JPS58215409A - ケイ素原子を有するアクリル系重合体 - Google Patents
ケイ素原子を有するアクリル系重合体Info
- Publication number
- JPS58215409A JPS58215409A JP9808982A JP9808982A JPS58215409A JP S58215409 A JPS58215409 A JP S58215409A JP 9808982 A JP9808982 A JP 9808982A JP 9808982 A JP9808982 A JP 9808982A JP S58215409 A JPS58215409 A JP S58215409A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- formula
- structural units
- lower alkyl
- acrylic polymer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な化合物でおる次式:
(1)
%式%
で表わされる構造単位からなるケイ素原子を導入したア
クリル系重合体に関する。
クリル系重合体に関する。
式(IIにおいてルは水′lA原子、低級アルキル基を
表わし 1%/はメチル基、エチル基、プロピル基ブチ
ル基等の低級アルキル基を表わし、X及びYは各憚成単
位のモル比を表わし、X=0の場合は、ケイ素原子を有
するアクリル酸誘導体の単独重合体を意味する。
表わし 1%/はメチル基、エチル基、プロピル基ブチ
ル基等の低級アルキル基を表わし、X及びYは各憚成単
位のモル比を表わし、X=0の場合は、ケイ素原子を有
するアクリル酸誘導体の単独重合体を意味する。
式(1)における単量体単位Aはアクリルと共重合し得
る松傾のエチVン性不飽和化合物で具体例として下記の
化合省が挙げられる。アクリル酸及びメタクリル酸誘導
体8例えばアクリル酸及びメタクリル酸のメチル、エチ
ル、プロピル、ブチル。
る松傾のエチVン性不飽和化合物で具体例として下記の
化合省が挙げられる。アクリル酸及びメタクリル酸誘導
体8例えばアクリル酸及びメタクリル酸のメチル、エチ
ル、プロピル、ブチル。
グリシジル、ビニル、アリルエステル等、スチレン誘導
体9例えばジビニルベンゼン10−、’FF1−。
体9例えばジビニルベンゼン10−、’FF1−。
又はp−クロルメチルスチレン、m−及びp−混合物ク
ロルメチルスチレン、α−メチルスチレン。
ロルメチルスチレン、α−メチルスチレン。
他に酢酸ビニル、メチルビニルケトン、N−ビニルピロ
リド/、ビニルピリジン等が含まれる。
リド/、ビニルピリジン等が含まれる。
本発明において式filの構造単位からなる重合体は上
記の犀量体の重合に1通常採用される公^知のラジカル
開始剤例えば過酸化物、アジド化合物を用いてl1li
造することが出来る。
記の犀量体の重合に1通常採用される公^知のラジカル
開始剤例えば過酸化物、アジド化合物を用いてl1li
造することが出来る。
本発明の重合体は次の点で有用な化合切である。
本発明の重合体中にトリアルコキシシリル基を含むため
ガラス表面もしくはシリコーン基板上IC接着力が著し
く向上される。したがって密着性の良い塗料1強靭な接
着剤となり、はがれを生じないフィルムを形成すること
が出来る。
ガラス表面もしくはシリコーン基板上IC接着力が著し
く向上される。したがって密着性の良い塗料1強靭な接
着剤となり、はがれを生じないフィルムを形成すること
が出来る。
さら罠本発明の重合体はケイ素原子を含有するため、酸
素プラズマに対する耐性が着しく向上する@重合体中に
ケイ素原子t@むと(?lIえはポリジメチルクロキサ
ン)耐#木プラズマ性が向上することはすでに知られて
いる0(G−N−Taylorand T、M、Wol
f 、 Polymer Kng・8ci−,20゜1
087(1980)) Lかしながらこの種の公知の
物質、たとえばポリジメチルクロキサンはガラス転移点
が低いため他の性能2例えばフィルム形成能岬が悪く取
扱いが困難であり、レジストとしての感度も十分でなく
使用範囲が限られている。本発明重合体は通常の有機溶
剤1例えばアセトン。
素プラズマに対する耐性が着しく向上する@重合体中に
ケイ素原子t@むと(?lIえはポリジメチルクロキサ
ン)耐#木プラズマ性が向上することはすでに知られて
いる0(G−N−Taylorand T、M、Wol
f 、 Polymer Kng・8ci−,20゜1
087(1980)) Lかしながらこの種の公知の
物質、たとえばポリジメチルクロキサンはガラス転移点
が低いため他の性能2例えばフィルム形成能岬が悪く取
扱いが困難であり、レジストとしての感度も十分でなく
使用範囲が限られている。本発明重合体は通常の有機溶
剤1例えばアセトン。
ベンゼン、エーテル、クロロホルム吟に癖%L。
有機素材、無機素材」:に均一で固い、優れ九フィルム
を形成することが出来る。さらに本発明の重合体(たと
えばPo1y (SiMA−0M8)、Po1y (S
iMA−GMA)などの共重合体)は電子ビームに対し
て高感度で、高解像度(サブミクロン程度)のパターン
を形成することが出来、優れたレジスト材料と々る。し
かもレジスト材料として広く一般に用いられているノボ
ラック樹脂(たとえばAZ−1350J(商品名))と
酸素プラズマ耐性に対して比較するときわめてすぐれて
いることがわかった。偽えH,o2の反応性スパッタエ
ツチングによる膜減りは前記ノボ2ツク11脂が1.5
μmエツチングされる間にPoly(GM人go−8i
MAzo )は0.22 /jln #Po l y
(G M A s o −3IMλ5o)は620Aし
かエツチングされなかったり 以下、実施例によね本発明を説明する。。
を形成することが出来る。さらに本発明の重合体(たと
えばPo1y (SiMA−0M8)、Po1y (S
iMA−GMA)などの共重合体)は電子ビームに対し
て高感度で、高解像度(サブミクロン程度)のパターン
を形成することが出来、優れたレジスト材料と々る。し
かもレジスト材料として広く一般に用いられているノボ
ラック樹脂(たとえばAZ−1350J(商品名))と
酸素プラズマ耐性に対して比較するときわめてすぐれて
いることがわかった。偽えH,o2の反応性スパッタエ
ツチングによる膜減りは前記ノボ2ツク11脂が1.5
μmエツチングされる間にPoly(GM人go−8i
MAzo )は0.22 /jln #Po l y
(G M A s o −3IMλ5o)は620Aし
かエツチングされなかったり 以下、実施例によね本発明を説明する。。
実施例1
窒素吹込み管、コンデンサー及び温度計を取りつけ&1
00m1三つロフラスコ中に、水素化カルシウム上で蒸
留精製した無水3−トリメトキシシリルクロビルメタク
リレート(SiMA)3.07’(0,012モル)#
金属す) IJウムで脱水した無水ベンゼン30m/
及びクロロホルム−メタノール5− 系で再tJ:、#精製した過酸化ベンゾイル(BPO)
0.0087 ’/ (0,3モル%)を添加し、8時
l!1短流温度で反応させた0反応終了俵0反応液を多
量の石油エーテル中に投入し枯11j液体の重合体を下
1―に得た。」−ノ一部をデカンテーションした後ベン
4フ50m/Ic再度醍解させ、多量の石油エーテルに
この生成物の分析籠れ以下の様である。
00m1三つロフラスコ中に、水素化カルシウム上で蒸
留精製した無水3−トリメトキシシリルクロビルメタク
リレート(SiMA)3.07’(0,012モル)#
金属す) IJウムで脱水した無水ベンゼン30m/
及びクロロホルム−メタノール5− 系で再tJ:、#精製した過酸化ベンゾイル(BPO)
0.0087 ’/ (0,3モル%)を添加し、8時
l!1短流温度で反応させた0反応終了俵0反応液を多
量の石油エーテル中に投入し枯11j液体の重合体を下
1―に得た。」−ノ一部をデカンテーションした後ベン
4フ50m/Ic再度醍解させ、多量の石油エーテルに
この生成物の分析籠れ以下の様である。
O赤外線スペクトル(フィルム): 1230.110
0゜1020ffi−’ Q核娼気共鳴スペクトル(CI)CIB、’l’M8)
:δ0.5〜1.2(br、311.Cll3) 、
]。5〜2.2(br、6H。
0゜1020ffi−’ Q核娼気共鳴スペクトル(CI)CIB、’l’M8)
:δ0.5〜1.2(br、311.Cll3) 、
]。5〜2.2(br、6H。
3CH2)、3.52(’お91−1 s 3 C1l
20 ) −18〜4,0(b r I211 、
CH20CO)6分子量及び分子量分布(ゲルパーミッ
ションクロマトグラフィにより測定。以下の実施例も同
じ):Mw=45,000.Mn”21,000゜Mw
/ M n = 2.14 0ケイ素含有量:11.57%(単量体からの計算6− 値1t、z9%) 以上の分析結果よシ重合体の組成は次の様になる。
20 ) −18〜4,0(b r I211 、
CH20CO)6分子量及び分子量分布(ゲルパーミッ
ションクロマトグラフィにより測定。以下の実施例も同
じ):Mw=45,000.Mn”21,000゜Mw
/ M n = 2.14 0ケイ素含有量:11.57%(単量体からの計算6− 値1t、z9%) 以上の分析結果よシ重合体の組成は次の様になる。
CH3
■
−(−CH2−C±
−0
CH2
CH2
CH2
Cf(30S 1()CH3
CH3
実施fli2
実施例1に記載した装置にa iMA 5. Of (
0,02モル)、水素化カルシウム上で蒸留精製したク
ロルメチルスチレン(CH8)3.07((1,(12
モル)。
0,02モル)、水素化カルシウム上で蒸留精製したク
ロルメチルスチレン(CH8)3.07((1,(12
モル)。
BPo 0.028F(0,3モル+1)、無水ベンゼ
ン50m/を添加し、8時間還流温度で反応させた。
ン50m/を添加し、8時間還流温度で反応させた。
反応終了後2反応液を石油エーテル中に投入し白色粉末
の重合体を得た。重合体をう別しふたたびベンゼンsO
m/Kmかし石油エーテル中に投入この生成物の分析値
は次の様である。
の重合体を得た。重合体をう別しふたたびベンゼンsO
m/Kmかし石油エーテル中に投入この生成物の分析値
は次の様である。
Q赤外線スペクトル(KBr ): 1250,121
5゜1110.1050備−1 ・核磁気共鳴スペクトル(CDCl 3 、TM8 )
:δ0.6〜1.2 (br、 3ムl 、 C1(
3) 、 1.4〜2.0(br、1011.40H2
及びArCH) 、 3.s (8゜90.01130
)、4.4(br、2H,CH2C1)−6,2〜7.
2 (br、41Lc6114 )O分子1及び分子成
分布:Mw−140,000゜Mn鋼63,000 、
Mw/hln−2,22・ケイ素含有量;666チ 以上の分析結釆工多生成物の組成及びx、ylは次の様
になる。
5゜1110.1050備−1 ・核磁気共鳴スペクトル(CDCl 3 、TM8 )
:δ0.6〜1.2 (br、 3ムl 、 C1(
3) 、 1.4〜2.0(br、1011.40H2
及びArCH) 、 3.s (8゜90.01130
)、4.4(br、2H,CH2C1)−6,2〜7.
2 (br、41Lc6114 )O分子1及び分子成
分布:Mw−140,000゜Mn鋼63,000 、
Mw/hln−2,22・ケイ素含有量;666チ 以上の分析結釆工多生成物の組成及びx、ylは次の様
になる。
CH3
譬
c、H2ci 。
亀
CH2
CH2
CH2
CH308i 0 CH3
ct−i3
実施例3
実施例1で記載した装置に8 i MA3.7 f (
0,015モル)、GMSs3f(0,035モル)、
BPOo、035y−(03モルチ)、無水ベンゼン5
0m1t添加し。
0,015モル)、GMSs3f(0,035モル)、
BPOo、035y−(03モルチ)、無水ベンゼン5
0m1t添加し。
還流温度で8時間反応させた。反応終了後反応液この生
成物の分析値は次の様である。
成物の分析値は次の様である。
9−
O赤外線スペクトkc K、Br )1270.121
5゜1130.1050鋼−1 ・ケイ重含有量!4.4tl優 以上の分析結果よシ組成及びx、ylは次の様になる。
5゜1130.1050鋼−1 ・ケイ重含有量!4.4tl優 以上の分析結果よシ組成及びx、ylは次の様になる。
−CH3
l12
elf□
ell□
C1(30−8l −QCH3
麿
CH3
実施例4
実施例1で記載した装置に51MA3.07(0,02
モル)、水素化カルシウム上で蒸留精製したアリルメタ
クリレート(AM)2.5j’(o、o2−v−u)。
モル)、水素化カルシウム上で蒸留精製したアリルメタ
クリレート(AM)2.5j’(o、o2−v−u)。
lO−
1うPoo、028i(0,3モル係)、無水ベンゼン
50m1′t−添加し0M流温度で2時間半反応させた
。
50m1′t−添加し0M流温度で2時間半反応させた
。
反応終了後1反応液を多量の石油エーテルに投入この生
成管の分析値の次の様である。
成管の分析値の次の様である。
O赤外線吸収スペクトル(KBr):1730゜112
0.1040,930α−1 ・核磁気共鳴スペクトル(CDC13,TM8):δ0
.5〜1.4(br、6H,2ci(3)、1.5〜2
.2(br。
0.1040,930α−1 ・核磁気共鳴スペクトル(CDC13,TM8):δ0
.5〜1.4(br、6H,2ci(3)、1.5〜2
.2(br。
8H14CH2)、3.6(8,9H,0CH3)、3
.7〜4.0(br、2H,CH20CO)、4.3〜
4.5(br、2H−OCH2CH=CH2)、5.1
〜6.1(br I3H,CH2=CH)。
.7〜4.0(br、2H,CH20CO)、4.3〜
4.5(br、2H−OCH2CH=CH2)、5.1
〜6.1(br I3H,CH2=CH)。
O分子量及び分子量分布:Mw−103,000゜Mn
=4 s、o 00 、 MW/Mn=2.150ケイ
素含有量:6.93% 以上の分析結果より組成及びX、Y値に次の様になる。
=4 s、o 00 、 MW/Mn=2.150ケイ
素含有量:6.93% 以上の分析結果より組成及びX、Y値に次の様になる。
(”II、C113
C112cH2
Cム1 s O−8t OCH3
星
CH3
実施例5
実mfll 1 ニ記載した装置K 81MA3.7
L?(0,015モル)、AM4.47(0,035モ
ル)、BPOo、035ff(0,3モル% ) 、無
水−zン−vy5oml ’を添加し、還流温度で1時
間半反応させた。反応終了後反応液を多量の石油エーテ
ルに投入して白色粉末この生成物の分析11[a次の様
である。
L?(0,015モル)、AM4.47(0,035モ
ル)、BPOo、035ff(0,3モル% ) 、無
水−zン−vy5oml ’を添加し、還流温度で1時
間半反応させた。反応終了後反応液を多量の石油エーテ
ルに投入して白色粉末この生成物の分析11[a次の様
である。
・赤外線吸収スペクトル(KBr ):1720゜11
20.1000.930ffi” 0分子量及び分子量分布:Mw=147,000゜Mn
=59,000 、Mw=Mn=2.490ケイ素含有
量:5.26チ 以上の結果より組成及びX、Y@は次の様になる。
20.1000.930ffi” 0分子量及び分子量分布:Mw=147,000゜Mn
=59,000 、Mw=Mn=2.490ケイ素含有
量:5.26チ 以上の結果より組成及びX、Y@は次の様になる。
CH30H3
C=OC=0
1
θ 0
1
CH2CH2
1
CHCH2
II 1
CH2CH2
CH30−−81−OCH3
OCH3
実施例6
実施例1に記載した装置に81MA3.o L?(0,
02モ13− ル)、水素化カルシウム上で蒸留精製したグリシジルメ
タクリレート(GMA ) 2.8 f (0,021
−ル) 。
02モ13− ル)、水素化カルシウム上で蒸留精製したグリシジルメ
タクリレート(GMA ) 2.8 f (0,021
−ル) 。
BPOo、028 f (03モに’16 ) * 1
Ii=水ベンゼン50m/を添加し還流温度で8時間反
応させた。反応終了後反応液を多電の石油エーテルに投
入し白色この生成物の分析値は次の様である。
Ii=水ベンゼン50m/を添加し還流温度で8時間反
応させた。反応終了後反応液を多電の石油エーテルに投
入し白色この生成物の分析値は次の様である。
O赤外線吸収スペクトル(KBr ):1730゜12
50.10109O” O核磁気共鳴スペクトル(CDC13、TM8):δ(
l B−1−3(L) r 、611 T 2 CH3
) 、14〜2.2 (br 。
50.10109O” O核磁気共鳴スペクトル(CDC13、TM8):δ(
l B−1−3(L) r 、611 T 2 CH3
) 、14〜2.2 (br 。
1011 、5 CH2) 、 2.5〜2.7 (b
r、 IH。
r、 IH。
uilpoxy ) e 2.7〜2.e (brel
H,Ii!poXy ) 。
H,Ii!poXy ) 。
3.1〜3.3 (br、 IH,hlpoxy )
、 3.55 (8゜9H13CH30) −3,8〜
4−0 (br e 2HaCH20CO) 、4.1
〜4.4 (br 12H,CH2=CH)口分子邊及
び分子量分布!Mw−109,000゜Mn−51,0
00、Mw/MH−2,140ケイ素含*ms’t、3
a4 −14= 以上の分析結果より組成及びX、Y値は次の様になる。
、 3.55 (8゜9H13CH30) −3,8〜
4−0 (br e 2HaCH20CO) 、4.1
〜4.4 (br 12H,CH2=CH)口分子邊及
び分子量分布!Mw−109,000゜Mn−51,0
00、Mw/MH−2,140ケイ素含*ms’t、3
a4 −14= 以上の分析結果より組成及びX、Y値は次の様になる。
c=oC−0
1
0
CH30−840CH3
CH3
実施例7
実施例1で記載した装置に84MA377(o、01s
モル)、0M人4.9デ(o、 035モル)、BPO
O,035%(0,3モル%)、無水ペンゼア 50m
lを添加し、R流温度で8時間反区させた。反応終了後
1反応液を多量の石油エーテル中に投入し白色粉末の重
合体を得、実験例2に記載した様に槓この生成物の分析
随は次の様である。
モル)、0M人4.9デ(o、 035モル)、BPO
O,035%(0,3モル%)、無水ペンゼア 50m
lを添加し、R流温度で8時間反区させた。反応終了後
1反応液を多量の石油エーテル中に投入し白色粉末の重
合体を得、実験例2に記載した様に槓この生成物の分析
随は次の様である。
O赤外線吸収スペクトル:1730,1270゜105
01−1 0分子量及び分子量分布2八fw−96,000。
01−1 0分子量及び分子量分布2八fw−96,000。
h4n−54,000、Mw/Mn=1.780ケイ素
含引1$5.07% 以上の結果より生成−及びX、Y値は次の様になる。
含引1$5.07% 以上の結果より生成−及びX、Y値は次の様になる。
C1l 30−− S i −OCH30C口3
実施例8
実施例1で記載した装置にSiMAo、38ゾ(0,0
16モル)、水素化カルシウム上で蒸−ms製シft、
Jfh)タフI) v−) (MfviA ) 1.6
デ%(0,016モル) 、 BPOo、014 f
(0,3モル係)、無水ベンゼン50mj’を添加しR
流温度で 8時間反応させた。反応終了後1反応液を多
量の石油エーテル生成物の分析値は次の様でおる。
16モル)、水素化カルシウム上で蒸−ms製シft、
Jfh)タフI) v−) (MfviA ) 1.6
デ%(0,016モル) 、 BPOo、014 f
(0,3モル係)、無水ベンゼン50mj’を添加しR
流温度で 8時間反応させた。反応終了後1反応液を多
量の石油エーテル生成物の分析値は次の様でおる。
O赤外線吸収スペクトル(KMr ):1730゜1?
10.1250.1100cjl−1・核磁気共鳴スペ
クトル(CD013.TMS):δ0.5〜1.4(b
r、6H,2CH3)、1.4〜2.5(br、8H1
4C1(2)、3.5(8,9H,3CH30)。
10.1250.1100cjl−1・核磁気共鳴スペ
クトル(CD013.TMS):δ0.5〜1.4(b
r、6H,2CH3)、1.4〜2.5(br、8H1
4C1(2)、3.5(8,9H,3CH30)。
4、1〜4.3 (br 、 3H,CH30CO)
、4.3〜4.5(bf、2H,cH2oco)。
、4.3〜4.5(bf、2H,cH2oco)。
O分子量及び分子量分布:Mw−131,000゜Mn
=68.o 00 、 Mw/Mn= 1.930ケイ
素含有遺ニア87% 17− 以上の分析結果より生成物の組成及びX、Y値は沃の様
になる。
=68.o 00 、 Mw/Mn= 1.930ケイ
素含有遺ニア87% 17− 以上の分析結果より生成物の組成及びX、Y値は沃の様
になる。
OU
1
C113CH2
C1(2
署
CH2
(!k13L)−−8i 0CH3
oclt−13
代理人プ;+[向原 晋
18−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 占H2 H2 H2 ■ a’o−s鳳−〇ル′ 0IL! (ただし式中、Aは少なくとも一種のエチレン性不飽和
化合物から構成される単量体単位を表わし。 Rは水素原子もしくは低級アルキル基を表わし。 R′は低級アルキル基を表わし、X及びYは各構成単位
のモル比(ただしX=0を含む)を表わt)で示される
構成単位からなるケイ素原子を導入したアクリル系重合
体
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9808982A JPS58215409A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | ケイ素原子を有するアクリル系重合体 |
US06/501,201 US4551417A (en) | 1982-06-08 | 1983-06-06 | Method of forming patterns in manufacturing microelectronic devices |
IE1339/83A IE54731B1 (en) | 1982-06-08 | 1983-06-07 | Microelectronic device manufacture |
CA000429834A CA1207216A (en) | 1982-06-08 | 1983-06-07 | Method of forming patterns in manufacturing microelectronic devices |
EP83303324A EP0096596B2 (en) | 1982-06-08 | 1983-06-08 | Microelectronic device manufacture |
DE8383303324T DE3363914D1 (en) | 1982-06-08 | 1983-06-08 | Microelectronic device manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9808982A JPS58215409A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | ケイ素原子を有するアクリル系重合体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58215409A true JPS58215409A (ja) | 1983-12-14 |
Family
ID=14210610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9808982A Pending JPS58215409A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | ケイ素原子を有するアクリル系重合体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58215409A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005146131A (ja) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2009249440A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Daicel Chem Ind Ltd | アルコキシシリル基含有重合体、及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-06-08 JP JP9808982A patent/JPS58215409A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005146131A (ja) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4718114B2 (ja) * | 2003-11-17 | 2011-07-06 | 信越化学工業株式会社 | 珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2009249440A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Daicel Chem Ind Ltd | アルコキシシリル基含有重合体、及びその製造方法 |
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