JPS5826268U - 半導体イメ−ジデイテクタ - Google Patents

半導体イメ−ジデイテクタ

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Publication number
JPS5826268U
JPS5826268U JP1981120004U JP12000481U JPS5826268U JP S5826268 U JPS5826268 U JP S5826268U JP 1981120004 U JP1981120004 U JP 1981120004U JP 12000481 U JP12000481 U JP 12000481U JP S5826268 U JPS5826268 U JP S5826268U
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JP
Japan
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semiconductor image
image detector
semiconductor
meter
filter
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Pending
Application number
JP1981120004U
Other languages
English (en)
Inventor
櫛引　政司
Original Assignee
株式会社日立製作所
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Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社日立製作所 filed Critical 株式会社日立製作所
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  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は半導体イメージセンサの断面図、第２図は第１
図のセンサの分光感度分布図、第３図は本考案の半導体
イメージセンサの実施例の構成概念図、第４図は第３図
のセンサのコントラスト伝達関数の実測データ説明図で
ある。 １・・・入射光、２・・・５１０２．３・・・Ｐ−８ｉ
基板、４・・・Ｎ”拡散層、５・・・シリコンゲート（
蓄積部）、６・・・光シャヘイＡ１．７・・・分光感度
分布、８・・・ハロゲンランプ、９・・・走査面、１０
・・・フィルター、１１・・・レンズ、１２・・・−次
元イメージセンサ、１３・・・フィルタありデータ、１
４・・・フィルタなしデータ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体光電変換素子を、一つのチップ上に複数集積した
    半導体イメージセンサを使用する半導体イメージディテ
    クタにおいて、その光学系に、赤外線カットフィルター
    であって、かつそのしゃ断光波長が７００＋　１メート
    ルより１１００＋１メートルの間にあるフィルターを設
    置しその事により、当該受光素子の構造に起因する画像
    解像度の低下を防止するよう構成したことを特徴とする
    半導体イメージディテクタ。
JP1981120004U 1981-08-14 1981-08-14 半導体イメ−ジデイテクタ Pending JPS5826268U (ja)

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JP1981120004U JPS5826268U (ja) 1981-08-14 1981-08-14 半導体イメ−ジデイテクタ

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JP1981120004U JPS5826268U (ja) 1981-08-14 1981-08-14 半導体イメ−ジデイテクタ

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JPS5826268U true JPS5826268U (ja) 1983-02-19

Family

ID=29914041

Family Applications (1)

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JP1981120004U Pending JPS5826268U (ja) 1981-08-14 1981-08-14 半導体イメ−ジデイテクタ

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