a watch, characterized in that a diode is provided which is connected in parallel to the series circuit of the switching MOS transistor and the second switching MOS transistor, and forms a charging loop when the power source battery is turned on.
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