JPH06350421A - Photodetector - Google Patents

Photodetector

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Publication number
JPH06350421A
JPH06350421A JP5140695A JP14069593A JPH06350421A JP H06350421 A JPH06350421 A JP H06350421A JP 5140695 A JP5140695 A JP 5140695A JP 14069593 A JP14069593 A JP 14069593A JP H06350421 A JPH06350421 A JP H06350421A
Authority
JP
Japan
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voltage
comparator
output
transistor
load
Prior art date
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Pending
Application number
JP5140695A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsutomu Nishi
努 仁志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP5140695A priority Critical patent/JPH06350421A/en
Publication of JPH06350421A publication Critical patent/JPH06350421A/en
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  • Electronic Switches (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Abstract

PURPOSE:To finely set the time from power-on to load operation start by properly selecting the capacitance of a capacitor. CONSTITUTION:A second reference voltage Vref2 starts rising when a power source V1 is turned on, and a terminal voltage (b) of a capacitor 21 starts rising with a specific time constant in accordance with this rise of the voltage Vref2. Since the second reference voltage Vref2 is higher than the terminal voltage (b) of the capacitor 21 until a prescribed time elapses after power-on, the output of a second comparator 22 goes to the high level, and a cut-off transistor TR 41 is turned on. In this case, the voltage between the base and the emitter of the cut-off TR 41 is clearly lower than the threshold voltage of an inverter 27. Consequently, the cutoff TR 41 is turned on earlier before the inverter 27 outputs the low level in the process of the rise to the high level of the output of the second comparator 22. Thus, an AND gate 26 falls to the low level.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、負荷の初期設定回路及
び過電流保護回路を兼ね備えた光検出器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photodetector having both a load initialization circuit and an overcurrent protection circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3は一般的な光検出器である。図3に
おいて、(1)は発光ダイオード(発光素子)であり、
アノードは電源V1(5V)と接続され、カソードはス
イッチングトランジスタ(2)のコレクタエミッタ路を
介して接地されている。(3)は発光ダイオード(1)
を点灯又は消灯する駆動回路である。該駆動回路(3)
は、120μsec中で5μsecだけハイレベルとな
る駆動パルスを周期的に発生するものである。即ち、ハ
イレベルの駆動パルスが発生した時、スイッチングトラ
ンジスタ(2)が導通し、これに伴い、発光ダイオード
(1)が点灯して光信号を照射する。(4)は受光ダイ
オード(受光素子)であり、カソードは電源V1と接続
され、アノードは抵抗(5)を介して接地されている。
(6)はコンデンサであり、受光ダイオード(4)及び
抵抗(5)の接続点に接続され、受光ダイオード(4)
を流れる電流の直流成分を除去するものである。(7)
は増幅器であり、コンデンサ(6)を通過した交流成分
を増幅するものである。(8)は可変抵抗であり、増幅
器(7)の出力電圧を後段で適宜信号処理できる様に調
整するものである。(9)はコンデンサであり、可変抵
抗(8)のタップ点と接続され、可変抵抗(8)のタッ
プ点に現れる直流成分を除去するものである。(10)
は増幅器であり、コンデンサ(9)を通過した交流成分
を増幅するものである。(11)はリレー等の負荷であ
り、一端は電源V2(12V)と接続されている。(1
2)はスイッチングトランジスタであり、コレクタは負
荷(11)の他端と接続され、エミッタは抵抗(13)
を介して接地されている。(14)は信号処理回路であ
り、増幅器(10)の出力電圧に負荷(11)を駆動で
きる状態となる様に信号処理を施すものである。具体的
には、信号処理回路(14)は、複数のTフリップフロ
ップを直列接続して成り、増幅器(10)の出力電圧の
5μsecのハイレベル期間を数百μsecに引き延ば
し、負荷(11)が十分に追従して動作できる様にして
いる。
2. Description of the Related Art FIG. 3 shows a general photodetector. In FIG. 3, (1) is a light emitting diode (light emitting element),
The anode is connected to the power supply V1 (5V), and the cathode is grounded via the collector-emitter path of the switching transistor (2). (3) is a light emitting diode (1)
Is a drive circuit for turning on or off. The drive circuit (3)
Is to periodically generate a drive pulse that becomes a high level for 5 μsec in 120 μsec. That is, when a high-level drive pulse is generated, the switching transistor (2) becomes conductive, and accordingly, the light emitting diode (1) is turned on to emit an optical signal. (4) is a light receiving diode (light receiving element), the cathode is connected to the power supply V1, and the anode is grounded via the resistor (5).
(6) is a capacitor, which is connected to the connection point of the light receiving diode (4) and the resistor (5),
The DC component of the current flowing through is removed. (7)
Is an amplifier that amplifies the AC component that has passed through the capacitor (6). Reference numeral (8) is a variable resistor for adjusting the output voltage of the amplifier (7) so that signal processing can be appropriately performed in the subsequent stage. Reference numeral (9) is a capacitor, which is connected to the tap point of the variable resistor (8) and removes a DC component appearing at the tap point of the variable resistor (8). (10)
Is an amplifier, which amplifies the AC component that has passed through the capacitor (9). (11) is a load such as a relay, one end of which is connected to the power supply V2 (12V). (1
2) is a switching transistor, the collector is connected to the other end of the load (11), and the emitter is a resistor (13).
Grounded through. Reference numeral (14) is a signal processing circuit, which applies signal processing to the output voltage of the amplifier (10) so that the load (11) can be driven. Specifically, the signal processing circuit (14) is formed by connecting a plurality of T flip-flops in series, and extends the high level period of 5 μsec of the output voltage of the amplifier (10) to several hundred μsec, so that the load (11) is It is designed so that it can follow and operate sufficiently.

【0003】図4は負荷(11)が過負荷状態となった
ことを検出する回路である。図4において、(15)
(16)は電源V1及びアース間に直列接続された抵抗
であり、抵抗(15)(16)の分圧点には第1基準電
圧Vref1(1.5V)が発生する。(17)は第1比較
器であり、非反転入力端子には第1基準電圧Vref1が印
加され、反転入力端子にはスイッチングトランジスタ
(12)のベース電圧が印加される。尚、負荷(11)
が通常状態で動作している時、第1比較器(17)はハ
イレベルを出力する様になっている。(18)は定電流
源であり、電源V1が印加されて数μAの定電流を供給
するものである。即ち、定電流源(18)は数MΩの極
めて大きい抵抗値を有しているのと等価となる。(1
9)は放電路を形成するトランジスタであり、ベースは
インバータ(20)を介して第1比較器(17)の出力
端子と接続され、コレクタエミッタ路は定電流源(1
8)及びアース間に接続されている。尚、該トランジス
タ(19)が導通している時のコレクタエミッタ間のオ
ン抵抗は100Ω程度となる。(21)は定電流源(1
8)及びアース間に接続されたコンデンサである。該コ
ンデンサ(21)は、定電流源(18)の抵抗値及びコ
ンデンサ(21)の容量で決定する時定数Tに従って緩
やかに充電を行い、又、トランジスタ(19)のオン抵
抗及びコンデンサ(21)の容量で決定する時定数T’
(<T)に従って急峻に放電を行う。(22)は第2比
較器であり、非反転入力端子には後述するヒステリシス
を有する第2基準電圧Vref2(1.3V又は3.7V)
が印加され、反転入力端子にはコンデンサ(21)の端
子電圧が印加される。(23)(24)は電源V1及び
アース間に直列接続された抵抗であり、分圧点にはヒス
テリシスを有する第2基準電圧Vref2が発生する。(2
5)は第2比較器(22)の非反転入力端子及び出力端
子の間に接続された抵抗である。即ち、第2比較器(2
2)がローレベルを出力している時、第2基準電圧Vre
f2は抵抗(23)の単体及び抵抗(24)(25)の並
列体を分圧した1.3Vとなり、又、第2比較器(2
2)がハイレベルを出力している時、第2基準電圧Vre
f2は抵抗(23)(25)の並列体及び抵抗(24)の
単体を分圧した3.7Vとなる。(26)はANDゲー
トであり、一方の入力端子には信号処理回路(14)の
出力SPが印加され、他方の入力端子には第2比較器
(22)の出力がインバータ(27)を介して印加され
る。(28)(29)は定電流を供給するトランジスタ
であり、トランジスタ(28)のベースはANDゲート
(26)の出力端子と接続され、コレクタは電源V2と
接続されている。即ち、ANDゲート(26)がハイレ
ベルを出力した時、トランジスタ(28)はエミッタか
ら定電流を発生する。(30)(31)はトランジスタ
(28)のエミッタ及びアース間に直列接続された抵抗
であり、分圧値がスイッチングトランジスタ(12)の
ベースに印加される様になっている。尚、抵抗(30)
(31)は、負荷(11)が通常動作している時に分圧
値が第1基準電圧Vref1未満となる様な値に設定され、
更に、トランジスタ(28)のエミッタ電流がスイッチ
ングトランジスタ(12)のベースに殆ど印加される様
な値に設定されている。そして、図5の時刻t0におい
て、負荷(11)が誤接続、経時変化等の要因を受けて
短絡してしまった場合、負荷(11)の過電流に伴って
スイッチングトランジスタ(12)のベース電圧が第1
基準電圧Vref1を越えたことを検出して、負荷(11)
及びスイッチングトランジスタ(12)の信号路を周期
的に遮断し、これより、スイッチングトランジスタ(1
2)の導通時間を制限して該トランジスタ(12)の破
壊を防止している。
FIG. 4 shows a circuit for detecting that the load (11) has become overloaded. In FIG. 4, (15)
Reference numeral (16) is a resistor connected in series between the power source V1 and the ground, and the first reference voltage Vref1 (1.5 V) is generated at the voltage dividing point of the resistors (15) and (16). (17) is a first comparator, the first reference voltage Vref1 is applied to the non-inverting input terminal, and the base voltage of the switching transistor (12) is applied to the inverting input terminal. The load (11)
Is operating in the normal state, the first comparator (17) outputs a high level. (18) is a constant current source, which is supplied with a power source V1 and supplies a constant current of several μA. That is, the constant current source (18) is equivalent to having an extremely large resistance value of several MΩ. (1
9) is a transistor forming a discharge path, the base of which is connected to the output terminal of the first comparator (17) through an inverter (20), and the collector-emitter path of which is a constant current source (1).
8) and ground. The ON resistance between the collector and the emitter when the transistor (19) is conducting is about 100Ω. (21) is a constant current source (1
8) and a capacitor connected between ground. The capacitor (21) is slowly charged according to the time constant T determined by the resistance value of the constant current source (18) and the capacity of the capacitor (21), and the on-resistance of the transistor (19) and the capacitor (21). Time constant T'determined by the capacity of
According to (<T), the discharge is performed rapidly. Reference numeral (22) is a second comparator, and a second reference voltage Vref2 (1.3V or 3.7V) having a hysteresis described later on the non-inverting input terminal.
Is applied, and the terminal voltage of the capacitor (21) is applied to the inverting input terminal. (23) and (24) are resistors connected in series between the power source V1 and the ground, and the second reference voltage Vref2 having hysteresis is generated at the voltage dividing point. (2
5) is a resistor connected between the non-inverting input terminal and the output terminal of the second comparator (22). That is, the second comparator (2
2) is outputting a low level, the second reference voltage Vre
f2 is 1.3 V obtained by dividing the resistance (23) alone and the parallel combination of the resistances (24) and (25), and the second comparator (2
2) is outputting a high level, the second reference voltage Vre
f2 is 3.7V obtained by dividing the parallel body of the resistors (23) and (25) and the single body of the resistor (24). (26) is an AND gate, the output SP of the signal processing circuit (14) is applied to one input terminal, and the output of the second comparator (22) is applied to the other input terminal via an inverter (27). Applied. (28) and (29) are transistors for supplying a constant current, the base of the transistor (28) is connected to the output terminal of the AND gate (26), and the collector is connected to the power supply V2. That is, when the AND gate (26) outputs a high level, the transistor (28) generates a constant current from the emitter. Reference numerals (30) and (31) are resistors connected in series between the emitter of the transistor (28) and the ground, and the divided voltage value is applied to the base of the switching transistor (12). The resistance (30)
(31) is set to a value such that the divided voltage value is less than the first reference voltage Vref1 when the load (11) is operating normally,
Furthermore, the emitter current of the transistor (28) is set to such a value that it is almost applied to the base of the switching transistor (12). Then, at the time t0 in FIG. 5, when the load (11) is short-circuited due to factors such as incorrect connection and aging, the base voltage of the switching transistor (12) is increased due to the overcurrent of the load (11). Is the first
Detecting that the reference voltage Vref1 has been exceeded, load (11)
And the signal path of the switching transistor (12) is periodically cut off.
The conduction time of 2) is limited to prevent the transistor (12) from being destroyed.

【0004】図6は、負荷(11)の初期設定回路及び
過電流保護回路を兼ね備えた光検出器の一部を示す図で
ある。尚、図4及び図6の中で同一素子には同一符号を
記すことにする。図6において、(32)は発振器であ
り、発振クロックCK1を発生するものである。(3
3)は分周器であり、複数のTフリップフロップ(図示
せず)を直列接続して成り、発振クロックCK1を所定
分周して分周クロックCK2を発生するものである。前
記複数のTフリップフロップの数は、電源V1が投入さ
れてから負荷(11)が動作開始する迄の時間を決定す
るものであり、光検出器を使用するユーザの希望に応じ
て選択されるものである。尚、発振器(32)及び分周
器(33)はCMOSトランジスタで構成されている。
(34)は基準電圧発生回路であり、第3基準電圧Vre
f3を発生するものである。(35)(36)は電源V1
及びアース間に直列接続された抵抗である。(37)は
第3比較器であり、非反転入力端子には第3基準電圧V
ref3が印加され、反転入力端子には抵抗(35)(3
6)の接続点電圧が印加される。ここで、図7に示す様
に、抵抗(35)(36)の接続点電圧は、電源V1が
投入されて時刻t’に至った時に第3基準電圧Vref3を
越える様に立上る特性を有している。即ち、第3比較器
(37)は、時刻t’以前にハイレベルを出力し、時刻
t’以後にローレベルを出力する。(38)はRSフリ
ップフロップであり、S(セット)端子には分周クロッ
クCK2が印加され、R(リセット)端子には第3比較
器(37)の出力が印加される。即ち、RSフリップフ
ロップ(38)は、電源V1が投入されて時刻t’に至
る迄の間はリセットされ、その後、分周クロックCK2
の立上りでセットされる。(39)は過電流検出ブロッ
クであり、図4の破線で囲んだ部分に相当するものであ
る。(40)はNORゲートであり、一方の入力端子に
はRSフリップフロップ(38)の反転出力*Qが印加
され、他方の入力端子には過電流検出ブロック(39)
の出力cが印加される。即ち、電源V1が投入されて時
刻t’に至る迄は、ANDゲート(26)は過電流検出
ブロック(39)の出力状態に関係なく閉状態となり、
負荷(11)は動作しない初期状態に設定される。ま
た、時刻t’以後は、ANDゲート(26)は過電流検
出ブロック(39)が負荷(11)の過電流を検出した
時に開状態から閉状態となり、この時に負荷(11)は
動作を停止する。
FIG. 6 is a diagram showing a part of a photodetector having both an initial setting circuit for the load (11) and an overcurrent protection circuit. The same elements in FIGS. 4 and 6 are designated by the same reference numerals. In FIG. 6, reference numeral (32) is an oscillator that generates an oscillation clock CK1. (3
3) is a frequency divider, which is formed by connecting a plurality of T flip-flops (not shown) in series, and which divides the oscillation clock CK1 by a predetermined frequency to generate a frequency-divided clock CK2. The number of the plurality of T flip-flops determines the time from when the power source V1 is turned on to when the load (11) starts to operate, and is selected according to the wish of the user who uses the photodetector. It is a thing. The oscillator (32) and the frequency divider (33) are composed of CMOS transistors.
Reference numeral (34) is a reference voltage generating circuit, which is the third reference voltage Vre.
f3 is generated. (35) and (36) are the power source V1
And a resistor connected in series between the ground and the ground. (37) is a third comparator, the third reference voltage V
ref3 is applied and the resistance (35) (3
The connection point voltage of 6) is applied. Here, as shown in FIG. 7, the connection point voltage of the resistors (35) and (36) has a characteristic that it rises so as to exceed the third reference voltage Vref3 at time t ′ when the power source V1 is turned on. is doing. That is, the third comparator (37) outputs a high level before time t'and a low level after time t '. (38) is an RS flip-flop, the divided clock CK2 is applied to the S (set) terminal, and the output of the third comparator (37) is applied to the R (reset) terminal. That is, the RS flip-flop (38) is reset until the time t ′ after the power source V1 is turned on, and then the divided clock CK2.
Is set at the rising edge of. Reference numeral (39) denotes an overcurrent detection block, which corresponds to the portion surrounded by the broken line in FIG. Reference numeral (40) is a NOR gate, to which the inverted output * Q of the RS flip-flop (38) is applied to one input terminal and the overcurrent detection block (39) to the other input terminal.
Output c is applied. That is, the AND gate (26) is closed regardless of the output state of the overcurrent detection block (39) until the time t ′ after the power source V1 is turned on,
The load (11) is set to an initial state in which it does not operate. Further, after the time t ′, the AND gate (26) changes from the open state to the closed state when the overcurrent detection block (39) detects the overcurrent of the load (11), and at this time, the load (11) stops operating. To do.

【0005】この様に、従来の光検出器は、CMOSト
ランジスタ及びバイポーラトランジスタを含む初期設定
回路及び過電流保護回路を兼ね備えていた。
As described above, the conventional photodetector has both an initial setting circuit including a CMOS transistor and a bipolar transistor and an overcurrent protection circuit.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、分周器
(33)内部のフリップフロップ数を適宜選択しても、
電源投入から負荷(11)の動作開始迄の時間を大まか
にしか(例えば5,10,20,40msec等)設定
できなかった。特に、分周クロックCK2を得る迄に、
発振器(32)が発振開始する迄の誤差時間を含む為、
ユーザの希望する負荷(11)の動作開始時間を正確に
は設定できなかった。また、負荷(11)の初期設定回
路及び過電流検出回路はCMOSトランジスタ及びバイ
ポーラトランジスタが混在した状態で独立している為、
光検出器を集積化する際に、パターン設計が複雑になっ
たり、チップ面積が大きくなったりする問題があった。
However, even if the number of flip-flops inside the frequency divider (33) is appropriately selected,
The time from turning on the power to starting the operation of the load (11) can only be roughly set (for example, 5, 10, 20, 40 msec, etc.). In particular, until the divided clock CK2 is obtained,
Since the error time until the oscillator (32) starts to oscillate is included,
The operation start time of the load (11) desired by the user could not be set accurately. Moreover, since the initial setting circuit and the overcurrent detection circuit of the load (11) are independent in a state where CMOS transistors and bipolar transistors are mixed,
When integrating the photodetectors, there are problems that the pattern design becomes complicated and the chip area becomes large.

【0007】そこで、本発明は、電源投入から負荷の動
作解除までの時間を細かく設定できる集積化に適した光
検出器を提供することを目的とする。
Therefore, an object of the present invention is to provide a photodetector suitable for integration in which the time from power-on to operation release of a load can be finely set.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、前記問題点を
解決する為に成されたものであり、その特徴とするとこ
ろは、受光素子が発光素子から照射された光信号を受け
た時、該受光素子を流れる電流を増幅して電圧として取
り出す増幅器と、該増幅器の出力電圧に負荷を制御でき
る状態となる様に信号処理を施す信号処理回路と、該信
号処理回路の出力電圧に応じてスイッチングし、前記負
荷に電流を供給するスイッチングトランジスタと、を備
えた光検出器において、前記スイッチングトランジスタ
の入力電圧及び第1基準電圧を比較する第1比較器と、
前記第1比較器の出力電圧に応じて充電又は放電を行う
充放電回路と、前記充放電回路の充放電電圧及びヒステ
リシスを有する第2基準電圧を比較する第2比較器と、
前記第2比較器の出力電圧に応じて前記信号処理回路及
び前記スイッチングトランジスタの信号路を接続又は遮
断するゲートと、電源投入後の初期設定時における前記
第2比較器の出力電圧に応じて前記ゲートの出力路を強
制的に遮断する遮断トランジスタと、を備えた点であ
る。
The present invention has been made to solve the above problems, and is characterized in that when a light receiving element receives an optical signal emitted from the light emitting element. , An amplifier that amplifies the current flowing through the light receiving element and extracts it as a voltage, a signal processing circuit that performs signal processing so that the load can be controlled to the output voltage of the amplifier, and an output voltage of the signal processing circuit A photodetector comprising: a switching transistor that switches in accordance with the present invention and supplies a current to the load; a first comparator that compares an input voltage of the switching transistor and a first reference voltage;
A charge / discharge circuit for charging or discharging according to the output voltage of the first comparator, and a second comparator for comparing the charge / discharge voltage of the charge / discharge circuit and a second reference voltage having hysteresis,
A gate that connects or disconnects the signal paths of the signal processing circuit and the switching transistor according to the output voltage of the second comparator, and the gate according to the output voltage of the second comparator at the time of initial setting after power-on. And a cutoff transistor forcibly cutting off the output path of the gate.

【0009】[0009]

【作用】本発明によれば、電源投入後、充放電回路の充
放電電圧が所定値に達する迄、第2比較器の出力電圧に
応じて遮断トランジスタを導通させてゲートの出力路を
強制的に遮断させ、これより、負荷を動作しない初期状
態に設定している。
According to the present invention, after the power is turned on, the cutoff transistor is made conductive in accordance with the output voltage of the second comparator until the charge / discharge voltage of the charge / discharge circuit reaches a predetermined value, forcing the output path of the gate. Then, the load is set to the initial state in which the load does not operate.

【0010】[0010]

【実施例】本発明の詳細を図面に従って具体的に説明す
る。図1は本発明の光検出器を示す図である。尚、図1
及び図4の中で同一素子には同一符号を付すことにす
る。図1において、(41)は遮断トランジスタであ
り、ベースは第2比較器(22)の出力端子と接続さ
れ、コレクタはANDゲート(26)の出力端子と接続
され、エミッタは接地されている。図2において、電源
V1が投入されると、第2基準電圧Vref2が上昇し始め
(一点鎖線)、これに追従して、コンデンサ(21)の
端子電圧bが時定数Tで上昇し始める(実線)。電源投
入後から時刻tに至る迄の間は、第2基準電圧Vref2が
コンデンサ(21)の端子電圧bより高い状態にあるの
で、第2比較器(22)の出力がハイレベルとなり、遮
断トランジスタ(41)はオンする。ここで、遮断トラ
ンジスタ(41)のベースエミッタ間電圧はインバータ
(27)のスレッショルド電圧より明らかに低い。従っ
て、第2比較器(22)の出力がハイレベルに立上る過
程で、遮断トランジスタ(41)の方がインバータ(2
7)がローレベルを出力する以前に一早くオンする。こ
れより、ANDゲート(26)はインバータ(27)の
不定出力に関係なくローレベルに立下り、負荷(11)
は電源投入後に従来より早いタイミングで動作すること
のない初期状態に設定される。時刻t以降は、第2基準
電圧Vref2がコンデンサ(21)の端子電圧bより低い
状態になるので、第2比較器(22)の出力がローレベ
ルとなり、インバータ(27)の出力がハイレベルにな
ると共に遮断トランジスタ(41)がオフする。これよ
り、ANDゲート(26)は信号処理回路(14)の出
力SPに応じてハイレベルに立上り、負荷(11)は動
作し始める。
The details of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a photodetector of the present invention. Incidentally, FIG.
Also, in FIG. 4, the same elements are designated by the same reference numerals. In FIG. 1, (41) is a cutoff transistor, the base is connected to the output terminal of the second comparator (22), the collector is connected to the output terminal of the AND gate (26), and the emitter is grounded. In FIG. 2, when the power supply V1 is turned on, the second reference voltage Vref2 starts to rise (dashed line), and following this, the terminal voltage b of the capacitor (21) starts to rise at the time constant T (solid line). ). Since the second reference voltage Vref2 is higher than the terminal voltage b of the capacitor (21) from the time when the power is turned on to the time t, the output of the second comparator (22) becomes high level and the cutoff transistor is turned on. (41) turns on. Here, the base-emitter voltage of the cutoff transistor (41) is obviously lower than the threshold voltage of the inverter (27). Therefore, in the process of the output of the second comparator (22) rising to the high level, the cut-off transistor (41) turns into the inverter (2).
It turns on early before 7) outputs low level. As a result, the AND gate (26) falls to the low level regardless of the indefinite output of the inverter (27), and the load (11)
Is set to an initial state in which it does not operate at an earlier timing than before after power is turned on. After the time t, the second reference voltage Vref2 becomes lower than the terminal voltage b of the capacitor (21), so that the output of the second comparator (22) becomes low level and the output of the inverter (27) becomes high level. Then, the cutoff transistor (41) is turned off. As a result, the AND gate (26) rises to a high level according to the output SP of the signal processing circuit (14), and the load (11) starts operating.

【0011】以下、図1の初期設定後の動作を図5の波
形図を基に説明する。時刻t0において、負荷(11)
が異常を来して過電流を発生した場合、抵抗(13)の
両端電圧が過電流に応じて上昇し、スイッチングトラン
ジスタ(12)のベース電圧が第1基準電圧Vref1より
高くなる。すると、第1比較器(17)の出力がローレ
ベルとなり、トランジスタ(19)がオンする。従っ
て、コンデンサ(21)は、トランジスタ(19)のオ
ン抵抗及びコンデンサ(21)の容量で決定する時定数
T’で放電を行う。時刻t1において、コンデンサ(2
1)の両端電圧が低い第2基準電圧Vref2まで下降する
と、第2比較器(22)の出力がハイレベルとなり、A
NDゲート(26)は閉状態となる。従って、信号処理
回路(14)の出力SPに関係なく、トランジスタ(2
8)(29)がオフし、スイッチングトランジスタ(1
2)もオフする。この時、スイッチングトランジスタ
(12)のベース電圧が0Vとなる為、第1比較器(1
7)の出力がハイレベルとなり、トランジスタ(19)
がオフする。従って、コンデンサ(21)は、定電流源
(18)の抵抗値及びコンデンサ(21)の容量で決定
する時定数Tで充電を行う。時刻t2において、コンデ
ンサ(21)の両端電圧が高い第2基準電圧Vref2まで
上昇すると、第2比較器(22)の出力がローレベルと
なり、ANDゲート(26)が開状態となる。従って、
信号処理回路(14)の出力SPに応じて、トランジス
タ(28)(29)がオンし、スイッチングトランジス
タ(12)もオンする。この時、スイッチングトランジ
スタ(12)のベース電圧が第1基準電圧Vref1より再
び高くなる為、第1比較器(17)の出力がローレベル
となり、トランジスタ(19)がオンする。従って、コ
ンデンサ(21)は、時定数T’で再び放電を始める。
尚、この動作は、負荷(11)の過電流が解消されるま
で断続的に繰り返される。
The operation after the initial setting of FIG. 1 will be described below with reference to the waveform chart of FIG. At time t0, the load (11)
Occurs and an overcurrent is generated, the voltage across the resistor (13) rises according to the overcurrent, and the base voltage of the switching transistor (12) becomes higher than the first reference voltage Vref1. Then, the output of the first comparator (17) becomes low level, and the transistor (19) is turned on. Therefore, the capacitor (21) discharges with a time constant T'determined by the on-resistance of the transistor (19) and the capacitance of the capacitor (21). At time t1, the capacitor (2
When the voltage across both ends of 1) drops to the second reference voltage Vref2 which is low, the output of the second comparator (22) becomes high level and A
The ND gate (26) is closed. Therefore, regardless of the output SP of the signal processing circuit (14), the transistor (2
8) (29) is turned off and the switching transistor (1
2) is also turned off. At this time, since the base voltage of the switching transistor (12) becomes 0V, the first comparator (1
The output of 7) becomes high level and the transistor (19)
Turns off. Therefore, the capacitor (21) is charged with the time constant T determined by the resistance value of the constant current source (18) and the capacity of the capacitor (21). At time t2, when the voltage across the capacitor (21) rises to the high second reference voltage Vref2, the output of the second comparator (22) becomes low level, and the AND gate (26) is opened. Therefore,
According to the output SP of the signal processing circuit (14), the transistors (28) and (29) are turned on, and the switching transistor (12) is also turned on. At this time, since the base voltage of the switching transistor (12) becomes higher than the first reference voltage Vref1, the output of the first comparator (17) becomes low level and the transistor (19) is turned on. Therefore, the capacitor (21) starts discharging again with the time constant T '.
Incidentally, this operation is repeated intermittently until the overcurrent of the load (11) is eliminated.

【0012】以上より、コンデンサ(21)の容量を適
宜選択するのみで、電源投入から負荷(11)の動作開
始までの時間を、光検出器を使用するユーザの希望通り
に細かく設定できることになる。また、過電流保護機能
及び初期設定機能の殆どを兼用すると共にバイポーラト
ランジスタで構成している為、光検出器を集積化する際
に、チップ面積が大きくなったり、パターン設計が複雑
になったりする問題を解消できることになる。
From the above, the time from power-on to the start of operation of the load (11) can be finely set as desired by the user who uses the photodetector, simply by appropriately selecting the capacitance of the capacitor (21). . Also, since it is composed of bipolar transistors while also having most of the overcurrent protection function and the initial setting function, when integrating the photodetector, the chip area becomes large and the pattern design becomes complicated. It will solve the problem.

【0013】[0013]

【発明の効果】本発明によれば、充放電回路の時定数を
適宜選択するのみで、電源投入から負荷の動作開始まで
の時間を、光検出器を使用するユーザの希望通りに細か
く設定できることになる。また、過電流保護機能及び初
期設定機能の殆どを兼用すると共にバイポーラトランジ
スタで構成している為、光検出器を集積化する際に、チ
ップ面積が大きくなったり、パターン設計が複雑になっ
たりする問題を解消できる利点が得られる。
According to the present invention, the time from power-on to the start of load operation can be finely set as desired by the user who uses the photodetector, simply by appropriately selecting the time constant of the charge / discharge circuit. become. Also, since it is composed of bipolar transistors while also having most of the overcurrent protection function and the initial setting function, when integrating the photodetector, the chip area becomes large and the pattern design becomes complicated. The advantage is that the problem can be solved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の光検出器を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a photodetector of the present invention.

【図2】図1及び図4の第2比較器の入力波形を示す図
である。
FIG. 2 is a diagram showing an input waveform of a second comparator of FIGS. 1 and 4.

【図3】光検出器の全体を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an entire photodetector.

【図4】従来の過電流保護機能を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a conventional overcurrent protection function.

【図5】図1及び図4の各部波形を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing waveforms at various points in FIGS. 1 and 4.

【図6】従来の過電流保護機能及び初期設定機能を示す
図である。
FIG. 6 is a diagram showing a conventional overcurrent protection function and an initial setting function.

【図7】図6の波形を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing the waveforms of FIG. 6;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

(1) 発光ダイオード (4) 受光ダイオード (7)(10) 増幅器 (11) 負荷 (12) スイッチングトランジスタ (14) 信号処理回路 (17) 第1比較器 (19) トランジスタ (21) コンデンサ (22) 第2比較器 (26) ANDゲート (41) 遮断トランジスタ (1) Light emitting diode (4) Light receiving diode (7) (10) Amplifier (11) Load (12) Switching transistor (14) Signal processing circuit (17) First comparator (19) Transistor (21) Capacitor (22) Second comparator (26) AND gate (41) Cutoff transistor

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 受光素子が発光素子から照射された光信
号を受けた時、該受光素子を流れる電流を増幅して電圧
として取り出す増幅器と、該増幅器の出力電圧に負荷を
制御できる状態となる様に信号処理を施す信号処理回路
と、該信号処理回路の出力電圧に応じてスイッチング
し、前記負荷に電流を供給するスイッチングトランジス
タと、を備えた光検出器において、 前記スイッチングトランジスタの入力電圧及び第1基準
電圧を比較する第1比較器と、 前記第1比較器の出力電圧に応じて充電又は放電を行う
充放電回路と、 前記充放電回路の充放電電圧及びヒステリシスを有する
第2基準電圧を比較する第2比較器と、 前記第2比較器の出力電圧に応じて前記信号処理回路及
び前記スイッチングトランジスタの信号路を接続又は遮
断するゲートと、 電源投入後の初期設定時における前記第2比較器の出力
電圧に応じて前記ゲートの出力路を強制的に遮断する遮
断トランジスタと、 を備えたことを特徴とする光検出器。
1. An amplifier for amplifying a current flowing through the light receiving element and extracting the voltage as a voltage when the light receiving element receives an optical signal emitted from the light emitting element, and a state in which a load can be controlled by an output voltage of the amplifier. A signal processing circuit that performs signal processing, and a switching transistor that switches according to an output voltage of the signal processing circuit and supplies a current to the load, the input voltage of the switching transistor and A first comparator for comparing a first reference voltage; a charging / discharging circuit for charging or discharging according to an output voltage of the first comparator; a second reference voltage having a charging / discharging voltage of the charging / discharging circuit and hysteresis; And a second comparator for comparing the signal paths of the signal processing circuit and the switching transistor according to the output voltage of the second comparator. Over DOO and the photodetector, wherein the blocking transistor to forcibly shut off the output path of the gate in accordance with the output voltage of the second comparator in the initial setting after power, further comprising: a.
【請求項2】 前記遮断トランジスタは、電源が投入さ
れてから前記充放電回路の充放電電圧が前記第2基準電
圧に達する迄の期間だけ、前記第2比較器の出力電圧に
従って前記ゲートの出力路を遮断することを特徴とする
請求項1記載の光検出器。
2. The output of the gate of the cutoff transistor according to the output voltage of the second comparator only during a period from when the power is turned on until the charge / discharge voltage of the charge / discharge circuit reaches the second reference voltage. The photodetector according to claim 1, wherein the photodetector blocks a path.
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CN106289516A (en) * 2016-08-29 2017-01-04 烽火通信科技股份有限公司 The control method of a kind of optical module received optical power detection and device thereof

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