JPS58218739A - 電子ビ−ム照射装置 - Google Patents

電子ビ−ム照射装置

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Publication number
JPS58218739A
JPS58218739A JP10042982A JP10042982A JPS58218739A JP S58218739 A JPS58218739 A JP S58218739A JP 10042982 A JP10042982 A JP 10042982A JP 10042982 A JP10042982 A JP 10042982A JP S58218739 A JPS58218739 A JP S58218739A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rotation
sample
fourier
electron beam
deflector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10042982A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihiro Ishizuka
俊弘 石塚
Akio Ito
昭夫 伊藤
Yoshiaki Goto
後藤 善朗
Yasuo Furukawa
古川 泰男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP10042982A priority Critical patent/JPS58218739A/ja
Publication of JPS58218739A publication Critical patent/JPS58218739A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1)1発明の技術分野 本発明は画像パターンの回転を自動的に補正しうるよう
に改良した電子ビーム照射装置に関する。
(2)、技術の背景 電子顕微鏡等において、例えば、試料室内に1°かれる
試料の高さが変わると、試料へ照射される電子ビームの
ピントがずれてしまい、得られる画像パターンが正規の
位置から回転するということはよく知られている事柄で
ある。これに対処する従来の技術的手段は次の如きもの
であり、その不便さから脱却しうる技術的手段の開発が
要望されている。
(3)、従来技術と問題点 上述の如き画像パターンの回転を補正する手段は得られ
る画像パターンを目視しながら、その回転を補正する如
きものであった。従って、その補正を短時間内に遂行し
得ない。これは試料に必要以上のビームを照射すること
になったり、補正後の処理を必要以上に待機させなけれ
ば々らないという不都合を来たす。
(4)6発明の目的 本発明は上述したような従来技術の有する欠点に鑑みて
創案されたもので、その目的は画像パターンの回転を可
及的即時的に補正しうる電子ビーム照射装置を提供する
ことにある。
(5)1発明の構成 そして、この目的は偏向器によって走査される電子ビー
ムを試料に照射してそこからの二次電子又は反射電子を
検知して得られる画像ノ(ターンを記憶する画像記憶装
ffiを有する電子ビーム照射装置において、上記画像
記憶装置の画像パターンをフーリエ変換し、そのフーリ
エ変換パターンから回転量を算出し、該回転量から回転
補正量を求めて上記偏向器に補正を生せしめることによ
って達成される。
(6)0発明の実施例 以下、添付図面、を参照しながら、本発明の実施例を説
明、する。
第1図は本発明の一実施例を示す。1はテーブル2上に
載置される試料で、この試料上に偏向器3によって走査
される電子ビーム4が照射される・5は電子″′A 4
 、:を−けた試料力゛ら二次電子又は反射電子検知器
6へ向かう二次電子又は反射電子である。検知器6の出
力は前置増幅器7を経てアナログ−ディジタル変換器8
へ接続される。変換器8でディジタル化された画像パタ
ーンは画像記憶装置9に記憶される。1゜は画像パター
ンをフーリエ変換するフーリエ変換プロ・ヒッサであシ
、11はプロセッサ1oがらのフーリエ変換パターンを
直線近似して回転量を求める回転量検出器である。回転
量検出器11の出力は回転補正回路12を経て偏向器3
−\接続されている。13は対物レンズである。
次に、上述構成から成る本発明実施例装置の動作を説明
する。
偏向器3によって走査される電子ビーム4を受ける試料
からの二次電子又は反射電子5は二次電子又は反射電子
検知器6で検知される。検知器、6からのアナログ画像
信号は増幅器7で増幅された後、アナログ−ディジタル
変換器8でディジタル化される。そのディジタル画像パ
ターンは上述電子ビーム4の走査と同期した配憶動作を
生ぜしめられている画像記憶装[9に記   憶される
、その画像パターンは、例えば第2図の(2−1)に示
す如く集積回路の直交形式で設けられる配線パターンで
、そのx −y軸から図示の如く回転されて採取されて
いるとする。
この画像パターンが画像記憶装置9から読出されフーリ
エ変換プロセッサ10へ入力されてフーリエ変換を施さ
れると、その出力は第2図の(2−2)に示す如く、画
像パターンの記憶領域に対応する変換出力領域内て飛び
飛びに出力を有する二群の信号となりこれらの群は直交
している。
これら二群の信号を受ける回転量検出回路11はその各
群毎に直線近似を施してそのX軸と成す角θを回転量と
して出力する。
この回転量を受ける回転補正回路12Fi、回転補正量
を発生してこれを偏向器3へ供給し、偏向器3による電
子ビームの走査方向をθだけ変える。従って、この変更
を生ぜしめられた後に得られる画像パターンである直交
する配線パターンのその直交は、第2図の(2−1)の
X−y軸と一致した向きにある。
このような回転の補正はプロセッサ10、回転量検出回
路11、回転補正回路12で信号処理に費やされる時間
だけ遅れるに過ぎず、その時間は比較的に短い故、可及
的即時的に生ぜしめられる。
ガお、上記実施例では、フーリエ変換プロセッサ10を
それ専用のものとする例につき説明したが、必ずしもこ
れに限定されるものではない。
(7)1発明の効果 以上要するに、本発明によれば、画像パターンからそこ
に生じている回転の員を抽出してこれを偏向器の偏向補
正に用いうるようにしたので、上記回転の補正をはy即
時的に生ぜしめ、時間のか\る補正の場合には生じてし
まう不具合を解消し得る。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の一実施例を示す図、第2図は第1図実
施例装置の要部各部の出力を平面に展開して示す図であ
る。 図において、1は試料、3は偏向器、5は二次電子又は
反射電子、6は二次電子又は反射電子検知器、9は画像
記憶@置、10はフーリエ変換プロセッサ、11は回転
量検出回路、12は回転補正回路である。 特許出願人 富士通株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 偏向器によって走査される電子ビームを試料に照射して
    そこからの二次電子又は反射電子を検知して得られる画
    像パターンを記憶する画像記憶゛装置を有する電子ビー
    ム照射装置圧おいて、上記画像記憶装置の画像パターン
    をフーリエ変換し、そのフーリエ変換パターンから回転
    量を算出し、該回転量から回転補正量を求めて上記偏向
    器に補正を生せしめるようにしたことを特徴とする電子
    ビーム闇射装筒。
JP10042982A 1982-06-11 1982-06-11 電子ビ−ム照射装置 Pending JPS58218739A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10042982A JPS58218739A (ja) 1982-06-11 1982-06-11 電子ビ−ム照射装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10042982A JPS58218739A (ja) 1982-06-11 1982-06-11 電子ビ−ム照射装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58218739A true JPS58218739A (ja) 1983-12-20

Family

ID=14273706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10042982A Pending JPS58218739A (ja) 1982-06-11 1982-06-11 電子ビ−ム照射装置

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JP (1) JPS58218739A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5334909A (en) * 1991-07-05 1994-08-02 Nec Corporationcorporation Microwave tube collector assembly including a chromium oxide film

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5334909A (en) * 1991-07-05 1994-08-02 Nec Corporationcorporation Microwave tube collector assembly including a chromium oxide film

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