JPS5823468B2 - 耐摩耗性薄膜の製造方法 - Google Patents
耐摩耗性薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS5823468B2 JPS5823468B2 JP50083808A JP8380875A JPS5823468B2 JP S5823468 B2 JPS5823468 B2 JP S5823468B2 JP 50083808 A JP50083808 A JP 50083808A JP 8380875 A JP8380875 A JP 8380875A JP S5823468 B2 JPS5823468 B2 JP S5823468B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- silicon carbide
- wear
- base material
- resistant thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/027—Graded interfaces
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は耐摩耗性薄膜の製造方法に関し、詳しくは基材
の機械的な摩耗を防ぐために基材の表面に形成する耐摩
耗性薄膜の製造方法に関するものである。
の機械的な摩耗を防ぐために基材の表面に形成する耐摩
耗性薄膜の製造方法に関するものである。
従来、スパッタリングや真空蒸着等の物理的な方法で基
材の表面に耐摩耗性薄膜を形成する場合、基材面に直接
、硬質材料の耐摩耗性薄膜を形成する方法で行なわれて
いた。
材の表面に耐摩耗性薄膜を形成する場合、基材面に直接
、硬質材料の耐摩耗性薄膜を形成する方法で行なわれて
いた。
このような方法で形成された耐摩耗性薄膜は基材の種類
によっては強固な密着力をもたず、基材に対して強固な
密着力を有する耐摩耗性薄膜を形成することができなか
った。
によっては強固な密着力をもたず、基材に対して強固な
密着力を有する耐摩耗性薄膜を形成することができなか
った。
いま、高周波スパッタリングでシリコンカーバイドの耐
摩耗性薄膜を形成する場合を考えると、基材にシリコン
を用いれば強固な密着力を有するシリコンカーバイドの
耐摩耗性薄膜を形成することができるが、基材にガラス
ＳｉＯ２を用いた場合であると、強固な密着力を有する
シリコンカーバイドの耐摩耗性薄膜を形成することがで
きない。
摩耗性薄膜を形成する場合を考えると、基材にシリコン
を用いれば強固な密着力を有するシリコンカーバイドの
耐摩耗性薄膜を形成することができるが、基材にガラス
ＳｉＯ２を用いた場合であると、強固な密着力を有する
シリコンカーバイドの耐摩耗性薄膜を形成することがで
きない。
これは、シリコンカーバイドの耐摩耗性薄膜とシリコン
基材との界面において、化学的な結合による遷移層が形
成されるか、シリコンカーバイドの耐摩耗性薄膜とガラ
スＳ ｉ０２基材との界面においては遷移層が形成され
ないためであると考えられる。
基材との界面において、化学的な結合による遷移層が形
成されるか、シリコンカーバイドの耐摩耗性薄膜とガラ
スＳ ｉ０２基材との界面においては遷移層が形成され
ないためであると考えられる。
しかし、半導体基板を用いてサーマルヘッドを形成する
場合には、半導体基板（シリコン基板）の上に抵抗層を
設け、さらにこの抵抗層を保護するためにＳ ｉ０２
（ガラス）層を形成し、このＳｉＯ□（ガラス）層を基
材としてシリコンカーバイド層を設けることがよくおこ
なわれる。
場合には、半導体基板（シリコン基板）の上に抵抗層を
設け、さらにこの抵抗層を保護するためにＳ ｉ０２
（ガラス）層を形成し、このＳｉＯ□（ガラス）層を基
材としてシリコンカーバイド層を設けることがよくおこ
なわれる。
この場合には、シリコンカーバイド層は、５ｉＯ２（ガ
ラス）層を基材として同ＳｉＯ２層上に設けられること
が必要なわけであるが、前述したごとくシリコンカーバ
イドはＳｉＯ２層には弱い密着力しか有せず、シリコン
カーバイドの剥離が問題となっていた。
ラス）層を基材として同ＳｉＯ２層上に設けられること
が必要なわけであるが、前述したごとくシリコンカーバ
イドはＳｉＯ２層には弱い密着力しか有せず、シリコン
カーバイドの剥離が問題となっていた。
さらに、ビデオテープレコーダの回転ドラムの表面を形
成する場合には、アルミニウムの基材の表面にシリコン
カーバイドの耐摩耗性薄膜を形成する必要があるか、こ
の場合にもアルミニウムの基材にはシリコンカーバイド
が付着しにくいという問題があった。
成する場合には、アルミニウムの基材の表面にシリコン
カーバイドの耐摩耗性薄膜を形成する必要があるか、こ
の場合にもアルミニウムの基材にはシリコンカーバイド
が付着しにくいという問題があった。
本発明は、上記従来の欠点を除去するものであり、その
基本的な技術思想は基材と耐摩耗性薄膜との密着力を高
めるために、基材の表面に、基材に対して化学的結合を
起こしやすい材料と耐摩耗性を有する硬質材料との混合
薄膜を形成し、その混合薄膜上に前記硬質材料の薄膜を
形成するものであり、これを図面で説明すると、図に示
すように基材１の表面に上記混合薄膜２を形成し、その
混合薄膜２の上に硬質材料の薄膜３を形成して基材１の
機械的摩耗を防ぐ耐摩耗性薄膜４とするものである。
基本的な技術思想は基材と耐摩耗性薄膜との密着力を高
めるために、基材の表面に、基材に対して化学的結合を
起こしやすい材料と耐摩耗性を有する硬質材料との混合
薄膜を形成し、その混合薄膜上に前記硬質材料の薄膜を
形成するものであり、これを図面で説明すると、図に示
すように基材１の表面に上記混合薄膜２を形成し、その
混合薄膜２の上に硬質材料の薄膜３を形成して基材１の
機械的摩耗を防ぐ耐摩耗性薄膜４とするものである。
本発明は前記技術思想を勘案しつつ多くの実験にもとづ
いてなされたもので、サーマルヘッドを製造する場合に
おいて特に重要であるＳｉＯ２基材上へのシリコンカー
バイドＳｉＣの耐摩耗性薄膜の形成を強固に行なうこと
を目的とするものであり、具体的にはＳｉＯ□基材上に
アルミニウムとシリコンカーバイドの混合薄膜を形成し
、この混合薄膜上に耐摩耗性薄膜であるシリコンカーバ
イド膜を形成するものである。
いてなされたもので、サーマルヘッドを製造する場合に
おいて特に重要であるＳｉＯ２基材上へのシリコンカー
バイドＳｉＣの耐摩耗性薄膜の形成を強固に行なうこと
を目的とするものであり、具体的にはＳｉＯ□基材上に
アルミニウムとシリコンカーバイドの混合薄膜を形成し
、この混合薄膜上に耐摩耗性薄膜であるシリコンカーバ
イド膜を形成するものである。
さらに本発明はビデオテープレコーダの回転ドラムの表
面を形成する場合に特に重要であるアルミニウム基材上
へのシリコンカーバイドＳｉＣの耐摩耗性薄膜の形成を
強固に行なうことを目的とするものであり、具体的には
アルミニウム基村上に銅とシリコンカーバイトとの混合
薄膜、あるいは金とシリコンカーバイドとの混合薄膜を
形成し、この混合薄膜の上に耐摩耗性薄膜であるシリコ
ンカーバイド膜を形成するものである。
面を形成する場合に特に重要であるアルミニウム基材上
へのシリコンカーバイドＳｉＣの耐摩耗性薄膜の形成を
強固に行なうことを目的とするものであり、具体的には
アルミニウム基村上に銅とシリコンカーバイトとの混合
薄膜、あるいは金とシリコンカーバイドとの混合薄膜を
形成し、この混合薄膜の上に耐摩耗性薄膜であるシリコ
ンカーバイド膜を形成するものである。
これより、本発明の一実施例として熱酸化シリコンの基
材１の表面にシリコンカーバイドの耐摩耗性薄膜４を形
成する場合について説明する。
材１の表面にシリコンカーバイドの耐摩耗性薄膜４を形
成する場合について説明する。
熱酸化シリコンは公知のようにアルミニウムが３５０℃
程度で化学反応を起す。
程度で化学反応を起す。
そこでアルミニウムとシリコンカーバイドとの混合薄膜
２を高周波スパッタリングで基材１上に約０．３μ以下
の膜厚で形成する。
２を高周波スパッタリングで基材１上に約０．３μ以下
の膜厚で形成する。
その後、前記混合薄膜２上にシリコンカーバイドの薄膜
を必要な膜厚で形成することにより、熱酸化シリコンの
基材１上に強固な密着力を有するシリコンカーバイドの
耐摩耗性薄膜４を形成することができる。
を必要な膜厚で形成することにより、熱酸化シリコンの
基材１上に強固な密着力を有するシリコンカーバイドの
耐摩耗性薄膜４を形成することができる。
これは、混合薄膜２が熱酸化シリコンの基材１およびシ
リコンカーバイドの薄膜３の界面において遷移層を形成
するためである。
リコンカーバイドの薄膜３の界面において遷移層を形成
するためである。
次に上記実施例で得られた耐摩耗性薄膜の特性を実験で
調べ、従来例の場合に比べてきわめて強固な密着性を持
つことをたしかめた。
調べ、従来例の場合に比べてきわめて強固な密着性を持
つことをたしかめた。
すなわち表（１）は同一条件下で熱酸化シリコンの基材
１上にシリコンカーバイドの耐摩耗性薄膜４を形成した
場合の方法（３）と熱酸化シリコンの基材１上にアルミ
ニウムとシリコンカーバイドとの混合薄膜２を形成した
後にシリコンカーパイトノ耐摩耗性薄膜４を形成した場
合の方法ＣＢ）の密着力の差を示す。
１上にシリコンカーバイドの耐摩耗性薄膜４を形成した
場合の方法（３）と熱酸化シリコンの基材１上にアルミ
ニウムとシリコンカーバイドとの混合薄膜２を形成した
後にシリコンカーパイトノ耐摩耗性薄膜４を形成した場
合の方法ＣＢ）の密着力の差を示す。
なお、表中の数字は基材１上に形成したシリコンカーバ
イドの薄膜３の面積の伺係が剥離したかを表わす密着不
良率で表わしており、数値が小さい程、密着力か良いこ
とを示している。
イドの薄膜３の面積の伺係が剥離したかを表わす密着不
良率で表わしており、数値が小さい程、密着力か良いこ
とを示している。
上記表（１）より明らかなように本発明の方法で基材１
上に耐摩耗性薄膜４を形成した場合密着不良か少くなる
。
上に耐摩耗性薄膜４を形成した場合密着不良か少くなる
。
また、上記方法（Ａ）および（Ｂ）で熱酸化シリコンの
基材１上にシリコンカーバイドの耐摩耗性薄膜４を形成
した後、両者を温度６５℃、湿度９０係の雰囲気中に４
８時間放置した後の密着度不良率を調べたところ表（２
）に示すようになった。
基材１上にシリコンカーバイドの耐摩耗性薄膜４を形成
した後、両者を温度６５℃、湿度９０係の雰囲気中に４
８時間放置した後の密着度不良率を調べたところ表（２
）に示すようになった。
なお、この実験では熱酸化シリコンの基板１上にシリコ
ンカーバイドの耐摩耗性薄膜４を形成した直後の両者の
密着度不良率は０係であった。
ンカーバイドの耐摩耗性薄膜４を形成した直後の両者の
密着度不良率は０係であった。
上記表（２）より明らかなように本発明の方法の場合は
全く剥離を生じない。
全く剥離を生じない。
さらに、本発明の方法で熱記録印刷ヘッド面に耐摩耗性
薄膜を形成した場合、熱記録印刷ヘッドの表面が摩耗し
て性能が低下してしまうまでの寿命は１５０万ライン（
１６００万文字、６０ｋｍ走行）を保証することができ
る。
薄膜を形成した場合、熱記録印刷ヘッドの表面が摩耗し
て性能が低下してしまうまでの寿命は１５０万ライン（
１６００万文字、６０ｋｍ走行）を保証することができ
る。
また、本発明の他の実施例としてアルミニウムの基材１
の表面にシリコンカーバイドの耐摩耗性薄膜４を形成す
る場合には、アルミニウムの基材１の表面に銅あるいは
金とシリコンカーバイドとの混合薄膜２を高周波スパッ
タリングで約０．３μ以下の膜厚で形成し、その混合薄
膜２上にシリコンカーバイドの薄膜を形成すれば、アル
ミニウムの基材１上に強固な密着力を有するシリコンカ
ーバイドの耐摩耗性薄膜４を形成することができる。
の表面にシリコンカーバイドの耐摩耗性薄膜４を形成す
る場合には、アルミニウムの基材１の表面に銅あるいは
金とシリコンカーバイドとの混合薄膜２を高周波スパッ
タリングで約０．３μ以下の膜厚で形成し、その混合薄
膜２上にシリコンカーバイドの薄膜を形成すれば、アル
ミニウムの基材１上に強固な密着力を有するシリコンカ
ーバイドの耐摩耗性薄膜４を形成することができる。
この場合も、先の実施例さ同様に、密着度不良率はほぼ
０係に低下した。
０係に低下した。
本発明は以上のように構成されたものであるから、５ｉ
０２またはＡｔの表面に強固な密着力を有するシリコン
カーバイドよりなる耐摩耗性薄膜を形成することができ
るという非常に犬なる効果を有するものであり、サーマ
ルヘッドやビデオテープレコーダの回転ドラムの形成に
極めて有用である。
０２またはＡｔの表面に強固な密着力を有するシリコン
カーバイドよりなる耐摩耗性薄膜を形成することができ
るという非常に犬なる効果を有するものであり、サーマ
ルヘッドやビデオテープレコーダの回転ドラムの形成に
極めて有用である。
図は本発明°による耐摩耗性薄膜を基材に形成した状態
を示す断面図である。 １・・・・・・（ＳｉＯ２またはＡ、ｆｆ）基材、２・
・・・・・混合薄膜、３・・・・・・硬質材料の薄膜、
４・・・耐摩耗性薄膜（ＳｉＣ）。
を示す断面図である。 １・・・・・・（ＳｉＯ２またはＡ、ｆｆ）基材、２・
・・・・・混合薄膜、３・・・・・・硬質材料の薄膜、
４・・・耐摩耗性薄膜（ＳｉＣ）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酸化シリコン基材上に、アルミニウムとシリコンカ
ーバイドの混合膜を形成し、前記混合膜上にシリコンカ
ーバイド膜を形成し、前記混合膜と前記シリコンカーバ
イド膜を耐摩耗性薄膜とすることを特徴とする耐摩耗性
薄膜の製造方法。 ２ アルミニウム基材上に、銅とシリコンカーバイドの
混合膜または金とシリコンカーバイドの混合膜を形成し
、前記混合膜上にシリコンカーバイド膜を形成し、前記
混合膜と前記シリコンカーバイド膜を耐摩耗性薄膜とす
ることを特徴とする耐摩耗性薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50083808A JPS5823468B2 (ja) | 1975-07-07 | 1975-07-07 | 耐摩耗性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50083808A JPS5823468B2 (ja) | 1975-07-07 | 1975-07-07 | 耐摩耗性薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS526380A JPS526380A (en) | 1977-01-18 |
| JPS5823468B2 true JPS5823468B2 (ja) | 1983-05-16 |
Family
ID=13812953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50083808A Expired JPS5823468B2 (ja) | 1975-07-07 | 1975-07-07 | 耐摩耗性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823468B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53138989A (en) * | 1977-05-10 | 1978-12-04 | Koyo Seiko Co | Ion plating method |
| JPS57102374A (en) * | 1980-12-18 | 1982-06-25 | Ricoh Co Ltd | Thermal head |
| JPS5968863A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-18 | Canon Inc | 磁気テ−プ・ガイド |
| JPH01123068A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-16 | Nippon Kentetsu Co Ltd | 基材面への薄膜生成方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4738189U (ja) * | 1971-05-14 | 1972-12-27 | ||
| JPS4959046A (ja) * | 1972-10-12 | 1974-06-07 | ||
| JPS5014237A (ja) * | 1973-04-23 | 1975-02-14 | ||
| JPS50113648A (ja) * | 1974-02-22 | 1975-09-05 |
-
1975
- 1975-07-07 JP JP50083808A patent/JPS5823468B2/ja not_active Expired
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4738189U (ja) * | 1971-05-14 | 1972-12-27 | ||
| JPS4959046A (ja) * | 1972-10-12 | 1974-06-07 | ||
| JPS5014237A (ja) * | 1973-04-23 | 1975-02-14 | ||
| JPS50113648A (ja) * | 1974-02-22 | 1975-09-05 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS526380A (en) | 1977-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5823468B2 (ja) | 耐摩耗性薄膜の製造方法 | |
| US4392167A (en) | Magnetic head, method of producing the magnetic head | |
| JPS6135973A (ja) | 感熱ヘツド | |
| JPS62128015A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPH0118505B2 (ja) | ||
| EP0241371A1 (fr) | Procédé de réalisation d'une couche de protection mécanique pour tête magnétique d'enregistrement/lecture et tête magnétiqe d'enregistrement/lecture mettant en oeuvre ce procédé | |
| JPS6143768B2 (ja) | ||
| JPS6116046A (ja) | 記録媒体の保護膜形成方法 | |
| EP0136631B1 (en) | A process for forming a magnetic record member and a magnetic record member | |
| JP3022680B2 (ja) | 磁気ディスク媒体およびその製造方法 | |
| KR850001732Y1 (ko) | 자기 헤드 | |
| JP3216252B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS6330686B2 (ja) | ||
| JPH01150215A (ja) | 薄膜素子の保護膜、その製造方法及び磁気ヘッド | |
| JPS6016354B2 (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPH07331429A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2665949B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH03238612A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH05128439A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS61131515A (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
| JPH033926B2 (ja) | ||
| JPH07141646A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS599107B2 (ja) | バブルメモリ−チツプ | |
| JPH08180352A (ja) | 磁気ヘッドスライダとその製造方法 | |
| JPH0422983B2 (ja) |