JPS5824977B2 - 自励式混合回路 - Google Patents
自励式混合回路Info
- Publication number
- JPS5824977B2 JPS5824977B2 JP51004103A JP410376A JPS5824977B2 JP S5824977 B2 JPS5824977 B2 JP S5824977B2 JP 51004103 A JP51004103 A JP 51004103A JP 410376 A JP410376 A JP 410376A JP S5824977 B2 JPS5824977 B2 JP S5824977B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- excited
- self
- gate
- circuit
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/06—Receivers
- H04B1/16—Circuits
- H04B1/26—Circuits for superheterodyne receivers
- H04B1/28—Circuits for superheterodyne receivers the receiver comprising at least one semiconductor device having three or more electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/0002—Types of oscillators
- H03B2200/0008—Colpitts oscillator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
- H03D2200/0001—Circuit elements of demodulators
- H03D2200/0007—Dual gate field effect transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＦＭラジオ受信機およびテレビジョン受信機な
どの高周波回路に使用される自励式混合回路に関するも
のである。
どの高周波回路に使用される自励式混合回路に関するも
のである。
局部発振機能と周波数変換機能を一個の能動素子で行う
自励式混合回路は、他励式混合回路に対して、能動素子
を一個除去することができるので回路構成が簡単になる
。
自励式混合回路は、他励式混合回路に対して、能動素子
を一個除去することができるので回路構成が簡単になる
。
しかし、局部発振信号の注入量、発振の安定度、変換利
得を決定する能動素子の最適バイアス点が前記緒特性に
よって相異なるため技術的にむずかしく、現状ではバイ
ポーラトランジスタの自励式混合回路は開発されている
が、ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）を使用した自励式
混合回路はまだ開発されていない。
得を決定する能動素子の最適バイアス点が前記緒特性に
よって相異なるため技術的にむずかしく、現状ではバイ
ポーラトランジスタの自励式混合回路は開発されている
が、ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）を使用した自励式
混合回路はまだ開発されていない。
バイポーラトランジスタの自励式混合回路は混変調特性
が悪くこれを改善する必要がある。
が悪くこれを改善する必要がある。
ＦＥＴは原理的に混変調特性が良いので、ＦＥＴを使用
した自励式混合回路の実現が望まれている。
した自励式混合回路の実現が望まれている。
本発明の目的はＦＥＴを使用した自励式混合回路を提供
するにある。
するにある。
本発明では、能動素子としてデュアルゲートＦＥＴを使
用し、第２ゲートとドレイン間に挿入する帰還回路の構
成を工夫してＩＦ（中間周波数）での異常発振を抑圧す
ると同時に局部発振信号の注入を最適にし、安定でしか
も高利得の自励式混合回路を実現する。
用し、第２ゲートとドレイン間に挿入する帰還回路の構
成を工夫してＩＦ（中間周波数）での異常発振を抑圧す
ると同時に局部発振信号の注入を最適にし、安定でしか
も高利得の自励式混合回路を実現する。
以下本発明の実施例を図面を用いて説明する。
図に本発明による自励式混合回路を示す。
まず直流バイアス系から説明する。
第１図において、２はデュアルゲートＦＥＴを示し、２
ａ〜２ｄは各々ドレイン電極、ソース電極、第１ゲート
電極、第２ゲート電極を示す。
ａ〜２ｄは各々ドレイン電極、ソース電極、第１ゲート
電極、第２ゲート電極を示す。
ＦＥＴ２のソース電極２ｂは接地される。
１ａは第２ゲート用の直流バイアス電源であり、抵抗５
ａを介して第２ゲート２ｄに印加される。
ａを介して第２ゲート２ｄに印加される。
１ｂは第１ゲート電極２ｃ用の直流バイアス電源であり
抵抗５ｂを介して第１ゲート電極２ｃに印加される。
抵抗５ｂを介して第１ゲート電極２ｃに印加される。
１ｃはドレイン電極２ａ用の直流電源でありチョークコ
イル４ｄとコイル４ｃを介して印加される。
イル４ｄとコイル４ｃを介して印加される。
次に高周波系について説明する。
端子６ａから結合コンデンサ３ａを介して第１ゲートに
ＲＦ倍信号高周波信号）が入力される。
ＲＦ倍信号高周波信号）が入力される。
ドレイン電極２ａは、結合コンデンサ３ｃを介してコン
デンサ３ｄにより接地される。
デンサ３ｄにより接地される。
また、コンデンサ３ｄと並列にコイル４ｂと直流阻止コ
ンデンサ３ｅが直列に結線されている。
ンデンサ３ｅが直列に結線されている。
更に、コンデンサ３ｃとコンデンサ３ｄとの接続点と第
２ゲート電極２ｄ間にコイル４ａとコンデンサ３ｂから
成る共振回路が挿入されている。
２ゲート電極２ｄ間にコイル４ａとコンデンサ３ｂから
成る共振回路が挿入されている。
共振回路は発振周波数を決定するためのものであり、直
列型共振回路でも良い。
列型共振回路でも良い。
又、コンデンサ３ｄとコイル４ｂから成る共振回路はＩ
Ｆ周波数付近で共振するように定数が決定されている。
Ｆ周波数付近で共振するように定数が決定されている。
ドレイン電極２ａから第２ゲート電極２ｄ間に挿入され
た回路は帰還回路を示すものである。
た回路は帰還回路を示すものである。
更に、ドレイン電極２ｄとアース間にコイル４ｃとコン
デンサ３ｆから成るＩＦ同調回路が挿入され、コイル４
ｃとコンデンサ３ｇとの接続点から、結合コンデンサ３
ｇを介してＩＦ倍信号取り出される。
デンサ３ｆから成るＩＦ同調回路が挿入され、コイル４
ｃとコンデンサ３ｇとの接続点から、結合コンデンサ３
ｇを介してＩＦ倍信号取り出される。
端子６ｂはＩＦ倍信号出力端子である。次に回路動作に
ついて説明する。
ついて説明する。
端子６ａにＲＦ倍信号入力されると、ドレイン電極２ａ
と第２ゲート電極２ｄ間に挿入された帰還回路によって
発生する局部発振信号とＲＦ倍信号混合され、その差成
分すなわちＩＦ倍信号ドレイン電極２ｄに接続されたＩ
Ｆ同調回路によって選択され、端子６ｂにＩＦ倍信号出
力される。
と第２ゲート電極２ｄ間に挿入された帰還回路によって
発生する局部発振信号とＲＦ倍信号混合され、その差成
分すなわちＩＦ倍信号ドレイン電極２ｄに接続されたＩ
Ｆ同調回路によって選択され、端子６ｂにＩＦ倍信号出
力される。
本発明は特にドレイン２ａと第２ゲー）２ａ間に挿入さ
れた帰還回路に特徴がある。
れた帰還回路に特徴がある。
コンデンサ３ｄ。３ｅ、コイル４ｂから成る回路は定数
がほぼＩＦ周波数に共振するように決定されていると、
この周波数においてはほぼコンデンサ３ｄの容量値に見
え、また、■Ｆ周波数においてはかなり高いインピーダ
ンスに見える。
がほぼＩＦ周波数に共振するように決定されていると、
この周波数においてはほぼコンデンサ３ｄの容量値に見
え、また、■Ｆ周波数においてはかなり高いインピーダ
ンスに見える。
したがって、１Ｆ周波数においては何の影響も与えずに
、かつ、発振周波数成分の帰還量はコンデンサ３ｃとコ
ンデンサ３ｄとによって分割することができる。
、かつ、発振周波数成分の帰還量はコンデンサ３ｃとコ
ンデンサ３ｄとによって分割することができる。
結局、ＩＦ周波数成分にはほとんど影響を与えないで、
同時にコンデンサ３ｃとコンデンサ３ｄとによって発振
周波成分の帰還量を最適にすることができるので安定度
の良い、しかも、高利得の変換利得を期待できる。
同時にコンデンサ３ｃとコンデンサ３ｄとによって発振
周波成分の帰還量を最適にすることができるので安定度
の良い、しかも、高利得の変換利得を期待できる。
実験結果ではＶＨＦ Ｈｉｂａｎｄにおいて変換利得１
６〜１８ｄＢ１帯域幅（Ｂａｎｄ Ｗｉｄｔｈ ）６〜
８ＭＨｚであり、良好な結果を得ている。
６〜１８ｄＢ１帯域幅（Ｂａｎｄ Ｗｉｄｔｈ ）６〜
８ＭＨｚであり、良好な結果を得ている。
以上述べた様に本発明によれば、ドレイン電極と第２ゲ
ート電極間に挿入される帰還回路のＩＦ周波数における
インピーダンスを低下することなく、発振周波成分の帰
還量を最適にすることができるので十分な変換利得を得
ることができる。
ート電極間に挿入される帰還回路のＩＦ周波数における
インピーダンスを低下することなく、発振周波成分の帰
還量を最適にすることができるので十分な変換利得を得
ることができる。
このようにして混変調特性の良好な自励式混合回路を実
現することができる。
現することができる。
図は本発明によるデュアルゲートＦＥＴを使用した自励
式混合回路の一実施例を示す回路図である。 １ａ〜１ｃ：直流電源、２：デュアルゲートＦＥＴ、２
ａ： ドレイン電極、２ｂ二ソース電極、２ｃ：第１
ゲート電極、２ｄ：第２ゲート電極、３ａ〜３ｇ：コン
デンサ、４ａ〜４ｄ：コイル、５ａ〜５ｂ＝バイアス抵
抗、６ａ：ＲＦ入力端子、６ｂ ： ＩＦ出力端子。
式混合回路の一実施例を示す回路図である。 １ａ〜１ｃ：直流電源、２：デュアルゲートＦＥＴ、２
ａ： ドレイン電極、２ｂ二ソース電極、２ｃ：第１
ゲート電極、２ｄ：第２ゲート電極、３ａ〜３ｇ：コン
デンサ、４ａ〜４ｄ：コイル、５ａ〜５ｂ＝バイアス抵
抗、６ａ：ＲＦ入力端子、６ｂ ： ＩＦ出力端子。
Claims (1)
- １ ソース電極が接地され、第１ゲートにＲＦ倍信号入
力されるデュアルゲー）ＦＥＴのドレイン電極に結合コ
ンデンサの第１の端子が接続され、前記結合コンデンサ
の他方の端子とアース間にほぼＩＰ周波数で共振する並
列共振回路が接続され、前記結合コンデンサの他方の電
極と第２ゲート電極間に局部発振周波数をほぼ決定する
ための共振回路が接続され、ドレイン電極からＩＦ倍信
号取り出されることを特徴とするデュアルゲートＦＥＴ
が使用された自励式混合回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51004103A JPS5824977B2 (ja) | 1976-01-19 | 1976-01-19 | 自励式混合回路 |
| US05/759,412 US4112373A (en) | 1976-01-19 | 1977-01-14 | Self-excited mixer circuit using field effect transistor |
| AU21401/77A AU503157B2 (en) | 1976-01-19 | 1977-01-18 | Self excited mixer circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51004103A JPS5824977B2 (ja) | 1976-01-19 | 1976-01-19 | 自励式混合回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5287912A JPS5287912A (en) | 1977-07-22 |
| JPS5824977B2 true JPS5824977B2 (ja) | 1983-05-24 |
Family
ID=11575444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51004103A Expired JPS5824977B2 (ja) | 1976-01-19 | 1976-01-19 | 自励式混合回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5824977B2 (ja) |
-
1976
- 1976-01-19 JP JP51004103A patent/JPS5824977B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5287912A (en) | 1977-07-22 |
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